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喷雾热解法制备SnO_2:Sb透明导电薄膜 被引量：17
1
作者 张聚宝 侯春 +5 位作者 翁文剑 程逵 杜丕一 沈鸽 汪建勋 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1063-1068,共6页
采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:... 采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11％(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82％,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺锑二氧化锡 喷雾热解 光电性能 SnO2:Sb
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钕改性钛基SnO_2/Sb电催化电极的制备及表征 被引量：18
2
作者 李善评 胡振 曹翰林 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期291-297,共7页
为改善钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Nd改性钛基SnO2/Sb电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察电极的电催化性能,对制备温度和Nd掺杂量进行了研究,确定了适宜的制备条件为:热处理温度550℃,Nd掺杂量1.0%。采用SEM,EDS,... 为改善钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Nd改性钛基SnO2/Sb电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察电极的电催化性能,对制备温度和Nd掺杂量进行了研究,确定了适宜的制备条件为:热处理温度550℃,Nd掺杂量1.0%。采用SEM,EDS,XRD及XPS等分析方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,发现掺杂Nd可使SnO2粒径变小,有利于电极电催化性能的改善,同时Nd元素的引入可使杂质元素Sb,Nd在电极表面涂层富集。Nd改性钛基SnO2/Sb电极表面主要是四方相金红石结构的SnO2晶体,掺杂的Sb和Nd分别以Sb5+和Nd3+的形式存在。电极动电位扫描测试结果表明,Nd改性钛基SnO2/Sb电极具有较高的阳极析氧电位,有利于有机物的阳极氧化降解。 展开更多
关键词 SnO2/Sb电极 钕 掺杂 电催化 稀土
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有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究 被引量：8
3
作者 马瑾 郝晓涛 +2 位作者 马洪磊 张德恒 徐现刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期599-603,共5页
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺... 采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率～ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度～ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率～ 13cm2 · V- 1 · 展开更多
关键词 有机衬底 SnO2:Sb膜 磁控溅射 透明导电膜 二氧化锡
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退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响 被引量：6
4
作者 王玉恒 马瑾 +2 位作者 计峰 余旭浒 马洪磊 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1747-1750,共4页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 SnO2:Sb薄膜 光致发光
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耐酸非贵金属Ti/MO_2阳极SnO_2+Sb_2O_4中间层研究 被引量：12
5
作者 梁镇海 张福元 孙彦平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1605-1609,共5页
采用热分解法制备了非贵金属SnO2+Sb2O4中间层Ti基MO2活性层电极,利用SEM,XRD和XPS方法对中间层进行了表征。测定了Ti/SnO2+Sb2O4/MnO2和Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2电极在硫酸溶液中的析氧极化曲线,二者起始析氧过电位均比贵金属小;考察了在高... 采用热分解法制备了非贵金属SnO2+Sb2O4中间层Ti基MO2活性层电极,利用SEM,XRD和XPS方法对中间层进行了表征。测定了Ti/SnO2+Sb2O4/MnO2和Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2电极在硫酸溶液中的析氧极化曲线,二者起始析氧过电位均比贵金属小;考察了在高电流密度(4A/cm2)下的加速寿命,二者依次分别达到18h和86h。实验表明,SnO2+Sb2O4是一种具有良好导电性和结合力的耐酸Ti基MO2电极中间层材料。 展开更多
关键词 SnO2+Sb2O4中间层 钛基氧化物 耐酸阳极 非贵金属
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SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质 被引量：4
6
作者 王玉恒 马瑾 +3 位作者 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期922-926,共5页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁. 展开更多
关键词 SnO2:Sb薄膜 射频磁控溅射 光致发光
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Fe掺杂钛基SnO2／Sb电催化电极的制备及表征 被引量：3
7
作者 张翼 刘蕾 +2 位作者 孙晓东 张荣庆 王磊 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期31-33,70,共4页
为了改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了Fe掺杂钛基SnO2/Sb电极。采用SEM、EDX以及XRD等方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,并以苯酚为目标有机物,研究了所制备电极对有机污染物的电催化降解能... 为了改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了Fe掺杂钛基SnO2/Sb电极。采用SEM、EDX以及XRD等方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,并以苯酚为目标有机物,研究了所制备电极对有机污染物的电催化降解能力。结果表明,适量Fe的掺杂有利于晶粒细化和导电性的提高;但过量Fe的掺杂可能导致SnO2晶格的混乱程度增大,甚至使晶格破坏,从而使电极性能降低;掺杂0.5%Fe的SnO2/Sb电极对苯酚的降解效果优于未掺杂Fe的电极;电解3 h后,苯酚去除率和化学需氧量(COD)去除率分别达到100.0%和92.0%。 展开更多
关键词 SnO2/Sb电极 Fe 电催化 苯酚
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锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响 被引量：7
8
作者 计峰 马瑾 马洪磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1423-1424,1429,共3页
采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间... 采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。 展开更多
关键词 磁控溅射 SnO2:Sb薄膜 光致发光
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有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备 被引量：6
9
作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 高绪团 杨光德 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期273-277,共5页
采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyi... 采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85 展开更多
关键词 柔性衬底 SnO2:Sb透明导电膜 射频磁控溅射
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Ti/SnO_2+Sb_2O_3/β-PbO_2阳极电化学氧化异噻唑啉酮 被引量：8
10
作者 韩卫清 周刚 +2 位作者 王连军 孙秀云 李健生 《过程工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期566-570,共5页
采用提拉法和电沉积法制作Ti/SnO2+Sb2O3/β-PbO2阳极,通过SEM扫描、XRD分析和极化曲线测定表征具有良好结构和催化性能.利用该电极氧化异噻唑啉酮水溶液,研究运行参数(电化学氧化时间、电流密度和水溶液pH值)的变化对异噻唑啉酮和化学... 采用提拉法和电沉积法制作Ti/SnO2+Sb2O3/β-PbO2阳极,通过SEM扫描、XRD分析和极化曲线测定表征具有良好结构和催化性能.利用该电极氧化异噻唑啉酮水溶液,研究运行参数(电化学氧化时间、电流密度和水溶液pH值)的变化对异噻唑啉酮和化学耗氧量(ChemicalOxygenDemand,CODcr)降解效果的影响,降解过程符合一级动力学方程.在异噻唑啉酮水溶液初始浓度200mg/L、电流密度15mA/cm2、电化学氧化180min时,异噻唑啉酮、CODcr去除率可分别达到98%和43%.通过紫外光谱图分析了异噻唑啉酮氧化过程为先开环,再生成低分子有机酸,最后矿化为CO2和H2O. 展开更多
关键词 异噻唑啉酮 电化学氧化 钛基β-氧化铅阳极(Ti/SnO2+Sb2O3/β-PbO2) 化学耗氧量
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SnO_2∶Sb/SiO_2复合薄膜的制备与光学性能 被引量：3
11
作者 王贺 魏长平 +2 位作者 彭春佳 程果 李丛昱 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期683-687,共5页
采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约10... 采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105 nm,折射率为1.352,底层SnO2∶Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2∶Sb薄膜,在相同情况下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2∶Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2∶Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率。相比于单层SnO2∶Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 SnO2∶Sb SIO2 复合薄膜 透过率
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Ti/SnO_2+Sb_2O_3+MnO_2/PbO_2阳极的性能研究 被引量：23
12
作者 梁镇海 孙彦平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期183-187,共5页
制备了一种非贵金属阳极－Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３＋ＭｎＯ２／ＰｂＯ２，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征，计算出了电极的分形维数，测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数，把该电极用于处理含酚废水和Ｐｂ电极进行对比．结... 制备了一种非贵金属阳极－Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３＋ＭｎＯ２／ＰｂＯ２，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征，计算出了电极的分形维数，测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数，把该电极用于处理含酚废水和Ｐｂ电极进行对比．结果表明，节电３３％，转化率达９５％，是一种优良的电化学催化剂． 展开更多
关键词 Ti/SnO2+SB2O3+MnO2/PBO2阳极 废水处理 分形维
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高析氧过电位Ti/SnO_2+Sb_2O_4阳极的制备及性能 被引量：6
13
作者 苗海霞 梁镇海 +1 位作者 樊彩梅 孙彦平 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2006年第5期543-546,共4页
采用溶胶-凝胶涂层技术,以无机物SnCl2.2H2O,SbCl3为前驱物制备了Ti/SnO2+Sb2O4电极。电极的晶体结构通过XRD进行了表征,得知涂层中的SnO2是金红石结构,并计算出涂层氧化物属于纳米级,平均粒度为6.5 nm。考察了锑的掺入量和烧结温度对... 采用溶胶-凝胶涂层技术,以无机物SnCl2.2H2O,SbCl3为前驱物制备了Ti/SnO2+Sb2O4电极。电极的晶体结构通过XRD进行了表征,得知涂层中的SnO2是金红石结构,并计算出涂层氧化物属于纳米级,平均粒度为6.5 nm。考察了锑的掺入量和烧结温度对电极性能的影响,结果表明:锑原子质量分数为4%,烧结温度600℃为较佳工艺条件;电流密度10mA/cm2时,电极的析氧电位高达2.1182V(vs.NHE),说明Ti/SnO2+Sb2O4电极是一种优良的阳极电催化剂。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Ti/SnO2+Sb2O4电极 阳极
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基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响 被引量：7
14
作者 谢莲革 汪建勋 +3 位作者 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期411-413,418,共4页
以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性... 以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 展开更多
关键词 APCVD法 Sb掺杂SnO2薄膜 基板温度
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SnO_2∶Sb电热膜的自限温特性 被引量：3
15
作者 符史流 刘育洲 +1 位作者 林揆训 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期310-311,共2页
本文研究了掺锑量对ＳｎＯ２∶Ｓｂ电热膜电阻温度特性的影响。发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性，并分析了该特性对电热膜寿命的影响。
关键词 电热膜 电阻温度特性 自限温 寿命
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低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能 被引量：2
16
作者 马瑾 刘晓梅 +2 位作者 张士勇 郝晓涛 马洪磊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期148-151,共4页
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω&... 采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。 展开更多
关键词 磁控溅射 SnO2:Sb薄膜 结构和电学性质
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量：7
17
作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD) Sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量
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Sn_(1-x)Sb_xO_2固溶体电极的形成能与电子结构 被引量：3
18
作者 梁镇海 丁永波 +2 位作者 樊彩梅 郝晓刚 韩培德 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期758-762,共5页
为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的... 为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的电子结构以及不同掺杂比例时的形成能.结果表明:Sb替代Sn后,晶格常数与晶胞体积均增加,但掺杂形成能随掺杂量变化不大,在掺杂量为0.083时掺杂形成能达到最低值5.08eV,稳定性最好.掺杂Sb后,在费米能级至最低导带处存在Sb5s电子态分布,产生施主能级;同时Sb掺杂后,在导带底形成的可填充电子数也从未掺杂的4增加到了掺杂后的19,导电性明显增强,且在掺杂量为0.063时导电性最强.本文的计算结果为钛基Sn1-xSbxO2氧化物电极的开发与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 电子结构 Sb掺杂SnO2 第一性原理 形成能
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掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理 被引量：4
19
作者 肖功利 杨宏艳 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期357-360,364,共5页
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，采用喷雾热解法在玻璃基片上制备了掺锑二氧化锡（SnO2：Sb）透明导电薄膜。用X光电子能谱分析仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）和紫外一可见光吸收谱仪分别对样品进行了表征，且对其结构、电学和光学特... 以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，采用喷雾热解法在玻璃基片上制备了掺锑二氧化锡（SnO2：Sb）透明导电薄膜。用X光电子能谱分析仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）和紫外一可见光吸收谱仪分别对样品进行了表征，且对其结构、电学和光学特性作了研究。实验结果表明：薄膜仍为金红石型结构，在Sb的掺杂量为（1．0～1．5）wt％（质量百分比）和基片温度为500℃时，薄膜方阻为0．8～3．5Ω／□，可见光透过率达80％，红外光反射率达到80％。样品在O2，N2中进行热处理，其电导率呈有规律的变化趋势，热处理温度为550℃时，两种样品的电导率变化曲线上同时出现拐点。 展开更多
关键词 SnO2:Sb薄膜 喷雾热解法 外延生长 光电特性 热处理
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温度控制对ATO纳米分散液水热生长的影响 被引量：2
20
作者 白凡飞 何云 +1 位作者 贺平 贾志杰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期28-30,共3页
以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液.用XRD、TEM、X射线能量散射谱（EDS）和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征.结果表明：温度控制、分段... 以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液.用XRD、TEM、X射线能量散射谱（EDS）和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征.结果表明：温度控制、分段加热的水热法,可以一步合成粒径为10～15 nm,高比表面积、分散性好的ATO纳米晶导电粉体,在低温短时的条件下,同时实现了氧化物的掺杂和分散.并对生长机理做了初步探讨. 展开更多
关键词 无机非金属材料 ATO(SnO2:Sb) 水热法 温度控制 分散
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