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新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征 被引量：1
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作者 陈莹 袁泽锐 +4 位作者 方攀 谢婧 张羽 尹文龙 康彬 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1505-1508,共4页
锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过... 锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1~14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm^2。 展开更多
关键词 红外非线性光学材料 srcdgese 4单晶 坩埚下降法 单晶生长 性质表征
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