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关于Ni(100)面上C复盖的LEED和STM研究
1
作者 张兆祥 《电子器件》 CAS 1994年第3期120-122,共3页
本文叙述了C/Ni(100)系统的LEED和STM的研究结果,并讨论了该系统的表面结构模型。
关键词 表面结构 低能电子衍射 扫描隧道显微镜
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粘胶基碳纤维表面结构的STM研究 被引量:2
2
作者 吴琪琳 胡杨 潘鼎 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期171-173,共3页
本文建立了用具有原子级分辨能力的扫描隧道显微镜 (STM)研究粘胶基碳纤维 (RCF)表面结构的方法。在较大尺度的STM图像上 ,RCF表面显得很粗糙 ,“峰”和“谷”的特征非常明显。增大放大率时 ,发现了约10nm宽的条状结构 ,其排列与纤维轴... 本文建立了用具有原子级分辨能力的扫描隧道显微镜 (STM)研究粘胶基碳纤维 (RCF)表面结构的方法。在较大尺度的STM图像上 ,RCF表面显得很粗糙 ,“峰”和“谷”的特征非常明显。增大放大率时 ,发现了约10nm宽的条状结构 ,其排列与纤维轴成一定角度 (45°~ 90°)。首次获得了RCF原子级的STM图像 ,在原子级尺度上 ,其原子排列并不规则 ,相邻原子间距为 0 .14 2nm ,最近六元环中心的距离是 0 .2 5 3nm。与高定向降解石墨 (HOPG) 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 粘胶基碳纤维 表面结构 stm
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C_(60)在Ag(111)表面的STM图像理论模拟 被引量:1
3
作者 李群祥 杨金龙 +1 位作者 李永庆 汪克林 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期1-5,共5页
本文利用离散变分和局域密度泛函(DV-LDF)方法,通过计算C60/Ag(111)的电荷密度分布图,即模拟出该体系的STM图像,并详细地研究了体系的电子结构。结果表明该体系中有2.32e自金属表面Ag原子向C60转移... 本文利用离散变分和局域密度泛函(DV-LDF)方法,通过计算C60/Ag(111)的电荷密度分布图,即模拟出该体系的STM图像,并详细地研究了体系的电子结构。结果表明该体系中有2.32e自金属表面Ag原子向C60转移。外电场的极性对图像影响很大,在正偏压情形,LUMO电荷密度分布图为三个五边形围成而呈三叶状,反映的是体系中吸附分子的对称性,且隧道电流主要来自单键。而HOMO电荷密度分布图具有三重对称性。这与实验上观测的STM图像定性上一致。 展开更多
关键词 图像模拟 电子结构 Ag(111)表面 碳60 stm
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Si(100)面的STM观察 被引量:1
4
作者 张兆祥 井藤浩志 市ノ川竹男 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第1期49-55,共7页
使用超高真空扫描隧道显微镜(STM)观察了Si(100)面,得到了清洁Si(100)面的STM像。从Chadi模型的形成和表面原子的各向异性扩散分析了STM像的两种类型的台阶棱。Si(100)面的STM像存在许多缺陷,缺陷位置能从在同一区域样品上加正负偏压的... 使用超高真空扫描隧道显微镜(STM)观察了Si(100)面,得到了清洁Si(100)面的STM像。从Chadi模型的形成和表面原子的各向异性扩散分析了STM像的两种类型的台阶棱。Si(100)面的STM像存在许多缺陷,缺陷位置能从在同一区域样品上加正负偏压的STM像来确定。 展开更多
关键词 stm SI(100) 表面结构
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锗硅表面结构和动态过程的STM研究
5
作者 盖峥 杨威生 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第2期104-112,共9页
本文综述了我们利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射对锗硅表面结构和动态过程进行的系统化和比较性的研究。研究结果除了具有重要的基础意义外 ,对半导体异质外延生长衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都有指导意义。
关键词 stm 表面结构 动态过程 半导体
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基于AFM/STM技术的离子液体表/界面性质及结构研究之进展
6
作者 方金云 《轻工学报》 CAS 2016年第1期75-88,共14页
AFM/STM技术对于离子液体表/界面性质与结构的研究非常重要.目前,使用AFM/STM技术直接观察离子液体薄膜、离子液体混合物、负载离子液体的结构及性质以及原位观察反应过程离子液体结构及性质变化等研究不断涌现,尤其在原位观察离子液体... AFM/STM技术对于离子液体表/界面性质与结构的研究非常重要.目前,使用AFM/STM技术直接观察离子液体薄膜、离子液体混合物、负载离子液体的结构及性质以及原位观察反应过程离子液体结构及性质变化等研究不断涌现,尤其在原位观察离子液体表/界面性质与结构变化方面,AFM/STM技术得到了很好的应用.未来应主要加强离子液体不同阴阳离子结构、性质对离子液体与气体、离子液体与固体界面影响的研究,进而形成系统化的理论,为离子液体吸收气体及催化反应的应用提供理论支持,并进一步构建模型,指导离子液体的设计. 展开更多
关键词 AFM stm 离子液体 表/界面性质 表/界面结构
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ATLEED对表面结构分析的可靠性研究
7
作者 谭忠民 邓丙成 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期75-78,共4页
研究自动张量低能电子衍射对半导体复杂表面结构的有效搜寻范围,它比金属表面或金属吸附表面的有效搜寻范围要小。利用自动张量低能电子衍射对GaAs(111)-p(2×2)表面空位弛豫模型做了详细分析,理论计算和实验曲线符合得很好。
关键词 表面结构 可靠性 晶体 ATleed
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有机污染物分子的STM研究
8
作者 魏国秀 万立骏 白春礼 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2004年第3期376-381,共6页
本文结合本研究室的部分工作 ,简要介绍了近年来运用扫描隧道显微镜 (STM )对吸附在金属及非金属表面的有机污染物分子的结构、界面行为及反应动力学过程研究中所取得的代表性结果 ,展示了该技术在污染物降解研究中的重要作用及发展前景。
关键词 有机污染物分子 扫描隧道显微镜 吸附结构 界面行为 反应动力学
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金红石型TiO2(110)表面性质及STM形貌模拟 被引量:7
9
作者 肖冰 冯晶 +2 位作者 陈敬超 严继康 甘国友 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3769-3774,共6页
采用密度泛函理论从头计算了金红石型TiO2(110)表面的相关性质,切片模型含有9层原子,采用化学整比表面结构,晶胞真空层厚度为1·5nm,原子价电子采用超软赝势表达.差分电子密度分布图发现原子附近区域电子密度分布以球对称为主,电子... 采用密度泛函理论从头计算了金红石型TiO2(110)表面的相关性质,切片模型含有9层原子,采用化学整比表面结构,晶胞真空层厚度为1·5nm,原子价电子采用超软赝势表达.差分电子密度分布图发现原子附近区域电子密度分布以球对称为主,电子定域形成离子键的趋势较强,但在Ti和O原子之间存在较弱的共价键.模拟了金红石型TiO2(110)表面结构的扫描隧道显微镜(scanning tunneling microscope,简称STM)图像,利用Tersoff-Hamann的成像理论,在+2V的正向偏压下,采用一系列变化的数值作为STM探针离表面桥式氧的距离,分析了相关态密度的变化,发现(110)表面的STM形貌凸起部分来自于5—Ti原子,而不是2—O原子(桥式氧),在TiO2(110)表面结构成像中,电子效应起主导作用,证实了STM实验观察到的亮行是Ti原子的结果. 展开更多
关键词 功能材料 密态泛函理论 表面结构 stm
原文传递
锗硅表面结构和动态过程的STM研究 被引量:2
10
作者 杨威生 盖峥 《物理》 CAS 2000年第11期649-656,共8页
尽管作为微电子工业的基础 ,硅和锗的表面和界面几十年来一直是研究的热点 ,但和纳米技术等不断提出的问题相比 ,对它们的了解仍很不够 .为此 ,最近我们用扫描隧道显微镜和低能电子衍射方法 ,对锗硅表面的稳定性、宏观小面化、纳米小面... 尽管作为微电子工业的基础 ,硅和锗的表面和界面几十年来一直是研究的热点 ,但和纳米技术等不断提出的问题相比 ,对它们的了解仍很不够 .为此 ,最近我们用扫描隧道显微镜和低能电子衍射方法 ,对锗硅表面的稳定性、宏观小面化、纳米小面化、小面化的规律、稳定表面的比自由能、表面原子结构以及表面和亚表面原子的动态过程进行了大量的系统的研究 .文章综述已取得的研究结果 .这些结果除具有重要的基础意义外 ,对半导体异质外延生长衬底选择 ,以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都会有帮助 . 展开更多
关键词 stm 表面结构 表面动态过程
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有机聚合物CPU的结构形态 被引量:1
11
作者 高鸿钧 马立平 +3 位作者 杨清传 陈慧英 薛增泉 庞世谨 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期726-728,共3页
本文用扫描隧道显微镜(STM)研究了有机氰基-苯基-脲(CPU)的表面结构。在不同的CPU薄膜制备条件下,得到了不同的CPU薄膜的STM像,表明制备条件与成膜结构的密切关系。观察到了CPU薄膜中晶区和非晶区的存在,证... 本文用扫描隧道显微镜(STM)研究了有机氰基-苯基-脲(CPU)的表面结构。在不同的CPU薄膜制备条件下,得到了不同的CPU薄膜的STM像,表明制备条件与成膜结构的密切关系。观察到了CPU薄膜中晶区和非晶区的存在,证实了聚合物晶体中晶区和非晶区的模型。 展开更多
关键词 stm CPU薄膜 表面结构 有机聚合物
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湿法腐蚀后硅表面形态微结构的研究
12
作者 李静 吴孙桃 +1 位作者 叶建辉 S.F.Y.Li 《微纳电子技术》 CAS 2003年第3期19-22,共4页
随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不... 随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH_4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态及洁净度。表面的STM图像分析,表明在较高pH值的NH_4F-HCl溶液中腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小。 展开更多
关键词 湿法腐蚀 Si(111)表面 微结构 stm 扫描隧道显微镜
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Ⅷ族金属的吸附表面结构
13
作者 蓝田 徐飞岳 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期537-541,共5页
本文报导了,在Ⅷ族金属表面上吸附原(离)子和分子的表面结构。
关键词 Ⅷ族金属 吸附表面结构 leed
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生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构 被引量:4
14
作者 翟光杰 杨建树 +1 位作者 陈显邦 王学森 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期346-353,共8页
利用扫描隧道显微镜 ( STM)等分析手段 ,我们对 Si( 1 1 1 )在 NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究 .Si( 1 1 1 )在 1 0 75K暴露于 NH3后 ,表现所形成的氮化硅存在周期为 1 .0 2 nm的(“8/3× 8/3”)再构 ,当温度提高到 1 1 2 5K... 利用扫描隧道显微镜 ( STM)等分析手段 ,我们对 Si( 1 1 1 )在 NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究 .Si( 1 1 1 )在 1 0 75K暴露于 NH3后 ,表现所形成的氮化硅存在周期为 1 .0 2 nm的(“8/3× 8/3”)再构 ,当温度提高到 1 1 2 5K以上时 ,表面出现周期为 3.0 7nm的超结构 .这两种表面超结构都可以形成“8× 8”低能电子衍射花样 .系统的研究证明 3.0 7nm超结构是在 Si( 1 1 1 )表面形成晶态 β- Si3N4 薄膜 ( 0 0 0 1 )表面的 4× 4再构 ,而 1 .0 2 nm周期是 Si( 1 1 1 ) 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 表面结构
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贝氏体和马氏体相变及应用的研究 被引量:7
15
作者 方鸿生 杨志刚 +1 位作者 王家军 郑燕康 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期337-350,共14页
系统总结了清华大学相变及复相新材料研究组近年来在贝氏体相变领域关键性的最新研究成果,包括三维巨型及纳米台阶存在的客观性和普遍性、台阶阶面的可动性、贝氏体片条的内部超精细结构、贝氏体浮突的特征及本质、贝氏体碳化物的来源... 系统总结了清华大学相变及复相新材料研究组近年来在贝氏体相变领域关键性的最新研究成果,包括三维巨型及纳米台阶存在的客观性和普遍性、台阶阶面的可动性、贝氏体片条的内部超精细结构、贝氏体浮突的特征及本质、贝氏体碳化物的来源及形成模型、马氏体浮突的扫描隧道显微镜(STM)及原子力显微镜(AFM)研究;进一步论述贝氏体相变的激发形核-台阶长大(SNLG)机制,并用SNLG机制解释了贝氏体的多层次复杂亚结构;同时,还论述了空冷贝氏体/马氏体复相钢的工业应用。 展开更多
关键词 贝氏体 马氏体 相变 显微镜分析 浮突 台阶
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扫描隧道显微镜和原子力显微镜在矿物学研究中的应用现状及前景 被引量:3
16
作者 廖立兵 马喆生 施倪承 《现代地质》 CAS CSCD 1993年第4期495-499,共5页
作者介绍了扫描隧道显微镜和原子力显微镜的基本原理,并结合自己的工作总结了它们在矿物学研究中的应用情况。基于这两种显微镜的原理和特点,指出了其在未来矿物学研究中一些可能的应用领域,并认为它们有可能成为矿物学研究的强有力工具。
关键词 隧道显微镜 显微镜 矿物学
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利用扫描隧道显微镜研究腈基-苯基-脲聚合物膜的表面结构
17
作者 马立平 高鸿钧 +4 位作者 宋延林 赵文斌 陈慧英 薛增泉 庞世瑾 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期720-722,共3页
本文利用大气中扫描隧道显微镜对新型有机功能材料腈基-苯基-脲(CPU)的聚合物(PCPU)薄膜进行了研究。在高定向裂解石墨基底上由溶液成膜制备CPU聚合物薄膜样品,在42×42扫描范围内获得了PCPU表面结构... 本文利用大气中扫描隧道显微镜对新型有机功能材料腈基-苯基-脲(CPU)的聚合物(PCPU)薄膜进行了研究。在高定向裂解石墨基底上由溶液成膜制备CPU聚合物薄膜样品,在42×42扫描范围内获得了PCPU表面结构的STM图像,发现5—8个CPU分子聚合在一起形成PCPU分子链。本文给出了PCPU分子链结构模型,并对所观察到的STM图像给予了解释。 展开更多
关键词 腈基-苯基-脲 表面结构 CPU聚合物膜 stm
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用低能电子衍射谱计算过渡金属吸附CO的表面结构 被引量:2
18
作者 蓝田 徐峰 《计算物理》 CSCD 北大核心 1994年第2期203-211,共9页
本文用低能电子衍射谱研究了CO分子吸附在过渡金属上的表面结构。
关键词 吸附 表面结构 过渡元素 一氧化碳
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石墨表面台阶的原子尺度观察
19
作者 李晓冬 王琛 +3 位作者 王燕斌 褚武阳 袁炜 白春礼 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第6期770-772,共3页
本文采用STM观察到了石墨(0001)解理面的单原子台阶和台阶处的原子排列。实验表明,台阶附近的二维点阵结构存在着因为台阶延伸方向不断变化而造成的晶格变形,台阶上还存在着大量的扭折。这一结果,将有助于我们从原子尺度的... 本文采用STM观察到了石墨(0001)解理面的单原子台阶和台阶处的原子排列。实验表明,台阶附近的二维点阵结构存在着因为台阶延伸方向不断变化而造成的晶格变形,台阶上还存在着大量的扭折。这一结果,将有助于我们从原子尺度的角度深入探讨石墨表面催化反应的微观机理。 展开更多
关键词 石墨 表面台阶 原子 stm
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金属薄膜表面化学反应活性中的量子尺寸效应 被引量:1
20
作者 马旭村 姜鹏 +4 位作者 宁艳晓 宋灿立 陈曦 贾金锋 薛其坤 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第2期146-157,共12页
本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸... 本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸附和氧化反应随着薄膜厚度一个原子层一个原子层变化时会出现振荡现象。通过研究薄膜中量子阱态的形成、费米能级处电子态密度的变化与薄膜的表面反应活性之间的关系,我们从实验上直接定量地证明了量子尺寸效应对表面反应活性的调控作用。 展开更多
关键词 量子尺寸效应 电子结构 Pb(111)薄膜 表面吸附和氧化 扫描隧道显微镜/谱
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