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Ga_2S_3∶Eu^(2+)和SrGa^(2+x)S_(4+y)∶Eu^(2+)系列荧光粉的发光性能研究 被引量:5
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作者 徐剑 张剑辉 +2 位作者 张新民 郭崇峰 苏锵 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期635-638,共4页
采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉。发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570nm附近,SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中,过量的Ga对发光的影响,通过漫反射光谱和XRD谱确... 采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉。发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570nm附近,SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中,过量的Ga对发光的影响,通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中;通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4∶Eu2+发射峰的位移,而是增强其在400~520nm处激发峰的强度,从而增强Eu2+在535nm处的发光强度。 展开更多
关键词 发光学 硫化物 荧光粉 稀土 发光性能 Ga2S3:Eu^2+ srga2+xS4+y:Eu^2+ 发光强度
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SrGa_2O_4:Eu的合成及其发光性能 被引量:2
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作者 刘晴 李友芬 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期864-868,共5页
采用固相反应法合成了掺杂Eu3+离子的SrGa2O4,用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD数据经计算机处理表明:SrGa2O4属单斜晶系,晶胞参数a=0.943nm,b=0.900nm,c=0.839nm,β=89.06°,属P21/c(No.14)空间群。测定了激发光谱和发射光... 采用固相反应法合成了掺杂Eu3+离子的SrGa2O4,用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD数据经计算机处理表明:SrGa2O4属单斜晶系,晶胞参数a=0.943nm,b=0.900nm,c=0.839nm,β=89.06°,属P21/c(No.14)空间群。测定了激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:SrGa2O4:Eu3+荧光粉的发射主峰在610nm,证明Eu3+离子占据了非反演对称中心的位置。在掺杂Eu3+离子摩尔分数大于1%时,由于晶体场的影响,位于590,610nm附近的2个发射峰均出现劈裂现象,即有2个5D0→7F1(586,597nm)和2个5D0→7F2(609,615nm)发射峰,7F2劈裂出两个分支的强度比例随Eu3+浓度的变化而变化。 展开更多
关键词 srga204 发光 能级劈裂
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采用溅射法制备SrGa_2S_4:Ce薄膜
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作者 王林军 赵伟明 +3 位作者 唐春玖 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第2期136-140,共5页
采用RF溅射技术制备了SrGa2S4:Ce薄膜,并获得了发射波长为446nm的纯蓝色发光,其CIE色坐标为x=014,y=009。研究了SrGa2S4:Ce薄膜的激发光谱和发射光谱,采用XRD测定了薄膜的晶体结... 采用RF溅射技术制备了SrGa2S4:Ce薄膜,并获得了发射波长为446nm的纯蓝色发光,其CIE色坐标为x=014,y=009。研究了SrGa2S4:Ce薄膜的激发光谱和发射光谱,采用XRD测定了薄膜的晶体结构,采用SEM观察了薄膜的表面形貌。同时着重研究了后退火气氛、温度和时间对薄膜发光特性的影响。 展开更多
关键词 薄膜 碱土金属 硫代镓酸锶 溅射法 TFEL
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兰色发光SrGa2S4:Ce薄膜
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作者 黄义贞 《电子材料快报》 1995年第11期3-4,共2页
关键词 掺杂 Ge srga2S4 半导体薄膜
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SrGa_2S_4∶Ce blue TFEL in new structure
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作者 XU Chunxiang+1, LOU Zhidong+2, XU Zheng+3 and XU Xurong+31. National Laboratory of Molecular and Biomolecular Electronics, Southeast University, Nanjing 210096, China 2. Department of Applied Physics, Tianjin University, Tianjin 300031, China 3. Institu 《Chinese Science Bulletin》 SCIE CAS 1998年第7期603-605,共3页
SrGa-2S-4∶Ce blue TFEL device with a novel structure was prepared by electron beam evaporation. The dielectric constant of insulator layer in this structure is far less than that in the conventional structure, so the... SrGa-2S-4∶Ce blue TFEL device with a novel structure was prepared by electron beam evaporation. The dielectric constant of insulator layer in this structure is far less than that in the conventional structure, so the hot-electrons can be accelerated in SiO-2 layers. The stable TFEL with good chromaticity was achieved and the basic characteristics were investigated. 展开更多
关键词 srga-2S-4∶Ce bule TFEL low dielectric CONSTANT INSULATOR layer.
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Disentangling site occupancy,cation regulation,and oxidation state regulation of the broadband near infrared emission in a chromium-doped SrGa_(4)O_(7)phosphor
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作者 Jun’an Lai Jianbei Qiu +7 位作者 Qi Wang Dacheng Zhou Zhangwen Long Yong Yang Songhan Hu Xizheng Li Jiacheng Pi Jing Wang 《Inorganic Chemistry Frontiers》 2020年第12期2313-2321,共9页
Cr^(3+)-Doped phosphors are attracting attention for broadband near-infrared(NIR)applications.However,some mechanisms are still unclear due to the entangled crystallographic site occupancy and changeable valence of ch... Cr^(3+)-Doped phosphors are attracting attention for broadband near-infrared(NIR)applications.However,some mechanisms are still unclear due to the entangled crystallographic site occupancy and changeable valence of chromium in the host lattice.In this study,a particular gallium SrGa_(4)O_(7)(SGO)was employed as a host for chromium doping.The characteristic broadband NIR emission of Cr^(3+)ions in octahedral sites centered in the range of 650 to 1200 nm with a full width at half maximum(FWHM)of 140 nm and an internal quantum efficiency of more than 46%was observed,although there were only four and seven coordination sites in the SGO lattice.The distorted octahedron in the SGO lattice was generated due to the transition from Ga-O tetrahedron to the octahedron with the doping of Cr^(3+)ions,and it was regulated by the cation regulation of Ca2+substituted for Sr2+ions in the lattice.In particular,the characteristic Cr^(4+)ion emission between 1200 and 1700 nm with an FWHM at~215 nm was observed in phosphors for the first time.This study provides new cogitation for the Cr^(3+)ion site occupation in the host lattice and a new idea to develop broadband NIR emission phosphors. 展开更多
关键词 srga O octahedral sites chromium doped oxidation state regulation phosphor crystallographic site occupancy site occupancy cation regulation
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蓝光LEDs的转换荧光粉发光效率的测量 被引量:1
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作者 Jack Silver Robert Withnall Anthony Lipman 《电子器件》 CAS 2008年第1期381-384,共4页
本文研究了YAG:Ce荧光粉的色氟红移的现象。当YAG晶格点阵中的Y被Gd激发或添加了Pr作为Ce的共同催化剂时就会发生这种现象。测量了在(Y,Gd)AG:Ce和YAG:Ce,Pr荧光粉样品内部的效率,其激发光线的波长为470nm。其结果表明这两种荧... 本文研究了YAG:Ce荧光粉的色氟红移的现象。当YAG晶格点阵中的Y被Gd激发或添加了Pr作为Ce的共同催化剂时就会发生这种现象。测量了在(Y,Gd)AG:Ce和YAG:Ce,Pr荧光粉样品内部的效率,其激发光线的波长为470nm。其结果表明这两种荧光粉的发光效率分别随着Gd和Pr聚集而降低。SrGa2S4:Eu。是另外一种常用的转换蓝光LED的颜色的荧光粉。室温下,这种荧光粉效率很高,理论上其发光效率比YAG:Ce的发光效率高出33%。对这种荧光粉效率的测量结果表明其制作过程是影响性能的主要因素。将这种荧光粉印刷在放在一个或多个蓝光LED前面的屏幕的表面,测得其发光效率高达364lm/W。 展开更多
关键词 YAG:Ce Pr荧光粉 (Y Gd)AG:Ce荧光粉 srga2S4:Eu荧光粉 发光效率 pcLED
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Influence of Ga^(3+) on Photoluminescence of Ce^(3+)
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作者 徐春祥 娄志东 +1 位作者 刘行仁 徐叙瑢 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第2期16-20,共5页
The electro optical characteristics of SrS∶Ce and SrGa 2S 4∶Ce as two kinds of hopeful blue TFEL phosphors have been intensively investigated. The color purity of SrGa 2S 4∶Ce is better than that of SrS∶Ce. ... The electro optical characteristics of SrS∶Ce and SrGa 2S 4∶Ce as two kinds of hopeful blue TFEL phosphors have been intensively investigated. The color purity of SrGa 2S 4∶Ce is better than that of SrS∶Ce. In this paper, the influence of Ga 3+ on photoluminescence (PL) characteristics of Ce 3+ is first reported. Ga 2S 3 was doped into SrS, then sintered. The emission spectra shift obviously towards short wavelength range with increase of Ga 3+ concentration. At the same time, the relative intensity of the excitation peaks corresponding to the interband absorption of SrS reduces, and the excitation efficiency corresponding to the transition from the ground state to the excited state of Ce 3+ ion increases. The ligand field around Ce 3+ is changed by doped Ga 3+ . The ionicity of the substituted become stronger and Ce 3+ -Ce 3+ interaction become weaker. These are favorite to blue emission. 展开更多
关键词 Rare earths srga 2S 4∶Ce Blue shift Excitation efficiency Ligand field Ce 3+ -Ce 3+ interaction
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蓝色显示材料及器件的研究 被引量:4
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作者 赵伟明 唐春玖 +4 位作者 王林军 刘祖刚 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期68-73,共6页
用H2和CS2还原法制备CeSrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m2(1000Hz)的CeSrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到CeSrGa2S4荧光... 用H2和CS2还原法制备CeSrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m2(1000Hz)的CeSrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到CeSrGa2S4荧光粉,用射频溅射沉积的CeSrGa2S4薄膜在600℃以上、H2S气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能,提高杂质激发峰强度,得到好的光致发光(PL)发光性能,以陶瓷片作为基片同时作为绝缘层制得的CeSrGa2S4薄膜电致发光器件有微弱的发光。 展开更多
关键词 蓝色 显示材料 CeiSrS 电致发光 光致发光 器件
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