期刊文献+
共找到160篇文章
< 1 2 8 >
每页显示 20 50 100
Ta-C涂层刀具钻削Al-50wt%Si合金的钻削力预测模型研究
1
作者 邹继胤 金成哲 +1 位作者 周浩淳 刘玮 《工具技术》 北大核心 2026年第1期70-77,共8页
Al-50wt%Si合金具有低热膨胀系数、高硬度、优异耐磨性和轻量化特性,也因高硅铝含量导致其存在加工难题,通过物理气相沉积(PVD)技术在硬质合金麻花钻表面制备Ta-C涂层。采用正交试验和单因素试验法,对Al-50wt%Si合金进行钻削试验,探究... Al-50wt%Si合金具有低热膨胀系数、高硬度、优异耐磨性和轻量化特性,也因高硅铝含量导致其存在加工难题,通过物理气相沉积(PVD)技术在硬质合金麻花钻表面制备Ta-C涂层。采用正交试验和单因素试验法,对Al-50wt%Si合金进行钻削试验,探究钻头直径d、主轴转速n和进给量f对钻削力的影响规律。结果表明:Ta-C涂层凭借其高硬度和低摩擦系数,显著降低钻削轴向力和扭矩;轴向力与扭矩随钻头直径与进给量的增大呈线性增长,而随主轴转速升高呈现先降后增的趋势。通过多元线性回归分析,建立Ta-C涂层钻削力预测模型,其预测平均误差为4.85%,且方差分析表明模型具有高度显著性,为实现Al-50wt%Si合金的高效、低成本加工提供理论支撑与工艺优化参考。 展开更多
关键词 ta-c涂层 Al-50wt%Si合金 钻削力 预测模型
在线阅读 下载PDF
阴极碳靶电流对物理气相沉积制备ta-C薄膜性能的影响
2
作者 温鑫 李多生 +5 位作者 叶寅 徐锋 郎文昌 刘俊红 于爽爽 余欣秀 《材料导报》 北大核心 2025年第10期138-142,共5页
采用物理气相沉积的方法,利用真空阴极离子沉积系统,通过改变阴极碳靶电流在硬质合金表面沉积四面体非晶碳膜(ta-C)薄膜。通过改变阴极碳靶电流(55~95 A),探究电流对ta-C薄膜综合性能的影响,并对ta-C薄膜的表面形态、化学结构、力学性... 采用物理气相沉积的方法,利用真空阴极离子沉积系统,通过改变阴极碳靶电流在硬质合金表面沉积四面体非晶碳膜(ta-C)薄膜。通过改变阴极碳靶电流(55~95 A),探究电流对ta-C薄膜综合性能的影响,并对ta-C薄膜的表面形态、化学结构、力学性能和摩擦性能等进行了分析。结果显示:阴极碳靶电流为55 A时,薄膜表面最光滑致密,sp^(3)键含量最大为63.5%,摩擦系数最小为0.0193,硬度和弹性模量分别为33.46 GPa和392.34 GPa,获得综合性能优良的ta-C薄膜。 展开更多
关键词 阴极碳靶电流 ta-c薄膜 sp^(3)杂化键含量 摩擦性能 力学性能
在线阅读 下载PDF
重载点接触弹流润滑下ta-C涂层摩擦学性能分析
3
作者 孙润阳 马涛 肖洋轶 《中国表面工程》 北大核心 2025年第3期361-371,共11页
四面体非晶碳(ta-C,Tetrahedral amorphous carbon)膜在提升接触副摩擦学性能方面具有显著效果,然而该涂层于重载工况下传动领域的应用仍缺乏系统性研究。通过纳米压痕和划痕试验表征ta-C涂层的力学性能。基于广义Reynolds方程和负载平... 四面体非晶碳(ta-C,Tetrahedral amorphous carbon)膜在提升接触副摩擦学性能方面具有显著效果,然而该涂层于重载工况下传动领域的应用仍缺乏系统性研究。通过纳米压痕和划痕试验表征ta-C涂层的力学性能。基于广义Reynolds方程和负载平衡方程,建立弹流润滑模型,求解不同工况下试样油膜压力与厚度的分布。在干摩擦/油润滑条件下,根据球盘试验评估ta-C涂层的摩擦和磨损行为。通过振动测试分析不同工况下试样振动加速度时域信号在不同方向上的波动,探究ta-C涂层对摩擦副振动的影响因素。结果表明:ta-C涂层具有优良的纳米硬度(~36.11 GPa)和弹性模量(~298.29 GPa),两者比值维持在0.1以上,远高于常见涂层,展现较强的韧性且膜基结合性能良好。ta-C涂层在干摩擦/油润滑条件下均具备减摩、耐磨特性。不同润滑条件下,试样有无涂层的油膜最大压力并无显著差别,但润滑介质黏度越大,油膜越厚,试样的摩擦因数相对略大。其中摩擦因数是影响接触副振动的主要因素,在摩擦因数处于同等水平时,润滑介质的振动强度会随着刚度与阻尼的增加而减小。碳基涂层结构致密,能有效改善重载干摩擦/油润滑下基体表面的摩擦学性能,降低基体表面接触副的振动强度,可为涂层于机械传动的应用提供参考。 展开更多
关键词 ta-c涂层 弹流润滑 球盘摩擦 油膜 振动
在线阅读 下载PDF
基于ta-C涂层/活塞环-缸套摩擦副润滑油摩擦学性能研究 被引量:1
4
作者 鄂红军 杜雪岭 +1 位作者 阿合波塔·巴合提 金佳佳 《内燃机工程》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期52-56,共5页
采用SRV®4型多功能摩擦磨损试验机,使用四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)涂层/活塞环—缸套摩擦副,研究了不同含量二烷基二硫代氨基甲酸钼(molybdenum dialkyl dithiocarbamate,MoDTC)SN/GF—50W—20发动机油摩擦... 采用SRV®4型多功能摩擦磨损试验机,使用四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)涂层/活塞环—缸套摩擦副,研究了不同含量二烷基二硫代氨基甲酸钼(molybdenum dialkyl dithiocarbamate,MoDTC)SN/GF—50W—20发动机油摩擦学性能。研究结果表明,MoDTC明显影响ta-C涂层/活塞环—缸套摩擦副摩擦学性能,当Mo元素质量分数在0.03%~0.05%范围内时摩擦磨损性能最优;而当Mo元素质量分数为0.10%时摩擦磨损性能最差。在相同摩擦磨损试验条件下,研究Yubase4+基础油(Yubase4+,Yu4+)对照组、Yu4+/MoDTC和Yu4+/MoDTC/二烷基二硫代磷酸锌(zinc dialkyl dithiophosphate,ZDDP)润滑体系对ta-C涂层/活塞环—缸套摩擦副影响,并用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、X射线光电子能谱仪(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对缸套磨损表面进行分析。研究结果表明,Yu4+/MoDTC体系摩擦系数最低,而Yu4+/MoDTC/ZDDP体系摩擦系数最高。这可能是因为ta-C材质活塞环硬度高,Yu4+/MoDTC/ZDDP润滑体系缸套摩擦膜中含有ZDDP自分解产物及与MoDTC、缸套表面作用产物(如MoO_(3)、ZnS、Fe_(3)O_(4)、ZnO等),摩擦膜中磨粒大小不均匀在对偶间的摩擦造成较高的磨粒磨损,从而引起摩擦系数增加。 展开更多
关键词 ta-c涂层 活塞环—缸套 SN/GF—50W—20发动机油 摩擦学性能 二烷基二硫代氨基甲酸钼 二烷基二硫代磷酸锌
在线阅读 下载PDF
不锈钢基Ti/ta-C复合膜沉积与热应力研究 被引量:1
5
作者 陈长琦 何涛 +1 位作者 王国栋 张心凤 《真空》 CAS 2017年第6期7-11,共5页
ta-C薄膜是性能优良的耐摩擦超硬薄膜,但其残余应力过大问题严重影响了其力学性能及实际应用。根据脉冲磁过滤多弧离子镀沉积ta-C薄膜的工艺,进行了膜系设计并沉积制备出以不锈钢为基底的Ti/ta-C复合膜。通过有限元方法,建立数值计算模... ta-C薄膜是性能优良的耐摩擦超硬薄膜,但其残余应力过大问题严重影响了其力学性能及实际应用。根据脉冲磁过滤多弧离子镀沉积ta-C薄膜的工艺,进行了膜系设计并沉积制备出以不锈钢为基底的Ti/ta-C复合膜。通过有限元方法,建立数值计算模型,研究了薄膜热应力与膜层厚度、基底厚度和沉积温度等参数变化的规律,得到Ti/ta-C复合膜的热应力分布,模拟与理论计算结果误差较小,揭示了脉冲磁过滤多弧离子镀沉积ta-C薄膜厚度的有效控制的途径,为完善脉冲磁过滤多弧离子镀沉积ta-C薄膜的工艺,提供了理论依据。实验研究了不同沉积温度下薄膜的硬度和残余应力、热应力的关系,结果表明,热应力增加会导致薄膜硬度降低,但不会导致残余应力的明显变化,即热应力不是脉冲磁过滤多弧离子镀沉积ta-C薄膜残余应力过大的主要因素。 展开更多
关键词 复合薄膜 ta-c 热应力 残余应力 有限元
原文传递
氩气氛环境下真空阴极弧制备ta-C涂层电弧电流效应 被引量:1
6
作者 胡健 田修波 +1 位作者 刘宏也 巩春志 《真空》 CAS 2018年第4期59-64,共6页
利用真空阴极弧技术在M2高速钢和单晶硅表面沉积ta-C薄膜,重点研究了电弧电流对沉积过程中等离子体行为,以及涂层的截面形貌、厚度、结构和膜-基结合强度的影响。结果表明,随着电弧电流从40A增加到100A,基体电流由1.36A增加到3.95A,等... 利用真空阴极弧技术在M2高速钢和单晶硅表面沉积ta-C薄膜,重点研究了电弧电流对沉积过程中等离子体行为,以及涂层的截面形貌、厚度、结构和膜-基结合强度的影响。结果表明,随着电弧电流从40A增加到100A,基体电流由1.36A增加到3.95A,等离子体中Ar离子数目的增加速率高于C离子。随着电弧电流由40A增加到60A,涂层沉积速率基本不变约为6nm/min。在这一过程中,电子对Ar的离化所导致对涂层的轰击溅射效应优于C离子/原子在沉积过程中的传递效应,因此弧流增加而沉积速率基本不变。随着弧流由60A继续增加到100A以后,C离子/原子在沉积过程中的传递效应导致沉积速率提高优于Ar离子的溅射作用,因此沉积速率增加到8.1nm/min。电弧电流为80A时,I_D/I_G比值最小为0.31,表明涂层具有最高的sp^3含量。因此,在Ar气氛下制备ta-C涂层时,要得到较优质的ta-C涂层,需要合适的弧流。制备涂层的膜-基结合强度最高可达HF 1,可进行工业应用。 展开更多
关键词 真空阴极弧 电弧电流 ta-c 膜层结构 氩气氛
原文传递
电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
7
作者 宋朝瑞 俞跃辉 +2 位作者 邹世昌 张福民 王曦 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第4期415-418,共4页
采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C... 采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp^3键含量高达87%,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。 展开更多
关键词 ta-c薄膜 微观结构 电学特性 电绝缘性能 真空磁过滤弧源沉积 SOI
在线阅读 下载PDF
弧电流对电弧离子镀沉积超硬ta-C薄膜结构与性能的影响 被引量:5
8
作者 王明磊 程玮杰 林国强 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期3095-3102,共8页
用电弧离子镀设备,以获得超硬四面体非晶ta-C薄膜为目的,通过改变弧电流(30~90 A),在硬质合金基体上制备了5组类金刚石(DLC)薄膜,主要考察弧电流对薄膜结构、性能以及获得超硬ta-C薄膜的影响规律。采用SEM、Raman、XPS、纳米压痕以及摩... 用电弧离子镀设备,以获得超硬四面体非晶ta-C薄膜为目的,通过改变弧电流(30~90 A),在硬质合金基体上制备了5组类金刚石(DLC)薄膜,主要考察弧电流对薄膜结构、性能以及获得超硬ta-C薄膜的影响规律。采用SEM、Raman、XPS、纳米压痕以及摩擦磨损仪分别表征了薄膜的形貌、结构、力学性能以及摩擦性能。结果表明:当弧电流为30 A时,薄膜表面最为平整致密、大颗粒数量最少,Raman谱的I_(D)/I_(G)值最小为0.87、sp^(3)键含量最大为64%,薄膜的硬度和弹性模量最大,分别为56.7和721.1 GPa、弹性恢复系数高达58.9%,且薄膜的摩擦系数最小为0.073,表明此时获得了具有优异综合性能的超硬ta-C薄膜;但随着弧电流的增加,薄膜表面变得疏松多孔、表面大颗粒增多,I_(D)/I_(G)增大、sp^(3)键含量减小,薄膜的硬度H和弹性模量E逐渐减小,薄膜的摩擦系数也逐渐增大、耐摩擦性能大大降低,此时薄膜又归于呈现普通的性能一般的DLC薄膜特征。分析表明,在选择优化的离子能量前提下,若用本实验的电弧离子镀技术制备性能优异的超硬四面体非晶ta-C薄膜,需控制薄膜在较小的离子通量和大颗粒数量下沉积生长,为此需选择较小的弧电流。 展开更多
关键词 电弧离子镀 弧电流 ta-c薄膜 力学性能 摩擦性能
原文传递
纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究 被引量:2
9
作者 张娜 陈仙 康永锋 《现代电子技术》 2013年第1期144-146,共3页
二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子... 二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响。研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35%;且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5-10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用。 展开更多
关键词 ta-c薄膜 二次电子倍增放电 抑制二次电子发射 过滤阴极真空电弧
在线阅读 下载PDF
a-C∶H和ta-C涂层对7075铝合金的摩擦学特性 被引量:1
10
作者 黄志宏 杨豆 +1 位作者 杨兵 刘传胜 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期47-54,共8页
为了评估a-C∶H和ta-C涂层应用于铝合金干式切削刀具表面防护的可行性,在M2高速钢基底上,用RFPECVD方法沉积a-C∶H涂层,用磁过滤阴极真空电弧方法沉积了ta-C涂层。通过热重试验观测两种涂层在升温过程中的质量变化。将这两种涂层在大气... 为了评估a-C∶H和ta-C涂层应用于铝合金干式切削刀具表面防护的可行性,在M2高速钢基底上,用RFPECVD方法沉积a-C∶H涂层,用磁过滤阴极真空电弧方法沉积了ta-C涂层。通过热重试验观测两种涂层在升温过程中的质量变化。将这两种涂层在大气环境退火,用拉曼光谱等方法表征涂层的结构,用纳米压痕法测量涂层硬度。通过大气环境下的球盘摩擦磨损试验,比较a-C∶H和ta-C涂层的对7075铝合金摩擦学性能。结果显示:经过400℃退火,a-C∶H涂层硬度从24.8GPa下降至20.0GPa,ta-C涂层硬度从28.7GPa增加至30.8GPa;a-C∶H涂层对7075铝合金的摩擦因数从0.17下降至0.14,ta-C涂层摩擦因数保持不变为0.12;a-C∶H涂层磨损率从1.9×10-15m2·N-1上升至2.4×10-15 m2·N-1,ta-C涂层磨损率从8.0×10-16m2·N-1上升至9.2×10-16 m2·N-1。当采用7075铝合金为对偶摩擦件时,ta-C具有比a-C∶H涂层更低的摩擦因数和磨损率,而且随温度变化更稳定,因此ta-C是一种更有前途的铝合金干式切削刀具防护涂层。 展开更多
关键词 类金刚石 a-C∶H ta-c 摩擦 磨损 石墨化 退火 7075铝合金
在线阅读 下载PDF
FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析 被引量:2
11
作者 王广甫 刘玉龙 +1 位作者 田人和 张荟星 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期608-611,共4页
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80~ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
关键词 过滤阴极真空弧沉积 沉积能量 sp^3键所占比例 FCVAD 钽-碳薄膜
在线阅读 下载PDF
FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析 被引量:3
12
作者 王广甫 张荟星 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期535-539,共5页
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XP... 掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧沉积 掺杂 固体薄膜材料 钽-碳薄膜 氮原子 X射线分析 RAMAN光谱分析
在线阅读 下载PDF
磁场增强的碳阴极弧沉积ta-C薄膜的基体偏压效应
13
作者 刘宏也 张招 +2 位作者 胡健 巩春志 田修波 《真空》 CAS 2017年第1期29-33,共5页
利用磁场增强的石墨阴极弧在Si片和M2高速钢上沉积了ta-C薄膜,重点研究了基体偏压对膜层截面形貌、沉积速率、膜层结构、耐腐蚀性能和摩擦系数的影响。结果发现,在-100V偏压下膜层较为致密,缺陷较少;基体偏压增加,膜层沉积速率增加;拉... 利用磁场增强的石墨阴极弧在Si片和M2高速钢上沉积了ta-C薄膜,重点研究了基体偏压对膜层截面形貌、沉积速率、膜层结构、耐腐蚀性能和摩擦系数的影响。结果发现,在-100V偏压下膜层较为致密,缺陷较少;基体偏压增加,膜层沉积速率增加;拉曼光谱分析显示,在-100V偏压下ID/IG值最小(<0.4),表明sp3键含量最高;平衡腐蚀电位随基体偏压先升高后降低,在-100V时最大;膜层耐蚀性提高3倍;摩擦副采用Al2O3,在-100V偏压下摩擦系数最低。 展开更多
关键词 磁场增强 石墨阴极弧 ta-c 基体偏压
原文传递
Ni离子注入四面体非晶碳(ta-C)膜微观结构研究 被引量:1
14
作者 覃礼钊 廖斌 +2 位作者 吴正龙 张旭 刘安东 《真空》 CAS 北大核心 2008年第5期49-53,共5页
高内应力是阻碍高性能超硬四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜长厚和广泛应用的主要因素。为降低ta-C膜内应力,本文采用金属蒸汽真空弧(metal vapor vacuum arc,MEVVA)离子源注入技术,注入Ni离子到用磁过滤阴极真空弧(f... 高内应力是阻碍高性能超硬四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜长厚和广泛应用的主要因素。为降低ta-C膜内应力,本文采用金属蒸汽真空弧(metal vapor vacuum arc,MEVVA)离子源注入技术,注入Ni离子到用磁过滤阴极真空弧(filtered cathodic vacuumarc,FCVA)沉积的ta-C膜中,制备出掺Ni膜(ta-C:Ni膜)。用XPS、XRD、Raman谱和SEM表征膜的微观结构。结果显示,膜sp3含量减小,发生了石墨化,石墨颗粒细化;Ni在膜中以单质Ni的形式存在,并且有Ni纳米晶体析出;膜表面均匀分布约10nm颗粒。对膜在结构上的变化作了讨论。 展开更多
关键词 Ni离子注入 四面体非晶碳(ta—C)膜 MEVVA源 微观结构
原文传递
新型Ta-C涂层铣刀切削性能研究 被引量:5
15
作者 张而耕 黄彪 +1 位作者 何澄 周琼 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期125-130,共6页
目的研究Ta-C涂层刀具与普通类金刚石涂层刀具切削2A50铝合金时的性能对比。方法通过实验比较两刃、四刃Ta-C涂层铣刀和两刃、四刃普通类金刚石涂层铣刀,在干式切削条件下切削2A50铝合金的性能。通过相同切削条件下刀具切削距离的长短,... 目的研究Ta-C涂层刀具与普通类金刚石涂层刀具切削2A50铝合金时的性能对比。方法通过实验比较两刃、四刃Ta-C涂层铣刀和两刃、四刃普通类金刚石涂层铣刀,在干式切削条件下切削2A50铝合金的性能。通过相同切削条件下刀具切削距离的长短,比较刀具的使用寿命,并在显微镜下观察切屑的表面形貌,用表面粗糙度仪检测铝合金表面的粗糙度。结果两刃Ta-C涂层铣刀干式切削铝合金时的使用寿命最长,切削距离为116 m。Ta-C涂层铣刀与普通类金刚石涂层铣刀加工工件的表面粗糙度总体呈上升趋势,两刃Ta-C涂层铣刀加工出来的工件表面质量较好,工件表面粗糙度均值为0.692μm。结论相同刀刃数量且结合力良好的涂层铣刀相比较,Ta-C涂层铣刀较普通类金刚石涂层铣刀加工出来的工件表面粗糙度平均值低,同种涂层加工得到的切屑表面微观形貌无明显差别。Ta-C涂层铣刀与普通类金刚石涂层铣刀切削铝合金时,抑制粘刀效果都十分明显,但Ta-C涂层铣刀效果更优。 展开更多
关键词 ta-c涂层 类金刚石涂层 铝合金 切屑 表面粗糙度
在线阅读 下载PDF
石墨靶溅射时间对Ta-C涂层性能的影响 被引量:2
16
作者 黄彪 张而耕 +1 位作者 周琼 陈永康 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2019年第3期318-324,共7页
采用脉冲磁控溅射在YG10硬质合金基体上制备Ta-C(Tetrahedral amorphous carbon)涂层,通过控制石墨靶溅射时间制备得到不同性能的Ta-C涂层,采用扫描显微镜、纳米压痕仪以及拉曼光谱仪分析了Ta-C涂层的表面形貌、硬度以及sp3与sp2比例,... 采用脉冲磁控溅射在YG10硬质合金基体上制备Ta-C(Tetrahedral amorphous carbon)涂层,通过控制石墨靶溅射时间制备得到不同性能的Ta-C涂层,采用扫描显微镜、纳米压痕仪以及拉曼光谱仪分析了Ta-C涂层的表面形貌、硬度以及sp3与sp2比例,并选取三个典型参数制备Ta-C涂层铣刀进行干式铣削2A50铝合金实验,验证所选石墨靶溅射时间制备的Ta-C涂层的优劣。结果表明:随着石墨靶溅射时间从40 min到80 min逐渐增加,Ta-C涂层的表面形貌质量、硬度、sp3含量以及切削性能呈现先上升后下降的趋势,石墨靶溅射时间55 min制备的Ta-C涂层综合性能最好,硬度达到86.9 GPa,sp3含量较高。石墨靶不同溅射时间制备的Ta-C涂层表面形貌、硬度以及sp3与sp2比例有较大差别,选择合适的溅射时间制备Ta-C涂层工件至关重要,本项研究中石墨靶溅射55 min制备的Ta-C涂层综合性能最优,使用寿命最长,切削性能最好。 展开更多
关键词 ta-c涂层 类金刚石涂层 表面形貌 硬度 摩擦磨损 切削性能
在线阅读 下载PDF
等离子体溅射对微型钻头表面ta-C涂层结合特性及摩擦性能的影响 被引量:3
17
作者 罗春峰 胡健 +1 位作者 陈成 屈建国 《硬质合金》 CAS 2023年第1期16-25,共10页
无氢类金刚石涂层(ta-C)常用于提高刀具表面润滑性,提升极细微型钻头的排屑性能,降低断刀率。但ta-C涂层内应力大,与硬质合金钻头间的结合力较差,等离子溅射是提升涂层与基体之间结合力的有效方法。本文利用离子源产生的氩离子对硬质合... 无氢类金刚石涂层(ta-C)常用于提高刀具表面润滑性,提升极细微型钻头的排屑性能,降低断刀率。但ta-C涂层内应力大,与硬质合金钻头间的结合力较差,等离子溅射是提升涂层与基体之间结合力的有效方法。本文利用离子源产生的氩离子对硬质合金微型钻头和样块表面进行等离子体溅射,研究基体电流密度对基体表面形貌的影响;再利用阴极弧技术在等离子体溅射后的硬质合金表面制备ta-C涂层,研究不同溅射基体电流密度对ta-C涂层结合特性的影响。利用球盘式摩擦磨损试验机对溅射后的硬质合金表面以及ta-C涂层摩擦系数进行测试。通过钻孔测试,研究钻孔过程中基体电流密度对涂层与基体结合特性以及涂层微型钻头断刀率的影响。结果表明,随着溅射基体电流密度的增加,基体表面钴含量逐渐减少。压痕测试结果显示,合理的溅射基体电流密度(19.1 mA/cm^(2))下,可得到高结合力等级(HF1)。高结合力等级的ta-C涂层,摩擦系数最低为0.096。涂层钻头加工通信印制电路板1000孔后,高结合力ta-C涂层钻头的槽内涂层无异常脱落,测试1000支后无断刀。 展开更多
关键词 等离子体溅射 ta-c涂层 结合特性 摩擦性能 微型钻头
原文传递
高分布密度熔滴对ta-C薄膜力学性能的影响
18
作者 廖嘉诚 彭继华 《热加工工艺》 北大核心 2022年第24期78-82,86,共6页
为研究高分布密度熔滴对ta-C薄膜力学性能和基体温度对熔滴分布密度的影响,分别用直接阴极电弧(DCVA)和磁过滤阴极电弧(FCVA)方法在不同基体温度下制备具有不同熔滴分布密度的ta-C薄膜。用扫描电子显微镜、3D光学轮廓仪、拉曼光谱仪、X... 为研究高分布密度熔滴对ta-C薄膜力学性能和基体温度对熔滴分布密度的影响,分别用直接阴极电弧(DCVA)和磁过滤阴极电弧(FCVA)方法在不同基体温度下制备具有不同熔滴分布密度的ta-C薄膜。用扫描电子显微镜、3D光学轮廓仪、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱、纳米压痕仪和球盘式摩擦磨损仪分别表征ta-C薄膜表面形貌、粗糙度、组织结构、纳米硬度和摩擦磨损性能。不加热基体时DCVA和FCVA制备的薄膜sp^(3)C含量相近。结果表明:高分布密度熔滴降低薄膜摩擦系数、磨损率和硬度。基体温度升高对DCVA制备薄膜的熔滴分布密度无明显影响,但可使其摩擦系数降低,且磨损率仍低于FCVA制备薄膜的磨损率。 展开更多
关键词 ta-c薄膜 真空阴极电弧沉积 熔滴 基体温度 力学性能
原文传递
Density changes with substrate negative bias for ta-C films deposited by filter cathode vacuum arc 被引量:1
19
作者 TAN Man-lin ZHU Jia-qi HAN Jie-cai MENG Song-he 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2004年第z1期238-242,共5页
Specular X-ray reflectivity (XRR) measurements were used to study the density and cross-section information of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films deposited by filter cathode vacuum arc(FCVA) system at different... Specular X-ray reflectivity (XRR) measurements were used to study the density and cross-section information of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films deposited by filter cathode vacuum arc(FCVA) system at different substrate bias. According to the correlation between density and substrate negative bias, it is found that the value of density reaches a maximum at -80 V bias. As the substrate bias increases or decreases, the density tends to lower gradually. Based on the density of diamond and graphite, sp3 bonding ratio of ta-C films was obtained from their corresponding density according to a simple equation between the two. And a similar parabolic variation was observed for ta-C films with the sp3 content changes with substrate negative bias. The mechanical properties such as hardness and elastic modulus were also measured and compared with the corresponding density for ta-C films. From the distribution of data points, a linear proportional correlation between them was found, which shows that the density is a critical parameter to characterize the structure variation for ta-C films. 展开更多
关键词 ta-c FILMS SUBSTRATE negative BIAS X-ray REFLECTIVITY DENSITY
在线阅读 下载PDF
空位对Hf-Ta-C体系的结构、力学性质及电子性质影响的第一性原理研究 被引量:1
20
作者 彭军辉 TIKHONOV Evgenii 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期51-57,共7页
本研究理论预测了三元Hf-Ta-C空位有序结构以及空位对力学性质的影响。采用第一性原理进化晶体结构预测软件USPEX,预测得到了5种热力学稳定和3种亚稳的(Hf,Ta)C_(1-x)空位有序结构,这些结构都属于岩盐结构。采用第一性原理方法,计算了(H... 本研究理论预测了三元Hf-Ta-C空位有序结构以及空位对力学性质的影响。采用第一性原理进化晶体结构预测软件USPEX,预测得到了5种热力学稳定和3种亚稳的(Hf,Ta)C_(1-x)空位有序结构,这些结构都属于岩盐结构。采用第一性原理方法,计算了(Hf,Ta)C_(1-x)空位有序结构的力学性质,并分析了力学性质随空位浓度的变化。(Hf,Ta)C_(1-x)都具有较高的体模量、剪切模量、杨氏模量和维氏硬度;各(Hf,Ta)C_(1-x)的Hf/Ta比相同时,其模量、硬度等随空位浓度增大而减小。最后,计算了(Hf,Ta)C_(1-x)的电子态密度,发现其均具有强共价性和弱金属性。本研究结果对于了解Hf-Ta-C体系的空位结构及其力学性质和应用,具有重要参考价值。 展开更多
关键词 Hf-ta-c体系 空位有序结构 维氏硬度 第一性原理方法
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 8 下一页 到第
使用帮助 返回顶部