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深亚微米集成工艺仿真系统TSUPREM-4的功能及应用: 1; 作者李惠军徐永勋《微纳电子技术》 CAS 2003年第2期34-34,共1页; 介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型。以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了NMOS器件的二维剖面结构、杂质浓度的等值分布描述以及相应的电学特性。; 关键词 tsuprem-4集成电路仿真系统制造工艺 NMOS器件深亚微米计算机辅助设计工艺仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用TSUPREM-4对低压VDMOS进行虚拟制造被引量：1: 2; 作者白朝辉王标《现代电子技术》 2007年第15期161-163,共3页; 介绍了低压VDMOS的结构和各个参数及相互间的关系,并按TSUPREM-4工艺仿真软件的工艺流程顺序给出了各步工艺的设计思路、方法、注意事项。对外延层厚度进行了计算,并用该软件实现了耐压55 V,导通电阻11 MΩ的低压VDMOS器件结构的工艺设... 展开更多; 关键词低压VDMOS tsuprem-4 工艺模拟导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计被引量：5: 3; 作者陆生礼孙伟锋 +3 位作者易扬波谭悦吴建辉时龙兴《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期72-77,共6页; 设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结... 展开更多; 关键词等离子平板显示驱动选择驱动芯片 HV-COMS器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米集成电路制造工艺设计与仿真系统TSUPREM发展与现状: 4; 作者邢爱堂靳梅 +1 位作者王冬青陈景标《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期33-34,共2页; 结合集成电路制造工艺仿真系统TSUPREM的发展历史，回顾了集成电路工艺仿真技术的发展，并着重介绍了Avanti公司的深亚微米工艺仿真系统TSUPREM-4 1999.4。; 关键词 tsuprem-4 集成电路制造工艺工艺仿真工艺设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

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