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Comparison benchmark between tokamak simulation code and TokSys for Chinese Fusion Engineering Test Reactor vertical displacement control design
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作者 仇庆来 肖炳甲 +2 位作者 郭勇 刘磊 汪悦航 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期254-258,共5页
Vertical displacement event(VDE) is a big challenge to the existing tokamak equipment and that being designed. As a Chinese next-step tokamak, the Chinese Fusion Engineering Test Reactor(CFETR) has to pay attentio... Vertical displacement event(VDE) is a big challenge to the existing tokamak equipment and that being designed. As a Chinese next-step tokamak, the Chinese Fusion Engineering Test Reactor(CFETR) has to pay attention to the VDE study with full-fledged numerical codes during its conceptual design. The tokamak simulation code(TSC) is a free boundary time-dependent axisymmetric tokamak simulation code developed in PPPL, which advances the MHD equations describing the evolution of the plasma in a rectangular domain. The electromagnetic interactions between the surrounding conductor circuits and the plasma are solved self-consistently. The TokSys code is a generic modeling and simulation environment developed in GA. Its RZIP model treats the plasma as a fixed spatial distribution of currents which couple with the surrounding conductors through circuit equations. Both codes have been individually used for the VDE study on many tokamak devices, such as JT-60U, EAST, NSTX, DIII-D, and ITER. Considering the model differences, benchmark work is needed to answer whether they reproduce each other's results correctly. In this paper, the TSC and TokSys codes are used for analyzing the CFETR vertical instability passive and active controls design simultaneously. It is shown that with the same inputs, the results from these two codes conform with each other. 展开更多
关键词 code benchmark TSC toksys vertical displacement event CFETR
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HL-2M等离子体垂直不稳定性研究
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作者 李波 宋显明 +1 位作者 李佳鲜 宋啸 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期19-24,共6页
用DⅢ-D的TokSys研究了HL-2M等离子体垂直不稳定性控制问题。使用真空室和主动线圈控制等离子体垂直不稳定性,分析了真空室的本征模和电流分布,极大简化真空室建模难度,建立了垂直不稳定性数学模型,验证了主动线圈和电源模型参数,计算... 用DⅢ-D的TokSys研究了HL-2M等离子体垂直不稳定性控制问题。使用真空室和主动线圈控制等离子体垂直不稳定性,分析了真空室的本征模和电流分布,极大简化真空室建模难度,建立了垂直不稳定性数学模型,验证了主动线圈和电源模型参数,计算了不同拉长比位形的等离子体增长率和最大可控垂直位移。利用TokSys建立了雪花、单零、双零偏滤器位形垂直不稳定仿真模型,然后通过simulink对采用PD算法的垂直不稳定系统进行仿真。结果表明,构建的模型能够较好控制不同位形的垂直不稳定性。 展开更多
关键词 toksys HL-2M装置 垂直不稳定性 增长率 SIMULINK
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CFETR包层等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响
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作者 陈东 叶民友 +3 位作者 毛世峰 陈树亮 李航 黄泰豪 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期91-96,共6页
基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型。在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响。结果表明,垂直位移... 基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型。在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响。结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减小垂直位移增长率。 展开更多
关键词 CFETR 垂直位移增长率 toksys 等效电阻率
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