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ZnO/Spiro-MeOTAD异质结自驱动光电探测器的制备及性能(特邀)
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作者 李朋凡 黄雨欣 +4 位作者 俞学伟 冯仕亮 姜岩峰 闫大为 于平平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期58-67,共10页
ZnO具有高稳定性、低成本、宽带隙等优点,被广泛用于光电探测器但响应速度较慢,采用Zn(TFSI)2和CNT∶TiO_(2)作为混合掺杂剂来代替Li-TFSI,以提高Spiro-MeOTAD的稳定性及光电性能,采用旋涂法制备了ZnO/Spiro-MeOTAD异质结构筑光电探测器... ZnO具有高稳定性、低成本、宽带隙等优点,被广泛用于光电探测器但响应速度较慢,采用Zn(TFSI)2和CNT∶TiO_(2)作为混合掺杂剂来代替Li-TFSI,以提高Spiro-MeOTAD的稳定性及光电性能,采用旋涂法制备了ZnO/Spiro-MeOTAD异质结构筑光电探测器。ZnO/Spiro-MeOTAD光电探测器在250~600 nm波长范围内,具有良好的自驱动特性。在0 V条件下,ZnO/Spiro-MeOTAD器件在368 nm的入射光照射下具有最高的光电性能,响应度为27.34 mA W^(-1),比探测率为3.62×10^(11)Jones,开关比为2029,上升/下降时间分别为0.71 s/0.55 s,相较于ZnO的光电性能(响应度为17.74 mA·W^(-1),比探测率为5.11×10^(10)Jones,开关比为63.6,上升/下降时间为11.76 s/1.49 s)分别提升提高了1.5倍、7倍、32倍。ZnO/Spiro-MeOTAD器件在550 nm处仍具有明显响应,响应度和比探测率分别为2.48 mA·W^(-1)和3.32×10^(10)Jones,对比ZnO器件提高了248倍和940倍。不同放置时间(1个月)和预处理温度(0~140℃)下光电流的变化,验证了Spiro-MeOTAD加入构筑p-n异质结,不仅可以显著提升ZnO基光电探测器的响应度、开关比和响应速度,同时使得探测器具有良好的稳定性,可以应用于较高温度工作环境。 展开更多
关键词 光电探测器 异质结 旋涂法 ZNO spiro-meotad 自驱动
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O3 fast and simple treatment-enhanced p-doped in Spiro-MeOTAD for CH3NH3I vapor-assisted processed CH3NH3PbI3 perovskite solar cells
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作者 贾恩东 娄茜 +2 位作者 周春兰 郝维昌 王文静 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期541-546,共6页
We demonstrate a simple and fast post-deposition treatment with high process compatibility on the hole transport material(HTM) Spiro-MeOTAD in vapor-assisted solution processed methylammonium lead triiodide(CH3NH3P... We demonstrate a simple and fast post-deposition treatment with high process compatibility on the hole transport material(HTM) Spiro-MeOTAD in vapor-assisted solution processed methylammonium lead triiodide(CH3NH3PbI3)-based solar cells. The prepared Co-doped p-type Spiro-MeOTAD films are treated by O3 at room temperature for 5 min,10 min, and 20 min, respectively, prior to the deposition of the metal electrodes. Compared with the traditional oxidation of Spiro-MeOTAD films overnight in dry air, our fast O3 treatment of HTM at room temperature only needs just 10 min,and a relative 40.3% increment in the power conversion efficiency is observed with respect to the result of without-treated perovskite solar cells. This improvement of efficiency is mainly attributed to the obvious increase of the fill factor and short-circuit current density, despite a slight decrease in the open-circuit voltage. Ultraviolet photoelectron spectroscopy(UPS) and Hall effect measurement method are employed in our study to determine the changes of properties after O3 treatment in HTM. It is found that after the HTM is exposed to O3, its p-type doping level is enhanced. The enhancement of conductivity and Hall mobility of the film, resulting from the improvement in p-doping level of HTM, leads to better performances of perovskite solar cells. Best power conversion efficiencies(PCEs) of 13.05% and 16.39% are achieved with most properly optimized HTM via CH3NH3I vapor-assisted method and traditional single-step method respectively. 展开更多
关键词 perovskite solar cells spiro-meotad SIMPLE O3 treatment
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新型Se微米管/Spiro-MeOTAD异质结型光电探测器 被引量:4
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作者 冯仕亮 陈荣鹏 +2 位作者 王魏巍 于平平 姜岩峰 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第20期146-151,共6页
有机半导体材料具有对环境友好的特点和优良的光电特性,广泛应用于光电探测器。通过旋涂法结合p型有机半导体材料Spiro-MeOTAD和Se微米管(Se-MT)制备一种新型Se/Spiro-MeOTAD异质结结构。Se/Spiro-MeOTAD光电探测器在350~800 nm波长范... 有机半导体材料具有对环境友好的特点和优良的光电特性,广泛应用于光电探测器。通过旋涂法结合p型有机半导体材料Spiro-MeOTAD和Se微米管(Se-MT)制备一种新型Se/Spiro-MeOTAD异质结结构。Se/Spiro-MeOTAD光电探测器在350~800 nm波长范围内具有较佳的光响应度和开关比,不需要外加偏置电压,具有自驱动的良好光电特性。相比于单根Se-MT器件(0.1 V),该探测器在0 V偏压410 nm光照下的响应度提高了10倍,达到36.5 mA·W^(-1),开关比为156(增强800%),上升和下降时间分别缩短至22 ms和35 ms。这一研究结果表明有机半导体材料可以有效改善无机半导体的光电特性,利用无机/有机异质结可制备高性能的光电器件。 展开更多
关键词 光学器件 光电探测器 Se微米管 spiro-meotad 异质结 自驱动
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