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成型压力对冷等静压-烧结法制备ITO靶材中孔隙缺陷的影响 被引量：7
1
作者 刘志宏 谌伟 +1 位作者 李玉虎 刘智勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2435-2444,共10页
孔隙缺陷是影响ITO靶材密度及其均匀性的主要原因。研究冷等静压-常压烧结法制备ITO靶材中孔隙的形成机理及其在成型中的变化过程,分析成型压力（模压和冷等静压）对生坯及靶材孔隙缺陷及相对密度的影响。结果表明：尽管模压压力远低于... 孔隙缺陷是影响ITO靶材密度及其均匀性的主要原因。研究冷等静压-常压烧结法制备ITO靶材中孔隙的形成机理及其在成型中的变化过程,分析成型压力（模压和冷等静压）对生坯及靶材孔隙缺陷及相对密度的影响。结果表明：尽管模压压力远低于冷等静压压力,但模压过程对ITO生坯中孔隙缺陷的消除具有重要影响;当模压压力由4 MPa提高到20 MPa时,生坯经200 MPa冷等静压后,孔径在15～45μm区间的孔隙率由1.09%降低为0.2%。实验所用ITO颗粒的屈服压力约为12 MPa。当模压压力小于12 MPa时,生坯中的ITO颗粒仅发生压缩形变;而当其大于12 MPa时,ITO颗粒破碎,致使生坯致密化,从而消除孔隙缺陷。在模压和冷等静压压力分别为24和250 MPa条件下,ITO生坯相对密度达59.3%,烧结后ITO靶材相对密度高达99.1%。 展开更多
关键词 ITO靶材 成型压力 孔隙缺陷 形成机理
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