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Ta/Al-Fe_2O_3薄膜电极的制备及其光电催化降解亚甲基蓝性能 被引量:6
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作者 金环 王娟 +4 位作者 姬云 陈媚媚 张轶 王齐 丛燕青 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第5期955-964,共10页
采用简单的涂滴法制备出新型的Al、Ta共掺杂的三元铁氧化物(Ta/Al-Fe2O3)可见光响应型光催化薄膜.运用X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等手段对其进行了表征,考察了其光电化学性能,并研究了复合电极光电催化降解亚甲基蓝(... 采用简单的涂滴法制备出新型的Al、Ta共掺杂的三元铁氧化物(Ta/Al-Fe2O3)可见光响应型光催化薄膜.运用X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等手段对其进行了表征,考察了其光电化学性能,并研究了复合电极光电催化降解亚甲基蓝(MB)废水的反应性能.由表面谱学分析可知,Ta和Al成功掺入Fe2O3中,Ta会改变催化剂表面Al和O的化学环境.在可见光照射下的光电催化(PEC)反应中,Ta/Al-Fe2O3降解MB的反应速率约为Al-Fe2O3的2倍,光电催化共作用的效果优于单纯光催化作用(PC)和电催化(EC)作用的效果.结果表明,Ta掺杂有利于提高Ta/Al-Fe2O3薄膜的光电催化活性. 展开更多
关键词 ta/al-Fe2O3 光电催化 可见光 亚甲基蓝 降解
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工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 贾宇明 杨邦朝 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期492-495,共4页
Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。... Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明,这种Ta/Al合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。 展开更多
关键词 合金薄膜 电阻性能 共溅射 钽铝合金
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Influence of Ta/Al ratio on the microstructure and creep property of a Ru-containing Ni-based single-crystal superalloy 被引量:3
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作者 Wei Song Xinguang Wang +6 位作者 Jinguo Li Jie Meng Yanhong Yang Jinlai Liu Jide Liu Yizhou Zhou Xiaofeng Sun 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第30期16-23,共8页
Two alloys with different Ta and Al contents were applied to study the influence of Ta/Al ratio on the microstructural evolution and creep deformation under high temperature.The increase of Ta/Al ratio made theγ/γ&#... Two alloys with different Ta and Al contents were applied to study the influence of Ta/Al ratio on the microstructural evolution and creep deformation under high temperature.The increase of Ta/Al ratio made theγ/γ'lattice misfit more negative and enhanced the volume fraction ofγ'phase,which produced cubic and smallγ'phase in the initial microstructures.These initial tinyγ'phases impeded the dislocations movement and delayed the course of complete raftedγ'phase during the origination of creep deformation,which prolonged the time of the primary creep stage.Moreover,the increase of Ta/Al ratio and addition of Ru produced the denser and stable dislocation networks,the high APB energy and better solution strengthening,which hindered the climbing and sliding of dislocations,and restrained the formation of superdislocations in theγ'precipitate.The second creep stage was extended,and the minimum creep rate was reduced.Hence,the increase of whole creep life of the alloy containing high Ta/Al ratio was attributed to the prolongation of the primary and second creep stages,and the low minimum creep rate.The appearance of the topological inversion phenomenon during the tertiary creep stage was the primary cause for the sudden increase of the creep strain rate of the alloy containing low Ta/Al ratio.However,the high creep strain rate of the alloy containing high Ta/Al ratio during the tertiary creep stage was related to the occurrence and extending of the cracks near the voids.Both alloys would lose efficacy within 20 h-30 h. 展开更多
关键词 Ni-based superalloys ta/al ratio High temperature creep Interfacial dislocation networks γ'rafting
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喷雾蒸发法制备Al和Ta掺杂锆酸镧锂固态电解质工艺研究
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作者 高鹏 沈宇帆 +2 位作者 张扬 张海 刘青 《煤炭转化》 北大核心 2025年第2期16-23,共8页
采用喷雾蒸发法制备石榴石型固态电解质锆酸镧锂Li_(7)La_(3)Zr_(2)O_(12)(LLZO),并经过煅烧-烧结得到固态电解质片。喷雾蒸发法合成LLZO具有达到分子级别混合、不会产生大量废水、容易调控合成条件等优势。LLZO常见的高锂离子电导率掺... 采用喷雾蒸发法制备石榴石型固态电解质锆酸镧锂Li_(7)La_(3)Zr_(2)O_(12)(LLZO),并经过煅烧-烧结得到固态电解质片。喷雾蒸发法合成LLZO具有达到分子级别混合、不会产生大量废水、容易调控合成条件等优势。LLZO常见的高锂离子电导率掺杂相包括Al掺杂LLZO(Li_(6.1)La_(3)Zr_(2)Al_(0.3)O_(12),Al-LLZO)和Ta掺杂LLZO(Li_(6.4)La_(3)Zr_(2)Ta_(0.6)O_(12),Ta-LLZO)。然而,喷雾蒸发法所用的前驱液绝大多数情况下是溶液,因此合成Ta-LLZO存在一定困难,目前还没有用喷雾蒸发法合成Ta-LLZO的相关报道。因此,提出配置含有固态Ta_(2)O_(5)颗粒的悬浊液作为前驱液,进而用喷雾蒸发法合成Ta-LLZO的办法,并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电化学阻抗谱(EIS)分析等表征测试技术,研究了Al掺杂和Ta掺杂对蒸发粉末和煅烧粉末的形貌及晶体结构以及对最终固态电解质片形貌、晶体结构、电导率的影响规律。结果表明:对于Al掺杂,在高蒸发温度、高浓度前驱液合成条件下,蒸发粉末容易形成球壳结构,反之容易形成实心结构,对于Ta掺杂,固态Ta_(2)O_(5)颗粒的存在使得蒸发粉末容易形成实心结构;Al掺杂的煅烧粉末里含有较多的LaAlO_(3)杂质,而Ta掺杂的煅烧粉末里含有较多的La_(2)Zr_(2)O_(7)杂质;Al掺杂的电解质片的锂离子电导率为2.0×10^(-4) S/cm,Ta掺杂的电解质片的锂离子电导率为2.7×10^(-4) S/cm。 展开更多
关键词 al-LLZO ta-LLZO 喷雾蒸发法 形貌 锂离子电导率
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Al对Ti_(70)Zr_(20)Ta_(10)合金力学性能的影响 被引量:1
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作者 徐家文 梁磊 +1 位作者 刘爱莲 高志远 《广州化工》 CAS 2024年第5期88-90,100,共4页
为了研究Al对固溶处理态Ti_(70)Zr_(20)Ta_(10)合金力学性能的影响,本文利用光学显微镜、扫描电镜和万能试验机研究了Ti_(70)Zr_(20)Ta_(10)-xAlx合金的显微组织和室温拉伸性能。结果表明,Al元素固溶到马氏体基体中形成固溶体,几乎不改... 为了研究Al对固溶处理态Ti_(70)Zr_(20)Ta_(10)合金力学性能的影响,本文利用光学显微镜、扫描电镜和万能试验机研究了Ti_(70)Zr_(20)Ta_(10)-xAlx合金的显微组织和室温拉伸性能。结果表明,Al元素固溶到马氏体基体中形成固溶体,几乎不改变固溶态Ti-Zr-Ta合金的晶粒尺寸,Ti-Zr-Ta-Al合金室温下均处于马氏体状态。Al的加入改善了Ti-Zr-Ta合金的力学性能,Ti-Zr-Ta-Al合金室温抗拉强度随Al含量增加而升高,断裂延伸率随Al含量的增加呈先增加后减少的趋势,当Al含量为1.0at%时,Ti-Zr-Ta-Al合金断裂延伸率最大(13.92%)。 展开更多
关键词 Ti-Zr-ta合金 al 高温形状记忆合金 力学性能
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热处理工艺对Ti-5Ta-5V-8Cr-1Al合金耐沸腾硝酸腐蚀性能的影响
6
作者 吴俊宇 徐建平 +1 位作者 刘后龙 李欢 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1992-1998,共7页
后处理工业所涉及的关键设备如溶解器、蒸发器等长期处于高浓度、高放射性的沸腾硝酸中,保证设备安全可靠运行是首要目标。本工作采用全浸腐蚀和电化学腐蚀实验手段研究了热处理工艺对Ti-5Ta-5V-8Cr-1Al(Ti5581)合金在6 mol/L沸腾硝酸... 后处理工业所涉及的关键设备如溶解器、蒸发器等长期处于高浓度、高放射性的沸腾硝酸中,保证设备安全可靠运行是首要目标。本工作采用全浸腐蚀和电化学腐蚀实验手段研究了热处理工艺对Ti-5Ta-5V-8Cr-1Al(Ti5581)合金在6 mol/L沸腾硝酸溶液中的腐蚀行为的影响。结果表明,仅固溶和460℃时效时Ti5581合金具有较低的腐蚀速率,腐蚀240 h后腐蚀速率为0.022 mm/a。进一步采用金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等方法分析了Ti5581合金腐蚀后表面钝化膜的结构和成分,表明腐蚀后表层钝化膜平滑且致密,表层钝化膜为Ti和Ta的混合氧化物。研究发现Ti5581合金表层钝化膜的形成与α相的数量和形态相关:与550℃高温时效相比,460℃低温时效时α相尺寸较小且Ta元素质量分数较高,腐蚀均匀性更好,易于形成致密钝化膜且钝化膜更稳定。 展开更多
关键词 Ti-ta-V-Cr-al合金 耐硝酸腐蚀 热处理 钝化膜 Α相
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爆炸焊接TA1/Al复合管的界面及性能研究 被引量:18
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作者 郭训忠 陶杰 +2 位作者 袁正 张立伍 孙显俊 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期139-142,共4页
采用爆炸焊接工艺对TA1管材及Al管进行了爆炸复合。利用SEM、XRD对复合管结合区形貌及相组成进行了研究;测试了复合管的结合强度及过渡区的显微硬度,并进行了轴向压缩、径向压扁试验。结果表明:直线状及波状界面同时存在于过渡区;过渡... 采用爆炸焊接工艺对TA1管材及Al管进行了爆炸复合。利用SEM、XRD对复合管结合区形貌及相组成进行了研究;测试了复合管的结合强度及过渡区的显微硬度,并进行了轴向压缩、径向压扁试验。结果表明:直线状及波状界面同时存在于过渡区;过渡区域出现了明显的元素扩散现象;界面结合强度不低于纯铝剪切强度;轴向压缩、径向压扁后的复合管试样均未出现分层,说明TA1/Al复合管坯界面结合性能优异,可以承受大的塑性变形。 展开更多
关键词 爆炸焊接 ta1/al复合管 界面 性能
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用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能 被引量:2
8
作者 任国强 邢金柱 +4 位作者 李晓红 郭建新 代秀红 杨保柱 赵庆勋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期462-464,共3页
应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/... 应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。 展开更多
关键词 CU互连 阻挡层 ta/Ti-al 射频磁控溅射
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纳米Ta-Al-N薄膜的制备及其扩散阻挡特性的研究 被引量:2
9
作者 周继承 陈海波 李幼真 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期327-331,共5页
采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构... 采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征。实验结果表明,本实验条件下制得的Ta-Al-N纳米薄膜表面光滑;随着Al靶溅射功率的增加,Ta-Al-N薄膜中Al含量和方块电阻相应增大,均方根粗糙度降低,而沉积速率变化不大,且Ta-Al-N膜层对Cu扩散的阻挡能力增强。但在过高的温度下退火,导致Cu通过Ta-Al-N的晶界扩散到Ta-Al-N/Si界面并形成Cu3Si,从而引起阻挡层的失效。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 taal-N纳米薄膜 Cu扩散阻挡层 阻挡特性
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Ta/Al复合薄膜性能及应用 被引量:1
10
作者 贾宇明 杨邦朝 刘兴钊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期605-609,共5页
铝含量为50%的Ta/Al复合薄膜由于其具有优良的热稳定性而适用于制造高精密、高稳定功率型电阻或功率集成电阻网络。用钽铝复合靶直流共溅射的方法可以制备这种薄膜,但淀积参数及热处理条件对薄膜的热稳定性能有很大影响。用该... 铝含量为50%的Ta/Al复合薄膜由于其具有优良的热稳定性而适用于制造高精密、高稳定功率型电阻或功率集成电阻网络。用钽铝复合靶直流共溅射的方法可以制备这种薄膜,但淀积参数及热处理条件对薄膜的热稳定性能有很大影响。用该复合薄膜制出了功率负荷性能优良的中功率薄膜衰减器。最后,用XPS分析了薄膜表面的化学组成。 展开更多
关键词 复合薄膜 共溅射 热稳定性 功率负荷
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多靶磁控共溅射纳米Ta-Al-N薄膜的阻挡性能研究
11
作者 李幼真 周继承 +1 位作者 陈海波 刘正 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期460-464,共5页
采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta-Al-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-Al-N薄膜,对薄膜进行了热处理。用四探针测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响。结果表明,T... 采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta-Al-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-Al-N薄膜,对薄膜进行了热处理。用四探针测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响。结果表明,Ta-Al-N薄膜具有优良的热稳定性,保持非晶态且能对Cu有效阻挡的温度可达800°C;同时发现在900°C退火5 min后,薄膜开始晶化,在Cu/Ta-Al-N/Si界面处生成了Cu3Si等相,表明此时Ta-Al-N薄膜阻挡层开始失效。 展开更多
关键词 钽铝氮薄膜 热退火 表面形貌 阻挡特性
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Y、Ta、Cr元素对Ni-10%Cu-10%Fe-10%Al合金在850℃冰晶石熔盐气氛中热腐蚀行为的影响 被引量:2
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作者 李彬 罗兵辉 +2 位作者 占戈 周科朝 柏振海 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期2246-2252,共7页
通过真空铸造得到Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu(质量分数)及分别添加0.8%Y、5.3%Ta和13.6%Cr(质量分数)的Ni-Fe-Al-Cu-X(X:Y或Ta或Cr)4种合金,采用熔盐腐蚀实验及SEM,XRD及EDX测试研究各合金在850℃静态冰晶石熔盐气氛中的腐蚀行为。结果表明:... 通过真空铸造得到Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu(质量分数)及分别添加0.8%Y、5.3%Ta和13.6%Cr(质量分数)的Ni-Fe-Al-Cu-X(X:Y或Ta或Cr)4种合金,采用熔盐腐蚀实验及SEM,XRD及EDX测试研究各合金在850℃静态冰晶石熔盐气氛中的腐蚀行为。结果表明:在850℃冰晶石熔盐气氛中,Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu合金表面形成的氧化物保护膜;由于氧的聚集、扩散,并在熔盐/氧化膜界面处发生O2+2e=2O2还原反应,而生成的O2与MeO反应生成MeO22,致使NiO和Al2O3等氧化物层疏松、多孔、易剥落;另外,氧化物保护膜也被熔盐挥发的氟化物通过物理化学作用而溶解,形成坑洞,腐蚀层呈现层叠状;添加0.8%Y和5.3%Ta可净化合金晶界,使腐蚀层中氧化产物更致密,提高合金抗冰晶石熔盐气氛腐蚀性能;添加13.6%Cr的Ni-10%Fe-10%Al-10%Cu合金,其腐蚀层形成Cr2O3及NiCr2O4冰晶石结构的化合物,降低其他氧化物的活度,提高氧化膜的保护作用,该合金抗冰晶石熔盐气氛腐蚀性能最好。 展开更多
关键词 Ni-Fe-al-Cu合金 冰晶石熔盐气氛 Y ta Cr
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磁控溅射V-Al-Ta-N四元涂层结构和性能研究
13
作者 裴旺 朱萍 +3 位作者 段晋辉 梁银 黄峰 刘建雄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期719-725,共7页
利用磁控溅射法制备出不同成分的(VAl)_(1-x)Ta_xN涂层,用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜表征涂层微观结构,利用纳米压痕仪和摩擦磨损试验机测试了Ta含量对涂层的力学性能和摩擦磨损性能的影响。研究表明:Ta含量x≤0.31时,涂层为(1... 利用磁控溅射法制备出不同成分的(VAl)_(1-x)Ta_xN涂层,用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜表征涂层微观结构,利用纳米压痕仪和摩擦磨损试验机测试了Ta含量对涂层的力学性能和摩擦磨损性能的影响。研究表明:Ta含量x≤0.31时,涂层为(111)结构,且硬度较低;当x≥0.57时,(111)结构完全消失,涂层呈现(200)择优取向,此时涂层变得较为致密,硬度和模量均得到明显提升,韧性也有显著提高。摩擦磨损实验表明Ta含量的增加能够降低涂层的摩擦系数,但同时也会增大涂层的磨损率。 展开更多
关键词 磁控溅射 V-al-ta-N涂层 微观结构 力学性能 摩擦磨损
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Ta和Re对Ni/Ni_(3)Al相界面断裂强度和蠕变强度的影响
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作者 胡雪兰 孙小清 +1 位作者 王梦媛 王亚如 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期72-80,共9页
采用基于密度泛函理论和广义梯度近似的第一原理方法,探究Ta元素和Re元素在Ni/Ni_(3)Al相界面中的相互作用及其对界面强度的影响.计算表明:在绝大多数化学计量比范围内, Ta原子优先占据γ相中的顶点Ni位, Re原子优先占据γ'相中的Al... 采用基于密度泛函理论和广义梯度近似的第一原理方法,探究Ta元素和Re元素在Ni/Ni_(3)Al相界面中的相互作用及其对界面强度的影响.计算表明:在绝大多数化学计量比范围内, Ta原子优先占据γ相中的顶点Ni位, Re原子优先占据γ'相中的Al位, Re原子和Ta原子共合金化时掺杂位置不发生改变.通过格里菲斯断裂功、不稳定堆垛层错能及空位迁移能的计算,得出Ta和Re合金化都可以增强界面的格里菲斯断裂能,提高界面的结合强度,两种合金化元素均提高了体系的不稳定堆垛层错能,即提高了界面阻碍位错运动的能力和抵抗变形的能力,其中Re的单独合金化效果更好.两种元素的掺杂提高了界面上空位迁移的势垒,阻碍了空位的发射和吸收,进而提高了合金的蠕变能力. 展开更多
关键词 第一性原理计算 Ni/Ni_(3)al相界面 合金化元素ta和Re 界面强度
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微量Ta和Zr对Fe-Cr-Al系不锈钢高温组织稳定性的影响 被引量:3
15
作者 张军政 温冬辉 +3 位作者 姜贝贝 张瑞谦 王清 董闯 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期336-344,共9页
用团簇成分式方法对Fe-Cr-Al-Mo-Nb合金进行成分解析,并在此基础上确定了Fe-Cr-Al三元基础成分式Fe_(75)Al_(9.375)Cr_(15.625)(at.%),进而添加Mo、Nb、Ta和Zr元素替代部分Cr元素。采用真空电弧熔炼制备设计的母合金锭,然后进行1200℃/... 用团簇成分式方法对Fe-Cr-Al-Mo-Nb合金进行成分解析,并在此基础上确定了Fe-Cr-Al三元基础成分式Fe_(75)Al_(9.375)Cr_(15.625)(at.%),进而添加Mo、Nb、Ta和Zr元素替代部分Cr元素。采用真空电弧熔炼制备设计的母合金锭,然后进行1200℃/2 h固溶处理,进而在800℃进行多道次热轧成板,再进行800℃/24 h时效处理,最后在不同温度进行高温固溶处理,研究了微量元素添加对合金高温组织稳定性的影响。结果表明,对于800℃/24 h时效的Mo/Nb/Ta/Zr合金化样品,第二相(Laves相)粒子均弥散分布于铁素体基体中。1000℃/1 h再固溶处理,使系列合金中的第二相粒子发生回溶,至1200℃/1 h固溶后只含有Mo/Nb的合金中的第二相粒子已全部溶入到基体中,而在Ta和Zr微合金化的样品中仍有第二相粒子存在于基体的晶界处,有效抑制了基体晶粒在高温下异常长大,从而提高基体的组织稳定性和合金在高温下的力学性能。 展开更多
关键词 金属材料 Fe-Cr-al-Mo-Nb/ta/Zr合金 铁素体不锈钢 合金化 组织稳定性 第二相析出
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(Zr-Cu-Al-Dy)-Ta非晶/结晶复合材料及其力学性能 被引量:2
16
作者 田昂峰 马朝利 张涛 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期741-744,共4页
在Zr-Cu-Al-Dy合金中添加难熔金属Ta,利用铜模铸造法制备出Zr基非晶/结晶复合材料。复合材料的形成过程可描述如下:在凝固过程中,熔体中首先析出富Ta固溶体,剩余熔体的成分逐渐接近原始非晶合金成分,且非晶形成能力随着富Ta固溶体的析... 在Zr-Cu-Al-Dy合金中添加难熔金属Ta,利用铜模铸造法制备出Zr基非晶/结晶复合材料。复合材料的形成过程可描述如下:在凝固过程中,熔体中首先析出富Ta固溶体,剩余熔体的成分逐渐接近原始非晶合金成分,且非晶形成能力随着富Ta固溶体的析出而提高,最终形成非晶基体。富Ta固溶体多呈树枝晶状分布于非晶基体中,多数树枝晶状的固溶体尺寸大于10μm,远大于剪切带的平均厚度(约10~20nm)。压缩试验结果:非晶/结晶复合材料的宏观塑性变形量从几乎为零提高到13.5%,断裂强度也从1850MPa提高到2050MPa。 展开更多
关键词 Zr-Cu-al-Dy合金 非晶/结晶复合材料 断裂强度 塑性变形
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时效温度对Fe42.5Ni28Co17Al11.5Ta1形状记忆合金组织及伪弹性的影响
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作者 陈朝霞 彭文屹 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期120-124,共5页
对Fe42. 5Ni28Co17Al11. 5Ta1(at%)合金进行了不同温度下的时效处理,利用扫描电镜、X射线衍射仪等对时效后合金的组织和物相进行分析,并运用Origin Peak Fit Module软件进行了晶格常数的测定,同时对经不同温度时效后的合金在室温下进行... 对Fe42. 5Ni28Co17Al11. 5Ta1(at%)合金进行了不同温度下的时效处理,利用扫描电镜、X射线衍射仪等对时效后合金的组织和物相进行分析,并运用Origin Peak Fit Module软件进行了晶格常数的测定,同时对经不同温度时效后的合金在室温下进行了硬度和伪弹性的测试。结果表明:保持时效时间60 h不变,当时效温度由600℃增加至650℃和750℃时,晶内由γ’单相析出转为γ’和β两相析出。β相的析出与较高时效温度下Ta元素在基体里的固溶度增加有关。在晶内单相析出模式下,合金在室温下展现伪弹性,可回复应变为10. 01%;在晶内双相析出模式下,在室温下展现超弹性,应力滞后小,可回复应变达12. 41%。在650℃的时效温度下,合金在室温下的伪弹性表现最佳。 展开更多
关键词 形状记忆合金 时效 伪弹性 Fe-Ni-Co-al-ta 马氏体相变
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Effects of small amount Ta on the characteristics of the Zr-Al-Ni-Cu-Ta bulk metallic glass 被引量:1
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作者 HongchaoKou XidongHui +3 位作者 XiongjunLiu XipingSong GuoliangChen KefuYao 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2005年第3期257-261,共5页
The effects of Ta on the characteristics of the Zr-base BMG (bulk metallic glass) were investigated. Zr55Al10Ni5Cu30-xTax (x=1, 2,4) bulk metallic glasses (BMGs) with 3.5 mm diameter and 70 mm length were successfully... The effects of Ta on the characteristics of the Zr-base BMG (bulk metallic glass) were investigated. Zr55Al10Ni5Cu30-xTax (x=1, 2,4) bulk metallic glasses (BMGs) with 3.5 mm diameter and 70 mm length were successfully prepared by using combined jet and copper mold casting. A small amount of Ta addition does not change the glass transition temperature, crystallization temperature, and supercooled liquid region obviously, but Ta promotes composition separation and two-stage crystallization. The stable crystalline phases include Zr2Ni, CuZr2, Al2Zr3 intermetallic compounds and Ta-rich solid solution after annealing the Zr-Al-Ni-Cu-Ta alloys at 753 K. Zr55Al10Ni5Cu30-xTax (x=1,2,4) bulk glassy alloys exhibit a better compressive strength. The stress-strain curve shows a zigzag feature, and the fracture surface shows intersecting of shear bands. It may correlate with the inhomogeneous feature of amorphous structure. 展开更多
关键词 Zr-al-Ni-Cu-ta alloy bulk metallic glass (BMG) microstructure compressive property
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Thin Film Chip Resistors with High Resistance and Low Temperature Coefficient of Resistance 被引量:5
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作者 王秀宇 张之圣 +1 位作者 白天 刘仲娥 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2010年第5期348-353,共6页
High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than... High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than ±15×10-6/℃.Cr-Si-Ta-Al films were prepared with Ar flow rate and sputtering power fixed at 20 standard-state cubic centimeter per minute(sccm) and 100 W,respectively.The experiment shows that the electrical properties of Cr-SiTa-Al deposition films can meet the specification requirements of 0603 ty... 展开更多
关键词 thin film chip resistor high resistance low temperature coefficient of resistance alloy target magnetic sputtering Cr-Si-ta-al film
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不同电介质对制备TiAl合金粉末的影响
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作者 赖旭平 李天方 +1 位作者 刘瑞 孙红亮 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期35-40,共6页
以Ti-46.2%Al-8%Ta为实验材料,选用不同的电介质,通过电火花等离子体放电法制备了TiAl基合金粉末。结果表明:电介质为无水乙醇时,所制备粉末的成分是TiC和Al_(2)O_(3),粉末球形度非常低,且氧含量非常高;电介质为液氮时,所制备粉末的成分... 以Ti-46.2%Al-8%Ta为实验材料,选用不同的电介质,通过电火花等离子体放电法制备了TiAl基合金粉末。结果表明:电介质为无水乙醇时,所制备粉末的成分是TiC和Al_(2)O_(3),粉末球形度非常低,且氧含量非常高;电介质为液氮时,所制备粉末的成分是TiN和AlN,粉末中的氮含量非常高;电介质为液氩时,所制备粉末成分是TiAl,粉末质量较高,但粉末产量非常低。在后续的研究中,可以采用液氩为电介质,不断优化工艺参数,在保证粉末质量的同时,进一步提高粉末的产量。 展开更多
关键词 TIal合金 Ti-al-ta 电火花等离子体放电法 电介质
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