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题名50W高功率因数反激式开关电源箝位电路的研究
被引量：5
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作者
李振森
徐军明
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机构
杭州电子科技大学电子信息学院
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出处
《电子器件》
CAS
2009年第6期1055-1058,共4页
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基金
国家自然科学基金资助(60671024)"基于IC工艺的集成RF薄膜变压器研究"
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文摘
由于高PF(功率因数)宽电压反激式开关电源的变压器漏感会导致过压尖峰很高,需采用箝位电路吸收。目前常用的三种箝位电路有TD箝位(齐纳箝位)、RCD箝位、TRCD箝位电路,论文分别设计了三种50 W单级PFC的箝位电路。对三种箝位电路的箝位电压波形、EMI、温升和效率进行了测试,测试表明它们的温升、EMI依次降低;RCD和TRCD箝位的电源效率大于TD箝位的。
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关键词
开关电源
单级PFC
RCD箝位
trcd箝位
温升
EMI
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Keywords
switching power supply
single-stage PFC
RCD clamp
trcd clamp
temperature rise
EMI
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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题名通过BIOS设置加速DDR内存
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作者
Net_ml
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出处
《微型计算机》
北大核心
2003年第19期98-98,共1页
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关键词
计算机
BIOS设置
DDR内存
CAS
LATENCY
trcd
列动态时间
内存频率
内存交错
突发长度
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分类号
TP333.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名一种加速DRAM灵敏放大器的设计方法
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作者
段会福
付妮
拜福君
蒋强
李进
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机构
西安紫光国芯半导体有限公司
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出处
《无线互联科技》
2017年第11期57-58,117,共3页
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文摘
文章设计了一种DRAM中的灵敏放大器,通过增加一个过充电压开关,一个过充电压工作时间脉冲控制电路,一个发生器电路,使得灵敏放大器的放大速度有效提升,从而改善了DRAM的性能指标参数t RCD,提高了DRAM的性能。这种方法通过很小的代价,实现了灵敏放大器放大速度的改进。电路易于控制,版图面积增加很小,功耗无需增加,是一种提高灵敏放大器性能的有效方法。
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关键词
DRAM灵敏放大器
trcd过充电压
脉冲控制电路
信号建立时间
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Keywords
DRAM sense amplifier
trcd over drive voltage
pulse control circuit
signal development time
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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