Radio frequency identification(RFID) is a ubiquitous identification technology nowadays. An on-chip high-performance transmit/receive(T/R) switch is designed and simulated in 0.13-μm CMOS technology for reader-less R...Radio frequency identification(RFID) is a ubiquitous identification technology nowadays. An on-chip high-performance transmit/receive(T/R) switch is designed and simulated in 0.13-μm CMOS technology for reader-less RFID tag. The switch utilizes only the transistor width and length(W/L) optimization, proper gate bias resistor and resistive body floating technique and therefore,exhibits 1 d B insertion loss, 31.5 d B isolation and 29.2 d Bm 1-d B compression point(P1d B). Moreover, the switch dissipates only786.7 n W power for 1.8/0 V control voltages and is capable of switching in 794 fs. Above all, as there is no inductor or capacitor used in the circuit, the size of the switch is 0.00208 mm2 only. This switch will be appropriate for reader-less RFID tag transceiver front-end as well as other wireless transceivers operated at 2.4 GHz band.展开更多
设计并实现了一款具备200 m A输出电流能力的开关电容电压反转器,可用于有源相控阵雷达T/R组件中正负电源转换。采用无感式设计简化了开关电源的复杂外围,有效减小了体积。对开关电容电压反转器的系统结构、电路和版图技术进行研究,进...设计并实现了一款具备200 m A输出电流能力的开关电容电压反转器,可用于有源相控阵雷达T/R组件中正负电源转换。采用无感式设计简化了开关电源的复杂外围,有效减小了体积。对开关电容电压反转器的系统结构、电路和版图技术进行研究,进行了结构设计及振荡器、互补时钟、开关驱动等电路设计,并采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺对该产品进行设计和生产制造。实现了最高输入电压＋8 V转输出电压-8 V,最高带载200 m A的开关电容电压反转器产品,外围仅采用储能电容即可实现正负电源转换,满足了T/R组件技术指标和小型化要求。展开更多
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一种5-12 GHz的收发一体多功能芯片（T/R MFC）,其具有噪声低、增益高和中等功率等特点。电路由低噪声放大器和多个单刀双掷（SPDT）开关构成。为了获得较低的噪声系数和较大的增益,...基于GaAs赝高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一种5-12 GHz的收发一体多功能芯片（T/R MFC）,其具有噪声低、增益高和中等功率等特点。电路由低噪声放大器和多个单刀双掷（SPDT）开关构成。为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构。测试结果表明,在5-12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 d B,噪声系数小于4 d B,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 d B压缩点输出功率大于15 d Bm。其中,放大器为单电源5 V供电,静态电流小于120 m A;开关控制电压为-5 V/0 V。芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm。展开更多
提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw,SPDT）开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点（P_（-1dB））为8d Bm。通过使用并联NMOS...提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw,SPDT）开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点（P_（-1dB））为8d Bm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络,测得的开关在30~45 GHz有33~51 d B的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积（die）仅仅为160×180μm2。展开更多
基金supported by the research grant Economic Transformation Programme (ETP-2013-037) from Universiti Kebangsaan Malaysia and the Ministry of Science, Technology and Innovation (MOSTI) respectively
文摘Radio frequency identification(RFID) is a ubiquitous identification technology nowadays. An on-chip high-performance transmit/receive(T/R) switch is designed and simulated in 0.13-μm CMOS technology for reader-less RFID tag. The switch utilizes only the transistor width and length(W/L) optimization, proper gate bias resistor and resistive body floating technique and therefore,exhibits 1 d B insertion loss, 31.5 d B isolation and 29.2 d Bm 1-d B compression point(P1d B). Moreover, the switch dissipates only786.7 n W power for 1.8/0 V control voltages and is capable of switching in 794 fs. Above all, as there is no inductor or capacitor used in the circuit, the size of the switch is 0.00208 mm2 only. This switch will be appropriate for reader-less RFID tag transceiver front-end as well as other wireless transceivers operated at 2.4 GHz band.
文摘设计并实现了一款具备200 m A输出电流能力的开关电容电压反转器,可用于有源相控阵雷达T/R组件中正负电源转换。采用无感式设计简化了开关电源的复杂外围,有效减小了体积。对开关电容电压反转器的系统结构、电路和版图技术进行研究,进行了结构设计及振荡器、互补时钟、开关驱动等电路设计,并采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺对该产品进行设计和生产制造。实现了最高输入电压＋8 V转输出电压-8 V,最高带载200 m A的开关电容电压反转器产品,外围仅采用储能电容即可实现正负电源转换,满足了T/R组件技术指标和小型化要求。
文摘基于GaAs赝高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一种5-12 GHz的收发一体多功能芯片（T/R MFC）,其具有噪声低、增益高和中等功率等特点。电路由低噪声放大器和多个单刀双掷（SPDT）开关构成。为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构。测试结果表明,在5-12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 d B,噪声系数小于4 d B,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 d B压缩点输出功率大于15 d Bm。其中,放大器为单电源5 V供电,静态电流小于120 m A;开关控制电压为-5 V/0 V。芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm。
文摘提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw,SPDT）开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点（P_（-1dB））为8d Bm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络,测得的开关在30~45 GHz有33~51 d B的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积（die）仅仅为160×180μm2。
