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基于MO-TFT工艺的8位32 kS/s电流舵DAC
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作者 欧逸怡 李斌 +1 位作者 吴朝晖 赵明剑 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第2期16-25,共10页
设计了一个基于金属氧化物薄膜晶体管工艺的8位电流舵数/模转换器(Digital to Analog Converter,DAC),包括定时刷新模块、同步寄存器电路、分段译码电路、开关驱动电路、开关阵列和电流源阵列、多路选择器网络、随机序列发生器。在数字... 设计了一个基于金属氧化物薄膜晶体管工艺的8位电流舵数/模转换器(Digital to Analog Converter,DAC),包括定时刷新模块、同步寄存器电路、分段译码电路、开关驱动电路、开关阵列和电流源阵列、多路选择器网络、随机序列发生器。在数字电路中设计定时刷新结构解决了传统的自举逻辑门电荷泄露导致的电流源开关驱动电压的下降,避免了在低频信号下采样出错问题的发生。提出采用差分对偶译码的结构,保证打开和关闭两路信号可以同时到达开关驱动电路,保证驱动电路中电压上升和下降窗口的对称性,减小输出的毛刺;同时利用数字电路中的D触发器和译码电路中的逻辑门实现驱动增强电路,保证可以驱动模拟电路中的高位单位电流源,提高转换速率;利用动态元件匹配(Dynamic Elements Matching,DEM)技术提高DAC的动态性能。后仿真结果表明,所设计的DAC面积为73 mm 2,功耗为6.5 mW,输出电流摆幅为301.46μA,最大转换速率为32 kS/s,在单位电流源的随机匹配误差的标准差为0.1的条件下,奈奎斯特频率下的无杂散动态范围(Spurious-Free Dynamic Range,SFDR)可达到42.43 dB,最大的微分非线性(Differential Nonlinearity,DNL)为0.36 LSB,最大的积分非线性(Integral Nonlinearity,INL)为1.75 LSB,满足生物医学用柔性电子系统的需求。 展开更多
关键词 MO-tft 电流舵 DAC 非晶铟化镓tft
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基于分层时空框架的共享单车需求预测:LP-TFT模型与SHAP可解释分析
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作者 李聪颖 袁锴璐 +3 位作者 李静怡 郑晓晶 李坤 何源 《中国公路学报》 北大核心 2025年第10期305-323,共19页
为揭示共享单车系统需求演变规律,并明确不同因素对需求的影响,提出一种融合特征解耦与深度学习的集群-站点级分层时空预测框架。首先,基于站点间的关联性与相似性改进LP算法,构建站点集群划分模型,其中关联性通过空间距离与出行流量表... 为揭示共享单车系统需求演变规律,并明确不同因素对需求的影响,提出一种融合特征解耦与深度学习的集群-站点级分层时空预测框架。首先,基于站点间的关联性与相似性改进LP算法,构建站点集群划分模型,其中关联性通过空间距离与出行流量表征,相似性通过POI相似度与历史出行量相似度加权表征;引入借还不平衡差异指数评价聚类效果,以最小化借还不平衡差异指数为目标进行站点集群划分;在此基础上,分别建立基于TFT模型的集群级与站点级需求预测模型,并将集群级预测结果整合进站点级预测过程中;最后,运用SHAP方法解析不同因素对集群级与站点级共享单车需求的影响机制。研究结果表明:集群级需求预测过程中,小时特征对集群级需求的影响最显著,表现为夜间抑制、日间促进,气象因素呈现双向调节作用,在温度适中、气压较高、风速与湿度较低时对需求产生促进作用;站点级需求预测过程中,集群需求为核心影响因素,随着集群级结果的引入,站点级预测结果的决定系数R^(2)由0.7679提升至0.8504,平均绝对误差MAE由1.2152降至0.9755,误差降低约19.73%;气象因素在站点层级展现出一定的独立影响趋势,如在部分低温、高湿或风速较大的情境下仍可能促进需求,表明站点级需求不仅依赖于集群需求的整体波动,还受站点周边环境的影响,具有一定独立性。研究构建了基于分层时空框架的共享单车需求预测方法,可为共享单车需求驱动因素识别与动态调度提供决策支持。 展开更多
关键词 交通工程 共享单车需求预测 LP算法 tft算法 SHAP可解释分析
原文传递
缺陷态对ZTO:Li TFT光电性能的影响
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作者 李东旭 郭亮 +3 位作者 裘锦春 杨帆 王超 杨小天 《日用电器》 2025年第6期43-51,共9页
在本研究中,使用磁控溅射法制备了不同溅射功率的ZnSnO:Li(LZTO)薄膜。研究了缺陷态浓度对ZnSnO:Li (LZTO)TFT电学性能的影响。随着溅射功率改变,Li、Zn、Sn元素的占比发生变化。当溅射功率较低时,Li元素形成Li间隙产生足够的自由电子,... 在本研究中,使用磁控溅射法制备了不同溅射功率的ZnSnO:Li(LZTO)薄膜。研究了缺陷态浓度对ZnSnO:Li (LZTO)TFT电学性能的影响。随着溅射功率改变,Li、Zn、Sn元素的占比发生变化。当溅射功率较低时,Li元素形成Li间隙产生足够的自由电子,导致缺陷态浓度降低,器件的电学性能提升。溅射功率持续增加时,结合能较低的Li离子取代结合能较高Zn离子,使占据晶格的Zn离子减少,Zn间隙增加,并产生了部分氧空位,导致薄膜缺陷态浓度增高,器件的电学性能下降。当LZTO溅射功率为80 W时器件电学性能最佳,迁移率为16.03 cm^(2)/Vs、阈值电压为-1.14 V、亚阈值摆幅为1.63 V/decade、开关比为2.2×10^(8)。 展开更多
关键词 LZTO tft XPS分析 缺陷密度
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TFT基板创新遮光维修及参数优化分析
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作者 谈思云 何彬 +4 位作者 胡延雨 蒋腾腾 张小松 李登涛 刘浩然 《液晶与显示》 北大核心 2025年第10期1450-1457,共8页
针对TFT基板上发生率约为0.23%的某些特定亮点型不良无法维修的情况,提出一种使用UV固化型黑色遮光材料对亮点像素进行遮盖涂覆的方法。本方法可用于维修所有的亮点型不良,充分提升了基板暗点化维修的能力。首先通过点灯检测、显微镜观... 针对TFT基板上发生率约为0.23%的某些特定亮点型不良无法维修的情况,提出一种使用UV固化型黑色遮光材料对亮点像素进行遮盖涂覆的方法。本方法可用于维修所有的亮点型不良,充分提升了基板暗点化维修的能力。首先通过点灯检测、显微镜观察、聚焦离子束分析等系列实验,验证了遮光材料涂覆亮点像素暗点化维修的可行性;然后利用对比实验探究得到实现暗点化的重要控制参数为遮光率和涂覆高度,分别探究了红外强度、红外作用时间以及吐出压力3个因素对二者的影响;最后引入响应面分析法,构建了遮光率和涂覆高度对应的响应预测模型并与实验数据进行对比验证,解析得到最优工艺参数为红外强度87.9%、红外作用时间2 488 ms、吐出压力0.015 8 MPa。根据实验结果投入量产测试,TFT基板上不同诱因的亮点型不良维修成功率达98%。 展开更多
关键词 tft基板 暗点化维修 物理遮光 红外加热 响应面法
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基于改进YOLOv5的TFT电极板缺陷检测研究
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作者 成良 《科技资讯》 2025年第4期32-34,共3页
电极片品质对液晶屏幕的显示效果极为关键。针对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电极板中缺陷尺寸微小、缺陷类别繁多、背景干扰因素多等问题,设计了一项基于改进的YOLOv5全新的视觉算法模型,可以实现对TFT电极板上常见缺陷的精... 电极片品质对液晶屏幕的显示效果极为关键。针对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电极板中缺陷尺寸微小、缺陷类别繁多、背景干扰因素多等问题,设计了一项基于改进的YOLOv5全新的视觉算法模型,可以实现对TFT电极板上常见缺陷的精准识别。改进的视觉算法模型通过将卷积块注意力模块(Con-volutional Block Attention Module,CBAM)机制融合到YOLOv5的核心网络架构中,有效降低了缺陷背景干扰的影响,并显著提升了对缺陷特征点的检测识别效果。在TFT电极板常见缺陷数据集上进行测试,测试结果显示,修改后的新算法对TFT电极板异物、划痕、裂片和油污4类缺陷的平均检测精度均有提升。 展开更多
关键词 tft电极板 缺陷检测 神经网络 改进的YOLOv5
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金刚石抛光轮修复后再用于TFT-LCD玻璃精密磨边
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作者 李昌隆 王国全 +2 位作者 梁波 祖光周 郑聪 《玻璃》 2025年第7期51-53,共3页
TFT-LCD玻璃基板边部研磨抛光品质要求越高,磨边所用金刚石研磨轮和金刚石抛光轮消耗越大,尤其是抛光轮在使用过程中寿命较短、消耗较大,造成加工成本占比相对较高。通过结合干式研磨机实际特性,决定将使用后的抛光轮按照实际槽深情况,... TFT-LCD玻璃基板边部研磨抛光品质要求越高,磨边所用金刚石研磨轮和金刚石抛光轮消耗越大,尤其是抛光轮在使用过程中寿命较短、消耗较大,造成加工成本占比相对较高。通过结合干式研磨机实际特性,决定将使用后的抛光轮按照实际槽深情况,进行分类回收修复后再利用,经过实践验证,修复后的抛光轮使用效果良好,大幅降低了生产成本。 展开更多
关键词 tft-LCD玻璃基板 金刚石抛光轮 修复利用 修复效果 使用效率
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TFT-LCD玻璃基板直角度调整与实践应用
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作者 李昌隆 王国全 +2 位作者 郑聪 梁波 祖光周 《玻璃》 2025年第6期53-56,共4页
TFT-LCD玻璃基板直角度能很直观地反应出玻璃边部研磨抛光后,玻璃基板四边接近矩形的理想程度。玻璃基板直角度的大小、正负值对于玻璃基板磨边前的设备定位校正、玻璃边部研磨量调整、垂直于磨边方向的线性补正参数调整等均具有很重要... TFT-LCD玻璃基板直角度能很直观地反应出玻璃边部研磨抛光后,玻璃基板四边接近矩形的理想程度。玻璃基板直角度的大小、正负值对于玻璃基板磨边前的设备定位校正、玻璃边部研磨量调整、垂直于磨边方向的线性补正参数调整等均具有很重要的参考意义。直角度的大小对玻璃基板在研磨过程中边部品质有很大影响,通过研究分析发现,理论上如果磨削参数一定的前提下,研磨后的玻璃直角度绝对值越小,玻璃基板整边在研磨过程中的磨削量越稳定,玻璃基板边部研磨不良越少。 展开更多
关键词 tft-LCD玻璃基板 研磨量 研磨不良 直角度 定位校正
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TFT-LCD玻璃边部研磨弧面划痕行为分析与对策
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作者 李昌隆 郑聪 +2 位作者 王国全 梁波 祖光周 《玻璃》 2025年第5期44-48,共5页
为提高TFT-LCD超薄玻璃后续面板工艺的加工质量以及效率,需要对玻璃基板四边进行研磨和抛光。玻璃基板越薄,加工难度越大,在对玻璃基板四边进行研磨抛光过程中,由于设备结构、研磨抛光工艺参数、研磨槽与抛光槽材料与槽型结构、研磨槽... 为提高TFT-LCD超薄玻璃后续面板工艺的加工质量以及效率,需要对玻璃基板四边进行研磨和抛光。玻璃基板越薄,加工难度越大,在对玻璃基板四边进行研磨抛光过程中,由于设备结构、研磨抛光工艺参数、研磨槽与抛光槽材料与槽型结构、研磨槽与抛光槽使用寿命等因素综合影响,会在玻璃边缘的弧面产生划痕,划痕越明显,微裂纹越深,后续面板深加工过程中,破片概率越大。优化设备结构和工艺参数,改善研磨与抛光槽槽型、控制研磨槽与抛光槽使用寿命,可以明显降低产生划痕的风险和产生划痕的轻重程度。 展开更多
关键词 tft-LCD超薄玻璃 弧面划痕 研磨抛光设备结构 研磨抛光工艺参数 研磨与抛光槽型 研磨与抛光槽使用寿命
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不同退火氛围下溶液法制备IGZO-TFT器件电学性能研究
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作者 纪雷阳 杨小天 +3 位作者 刘国祥 杨金驰 段秋晨 闫兴振 《吉林建筑大学学报》 2025年第3期83-88,共6页
利用溶液法在硅和二氧化硅基底上制备铟镓锌氧有源层,并采用电子束蒸镀铝电极,完成了底栅极顶接触结构的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT)器件的制备。研究在不同退火氛围下(空气、真空、氮气),IGZOTFT器件场效应性能、薄膜表面粗糙度和光... 利用溶液法在硅和二氧化硅基底上制备铟镓锌氧有源层,并采用电子束蒸镀铝电极,完成了底栅极顶接触结构的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT)器件的制备。研究在不同退火氛围下(空气、真空、氮气),IGZOTFT器件场效应性能、薄膜表面粗糙度和光学性能的变化。通过实验对比得出,溶液法制备的IGZO-TFT器件,改变退火氛围可以显著提升器件的场效应、光学性能和改善器件薄膜的粗糙度。在真空退火氛围下得到了较好的场效应性能、薄膜表面粗糙度和光学性能,其开关比达到了9.6×10^(5),迁移率为0.71 cm2·V^(-1)·S^(-1),亚阈值摆幅为0.12 V·dec^(-1),阈值电压为5.56 V,最大透过率为95%,粗糙度为0.32 nm。 展开更多
关键词 溶液法 铟镓锌氧薄膜晶体管 退火氛围
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不同退火氛围下MgZnO-TFT的制备及其性能
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作者 王超 郝云鹏 +2 位作者 郭亮 杨帆 乔国光 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1295-1303,共9页
为探求退火氛围对镁锌氧化物薄膜晶体管性能的影响,本文采用射频磁控溅射法制备了MgZnO薄膜,并以其为沟道层构建了底栅顶接触结构的MgZnO-TFT器件。将所制备的MgZnO薄膜分别在空气、真空、氧气、氮气4种不同氛围下进行500℃、时长1 h的... 为探求退火氛围对镁锌氧化物薄膜晶体管性能的影响,本文采用射频磁控溅射法制备了MgZnO薄膜,并以其为沟道层构建了底栅顶接触结构的MgZnO-TFT器件。将所制备的MgZnO薄膜分别在空气、真空、氧气、氮气4种不同氛围下进行500℃、时长1 h的退火处理,通过原子力显微镜扫描(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)技术对薄膜进行表征分析,结果表明,在真空氛围下退火处理后,MgZnO薄膜质量较好,器件性能最佳,场效应迁移率为0.29 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),阈值电压为2.28 V,亚阈值摆幅为3.6 V·dec^(-1),电流开关比为1.68×10^(6)。分析认为,这可能是由于在真空氛围下退火时可以在一定程度上隔绝外界干扰,有效避免了有源层薄膜缺陷的产生。同时我们研究测试了器件的正偏压应力(PBS)和负偏压应力(NBS)的稳定性。在不同栅偏压应力下,TFT均展现了良好的稳定性。在正偏置压力为10 V、应力时间为3000 s时,相比ZnO-TFT,真空氛围下进行退火优化的MgZnO-TFT阈值电压漂移从1.38 V降低至0.54 V。结果表明,在氧化锌中掺杂镁元素制备MgZnO薄膜作为TFT的有源层对TFT器件的电学稳定性有一定程度的改善。 展开更多
关键词 MgZnO-tft 退火氛围 XPS 稳定性
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双层结构对ZnO TFT稳定性的影响
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作者 张悦 高晓红 +2 位作者 王晗 王森 孙玉轩 《吉林建筑大学学报》 CAS 2024年第2期76-82,共7页
室温下采用射频磁控溅射方法在SiO_(2)/Si衬底上沉积了单层ZnO薄膜和高氧/低氧双层ZnO薄膜,采用电子束蒸发设备蒸镀Al电极,制备单沟道ZnO TFTs和双层沟道ZnO TFTs。比较两种结构ZnO TFTs的各种性能参数,分析双层结构对TFTs产生的影响。... 室温下采用射频磁控溅射方法在SiO_(2)/Si衬底上沉积了单层ZnO薄膜和高氧/低氧双层ZnO薄膜,采用电子束蒸发设备蒸镀Al电极,制备单沟道ZnO TFTs和双层沟道ZnO TFTs。比较两种结构ZnO TFTs的各种性能参数,分析双层结构对TFTs产生的影响。实验结果表明,底部高含氧量ZnO层和顶部低含氧量ZnO层构成了DAL同质结且高氧/低氧薄膜存在载流子浓度产差,利用载流子从高浓度向低浓度扩散的性质,可以填补栅介电层和沟道层之间的界面态缺陷,使器件界面类受主陷阱减少,有效降低TFTs的滞回现象。与单有源层TFTs相比,双沟道层TFTs还具有电学调制作用,其电学性能和稳定性均有明显的提高,得到最佳TFTs的开/关电流比达到3.44×10^(9),亚阈值摆幅为0.68 V/dec,阈值电压偏移为1.2 V。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 ZnO tft 滞回稳定性 双层结构
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TFT-LCD表面Mura缺陷的AOI检测研究进展
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作者 陈泽康 沈奕 +2 位作者 翟晨阳 董晨瑶 王双喜 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1463-1476,共14页
液晶显示屏幕的表面缺陷检测是保证TFT-LCD等液晶显示屏质量稳定性的关键。得益于在检测表面缺陷方面高效率、低成本的优势,机器视觉技术目前已经成为TFT-LCD质量检测的主要手段。本文首先概述了液晶屏的发展历程,列举了常见Mura缺陷的... 液晶显示屏幕的表面缺陷检测是保证TFT-LCD等液晶显示屏质量稳定性的关键。得益于在检测表面缺陷方面高效率、低成本的优势,机器视觉技术目前已经成为TFT-LCD质量检测的主要手段。本文首先概述了液晶屏的发展历程,列举了常见Mura缺陷的类型,分别介绍了基于传统图像处理和基于深度学习的Mura缺陷检测方法,概述了图像滤波和图像亮度校正等图像预处理技术的研究动态。本文重点阐述了监督学习、无监督学习和迁移学习等人工智能技术在TFT-LCD表面Mura缺陷检测领域的应用,并对基于机器视觉的TFT-LCD表面Mura缺陷检测的技术发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 tft-LCD Mura缺陷 机器视觉 图像处理 深度学习
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水解酸化+两级AO/MBR+臭氧催化氧化+BAF+气浮处理TFT-LCD废水 被引量:1
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作者 关永年 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期207-214,共8页
以某薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)企业的废水处理厂为例,对其接纳的废水进行分析。针对废水成分复杂、水质变化大、污染物浓度高、可生化性差以及排放要求高的特点,将废水分为有机废水、酸碱废水和含氟废水进行分类收集、分质预处理,... 以某薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)企业的废水处理厂为例,对其接纳的废水进行分析。针对废水成分复杂、水质变化大、污染物浓度高、可生化性差以及排放要求高的特点,将废水分为有机废水、酸碱废水和含氟废水进行分类收集、分质预处理,经预处理后的3种废水混合后再进行进一步处理。根据混合废水的水质特性,设计开发了水解酸化+两级AO/MBR+臭氧催化氧化+BAF(DN型)+气浮+次氯酸钠消毒的组合处理工艺。运行结果表明,该组合工艺运行稳定,试运行期间平均出水COD、BOD_(5)、NH_(3)-N、TP、TN、SS、F^(-)、总铜分别为15、2.1、0.16、0.13、3.8、2、0.81、0.19 mg/L,出水水质能够稳定达到设计要求,直接运行成本约5.17元/m^(3)。 展开更多
关键词 tft-LCD废水 水解酸化 两级AO/MBR 臭氧催化氧化 曝气生物滤池 气浮
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原子层沉积法制备鸡蛋清栅介质ZnO-TFT及其性能研究
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作者 王聪 黄荷 +1 位作者 刘玉荣 彭强 《电子器件》 CAS 2024年第3期865-869,共5页
采用原子层沉积法(ALD),以天然鸡蛋清作为栅介质制备双电层氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),并对其电性能进行测试与分析,研究了该器件在栅偏压应力条件下和空气环境下电学性能的稳定性。结果表明,氧化锌薄膜晶体管电特性表现良好,阈值电压为... 采用原子层沉积法(ALD),以天然鸡蛋清作为栅介质制备双电层氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),并对其电性能进行测试与分析,研究了该器件在栅偏压应力条件下和空气环境下电学性能的稳定性。结果表明,氧化锌薄膜晶体管电特性表现良好,阈值电压为0.73 V,载流子饱和迁移率为9.95 cm^(2)/(V·s),开关电流比为1.8×10^(4),亚阈值摆幅为0.33 V/decade,工作电压可低至3.0 V。研究还发现,在正栅偏压应力作用下或在空气环境下器件的电性能皆呈现出不稳定性。栅偏压应力不稳定性主要与栅介质层界面处正电荷集聚及新缺陷态的产生有关;干燥空气环境下电性能的退化可解释为沟道有源层吸附空气中的氧气导致沟道层中载流子有所消耗,以及鸡蛋清电解质被氧化而引起双电层效应的退化。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜晶体管 偏压应力 稳定性 双电层 原子层沉积
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不同退火条件下溶液法制备TZO-TFT器件电学性能分析 被引量:1
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作者 张轶强 闫兴振 +1 位作者 刘国祥 纪雷阳 《吉林建筑大学学报》 CAS 2024年第3期83-88,共6页
近年来,随着电子产品的大量更新迭代,人们对产品性能要求越来越高,半导体材料与薄膜制备技术成为信息时代发展的重要支柱。传统的磁控溅射法制备薄膜晶体管,存在需要真空制备条件、光刻工艺制备复杂、制备成本高等问题。本文采用溶液法... 近年来,随着电子产品的大量更新迭代,人们对产品性能要求越来越高,半导体材料与薄膜制备技术成为信息时代发展的重要支柱。传统的磁控溅射法制备薄膜晶体管,存在需要真空制备条件、光刻工艺制备复杂、制备成本高等问题。本文采用溶液法制备TZO溶液,旋涂法制备有源层薄膜,并用掩膜版直接生长圆形源漏电极制备薄膜晶体管,研究在不同的退火温度(350℃,550℃,750℃)和不同的退火氛围(真空退火、空气退火)条件下对所制备器件性能的影响。通过实验得出:溶液法制备的TZO-TFT薄膜晶体管,升高热处理温度可以改善器件的电学性能,在550℃的真空条件下对其进行退火,获得了较好的性能,其开关比达到8.04×10^(4),迁移率达到1.04 cm^(2)·(V·s)^(-1),器件的性能稳定。 展开更多
关键词 溶液法 TZO-tft 退火温度 退火氛围
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Ultra-thin vertical tft photosensor and photosynapse based on au-doped-graphene under transition metal selenide reaction
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作者 Ting Kang Adila Rani +3 位作者 Wanqi Ren M Junaid Sultan Nae-Eung Lee Tae Geun Kim 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第16期215-222,共8页
The development of artificial photosensitive synapses with high sensitivity and biomimetic properties that combine innovative concepts and neuromorphic architectures is crucial to achieving highly integrated and flexi... The development of artificial photosensitive synapses with high sensitivity and biomimetic properties that combine innovative concepts and neuromorphic architectures is crucial to achieving highly integrated and flexible intelligent visual systems.Recently,graphene heterostructure-based photosensitive synaptic transistors have been extensively studied for this purpose.However,compared to traditional transistors,vertical structure thin film transistors(VTFTs)with ultra-short channels and advantages,such as high integration,have yet to be investigated in photosensitive synapses.Here,we report an ultra-thin VTFT featuring a graphene/W_(x)Se_(x-1)van der Waals heterostructure that combines photonic and neuromorphic elements.We demonstrate a VTFT in which the channel layer is formed by covalently bonded W_(x)Se_(x-1)nanomaterials produced by introducing Se atoms on the surface of a tungsten metal thin film deposited via radio-frequency sputtering.This structure successfully simulated the main synaptic function,exhib-ited photosensitive synaptic responses to ultraviolet(λ=365 nm)light,and demonstrated highly reliable electrical performance.Furthermore,the incorporation of gold nanoparticles changed the photosensitive synaptic response properties of the graphene/W_(x)Se_(x-1)heterostructure from excitatory to inhibitory,show-ing a responsivity of about∼14 A W-1,which was attributed to the heterojunction interface resonant effects and efficient charge transfer induced by localized surface plasmons.This further enabled optical artificial synaptic applications while operating with low voltage spikes and low light intensity.This work provides a novel strategy for integrating and developing biological and nano-electronic systems. 展开更多
关键词 ULTRA-THIN Vertical tft Au nanoparticles Photo sensor Photo responsivity Photo synapse
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不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性
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作者 张之壤 朱慧 +3 位作者 刘行 张轶群 徐朝 郑文轩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期589-595,共7页
为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱... 为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。 展开更多
关键词 柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS tft) 自热效应 热载流子效应 瞬态电流 强电场直流应力
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TFT LCD用液晶显示材料进展 被引量:44
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作者 李建 安忠维 杨毅 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期104-113,共10页
列举了一批近年来得到开发应用的 TFT LCD显示用液晶材料,并分析了其发展趋势。TFT LCD要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性,而传统的液晶材料无法满足上述要求.含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液... 列举了一批近年来得到开发应用的 TFT LCD显示用液晶材料,并分析了其发展趋势。TFT LCD要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性,而传统的液晶材料无法满足上述要求.含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液晶因其极性较低,分子粘度低,电阻率高,电压保持率高,在TFT LCD中得到广泛应用。初步阐明了其分子结构与物理性能之间的关系,为新型液晶分子设计及配方设计提供了线索。 展开更多
关键词 液晶材料 tft tftLCD 薄膜晶体管 阵列驱动液晶显示
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IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较 被引量:14
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作者 吴为敬 颜骏 +1 位作者 许志平 赖志成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期147-153,共7页
分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的... 分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。 展开更多
关键词 ZnOtft IGZOtft 性能比较 光电特性 阈值电压漂移
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TFT-LCD液晶玻璃断面分析装置的设计与仿真
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作者 施瑞 侯宏荣 +1 位作者 付丽丽 徐阳 《玻璃搪瓷与眼镜》 CAS 2024年第2期46-51,共6页
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)液晶玻璃的大尺寸裁切断面无法使用显微镜采集图片,针对这个问题,设计了相应的玻璃断面分析装置,并应用Adams软件对该装置中的滑动螺旋机构进行仿真分析和结构优化。所设计的玻璃断面分析装置操作简单,可... 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)液晶玻璃的大尺寸裁切断面无法使用显微镜采集图片,针对这个问题,设计了相应的玻璃断面分析装置,并应用Adams软件对该装置中的滑动螺旋机构进行仿真分析和结构优化。所设计的玻璃断面分析装置操作简单,可快速获取大尺寸玻璃边料断面缺陷图片,经优化改进后的滑动螺旋机构需添加的扭矩值比未优化前减小1倍。 展开更多
关键词 tft-LCD液晶玻璃 断面分析装置 滑动螺旋机构 ADAMS仿真 结构优化
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