基于TSV(Through Silicon Via)技术,设计了一款采用硅基堆叠的变频微模组,通过PoP(Package on Package)堆叠实现多层硅基板堆叠封装,芯片两层堆叠垂直互连,完成X波段下变频功能。相比于多层硅基晶圆级直接堆叠架构,工艺难度降低,良率提...基于TSV(Through Silicon Via)技术,设计了一款采用硅基堆叠的变频微模组,通过PoP(Package on Package)堆叠实现多层硅基板堆叠封装,芯片两层堆叠垂直互连,完成X波段下变频功能。相比于多层硅基晶圆级直接堆叠架构,工艺难度降低,良率提升。该微模组利用类同轴硅通孔结构解决微波信号在多层硅基板中垂直传输的问题,并进行了实物测试验证。该变频微模组集成度高、射频性能良好,其体积相对于传统混合集成结构减少90%,实现了射频功能的微系统化。展开更多
文摘基于TSV(Through Silicon Via)技术,设计了一款采用硅基堆叠的变频微模组,通过PoP(Package on Package)堆叠实现多层硅基板堆叠封装,芯片两层堆叠垂直互连,完成X波段下变频功能。相比于多层硅基晶圆级直接堆叠架构,工艺难度降低,良率提升。该微模组利用类同轴硅通孔结构解决微波信号在多层硅基板中垂直传输的问题,并进行了实物测试验证。该变频微模组集成度高、射频性能良好,其体积相对于传统混合集成结构减少90%,实现了射频功能的微系统化。
文摘对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
