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T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究
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作者 彭宏伟 赵小寒 +3 位作者 陈祎纯 陈睿凌 王青松 徐大为 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第3期54-58,共5页
T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结... T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结果深入剖析了T型栅PMOS器件跨导双峰效应的内部机理,并从温度、主栅尺寸和次栅尺寸三个方面分析阐述了其对双峰效应的影响。最终,基于T型栅PMOS器件版图结构,提出了一种可抑制双峰效应的改进方案,通过了仿真和流片验证,可以很好地用于SOI工艺T型栅PMOS结构电路设计中。 展开更多
关键词 T型栅pmos 跨导双峰效应 SOI TCAD
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Contact planarization and passivation lift tungsten diselenide PMOS performance
2
作者 Haoyu Peng Ping-Heng Tan Jiangbin Wu 《Journal of Semiconductors》 2025年第11期2-5,共4页
Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs),which allow atomic-scale manipulation,have supe-rior electrical and optical properties that challenge the limits of traditional bulk semiconductors like silico... Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDs),which allow atomic-scale manipulation,have supe-rior electrical and optical properties that challenge the limits of traditional bulk semiconductors like silicon^([1,2]).As a repre-sentative TMD and a promising 2D channel material for high-performance,scalable p-type transistors,tungsten diselenide(WSe_(2))has attracted considerable academic and industrial interest for its potential in advanced complementary metal−oxide−semiconductor(CMOS)logic technology and in extending Moore’s Law^([3−7]). 展开更多
关键词 contact planarization metal dichalcogenides tmds which PASSIVATION pmos performance advanced complementary metal oxide semiconductor cmos logic tungsten diselenide two dimensional materials transition metal dichalcogenides
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基于PMOS器件的低压驱动电路仿真及设计 被引量:1
3
作者 刘洋 刘澎 岳一鹏 《电子制作》 2024年第21期92-96,共5页
本文以PMOS为核心器件,搭配不同的分立器件组合成三种不同的高边开关基本拓扑机构,经仿真分析和试验验证,功能和性能指标基本吻合,满足低压负载的驱动需求。这三种驱动电路可作为“最小硬件单元”,搭配其他功能电路如过载保护、电流反馈... 本文以PMOS为核心器件,搭配不同的分立器件组合成三种不同的高边开关基本拓扑机构,经仿真分析和试验验证,功能和性能指标基本吻合,满足低压负载的驱动需求。这三种驱动电路可作为“最小硬件单元”,搭配其他功能电路如过载保护、电流反馈等,可增强驱动电路的鲁棒性。 展开更多
关键词 pmos 低压驱动 电路仿真
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高碳钢连铸坯末端单辊重压下和PMO技术比较
4
作者 黄雁 陈玉娥 +4 位作者 陈永峰 左小坦 刘海宁 徐智帅 翟启杰 《钢铁》 北大核心 2025年第5期91-101,共11页
基于国内某钢厂180 mm×180 mm断面连铸机生产SWRH82B高碳钢生产实践,在同一连铸工况下,比较研究了末端单辊重压下及脉冲磁致振荡(PMO)技术对SWRH82B高碳钢小方坯碳宏观偏析和中心缩孔等缺陷的改善效果。分别在连铸坯横剖面及纵剖... 基于国内某钢厂180 mm×180 mm断面连铸机生产SWRH82B高碳钢生产实践,在同一连铸工况下,比较研究了末端单辊重压下及脉冲磁致振荡(PMO)技术对SWRH82B高碳钢小方坯碳宏观偏析和中心缩孔等缺陷的改善效果。分别在连铸坯横剖面及纵剖面上对元素分布、宏观组织、等轴晶率进行测量分析。结果表明,采用单辊重压下20 mm,SWRH82B高碳钢铸坯纵剖面中心处最大偏析指数由1.20以上降低至1.15以下,铸坯纵剖面低倍中心缩孔基本消除,等轴晶率变化不明显。经PMO处理,SWRH82B高碳钢铸坯纵剖面中心处最大偏析指数降低至1.12以下,平均等轴晶率由20.1%增加到31.2%,中心缩孔等级由1.5级降低至0.5级。对比研究表明,单辊重压下技术对改善凝固末端疏松和缩孔等体积亏损缺陷有明显优势,而PMO技术对提高等轴晶率和改善铸坯整体宏观偏析效果显著,且连铸机拉速越高,改善效果越好。但在连铸坯中心缩孔控制效果上,PMO技术虽有显著效果,但稍逊于单辊重压下技术。两者组合使用有望获得高等轴晶率、低偏析、无缩孔的铸坯。 展开更多
关键词 连铸 小方坯 pmo 重压下 偏析 中心缩孔 SWRH82B高碳钢 等轴晶
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PMO对Cr8Mo2SiV钢锭凝固组织和偏析的影响
5
作者 徐凡 陈湘茹 翟启杰 《上海大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期632-645,共14页
为解决Cr8Mo2SiV钢铸锭凝固组织粗大及心部偏析问题,采用脉冲磁致振荡(pulsed magneto-oscillation,PMO)技术调控铸锭凝固过程.通过组织表征与元素分析,系统研究了不同PMO峰值电流(0、1000KP、1500KP和2000KPA)对Cr8Mo2SiV钢凝固组织和... 为解决Cr8Mo2SiV钢铸锭凝固组织粗大及心部偏析问题,采用脉冲磁致振荡(pulsed magneto-oscillation,PMO)技术调控铸锭凝固过程.通过组织表征与元素分析,系统研究了不同PMO峰值电流(0、1000KP、1500KP和2000KPA)对Cr8Mo2SiV钢凝固组织和偏析的影响.研究结果表明:PMO处理显著细化了凝固组织,在1500KPA参数下柱状晶区比例由未处理样品的30.8%降至8.07%,等轴晶区提升至86.31%;同时元素偏析得到了明显改善,心部偏析区域面积缩小,枝晶间Cr、Mo等元素富集降低;PMO作用会促进形核,同时由于内部产生了电磁力,故型壁晶粒脱落,从而细化晶粒,并诱导熔体内部形成双环流增强溶质均匀分布.该技术为改善Cr8Mo2SiV钢铸锭凝固质量提供了有效手段. 展开更多
关键词 脉冲磁致振荡 峰值电流 Cr8Mo2SiV钢 凝固组织 偏析
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基于PMO模式下铁前系统极致成本实现路径与实践成效
6
作者 《冶金财会》 2025年第4期24-27,共4页
在全球经济复杂多变、市场竞争日益激烈的背景下,钢铁行业面临着前所未有的挑战。为了降低运营成本,提升竞争力,钢铁企业亟需引入先进的管理理念和方法。PMO项目管理作为一种成熟且高效的项目管理方式,在国外理论和实践发展已相当成熟,... 在全球经济复杂多变、市场竞争日益激烈的背景下,钢铁行业面临着前所未有的挑战。为了降低运营成本,提升竞争力,钢铁企业亟需引入先进的管理理念和方法。PMO项目管理作为一种成熟且高效的项目管理方式,在国外理论和实践发展已相当成熟,但在国内钢铁行业的应用尚处于探索阶段。青岛特殊钢铁有限公司(简称青岛特钢)引入PMO项目管理模式,在铁前系统开展极致成本的探索与实践,取得了显著成效。通过阐述PMO项目管理模式的内涵及在钢铁企业应用的必要性,介绍了通过“寻源+检验+配矿+复盘”四位一体闭环配矿、PMO项目在烧结工序和高炉工序的应用实践等创新举措,分析了实施过程、方法及取得的显著经济效益,为钢铁企业提升管理水平、降低成本提供了有益借鉴。 展开更多
关键词 pmo项目管理模式 钢铁企业 铁前系统 极致成本
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以PMO为核心的重大科技专项管理体系探索与实践
7
作者 徐凤银 鹿倩 《石油科技论坛》 2025年第1期63-70,共8页
层级复杂的项目群管理一直是项目管理难点。为解决科技项目攻关成效不高、科研基础不扎实、技术人员积极性不高等难题,中石油煤层气有限责任公司提出“五主”科技创新理念,建立了以项目管理办公室(PMO)为核心的重大科技专项管理体系。... 层级复杂的项目群管理一直是项目管理难点。为解决科技项目攻关成效不高、科研基础不扎实、技术人员积极性不高等难题,中石油煤层气有限责任公司提出“五主”科技创新理念,建立了以项目管理办公室(PMO)为核心的重大科技专项管理体系。从各创新管理要素入手,贯通国家、集团公司和公司的科技管理政策与相关要求,明确PMO职责及其日常管理程序和管理制度体系。通过制定项目实施路线图、设置过程评分标准、建立智能化科技管理平台、加强预算管理、构建知识产权综合管理体系等系列举措,实现项目过程的动态智能管理。重大科技专项管理体系驱动科技创新,公司牵头承担的各级项目取得了一批核心技术成果,企业规模和效益显著提升,建成煤层气开发利用国家工程研究中心创新平台,引领非常规天然气产业高质量发展。 展开更多
关键词 项目群 重大科技专项 “五主”创新理念 pmo 项目管理
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PMOS剂量计的退火特性 被引量:10
8
作者 范隆 任迪远 +2 位作者 张国强 严荣良 艾尔肯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-387,共5页
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火... 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ; 展开更多
关键词 辐射剂量计 pmos 辐照退火 MOS晶体管
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偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响 被引量:8
9
作者 范隆 张国强 +2 位作者 严荣良 艾尔肯 任迪远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期179-183,共5页
研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在- 1~1MV/cm 的电场范围内,获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型,结合辐射... 研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在- 1~1MV/cm 的电场范围内,获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型,结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性,分析了实验结果. 展开更多
关键词 剂量计 pmos 辐照响应 偏置
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pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应 被引量:5
10
作者 范隆 靳涛 +2 位作者 何承发 严荣良 沈志康 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期534-538,共5页
对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS场效应管进行了X射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验;通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合MOS器件寄生二极管等效... 对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS场效应管进行了X射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验;通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合MOS器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。 展开更多
关键词 pmos场效应管 瞬态 X射线 电子束 电离辐照
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V_T 辐照模式 pMOS 剂量计的标定 被引量:4
11
作者 范隆 严荣良 +2 位作者 靳涛 何承发 赵元富 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第10期606-610,共5页
对辐照偏置为阈值VT的pMOS剂量计进行了60Coγ射线和6MeV电子束的辐照标定,结果表明,在不低于102Gy(Si)的剂量范围内,这种变化的负栅偏电压下工作的pMOS剂量计呈现出线性响应,其适用于空间环境的响应灵... 对辐照偏置为阈值VT的pMOS剂量计进行了60Coγ射线和6MeV电子束的辐照标定,结果表明,在不低于102Gy(Si)的剂量范围内,这种变化的负栅偏电压下工作的pMOS剂量计呈现出线性响应,其适用于空间环境的响应灵敏度为20mV/Gy(Si)。同时发现,对60Coγ射线的响应灵敏度为对6MeV电子束的1.3倍左右。对实验结果进行了分析,认为pMOS剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性,提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。 展开更多
关键词 pmos 剂量计 电离辐照 混合场 标定 VT辐照模式
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pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨 被引量:3
12
作者 范隆 任迪远 +3 位作者 高文钰 郭旗 严荣良 赵元富 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期173-178,共6页
利用恒流注入法和I-V测试方法研究了用于pMOS剂量计的国产pMOSRADFET的温度效应,结合MOS晶体管阈值和电流-电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响,对“零温度系数点”从理论上进行... 利用恒流注入法和I-V测试方法研究了用于pMOS剂量计的国产pMOSRADFET的温度效应,结合MOS晶体管阈值和电流-电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响,对“零温度系数点”从理论上进行了讨论,探讨了辐照对“零温度系数点”的影响。实验结果表明,采用“零温度系数”电流作为注入的恒流来测量栅源电压能提高剂量计电压读出的精度,起到对温度补偿的作用。 展开更多
关键词 pmos 剂量计 温度效应 补偿
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PMOS辐照检测传感器 被引量:4
13
作者 陈德英 张旭 +3 位作者 姜岩峰 樊路嘉 张会珍 余艳玲 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第1期3-6,共4页
比较了常用的 3种辐照剂量计 ,并详细介绍了PMOS辐照检测传感器的优点、制备工艺、工作模式。
关键词 pmos 辐照传感器 RAFET 辐射剂量计
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PMOS剂量计的剂量率效应 被引量:2
14
作者 范隆 任迪远 +3 位作者 郭旗 张国强 严荣良 陆妩 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第8期508-512,共5页
在不同剂量率的60Coγ辐照下,研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献。结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应;主要表现为响应的拟合关系式△VT=KDn中幂n的变化... 在不同剂量率的60Coγ辐照下,研究了PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I—V亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献。结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应;主要表现为响应的拟合关系式△VT=KDn中幂n的变化,在低剂量率区间内,n值较大,对应于辐射响应高灵敏度范围;当剂量率增大时,n值减小,响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。 展开更多
关键词 pmos 阈值响应 剂量率 剂量计 钴60 Γ辐照
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PMOSFET动态NBTI效应的研究 被引量:2
15
作者 宋芳芳 解江 +1 位作者 李斌 章晓文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期79-83,共5页
负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力... 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。 展开更多
关键词 pmos 动态NBTI 可靠性 恢复效应
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PMOS—2000发电市场技术支持系统概述 被引量:23
16
作者 宋燕敏 曹荣章 +6 位作者 华定中 王力科 潘久经 王立群 李建刚 陈枫 王冬明 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2000年第4期10-13,共4页
PMOS—2000 发电市场技术支持系统是适合中国发电市场模式的技术支持系统。它具有实时市场调度功能,包括交易管理、预计划处理、实时调度计划、即时信息发布、能量管理、电能计量、结算/合同管理和电厂报价8 个子系统。在设计时充分考... PMOS—2000 发电市场技术支持系统是适合中国发电市场模式的技术支持系统。它具有实时市场调度功能,包括交易管理、预计划处理、实时调度计划、即时信息发布、能量管理、电能计量、结算/合同管理和电厂报价8 个子系统。在设计时充分考虑电力市场和计算机技术的发展,使系统具有开放性和可扩展性。 展开更多
关键词 技术支持系统 自动化 发电市场 电力工业 中国
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基于PMOS型固态功率电子开关的宇航智能配电系统研究 被引量:4
17
作者 仪德英 陈恒智 +2 位作者 于磊 王林涛 武逸然 《电子科技》 2020年第9期50-55,共6页
针对当前使用NMOS固态功率电子开关的载人航天器智能配电系统存在NOMS隔离驱动控制电路占用大量硬件资源,且不能满足能源系统自主健康管理遥测信息采集需求的问题,文中提出了一种基于PMOS固态功率电子开关构建的智能配电系统设计方案。... 针对当前使用NMOS固态功率电子开关的载人航天器智能配电系统存在NOMS隔离驱动控制电路占用大量硬件资源,且不能满足能源系统自主健康管理遥测信息采集需求的问题,文中提出了一种基于PMOS固态功率电子开关构建的智能配电系统设计方案。相对于NMOS,PMOS用于正线开关的非隔离驱动特性避免了配置隔离控制电路带来的系统资源代价问题,在简化硬件电路设计的同时获得了更多的遥测信息,解决了有限硬件资源与更多遥测参数需求的矛盾。针对SSPC负载短路保护特性带来的固态配电系统母线电压跳变问题,文中给出了提高固态配电器可靠性的辅助电路方案,可使负载短路保护故障不影响母线稳定。 展开更多
关键词 载人航天器 智能配电系统 直流配电 固态功率电子开关 pmos 自主健康管理
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表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响 被引量:7
18
作者 郜锦侠 张义门 +1 位作者 张玉明 汤晓燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期408-413,共6页
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效... 建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 。 展开更多
关键词 表面态密度分布 源漏电阻 6H-SiCpmos 器件特性
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PMO对高速钢枝晶组织及碳化物的影响 被引量:9
19
作者 刘海宁 陈杨珉 +2 位作者 陈湘茹 李莉娟 翟启杰 《钢铁》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期119-128,156,共11页
脉冲磁致振荡(Pulse Magneto-oscillation,简称PMO)是上海大学先进凝固技术中心原创的凝固均质化技术,该技术成功已应用于多家冶金企业数十种特殊钢生产,在改善铸坯质量方面取得了理想效果。高速工具钢(简称高速钢)作为一种高合金钢,其... 脉冲磁致振荡(Pulse Magneto-oscillation,简称PMO)是上海大学先进凝固技术中心原创的凝固均质化技术,该技术成功已应用于多家冶金企业数十种特殊钢生产,在改善铸坯质量方面取得了理想效果。高速工具钢(简称高速钢)作为一种高合金钢,其铸态组织中树枝晶组织及共晶碳化物发达,宏观偏析严重,不仅影响了其质量和性能,同时制约了该类钢种采用连铸工艺生产。为了探究PMO改善高速钢凝固组织的可行性,采用双电源真空感应熔炼装置,研究PMO对其枝晶组织、共晶碳化物的影响。研究结果表明,在PMO作用下,高速钢铸态组织中粗大的柱状晶组织转变为全等轴晶组织,并且共晶碳化物网交汇区及共晶碳化物颗粒平均尺寸大幅度减小,碳化物分布均匀性得到显著改善。PMO对4个钢种的共晶碳化物网交汇处尺寸有明显细化作用,以M2高速钢共晶碳化物网交汇处尺寸细化程度为例,1/8D、1/4D和1/2D(D为铸坯径向直径)处的碳化物交汇处的平均尺寸较未施加PMO处理的铸锭依次减小48.5%、47.1%和43.4%;同时,PMO可以进一步细化共晶碳化物颗粒尺寸,以M2Al高速钢为例,1/8D、1/4D和1/2D处的共晶碳化物颗粒平均尺寸依次减小49.1%、54.5%、40.2%。研究结果为提高高速钢铸态质量提供了一种新思路及新方法,并有助于高速钢实现连铸和避免高速钢大变形量压力加工过程中产生开裂现象,为改善高速钢连铸过程中遇到的心部碳化物聚集、粗大碳化物等问题提供了一种新的方向。 展开更多
关键词 pmo 高速钢 凝固 铸态组织 枝晶组织 共晶碳化物
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pMOSFET多管级联结构辐照响应特性研究 被引量:2
20
作者 范隆 郭旗 +2 位作者 任迪远 余学峰 严荣良 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期420-423,436,共5页
p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入... p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入条件 ,其响应灵敏度、线性度和稳定性均高于零偏置的结果。同时 ,研究了多管级联结构完全退火后的二次辐照响应 ,结果表明 ,响应灵敏度与线性度均高于第 展开更多
关键词 pmosFET 级联结构 辐照响应 灵敏度 辐射剂量计
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