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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性
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作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC mos电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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高压MOS器件SPICE建模研究
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作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压mos SPICE模型 参数提取
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一种单边高压MOS器件子电路模型搭建
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作者 李艳艳 任庆宝 《中国集成电路》 2025年第10期30-34,共5页
与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压... 与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压的影响,在标准模型BSIM3V3的基础上对漏端电阻的描述进行了改进。结果表明,改进后的模型对测量数据的拟合度较高,大大提高了BSIM3V3 Ⅰ-Ⅴ模型模拟高压MOS器件的精确度。因此,本文对高压集成电路的设计仿真具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 BSIM3V3模型 高压mos器件 子电路模型
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基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究
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作者 韩涛 廖乃镘 +1 位作者 孙艳敏 丁劲松 《今日制造与升级》 2025年第1期48-50,共3页
文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进... 文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。 展开更多
关键词 mos2材料 mosFET器件 测试表征 退火效应 电学性能
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析 被引量:1
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作者 甘时伟 《中国宽带》 2025年第6期169-171,共3页
为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、... 为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、故障诊断与状态监测机制等多方面的改进,实现了高效率和高可靠性的功放模块。实验结果验证了该方案的有效性,显著提升了功放模块的效率和稳定性,降低了维护成本。 展开更多
关键词 mos 全固态中波发射机 功放模块 IRFP350
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深层放电脉冲特征模拟及对MOS器件损伤试验
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作者 陈益峰 冯娜 +2 位作者 王金晓 高志良 邵焜 《真空与低温》 2025年第5期619-625,共7页
深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件... 深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件损伤效应的测试装置,并对MOS器件开展了试验测试,分析了其损伤机制。研究结果表明,经RLC电路优化后的脉冲波形、电流幅值、持续时间等参数均符合深层放电特征,实现了深层放电脉冲的有效模拟。当脉冲电流幅值增加至9 A时,放电脉冲导致MOS器件的SiO2绝缘层击穿,使MOS器件发生不可恢复的“硬损伤”现象;同时研究发现,放电电流低于损伤阈值时放电脉冲同样会造成绝缘层损伤,且该损伤可通过多次累积最终导致绝缘层彻底击穿。 展开更多
关键词 空间辐射环境 深层带电效应 脉冲特征 mos器件 损伤机制 累积效应
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某机型电子水泵防反MOS烧蚀问题分析
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作者 夏朝辉 殷怀彪 +3 位作者 席洪亮 唐宗春 尹建东 王瑞平 《小型内燃机与车辆技术》 2025年第1期72-75,共4页
介绍了防反MOS的结构及作用。从实例出发,对一种电子水泵防反MOS烧蚀问题进行了原因分析,制定整改措施并验证效果。
关键词 mos VGS电压 烧蚀
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Multi-interface engineering of FeS_(2)/C/MoS_(2)with core–shell structure for superior microwave absorption performance
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作者 Pan-Pan Zhou Cheng-Yao Hu +6 位作者 Shi-Lin Yuan Jian-Cheng Zhao Ya-Wei Kuang Han Gu Yu-Shen Liu Li-Xi Wang Qi-Tu Zhang 《Rare Metals》 2025年第6期4095-4106,共12页
Heterojunction and morphology control assume a significant part in adjusting the intrinsic electromagnetic properties of absorbers to acquire outstanding microwave absorption(MA)performance,but this still faces huge c... Heterojunction and morphology control assume a significant part in adjusting the intrinsic electromagnetic properties of absorbers to acquire outstanding microwave absorption(MA)performance,but this still faces huge challenges.Herein,FeS_(2)/C/MoS_(2)composite with core–shell structure was successfully designed and prepared via a multi-interface engineering.MoS_(2)nanosheets with 1T and 2H phases are coated on the outside of FeS_(2)/C to form a porous interconnected structure that can optimize the impedance matching characteristics and strengthen the interfacial polarization loss capacity.Remarkably,as-fabricated FCM-3 harvests a broad effective absorption bandwidth(EAB)of 5.12 GHz and a minimum reflection loss(RL_(min))value of-45.1 d B.Meanwhile,FCM-3 can accomplish a greatest radar cross section(RCS)reduction value of 18.52 d B m^(2)when the detection angle is 0°.Thus,the convenient computer simulation technology(CST)simulations and encouraging accomplishments provide a novel avenue for the further development of efficient and lightweight MA materials. 展开更多
关键词 mos2 MULTI-INTERFACE Polarization loss Microwave absorption RCS simulation
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理想汽车SiC MOS新技术,失效率降低一个数量级
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《变频器世界》 2025年第6期39-42,共4页
众所周知,新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高,为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常,通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试,以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。但是如何高效、低成本而准备地筛选异常Si... 众所周知,新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高,为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常,通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试,以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。但是如何高效、低成本而准备地筛选异常SiC芯片一直是产业界的难题。 展开更多
关键词 失效率 SiC mos 新能源汽车
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Teaching Reform and Practice of Statistics Courses in Big Data Management and Applications Major in the Context of New Quality Productivity
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作者 Tinghui Huang Junchao Dong Liang Min 《Journal of Contemporary Educational Research》 2025年第2期23-31,共9页
In the new era,the impact of emerging productive forces has permeated every sector of industry.As the core production factor of these forces,data plays a pivotal role in industrial transformation and social developmen... In the new era,the impact of emerging productive forces has permeated every sector of industry.As the core production factor of these forces,data plays a pivotal role in industrial transformation and social development.Consequently,many domestic universities have introduced majors or courses related to big data.Among these,the Big Data Management and Applications major stands out for its interdisciplinary approach and emphasis on practical skills.However,as an emerging field,it has not yet accumulated a robust foundation in teaching theory and practice.Current instructional practices face issues such as unclear training objectives,inconsistent teaching methods and course content,insufficient integration of practical components,and a shortage of qualified faculty-factors that hinder both the development of the major and the overall quality of education.Taking the statistics course within the Big Data Management and Applications major as an example,this paper examines the challenges faced by statistics education in the context of emerging productive forces and proposes corresponding improvement measures.By introducing innovative teaching concepts and strategies,the teaching system for professional courses is optimized,and authentic classroom scenarios are recreated through illustrative examples.Questionnaire surveys and statistical analyses of data collected before and after the teaching reforms indicate that the curriculum changes effectively enhance instructional outcomes,promote the development of the major,and improve the quality of talent cultivation. 展开更多
关键词 New quality productivity Big data Compound talents statistics course Teaching examples
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SiC MOS电容氧化层界面缺陷钝化效果分析方法
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作者 胡灿博 刘俊哲 +3 位作者 刘起蕊 尹志鹏 崔鹏飞 王德君 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期581-588,共8页
SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研... SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研究结果表明,这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关,氧原子或离子因具有较强的穿透性,可有效消除这些缺陷。为优化样品性能,提出了电子回旋共振(ECR)臭氧等离子体二次氧化工艺。电学测试结果表明,优化后样品的界面态密度降低了约一个数量级,平带电压漂移量在300 K和150 K下分别减小约89.31%和71.10%。这种基于理化分析识别缺陷,并确定缺陷能级位置及计算相应时间常数的方法,为分析栅氧界面缺陷提供了一种精确的测量手段。 展开更多
关键词 SiC mos电容 栅氧界面缺陷 X射线光电子能谱(XPS) 二次离子质谱(SIMS) 缺陷能级 时间常数
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一种低功耗全MOS电压基准源
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作者 余璐洋 刘大伟 +2 位作者 王志双 庄巍 范建林 《电路与系统》 2025年第1期1-8,共8页
本文提出了一种低功耗全MOS电压基准源设计,利用MOS管在亚阈值区的温度特性,降低了功耗并满足低电压、宽温度范围的需求。传统的带隙基准源由于采用双极管和电阻,无法满足低功耗应用的要求,因此,本文设计了一种全MOS管的基准电压源,通... 本文提出了一种低功耗全MOS电压基准源设计,利用MOS管在亚阈值区的温度特性,降低了功耗并满足低电压、宽温度范围的需求。传统的带隙基准源由于采用双极管和电阻,无法满足低功耗应用的要求,因此,本文设计了一种全MOS管的基准电压源,通过优化电路结构和工作原理,实现了低静态功耗、较宽的工作温度范围和较低的温度系数。仿真结果显示,在−55℃到150℃的温度范围内,输出电压变化仅为2.03 mV,温度系数为16.5 × 10⁻⁶/℃,静态电流为5.7 μA,功耗为6.84 μW,PSRR为−59.16 dB。该设计在低功耗、低电压应用中具有显著优势,适用于物联网、可穿戴设备等对功耗要求较高的场合。This paper proposes a low-power all-MOS voltage reference design that utilizes the temperature characteristics of MOS transistors operating in the subthreshold region to achieve low power consumption while meeting the requirements of low voltage and wide temperature range. Traditional bandgap reference circuits, which rely on bipolar junction transistors and resistors, fail to satisfy the demands of low-power applications. Therefore, this design adopts an all-MOS voltage reference structure. By optimizing the circuit architecture and operational principles, the design achieves low static power consumption, a wide operating temperature range, and a low temperature coefficient. Simulation results show that within the temperature range of −55˚C to 150˚C, the output voltage variation is only 2.03 mV, with a temperature coefficient of 16.5×10⁻⁶/˚C. The static current is 5.7 μA, power consumption is 6.84 μW, and the power supply rejection ratio (PSRR) is −59.16 dB. This design demonstrates significant advantages in low-power, low-voltage applications, making it suitable for use in IoT devices, wearable electronics, and other scenarios with stringent power consumption requirements. 展开更多
关键词 低功耗 mos电压基准源 亚阈值区 低温度系数
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Exploration on the Ideological and Political Construction Path of the“Probability Theory and Mathematical Statistics”Course
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作者 Qianlong Dang Xiaofeng Yang Wenliang Wu 《Journal of Contemporary Educational Research》 2025年第10期85-91,共7页
This paper focuses on the ideological and political construction of the course“Probability Theory and Mathematical Statistics.”Aiming at the current situation in teaching where emphasis is placed on knowledge impart... This paper focuses on the ideological and political construction of the course“Probability Theory and Mathematical Statistics.”Aiming at the current situation in teaching where emphasis is placed on knowledge imparting while value guidance is neglected,and combined with the requirements of ideological and political education policies in the new era,this paper explores the integration path between professional courses and ideological and political education.Through literature analysis,case comparison,and empirical research,the study proposes a systematic implementation plan covering the design of teaching objectives,the reconstruction of teaching content,and the optimization of the evaluation system.The purpose is to cultivate students’sense of social responsibility and innovative awareness by excavating the ideological and political elements in mathematics.The research results provide practical reference for colleges and universities to deepen the reform of ideological and political education in courses,and promote the implementation of the fundamental task of fostering virtue through education in STEM education. 展开更多
关键词 Probability theory Mathematical statistics Ideological and political education in courses Fostering virtue through education Construction path
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失效分析技术在POWER MOS功率器件缺陷点定位中的应用
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作者 张涛 《消费电子》 2025年第15期248-250,共3页
在POWER MOS功率器件的失效分析过程中,由于其特殊的垂直晶体管构造,导致正面与背面均生长了微米级的金属层,这对于失效分析过程中的电性故障分析(Electrical Fault Analysis,EFA)电性缺陷点定位造成极大困难。传统的液晶定位技术、正... 在POWER MOS功率器件的失效分析过程中,由于其特殊的垂直晶体管构造,导致正面与背面均生长了微米级的金属层,这对于失效分析过程中的电性故障分析(Electrical Fault Analysis,EFA)电性缺陷点定位造成极大困难。传统的液晶定位技术、正面发光显微镜(Photon Emission Microscope,PEM)探测技术、背面去除金属层后的微光显微镜(Emission Microscope,EMMI)探测等技术手段均无法有效进行精准缺陷点定位,导致后续也无法进行有效的物理特性分析(Physical Feature Analysis,PFA)验证。文章介绍了一种新的适合于POWER MOS功率器件的新型缺陷点定位技术,主要使用化学剥层技术,结合探针使用点软针加电方式,使用EMMI/光诱导电阻变化(Optical Beam Induced Resistance Change,OBRICH)精确EFA定位工具,精准找到EFA电性缺陷点位置。之后再使用PFA工具,精准找到物理失效点证据,查明根本原因,从而为找到POWER MOS功率器件失效原因提供依据。 展开更多
关键词 POWER mos功率器件 失效分析 EFA电性缺陷点定位 PFA物性验证 EMMI/OBRICH 化学剥层技术
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Low leakage current β-Ga_(2)O_(3) MOS capacitors with ALD deposited Al_(2)O_(3) gate dielectric using ozone as precursor
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作者 Zheng-Yi Liao Pai-Wen Fang +2 位作者 Xing Lu Gang Wang Yan-Li Pei 《Chinese Physics B》 2025年第6期518-523,共6页
Metal–insulator–semiconductor(MOS) capacitor is a key structure for high performance MOS field transistors(MOSFETs), requiring low leakage current, high breakdown voltage, and low interface states. In this paper, β... Metal–insulator–semiconductor(MOS) capacitor is a key structure for high performance MOS field transistors(MOSFETs), requiring low leakage current, high breakdown voltage, and low interface states. In this paper, β-Ga_(2)O_(3) MOS capacitors were fabricated with ALD deposited Al_(2)O_(3) using H_(2)O or ozone(O_(3)) as precursors. Compared with the Al_(2)O_(3) gate dielectric with H_(2)O as ALD precursor, the leakage current for the O_(3) precursor case is decreased by two orders of magnitude, while it keeps the same level at the fixed charges, interface state density, and border traps. The SIMS tests show that Al_(2)O_(3) with O_(3) as precursor contains more carbon impurities. The current transport mechanism analysis suggests that the C–H complex in Al_(2)O_(3) with O_(3) precursor serves as deep energy trap to reduce the leakage current. These results indicate that the Al_(2)O_(3)/β-Ga_(2)O_(3)MOS capacitor using the O_(3) precursor has a low leakage current and holds potential for application in β-Ga_(2)O_(3) MOSFETs. 展开更多
关键词 mos capacitor β-Ga_(2)O_(3) ozone precursor ALD Al_(2)O_(3)
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A hybrid coupled model for the tropical Pacific constructed by integrating ROMS with a statistical atmospheric model
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作者 Rong-Hua ZHANG Wenzhe ZHANG +4 位作者 Yang YU Yinnan LI Feng TIAN Chuan GAO Hongna WANG 《Journal of Oceanology and Limnology》 2025年第4期1037-1055,共19页
Numerical models are crucial for quantifying the ocean-atmosphere interactions associated with the El Niño-Southern Oscillation(ENSO)phenomenon in the tropical Pacific.Current coupled models often exhibit signifi... Numerical models are crucial for quantifying the ocean-atmosphere interactions associated with the El Niño-Southern Oscillation(ENSO)phenomenon in the tropical Pacific.Current coupled models often exhibit significant biases and inter-model differences in simulating ENSO,underscoring the need for alternative modeling approaches.The Regional Ocean Modeling System(ROMS)is a sophisticated ocean model widely used for regional studies and has been coupled with various atmospheric models.However,its application in simulating ENSO processes on a basin scale in the tropical Pacific has not been explored.For the first time,this study presents the development of a basin-scale hybrid coupled model(HCM)for the tropical Pacific,integrating ROMS with a statistical atmospheric model that captures the interannual relationships between sea surface temperature(SST)and wind stress anomalies.The HCM is evaluated for its capability to simulate the annual mean,seasonal,and interannual variations of the oceanic state in the tropical Pacific.Results demonstrate that the model effectively reproduces the ENSO cycle,with a dominant oscillation period of approximately two years.The ROMS-based HCM developed here offers an efficient and robust tool for investigating climate variability in the tropical Pacific. 展开更多
关键词 Regional Ocean Modeling System(ROMS) statistical atmospheric model hybrid coupled model El Niño-Southern Oscillation(ENSO) model evaluation tropical Pacific
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基于MOS认证体系的统计数据处理与课证融通教学模式研究
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作者 薛亚宏 《延安职业技术学院学报》 2024年第1期45-49,共5页
MOS在全球具有广泛影响力,是评价企业数据处理与分析人员技术水平的重要依据,高等职业教育财经商贸大类所属专业类、专业对MOS有较高的依赖性,受限于教育行业兼任企业技术人员数量,目前尚未见到将MOS体系与相关专业课程有效融合的成熟... MOS在全球具有广泛影响力,是评价企业数据处理与分析人员技术水平的重要依据,高等职业教育财经商贸大类所属专业类、专业对MOS有较高的依赖性,受限于教育行业兼任企业技术人员数量,目前尚未见到将MOS体系与相关专业课程有效融合的成熟案例。本文以MOS专家级认证为基本参照,探索统计实践教学与“Microsoft Excel Expert”的融合机制,系统研究基于MOS的课证融通教学模式。 展开更多
关键词 mos 统计学 函数 课证融通
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MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
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作者 吕品 白永臣 邱巍 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期24-32,共9页
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面... 随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路. 展开更多
关键词 Hf基高k材料 栅介质 mos器件 介电常数
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黑龙江省准对称混合训练期MOS气温预报性能分析
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作者 赵玲 白雪梅 +3 位作者 孟莹莹 邢程 刘松涛 付雯 《黑龙江气象》 2024年第2期1-5,共5页
本文选取ECMWF细网格地面2 m气温要素预报产品作为预报因子,选取中国气象局陆面数据同化系统(CLDAS-V2.0)地面2 m气温格点实况数据作为预报量,应用准对称混合训练期MOS方法,建立黑龙江省格点气温MOS方法,并对MOS方法在24 h预报时效内间... 本文选取ECMWF细网格地面2 m气温要素预报产品作为预报因子,选取中国气象局陆面数据同化系统(CLDAS-V2.0)地面2 m气温格点实况数据作为预报量,应用准对称混合训练期MOS方法,建立黑龙江省格点气温MOS方法,并对MOS方法在24 h预报时效内间隔3 h的格点气温预报性能进行检验分析。结果表明:MOS平均绝对误差≤1.5℃;MOS夏半年≤2℃预报准确率为84.1%,比ECMWF提高7.6%;冬半年预报准确率为71.5%,比ECMWF提高18.3%;预报技巧夏半年为14.2%,冬半年为29.8%。MOS夏半年预报效果好于冬半年,冬半年预报改善效果好于夏半年。大、小兴安岭和东南部山区MOS预报效果不如平原地区好,但是MOS改善效果明显好于平原地区。 展开更多
关键词 准对称混合训练期mos方法 气温 ECMWF CLDAS 预报性能
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电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响 被引量:1
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作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SiC mos 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱
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