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Phase field modeling of grain stability of nanocrystalline alloys by explicitly incorporating mismatch strain 被引量:1
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作者 Min Zhou Hong-Hui Wu +5 位作者 Yuan Wu Hui Wang Xiong-Jun Liu Sui-He Jiang Xiao-Bin Zhang Zhao-Ping Lu 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期3370-3382,共13页
Ab st ra ct Nanocrystalline materials exhibit unique properties due to their extremely high grain boundary(GB) density.However,this high-density characteristic induces grain coarsening at elevated temperatures,thereby... Ab st ra ct Nanocrystalline materials exhibit unique properties due to their extremely high grain boundary(GB) density.However,this high-density characteristic induces grain coarsening at elevated temperatures,thereby limiting the widespread application of nanocrystalline materials.Recent experimental observations revealed that GB segregation and second-phase pinning effectively hinder GB migration,thereby improving the stability of nanocry stalline materials.In this study,a mouified phase-field model that integrates mismatch strain,solute segregation and precipitation was developed to evaluate the influence of lattice misfit on the thermal stability of nanocrystalline alloys.The simulation results indicated that introducing a suitable mismatch strain can effectively enhance the microstructural stability of nanocrystalline alloys.By synergizing precipitation with an appropriate lattice misfit,the formation of second-phase particles in the bulk grains can be suppressed,thereby facilitating solute segregation/precipitation at the GBs.This concentrated solute segregation and precipitation at the GBs effectively hinders grain migration,thereby preventing grain coarsening.These findings provide a new perspective on the design and regulation of nanocrystalline alloys with enhanced thermal stability. 展开更多
关键词 Phase field model mismatch strain Second-phase precipitation Grain boundary segregation Nanocrystalline alloys
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Thickness dependence of viscoelastic stress relaxation of laminated microbeams due to mismatch strain
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作者 Xiaosheng CAI Nenghui ZHANG Hanlin LIU 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI CSCD 2022年第4期467-478,共12页
Time-dependent behaviors due to various mismatch strains are very important to the reliability of micro-/nano-devices.This paper aims at presenting an analytical model to study the viscoelastic stress relaxation of th... Time-dependent behaviors due to various mismatch strains are very important to the reliability of micro-/nano-devices.This paper aims at presenting an analytical model to study the viscoelastic stress relaxation of the laminated microbeam caused by mismatch strain.Firstly,Zhang’s two-variable method is used to establish a mechanical model for predicting the quasi-static stress relaxation of the laminated microbeam.Secondly,the related analytical solutions are obtained by combining the differential method and the eigenvalue method in the temporal domain.Finally,the influence of the substrateto-film thickness/modulus ratio on the relaxation responses of the laminated microbeam subject to a step load of the mismatch strain is studied.The results show that the present predictions are consistent with the previous theoretical studies.Furthermore,the thickness dependence of stress relaxation time of the laminated microbeam is jointly determined by the intrinsic structural evolution factors and tension-bending coupling state;the stress relaxation time can be controlled by adjusting the substrate-to-film thickness/modulus ratio. 展开更多
关键词 laminated structure stress relaxation mismatch strain tension-bending coupling effect analytical method
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Preliminary Studies on Base Substitutions and Repair of DNA Mismatch Damage Stimulated by Low Energy N^+ Ion Beam Implantation in Escherichia coli 被引量:4
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作者 谢传晓 郭金华 +1 位作者 程备久 余增亮 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期1677-1682,共6页
Ever since the low energy N+ ion beam has been accepted that the mutation effects of ionizing radiation are attributed mainly to direct or indirect damage to DNA. Evidences based on naked DNA irradiation in support of... Ever since the low energy N+ ion beam has been accepted that the mutation effects of ionizing radiation are attributed mainly to direct or indirect damage to DNA. Evidences based on naked DNA irradiation in support of a mutation spectrum appears to be consistent, but direct proof of such results in vivo are limited. Using mutS, dam and/or dcm defective Eschericha coli imitator strains, an preliminary experimental system on induction of in vivo mutation spectra of low energy N+ ion beam has been established in this study. It was observed that the mutation rates of rifampicin resistance induced by N+ implantation were quite high, ranging from 9.2 x 10~8 to 4.9× 10~5 at the dosage of 5.2×1014 ions/cm2. Strains all had more than 90-fold higher mutation rate than its spontaneous mutation rate determined by this method. It reveals that base substitutions involve in induction of mutation of low energy nitrogen ion beam implantation. The mutation rates of mutator strains were nearly 500-fold (GM2929), 400-fold (GM5864) and 6-fold larger than that of AB1157. The GM2929 and GM5864 both lose the ability of repair DNA mismatch damage by virtue of both dam and dcm pathways defective (GM2929) or failing to assemble the repair complex (GM5864) respectively. It may explain the both strains had a similar higher mutation rate than GM124 did. It indicated that DNA cytosine methylase might play an important role in mismatch repair of DNA damage induced by N+ implantation. The further related research were also discussed. 展开更多
关键词 low energy N^+ ion beam base substitutions dam(DNA adenine methylase) dcm(DNA cytosine methylase) MUTS MMR (mismatch repair) Escherichia coli mutator strain
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Creep Rupture of Mismatched Welded Joints of Steels with Dissimil ar Creep Strengths
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作者 陈辉 陈字刚 《Journal of Modern Transportation》 2001年第2期174-178,共5页
The finite element analysis of mismatched welded jo ints with a 30°groove angle was performed to study the mechanical behavior of D MWJs (dissimilar metal welded joints). It is concluded that the distribution of... The finite element analysis of mismatched welded jo ints with a 30°groove angle was performed to study the mechanical behavior of D MWJs (dissimilar metal welded joints). It is concluded that the distribution of stress triaxiality in the DMWJs is uneven, especially near the fusion lines. The degree of creep strength mismatch has remarkable effect on the distribution. Th e higher the level of mismatch is, the more uneven the distribution is and the e asier for premature failure to occur in the joint. 展开更多
关键词 dissimilar metal welded joints finite element ana lysis creep strength mismatch stress and strain
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硅基固态电池的界面失效挑战与应对策略 被引量:4
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作者 王钦 张艳岗 +1 位作者 梁君飞 王华 《储能科学与技术》 北大核心 2025年第2期570-582,共13页
硅基材料因较高的理论比容量被认为是固态电池中最有前景的负极材料之一。然而,在充放电过程中,硅基电极材料和固态电解质容易发生界面失效,破坏了界面处的离子电子传输通路、引起电池内部阻抗增加以及电流密度分布不均匀,最终造成电池... 硅基材料因较高的理论比容量被认为是固态电池中最有前景的负极材料之一。然而,在充放电过程中,硅基电极材料和固态电解质容易发生界面失效,破坏了界面处的离子电子传输通路、引起电池内部阻抗增加以及电流密度分布不均匀,最终造成电池容量和循环寿命的衰减,这是设计高比能和长循环硅基固态电池时面临的挑战之一。本文首先从硅基材料的晶体结构、临界直径和电化学烧结方面阐述了界面失效的原因,并介绍了嵌锂数量对纯硅材料电子电导率、离子扩散系数、杨氏模量性能的影响。随后总结了应对固态电池中电极和电解质界面失效问题的多种方案,包括黏结剂、缓冲层的应用、电极材料结构设计以及电极材料和电解质的粒径匹配。此外,文章还强调了循环过程中施加相等且恒定的堆叠压力对电池性能的潜在影响。本文旨在阐明固态电池中硅基材料与电解质界面失效导致的电池容量衰减以及循环寿命下降的科学挑战,并从硅基材料设计、电极材料制备、电极材料和电解质匹配等方面提出了解决这些挑战的策略,为该领域的进一步发展指明了方向。 展开更多
关键词 硅基固态电池 界面失效 应力错配 堆叠压力
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非匹配焊接接头中裂纹尖端三维拘束状态分析 被引量:9
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作者 杨新岐 秦红珊 +1 位作者 霍立兴 张玉凤 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期336-340,共5页
应用三维弹塑性有限元方法详细分析了焊接接头中裂纹尖端三维拘束状态的分布特征。结果表明 :在试样中面附近围绕Ⅰ型裂纹前缘 ,应力状态均具有明显的平面应变特征 ,而应力三轴度 (Rσ)仅在韧带附近为最大。匹配参数M、尺寸因素 (h a、B... 应用三维弹塑性有限元方法详细分析了焊接接头中裂纹尖端三维拘束状态的分布特征。结果表明 :在试样中面附近围绕Ⅰ型裂纹前缘 ,应力状态均具有明显的平面应变特征 ,而应力三轴度 (Rσ)仅在韧带附近为最大。匹配参数M、尺寸因素 (h a、B、a w)及加载方式 (CCP、TPB、SEC)均会对试样内部的应力三轴度产生显著影响 ,其中匹配程度是导致高、低匹配裂纹端三轴应力拘束变化不同的主要因素。平面应变状态不能保证裂纹尖端具有较高的三向拉应力拘束强度 ,平面应变参量 β仅表示三维应力状态趋于平面应变的程度大小 ,而应力三轴度参量Rσ 确实描述了三向拉应力状态的严重程度。对于给定试样形式 ,裂纹张开位移CTOD相等不能保证三维裂纹端存在相似的三轴应力状态 。 展开更多
关键词 三维裂纹 拘束状态 平面应变参量 应力三轴度 非匹配焊接接头
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La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3外延膜厚度引起的电阻率变化 被引量:3
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作者 孟影 金绍维 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第3期58-61,共4页
不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫... 不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫的薄膜(较厚的薄膜)有较大的电阻率,这与该膜中缺陷浓度增加有关.此外,也对生长在不同单晶衬底上的LSMO外延膜(厚度相同)的结构和电阻进行了对比研究. 展开更多
关键词 外延膜 晶格失配 应变驰豫 缺陷密度
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厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长 被引量:1
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作者 王晓峰 王雷 +3 位作者 赵万顺 孙国胜 黄风义 曾一平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1652-1657,共6页
利用 L PCVD方法 ,在厚表层 Si(SOL≈ 0 .5 μm)柔性绝缘衬底 (SOI) (0 0 1)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的 Si C/ SOI,表明 SOI是一种很有潜力的柔性衬底 .Ram an光谱结果表明 Si C/ SOI外延层比 Si C/Si外延层有更... 利用 L PCVD方法 ,在厚表层 Si(SOL≈ 0 .5 μm)柔性绝缘衬底 (SOI) (0 0 1)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的 Si C/ SOI,表明 SOI是一种很有潜力的柔性衬底 .Ram an光谱结果表明 Si C/ SOI外延层比 Si C/Si外延层有更大的残存应力 ,对此从理论上进行了解释 .利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、扫描电镜 (SEM)和喇曼散射光谱 (RAM)技术研究了外延材料的晶体结构。 展开更多
关键词 SOI SIC 大失配 残存应变 空洞
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基于应变测量平板燃料电池残余应力 被引量:1
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作者 王绍明 王峰会 +1 位作者 徐策 陈平伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1979-1982,共4页
半电池结构NiO-YSZ/YSZ在烧结过程中,由于弹性模量的差异和热膨胀系数不匹配,导致残余应力的产生,发生弯曲变形。残余应力的产生对燃料电池的性能以及服役能力产生一定影响,本文利用形变恢复的方式,通过产生的应变测量平板燃料电池的残... 半电池结构NiO-YSZ/YSZ在烧结过程中,由于弹性模量的差异和热膨胀系数不匹配,导致残余应力的产生,发生弯曲变形。残余应力的产生对燃料电池的性能以及服役能力产生一定影响,本文利用形变恢复的方式,通过产生的应变测量平板燃料电池的残余应力,由于应变片的高精度,从而可保证测算平板燃料电池残余应力的准确性。实验结果表明,该平板燃料电池的残余应力主要存在于材料YSZ层,界面处的残余应力为拉应力;实验结果与热失配原理数值计算分析基本一致,从而证明了该方法的适用性。 展开更多
关键词 燃料电池 残余应力 应变测试方法 热失配原理
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碲镉汞红外焦平面响应图“交叉线”特征起源探讨 被引量:2
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作者 孔金丞 覃钢 +2 位作者 秦强 李立华 毛京湘 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第2期101-106,共6页
对碲镉汞红外焦平面热响应图"交叉线"特征起源进行了研究。基于碲镉汞的闪锌矿结构晶体滑移系统理论,讨论了不同滑移面与碲镉汞薄膜生长所用(111)B面和(211)B面交线的方向,从晶格失配和应力释放的角度探讨了碲镉汞薄膜表面交... 对碲镉汞红外焦平面热响应图"交叉线"特征起源进行了研究。基于碲镉汞的闪锌矿结构晶体滑移系统理论,讨论了不同滑移面与碲镉汞薄膜生长所用(111)B面和(211)B面交线的方向,从晶格失配和应力释放的角度探讨了碲镉汞薄膜表面交叉线形貌与X射线衍射交叉线貌相的起源与几何结构,分析了碲镉汞薄膜交叉线与材料晶体质量之间的关系,探讨了碲镉汞红外焦平面热响应图交叉线特征的起源及其与器件性能的关系。 展开更多
关键词 碲镉汞 晶格失配 滑移系统 残余应变 交叉线
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不同屈服强度匹配下焊接接头裂纹尖端微观区域的研究 被引量:3
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作者 薛河 孙剑伟 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第21期239-241,245,共4页
异种金属焊接接头已成为严重影响核电关键焊接结构环境致裂的主要问题之一。本文针对异种金属安全端焊接接头材料的力学性能不均匀性,通过建立安全端焊接接头有限元模型,得到了焊接材料屈服强度失配对裂纹裂尖微观区域应力应变的影响规律。
关键词 异种金属焊接接头 屈服强度失配 应力应变 有限元
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应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
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作者 陈涌海 杨少延 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1740-1743,共4页
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层... 用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用. 展开更多
关键词 应变异质外延结构 晶格失配 可协变衬底 失配位错
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基于细芯保偏-细芯光敏光纤结构的Sagnac干涉仪的温度和应变传感实验研究 被引量:2
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作者 吴许强 方莎莎 +4 位作者 王鹤林 张刚 时金辉 左铖 俞本立 《大学物理实验》 2020年第6期1-6,共6页
提出并实验验证一种基于纤芯失配的光纤赛格纳克(Fiber Sagnac Interferometer,FSI)温度和应变传感器。该传感器由细芯熊猫型保偏光纤(Thin-Core Panda Polarization Maintaining Fiber,TPMF)与细芯光敏光纤(Thin-Core Photosensitizer ... 提出并实验验证一种基于纤芯失配的光纤赛格纳克(Fiber Sagnac Interferometer,FSI)温度和应变传感器。该传感器由细芯熊猫型保偏光纤(Thin-Core Panda Polarization Maintaining Fiber,TPMF)与细芯光敏光纤(Thin-Core Photosensitizer Fiber,TPSF)熔接并引入Sagnac环中制成。实验研究了不同TPSF长度对温度和应变灵敏度的影响。结果表明,当TPSF长度分别为12 cm和16 cm时,获得的最高和最低温度灵敏度为-1.93 nm/℃和-1.46 nm/℃,但TPSF长度对传感器的应变灵敏度影响不大,相关指标都优于相关文献报道的非填充或无涂层光纤温度和应变传感器。该传感器具有灵敏度高、制作简单、稳定性好等优点。在物理、生物和化学传感方面具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 细芯熊猫型保偏光纤 细芯光敏光纤 纤芯失配 温度和应变传感器
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残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响
14
作者 刘如彬 孙强 +2 位作者 王帅 李慧 张启明 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期947-949,共3页
由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0eV InGaAs子电池和0.7eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系。从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的... 由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0eV InGaAs子电池和0.7eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系。从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响。 展开更多
关键词 晶格失配 太阳电池 残留应变 电池设计
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应变振幅对过共晶Al-Si-xLa合金室温阻尼行为的影响
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作者 易宏坤 刘兆婷 +1 位作者 李飞虎 张荻 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期360-366,共7页
研究了过共晶Al Si xLa合金在室温下不同频率的阻尼—应变振幅行为。Al Si合金通过常规的铸造和喷射成形工艺制备,并采用动态热机械分析仪(DMTA)对其阻尼行为进行研究。结果表明:大多数铸态以及喷射成形态过共晶Al Si xLa合金显示了类... 研究了过共晶Al Si xLa合金在室温下不同频率的阻尼—应变振幅行为。Al Si合金通过常规的铸造和喷射成形工艺制备,并采用动态热机械分析仪(DMTA)对其阻尼行为进行研究。结果表明:大多数铸态以及喷射成形态过共晶Al Si xLa合金显示了类似的室温应变振幅—阻尼行为,即随振幅的增加,阻尼先不增大,然后明显升高出现阻尼峰,最后回落,此行为可以用G L位错阻尼理论加以解释;铸态下添加La对Al 17Si合金的阻尼行为影响不大,过量La(6%)添加明显降低阻尼性能,而La的添加明显提高喷射成形态Al Si合金阻尼性能;Si含量高的铸态Al 25Si合金的阻尼比铸态Al 17Si合金的阻尼峰低,所需振幅大,而喷射成形态Al Si合金的阻尼明显比相应铸态Al Si合金的阻尼高。 展开更多
关键词 过共晶合金 阻尼 振幅 喷射成形 位错 热错配 铝硅合金
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MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究
16
作者 王玉田 李成基 任庆余 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期637-640,共4页
本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)~2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当x<x_c时,外延层生长方向应变(?)_1⊥与x成... 本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)~2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当x<x_c时,外延层生长方向应变(?)_1⊥与x成线性关系;当x>x_c时,外延层出现范性形变. 展开更多
关键词 晶格失配 双晶衍射 弹性变形
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导电高分子在神经界面电极中的应用 被引量:2
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作者 樊文倩 钟正祥 +3 位作者 田宫伟 王宇 巩桂芬 齐殿鹏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期1146-1155,共10页
神经界面电极作为人体和外部器件间信息融合的媒介,为人们进一步探究神经系统高级功能的机制提供了有效工具.传统的神经电极多以金属和半导体材料为主,这两类材料因具有惰性材料的特性及优越的导电性能而成为早期神经电极的主要制备材料... 神经界面电极作为人体和外部器件间信息融合的媒介,为人们进一步探究神经系统高级功能的机制提供了有效工具.传统的神经电极多以金属和半导体材料为主,这两类材料因具有惰性材料的特性及优越的导电性能而成为早期神经电极的主要制备材料,但由于其刚性过大和光滑表面导致的机械失配及与生物组织间过高的电化学阻抗限制了神经电极的进一步发展.导电高分子作为一种有机导电材料,同时具备柔软性(杨氏模量约在0.01~10 GPa)和导电性(高掺杂度的导电高分子的电导率在金属范围,100~105 S/cm)的特征,是制备神经电极的有效材料.近年来,人们利用导电高分子材料对传统电极材料进行改性甚至替代,以提高电极比表面积、减小界面阻抗,并提高电极检测的灵敏性;同时减小电极与组织间的应变失配,减少炎症反应,并进一步在导电高分子中引入功能性生物大分子,减少生物组织对电极的排异反应,增加电极在体内长期植入的稳定性.本文讨论和总结了导电高分子材料在神经电极中的应用,分别对导电高分子作为涂层修饰神经电极、全导电高分子材料神经电极及导电高分子复合材料神经电极等展开讨论,分析了导电高分子在神经界面电极中的应用前景及存在的问题,以期对神经界面电极在脑科学和生物电子医疗等前沿领域的进一步发展提供参考. 展开更多
关键词 导电高分子 神经界面电极 生物兼容性 应变失配 组织整合
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复合柔性电子变形失配数字图像相关研究 被引量:4
18
作者 陈少轩 陈诚 张宏儒 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期48-53,共6页
为了定量表征复合柔性电子相邻层变形失配程度,设计了一种基于数字图像相关(digital image correlation,DIC)的实验系统和变形失配评价方法。首先制备复合柔性电子样品,通过平移实验对实验系统进行验证,其次在不同温度下对样品进行单轴... 为了定量表征复合柔性电子相邻层变形失配程度,设计了一种基于数字图像相关(digital image correlation,DIC)的实验系统和变形失配评价方法。首先制备复合柔性电子样品,通过平移实验对实验系统进行验证,其次在不同温度下对样品进行单轴拉伸,计算Von Mises应变,最后通过定义图案化应变波动指数P来对变形失配程度进行表征。实验结果表明,实验系统平移误差在1%之内,满足变形测量要求。50℃下样品被拉伸2 mm,Von Mises应变最大值与最小值相差约65%,样品呈现出应变大小不均匀但应变分布均匀的变形失配。同一拉伸条件下,变形失配程度在25℃~75℃变化较小,100℃下变化明显,增加了近60%,该方法有效的表征了柔性电子变形失配程度。 展开更多
关键词 数字图像相关 复合柔性电子 Von Mises应变 变形失配
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图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析 被引量:1
19
作者 高玮 亓东锋 +5 位作者 韩响 陈松岩 李成 赖虹凯 黄巍 李俊 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期699-703,共5页
利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区... 利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放. 展开更多
关键词 图形化衬底 Ge SI 有限元法 热失配 应变
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Sn60Pb40焊层在热循环过程中蠕变行为的仿真研究
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作者 杨静 王志海 《电子机械工程》 2015年第1期42-45,共4页
文中采用ANAND焊点本构关系模型描述了Sn60Pb40焊层蠕变行为,通过MARC有限元软件模拟了电子封装器件Sn60Pb40焊层在热循环中的蠕变过程,研究了Sn60Pb40焊层的蠕变应变最大值出现的位置,分析了封装结构热失配和焊层厚度对Sn60Pb40焊层蠕... 文中采用ANAND焊点本构关系模型描述了Sn60Pb40焊层蠕变行为,通过MARC有限元软件模拟了电子封装器件Sn60Pb40焊层在热循环中的蠕变过程,研究了Sn60Pb40焊层的蠕变应变最大值出现的位置,分析了封装结构热失配和焊层厚度对Sn60Pb40焊层蠕变应变的影响。结果表明:焊层边角处最早发生蠕变断裂,降低封装结构热失配程度和优化焊层厚度均可减小Sn60Pb40焊层的蠕变变形。该研究结果不仅为封装结构的热匹配优化设计提供了新的思路,也为预测焊层蠕变断裂位置和优化工艺提供了技术支持。 展开更多
关键词 Sn60Pb40焊层 蠕变应变 热循环 热失配
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