期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
缓冲层和保护层对Ta(Ti)/Co/Nb多层膜热稳定性影响
1
作者 黄彦翔 任康 +11 位作者 丁俊贤 贡佳伟 许文涛 赵文礼 李涛 章健康 谢俊磊 徐耀鸿 丁泽豪 朱济生 李广 王磊 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第2期5-11,共7页
采用磁控溅射法制备底层(BL)/钴(Co)/顶层(CL)三层膜,通过考察Co磁矩(M)与温度(T)的关系,系统分析了不同BL和CL对Co层热稳定性的影响。其中BL和CL分别为非磁性过渡金属钽(Ta)、钛(Ti)和铌(Nb)。研究发现,不同的非磁性底层和顶层材料对C... 采用磁控溅射法制备底层(BL)/钴(Co)/顶层(CL)三层膜,通过考察Co磁矩(M)与温度(T)的关系,系统分析了不同BL和CL对Co层热稳定性的影响。其中BL和CL分别为非磁性过渡金属钽(Ta)、钛(Ti)和铌(Nb)。研究发现,不同的非磁性底层和顶层材料对Co的热稳定性有着不同的影响,其中Ti作为BL和CL时Co的热稳定性最好。此外,与BL相比,CL在Co层的M-T具有更重要的影响,相同的CL其Co具有类似M-T曲线。实验结果可以解释为非磁性BL和CL与Co之间存在的耦合相互作用。这揭示出在纳米级多层膜中,通常用于促进晶体结构和防止氧化的底部非磁性缓冲层和顶部保护层可能对其相邻的磁性层的磁性能产生影响。 展开更多
关键词 ta(Ti)/Co/Nb多层膜 钴热稳定性 底层(缓冲层) 顶层(保护层)
在线阅读 下载PDF
IrMn顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究 被引量：1
2
作者 刘华瑞 任天令 +3 位作者 曲炳郡 刘理天 库万军 李伟 《金属功能材料》 CAS 2003年第6期18-21,共4页
通过直流磁控溅射法在硅 /二氧化硅基底上沉积了Ta膜 ,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜 ,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况 ,及自旋阀的磁性能 ,结果表明 ,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的... 通过直流磁控溅射法在硅 /二氧化硅基底上沉积了Ta膜 ,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜 ,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况 ,及自旋阀的磁性能 ,结果表明 ,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的关系 ,在Ta缓冲层为 3nm时自旋阀的磁电阻率 (9 2 4 % )和交换场 (2 5 5× (10 3 / 4π)A/m)达到最大值 ,而矫顽力 (2 4 3× (10 3 / 4π)A/m) 展开更多
关键词 自旋阀 磁控溅射 缓冲层 优化 巨磁电阻
在线阅读 下载PDF
顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究
3
作者 刘华瑞 任天令 +1 位作者 刘理天 李伟 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期266-268,共3页
通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能.通过工艺... 通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能.通过工艺改进和结构优化,得到了Ta缓冲层的最佳厚度3nm.此时自旋阀的磁电阻率(9.24%)和交换场(255×(103/4π)A/m)达到最大值,而矫顽力(2.43×(103/4π)A/m)比较小.通过优化后得到的自旋阀薄膜非常适合于工业自动化和汽车工业中的高性能GMR传感器的应用. 展开更多
关键词 巨磁电阻 自旋阀 ta缓冲层
在线阅读 下载PDF
基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化 被引量：3
4
作者 艾明哲 贾雅婷 +2 位作者 陈忠志 徐慧中 彭斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期577-580,共4页
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在... 采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。 展开更多
关键词 各向异性磁阻 NiFe薄膜 缓冲层 磁阻开关
在线阅读 下载PDF
制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响 被引量：1
5
作者 胡凌桐 张万里 +1 位作者 彭斌 张文旭 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期26-29,35,共5页
NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降... NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。 展开更多
关键词 NiFe薄膜 ta缓冲层 AMR效应 真空磁场退火 磁控溅射 超薄金属薄膜
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部