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基于UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS的女贞子酒蒸前后血清药物化学对比分析
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作者 刘昊霖 郑历史 +3 位作者 孙淑仃 赵迪 李焕茹 冯素香 《中华中医药学刊》 北大核心 2026年第1期175-186,I0027,共13页
目的基于超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱-线性离子阱质谱法(ultra performance liquid chromatography-orbitrap fusion lumos tribrid-mass spectrometry,UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS)对大鼠灌胃女贞子、酒女贞子水提... 目的基于超高效液相色谱-四极杆-静电场轨道阱-线性离子阱质谱法(ultra performance liquid chromatography-orbitrap fusion lumos tribrid-mass spectrometry,UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS)对大鼠灌胃女贞子、酒女贞子水提液后血清中的移行成分进行对比分析。方法雄性Sprague-Dawley(SD)大鼠随机分为空白组、女贞子组(10.8 g·kg^(-1)·d^(-1))和酒女贞子组(10.8 g·kg^(-1)·d^(-1)),每组6只,给药组分别灌胃给予女贞子、酒女贞子水提液,空白组灌胃等体积纯净水,早晚各1次,连续5 d,末次给药1 h后腹主动脉取血,制备血清样品。采用Accucore^(TM) C_(18)(100 mm×2.1 mm,2.6μm)色谱柱,流动相为乙腈(A)-0.1%甲酸水(B),梯度洗脱(0~5 min,95%B→85%B;5~10 min,85%B→73%B;10~24 min,73%B→15%B),流速0.2 mL·min^(-1),进样量5μL,正、负离子模式扫描,扫描范围m/z 120~1200。采用Compound Discoverer 3.3软件,根据质谱数据和相关文献对女贞子、酒女贞子入血原型成分和代谢产物进行分析鉴定;采用多元统计分析方法对比女贞子、酒女贞子含药血清间的差异性成分。结果在给予女贞子水提液大鼠血清中共鉴定得到64个入血成分,包括40个原型成分和24个代谢产物;在给予酒女贞子水提液大鼠血清中共鉴定得到57个入血成分,包括35个原型成分和22个代谢产物。原型成分主要包括苯乙醇苷类、环烯醚萜类、三萜类、黄酮类等,代谢途径主要包括羟基化、甲基化、葡萄糖醛酸化等。根据变量重要性投影(variable importance in projection,VIP)值>1,t检验(Student's t test)结果P<0.05筛选出特女贞苷、女贞苷酸等12个差异性入血成分,其中7个原型成分、5个代谢产物。结论女贞子酒蒸后血清移行成分发生明显改变,可为阐明女贞子、酒女贞子药效物质基础提供理论依据。 展开更多
关键词 女贞子 炮制 血清药物化学 UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS 多元统计分析
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氧化温度与NO退火组分协同优化提升SiC MOSFET界面特性与器件性能
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作者 刘玮 陈刚 +4 位作者 夏云 桂雅雯 陈昱 田佳民 杜融鑫 《微纳电子技术》 2026年第1期104-109,共6页
针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度... 针对碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题,系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。通过设计三组对比实验(氧化温度1200~1350℃;退火温度1250~1300℃;NO组分10%~100%),制备金属-氧化物-半导体(MOS)电容、平面MOSFET及横向MOSFET。电学表征与物性分析发现:温度升至1300℃可抑制界面碳团簇,阈值电压负漂移率改善44%,但1350℃工艺因氧空位增多导致栅氧反向击穿场强下降7%;10%NO退火较100%NO显著提升场效应迁移率38%,这源于氮原子对界面悬挂键的高效钝化。在最优工艺(1300℃氧化温度结合1300℃/10%NO退火)条件下,器件综合性能最优:栅氧正向击穿场强9.65 MV/cm、迁移率14.4 cm^(2)/(V·s)、阈值电压负漂移率-9%。本研究为SiC MOSFET栅氧工艺提供了明确的参数窗口与机理解释。 展开更多
关键词 SiC金属-氧化物-半导体(mos)电容 SiC横向金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosFET) 栅氧工艺 场效应迁移率 栅氧击穿场强 阈值电压漂移
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不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性 被引量:1
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作者 付兴中 刘俊哲 +4 位作者 薛建红 尉升升 谭永亮 王德君 张力江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期32-38,共7页
SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。 展开更多
关键词 SiC mos电容 氧化后退火(POA) 平带电压漂移 氧化物陷阱电荷 可动电荷
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高压MOS器件SPICE建模研究
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作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压mos SPICE模型 参数提取
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一种单边高压MOS器件子电路模型搭建
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作者 李艳艳 任庆宝 《中国集成电路》 2025年第10期30-34,共5页
与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压... 与通用低压MOS器件相比,高压MOS器件的结构更为复杂。目前基于高压MOS器件的电路设计仿真,业界并没有标准的器件模型。本文主要研究了一种10V高压MOS器件子电路模型的建立。针对高压MOS器件的物理特征,分析了漏端电阻受栅源、栅漏电压的影响,在标准模型BSIM3V3的基础上对漏端电阻的描述进行了改进。结果表明,改进后的模型对测量数据的拟合度较高,大大提高了BSIM3V3 Ⅰ-Ⅴ模型模拟高压MOS器件的精确度。因此,本文对高压集成电路的设计仿真具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 BSIM3V3模型 高压mos器件 子电路模型
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Comparisons of Three-Dimensional Variational Data Assimilation and Model Output Statistics in Improving Atmospheric Chemistry Forecasts 被引量:1
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作者 Chaoqun MA Tijian WANG +1 位作者 Zengliang ZANG Zhijin LI 《Advances in Atmospheric Sciences》 SCIE CAS CSCD 2018年第7期813-825,共13页
Atmospheric chemistry models usually perform badly in forecasting wintertime air pollution because of their uncertainties. Generally, such uncertainties can be decreased effectively by techniques such as data assimila... Atmospheric chemistry models usually perform badly in forecasting wintertime air pollution because of their uncertainties. Generally, such uncertainties can be decreased effectively by techniques such as data assimilation(DA) and model output statistics(MOS). However, the relative importance and combined effects of the two techniques have not been clarified. Here,a one-month air quality forecast with the Weather Research and Forecasting-Chemistry(WRF-Chem) model was carried out in a virtually operational setup focusing on Hebei Province, China. Meanwhile, three-dimensional variational(3 DVar) DA and MOS based on one-dimensional Kalman filtering were implemented separately and simultaneously to investigate their performance in improving the model forecast. Comparison with observations shows that the chemistry forecast with MOS outperforms that with 3 DVar DA, which could be seen in all the species tested over the whole 72 forecast hours. Combined use of both techniques does not guarantee a better forecast than MOS only, with the improvements and degradations being small and appearing rather randomly. Results indicate that the implementation of MOS is more suitable than 3 DVar DA in improving the operational forecasting ability of WRF-Chem. 展开更多
关键词 data assimilation model output statistics WRF-Chem operational forecast
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基于多层MoS_(2)材料的MOSFET器件退火效应研究
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作者 韩涛 廖乃镘 +1 位作者 孙艳敏 丁劲松 《今日制造与升级》 2025年第1期48-50,共3页
文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进... 文章采用机械剥离法在SiO_(2)/Si衬底制备多层二硫化钼(MoS_(2))材料,通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS_(2)材料进行测试表征,并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。 展开更多
关键词 mos2材料 mosFET器件 测试表征 退火效应 电学性能
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析 被引量:1
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作者 甘时伟 《中国宽带》 2025年第6期169-171,共3页
为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、... 为研究MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用,本文详细分析了MOS管的结构特性、工作区域特性和温度特性,并探讨了其在全固态中波发射机功放模块中的具体应用。文章提出了基于IRFP350 MOS管的桥式开关放大架构设计,并通过驱动优化、故障诊断与状态监测机制等多方面的改进,实现了高效率和高可靠性的功放模块。实验结果验证了该方案的有效性,显著提升了功放模块的效率和稳定性,降低了维护成本。 展开更多
关键词 mos 全固态中波发射机 功放模块 IRFP350
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深层放电脉冲特征模拟及对MOS器件损伤试验
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作者 陈益峰 冯娜 +2 位作者 王金晓 高志良 邵焜 《真空与低温》 2025年第5期619-625,共7页
深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件... 深层带电效应已经成为威胁卫星在轨安全的主要空间环境效应因素。为准确模拟深层放电脉冲特征,实现星用器件抗深层放电的性能评价,提出了采用RLC优化电路与商用静电放电发生器相结合的方法。建立了一种能够定量研究深层放电对电子器件损伤效应的测试装置,并对MOS器件开展了试验测试,分析了其损伤机制。研究结果表明,经RLC电路优化后的脉冲波形、电流幅值、持续时间等参数均符合深层放电特征,实现了深层放电脉冲的有效模拟。当脉冲电流幅值增加至9 A时,放电脉冲导致MOS器件的SiO2绝缘层击穿,使MOS器件发生不可恢复的“硬损伤”现象;同时研究发现,放电电流低于损伤阈值时放电脉冲同样会造成绝缘层损伤,且该损伤可通过多次累积最终导致绝缘层彻底击穿。 展开更多
关键词 空间辐射环境 深层带电效应 脉冲特征 mos器件 损伤机制 累积效应
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某机型电子水泵防反MOS烧蚀问题分析
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作者 夏朝辉 殷怀彪 +3 位作者 席洪亮 唐宗春 尹建东 王瑞平 《小型内燃机与车辆技术》 2025年第1期72-75,共4页
介绍了防反MOS的结构及作用。从实例出发,对一种电子水泵防反MOS烧蚀问题进行了原因分析,制定整改措施并验证效果。
关键词 mos VGS电压 烧蚀
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基于UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS的女贞子不同炮制品血中移行成分分析
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作者 夏仪 孙淑仃 +3 位作者 郑历史 赵迪 李焕茹 冯素香 《中药材》 北大核心 2025年第3期606-615,共10页
目的:研究大鼠灌胃给药醋蒸女贞子、盐蒸女贞子、清蒸女贞子后血清中的移行成分并对其进行对比分析。方法:采用UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS技术,结合Xcalibur和Compound Discoverer软件,根据保留时间、精确分子量、二级碎片... 目的:研究大鼠灌胃给药醋蒸女贞子、盐蒸女贞子、清蒸女贞子后血清中的移行成分并对其进行对比分析。方法:采用UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS技术,结合Xcalibur和Compound Discoverer软件,根据保留时间、精确分子量、二级碎片信息及文献报道,鉴定女贞子不同炮制品的入血成分。基于主成分分析(PCA)和正交偏最小二乘判别分析(OPLS-DA)筛选女贞子不同炮制品含药血清的差异性成分。结果:共鉴定出95个入血成分,其中共有成分89个,醋蒸女贞子特有成分2个、盐蒸女贞子特有成分3个、清蒸女贞子特有成分1个。入血成分包含61个原型成分和34个代谢产物,原型成分主要包括苯乙醇类、环烯醚萜苷类、黄酮类化合物,代谢产物主要涉及羟基化、葡萄糖醛酸化、硫酸酯化反应等。PCA、OPLS-DA结果表明女贞子不同炮制品血中移行成分存在明显差异,OPLS-DA筛选出27个差异性成分。结论:该研究初步阐明了醋蒸女贞子、盐蒸女贞子、清蒸女贞子在大鼠血清中移行成分的差异,为进一步明确女贞子不同炮制品的药效物质基础提供了依据。 展开更多
关键词 女贞子 炮制 血清药物化学 UPLC-Orbitrap Fusion Lumos Tribrid-MS 多元统计分析
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Multi-interface engineering of FeS_(2)/C/MoS_(2)with core–shell structure for superior microwave absorption performance
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作者 Pan-Pan Zhou Cheng-Yao Hu +6 位作者 Shi-Lin Yuan Jian-Cheng Zhao Ya-Wei Kuang Han Gu Yu-Shen Liu Li-Xi Wang Qi-Tu Zhang 《Rare Metals》 2025年第6期4095-4106,共12页
Heterojunction and morphology control assume a significant part in adjusting the intrinsic electromagnetic properties of absorbers to acquire outstanding microwave absorption(MA)performance,but this still faces huge c... Heterojunction and morphology control assume a significant part in adjusting the intrinsic electromagnetic properties of absorbers to acquire outstanding microwave absorption(MA)performance,but this still faces huge challenges.Herein,FeS_(2)/C/MoS_(2)composite with core–shell structure was successfully designed and prepared via a multi-interface engineering.MoS_(2)nanosheets with 1T and 2H phases are coated on the outside of FeS_(2)/C to form a porous interconnected structure that can optimize the impedance matching characteristics and strengthen the interfacial polarization loss capacity.Remarkably,as-fabricated FCM-3 harvests a broad effective absorption bandwidth(EAB)of 5.12 GHz and a minimum reflection loss(RL_(min))value of-45.1 d B.Meanwhile,FCM-3 can accomplish a greatest radar cross section(RCS)reduction value of 18.52 d B m^(2)when the detection angle is 0°.Thus,the convenient computer simulation technology(CST)simulations and encouraging accomplishments provide a novel avenue for the further development of efficient and lightweight MA materials. 展开更多
关键词 mos2 MULTI-INTERFACE Polarization loss Microwave absorption RCS simulation
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理想汽车SiC MOS新技术,失效率降低一个数量级
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《变频器世界》 2025年第6期39-42,共4页
众所周知,新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高,为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常,通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试,以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。但是如何高效、低成本而准备地筛选异常Si... 众所周知,新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高,为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常,通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试,以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。但是如何高效、低成本而准备地筛选异常SiC芯片一直是产业界的难题。 展开更多
关键词 失效率 SiC mos 新能源汽车
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Teaching Reform and Practice of Statistics Courses in Big Data Management and Applications Major in the Context of New Quality Productivity
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作者 Tinghui Huang Junchao Dong Liang Min 《Journal of Contemporary Educational Research》 2025年第2期23-31,共9页
In the new era,the impact of emerging productive forces has permeated every sector of industry.As the core production factor of these forces,data plays a pivotal role in industrial transformation and social developmen... In the new era,the impact of emerging productive forces has permeated every sector of industry.As the core production factor of these forces,data plays a pivotal role in industrial transformation and social development.Consequently,many domestic universities have introduced majors or courses related to big data.Among these,the Big Data Management and Applications major stands out for its interdisciplinary approach and emphasis on practical skills.However,as an emerging field,it has not yet accumulated a robust foundation in teaching theory and practice.Current instructional practices face issues such as unclear training objectives,inconsistent teaching methods and course content,insufficient integration of practical components,and a shortage of qualified faculty-factors that hinder both the development of the major and the overall quality of education.Taking the statistics course within the Big Data Management and Applications major as an example,this paper examines the challenges faced by statistics education in the context of emerging productive forces and proposes corresponding improvement measures.By introducing innovative teaching concepts and strategies,the teaching system for professional courses is optimized,and authentic classroom scenarios are recreated through illustrative examples.Questionnaire surveys and statistical analyses of data collected before and after the teaching reforms indicate that the curriculum changes effectively enhance instructional outcomes,promote the development of the major,and improve the quality of talent cultivation. 展开更多
关键词 New quality productivity Big data Compound talents statistics course Teaching examples
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华润微电子第四代碳化硅MOS主驱模块批量上车
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《变频器世界》 2025年第11期52-52,共1页
近期,华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要进展,PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。PDBG是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其... 近期,华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要进展,PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。PDBG是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线,高压MOS产品线,IGBT产品线,特种器件产品线,模块产品线和汽车电子事业部。拥有CRMICRO、华晶两个功率器件自主品牌。 展开更多
关键词 批量上车 SiC mos主驱模块
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Research on Teaching Practice and Strategies of Probability and Statistics Thinking in Middle Schools Empowered by Modern Educational Technology
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作者 Jin He Jiangtao Yu Zhaoyuan Zhang 《Journal of Contemporary Educational Research》 2025年第11期55-61,共7页
With the implementation of General Senior High School Mathematics Curriculum Standards(2017 Edition,Revised in 2020),probability and statistics,as important carriers of the core mathematical competencies“mathematical... With the implementation of General Senior High School Mathematics Curriculum Standards(2017 Edition,Revised in 2020),probability and statistics,as important carriers of the core mathematical competencies“mathematical modeling”and“data analysis,”have increasingly highlighted their educational value.By summarizing the historical evolution of probability and statistics thinking and combining with teaching practice cases,this study explores its unique role in cultivating students’core mathematical competencies.The research proposes a project-based teaching strategy relying on real scenarios and empowered by technology.Through cases,it demonstrates how to use modern educational technology to realize the whole-process exploration of data collection,model construction,and conclusion verification,so as to promote the transformation of middle school probability and statistics teaching from knowledge imparting to competency development,and provide a practical reference for curriculum reform. 展开更多
关键词 Probability and statistics Core competencies Modern educational technology Project-based learning Teaching strategies
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SiC MOS电容氧化层界面缺陷钝化效果分析方法
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作者 胡灿博 刘俊哲 +3 位作者 刘起蕊 尹志鹏 崔鹏飞 王德君 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期581-588,共8页
SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研... SiC MOS器件的栅氧界面缺陷严重影响其性能。采用X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)技术,识别了SiC MOS电容中的SiO_(x)C_(y)和C—C缺陷及其元素分布,并结合文献数据确定了这些缺陷的能级位置,同时计算了其相应的时间常数。研究结果表明,这些缺陷的形成与氧元素缺乏密切相关,氧原子或离子因具有较强的穿透性,可有效消除这些缺陷。为优化样品性能,提出了电子回旋共振(ECR)臭氧等离子体二次氧化工艺。电学测试结果表明,优化后样品的界面态密度降低了约一个数量级,平带电压漂移量在300 K和150 K下分别减小约89.31%和71.10%。这种基于理化分析识别缺陷,并确定缺陷能级位置及计算相应时间常数的方法,为分析栅氧界面缺陷提供了一种精确的测量手段。 展开更多
关键词 SiC mos电容 栅氧界面缺陷 X射线光电子能谱(XPS) 二次离子质谱(SIMS) 缺陷能级 时间常数
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一种低功耗全MOS电压基准源
18
作者 余璐洋 刘大伟 +2 位作者 王志双 庄巍 范建林 《电路与系统》 2025年第1期1-8,共8页
本文提出了一种低功耗全MOS电压基准源设计,利用MOS管在亚阈值区的温度特性,降低了功耗并满足低电压、宽温度范围的需求。传统的带隙基准源由于采用双极管和电阻,无法满足低功耗应用的要求,因此,本文设计了一种全MOS管的基准电压源,通... 本文提出了一种低功耗全MOS电压基准源设计,利用MOS管在亚阈值区的温度特性,降低了功耗并满足低电压、宽温度范围的需求。传统的带隙基准源由于采用双极管和电阻,无法满足低功耗应用的要求,因此,本文设计了一种全MOS管的基准电压源,通过优化电路结构和工作原理,实现了低静态功耗、较宽的工作温度范围和较低的温度系数。仿真结果显示,在−55℃到150℃的温度范围内,输出电压变化仅为2.03 mV,温度系数为16.5 × 10⁻⁶/℃,静态电流为5.7 μA,功耗为6.84 μW,PSRR为−59.16 dB。该设计在低功耗、低电压应用中具有显著优势,适用于物联网、可穿戴设备等对功耗要求较高的场合。This paper proposes a low-power all-MOS voltage reference design that utilizes the temperature characteristics of MOS transistors operating in the subthreshold region to achieve low power consumption while meeting the requirements of low voltage and wide temperature range. Traditional bandgap reference circuits, which rely on bipolar junction transistors and resistors, fail to satisfy the demands of low-power applications. Therefore, this design adopts an all-MOS voltage reference structure. By optimizing the circuit architecture and operational principles, the design achieves low static power consumption, a wide operating temperature range, and a low temperature coefficient. Simulation results show that within the temperature range of −55˚C to 150˚C, the output voltage variation is only 2.03 mV, with a temperature coefficient of 16.5×10⁻⁶/˚C. The static current is 5.7 μA, power consumption is 6.84 μW, and the power supply rejection ratio (PSRR) is −59.16 dB. This design demonstrates significant advantages in low-power, low-voltage applications, making it suitable for use in IoT devices, wearable electronics, and other scenarios with stringent power consumption requirements. 展开更多
关键词 低功耗 mos电压基准源 亚阈值区 低温度系数
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Exploration on the Ideological and Political Construction Path of the“Probability Theory and Mathematical Statistics”Course
19
作者 Qianlong Dang Xiaofeng Yang Wenliang Wu 《Journal of Contemporary Educational Research》 2025年第10期85-91,共7页
This paper focuses on the ideological and political construction of the course“Probability Theory and Mathematical Statistics.”Aiming at the current situation in teaching where emphasis is placed on knowledge impart... This paper focuses on the ideological and political construction of the course“Probability Theory and Mathematical Statistics.”Aiming at the current situation in teaching where emphasis is placed on knowledge imparting while value guidance is neglected,and combined with the requirements of ideological and political education policies in the new era,this paper explores the integration path between professional courses and ideological and political education.Through literature analysis,case comparison,and empirical research,the study proposes a systematic implementation plan covering the design of teaching objectives,the reconstruction of teaching content,and the optimization of the evaluation system.The purpose is to cultivate students’sense of social responsibility and innovative awareness by excavating the ideological and political elements in mathematics.The research results provide practical reference for colleges and universities to deepen the reform of ideological and political education in courses,and promote the implementation of the fundamental task of fostering virtue through education in STEM education. 展开更多
关键词 Probability theory Mathematical statistics Ideological and political education in courses Fostering virtue through education Construction path
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失效分析技术在POWER MOS功率器件缺陷点定位中的应用
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作者 张涛 《消费电子》 2025年第15期248-250,共3页
在POWER MOS功率器件的失效分析过程中,由于其特殊的垂直晶体管构造,导致正面与背面均生长了微米级的金属层,这对于失效分析过程中的电性故障分析(Electrical Fault Analysis,EFA)电性缺陷点定位造成极大困难。传统的液晶定位技术、正... 在POWER MOS功率器件的失效分析过程中,由于其特殊的垂直晶体管构造,导致正面与背面均生长了微米级的金属层,这对于失效分析过程中的电性故障分析(Electrical Fault Analysis,EFA)电性缺陷点定位造成极大困难。传统的液晶定位技术、正面发光显微镜(Photon Emission Microscope,PEM)探测技术、背面去除金属层后的微光显微镜(Emission Microscope,EMMI)探测等技术手段均无法有效进行精准缺陷点定位,导致后续也无法进行有效的物理特性分析(Physical Feature Analysis,PFA)验证。文章介绍了一种新的适合于POWER MOS功率器件的新型缺陷点定位技术,主要使用化学剥层技术,结合探针使用点软针加电方式,使用EMMI/光诱导电阻变化(Optical Beam Induced Resistance Change,OBRICH)精确EFA定位工具,精准找到EFA电性缺陷点位置。之后再使用PFA工具,精准找到物理失效点证据,查明根本原因,从而为找到POWER MOS功率器件失效原因提供依据。 展开更多
关键词 POWER mos功率器件 失效分析 EFA电性缺陷点定位 PFA物性验证 EMMI/OBRICH 化学剥层技术
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