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SnO_(2-x)透明导电薄膜的制备及其导电性能研究 被引量:1
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作者 闫军锋 邓周虎 +2 位作者 张志勇 张富春 王雪文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期59-62,共4页
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2–x薄膜。并用XRD、AFM等对样品进行分析。结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间... 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2–x薄膜。并用XRD、AFM等对样品进行分析。结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间为2h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为36.5?/□,紫外–可见光透射率在90%以上。 展开更多
关键词 无机非金属材料 sno2-x MO-PECVD 透明导电薄膜 密度泛函理论
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用浸渍法制造添加Pt的SnO_(2-x)薄膜气体传感器特性 被引量:1
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作者 彭士元 《仪器仪表与分析监测》 1995年第1期31-35,共5页
本文研究了含有添加铂的SnO_(2-x)薄膜。SnO(2-x)薄膜是由反应电子来蒸发的烧结SnO_(2-x)粉末而制成。沉积薄膜浸渍于H_2PtCl_6·6H_2O水溶液中并加热。用电子分光仪进行化学分析,研究表面结构和膜的成分,用俄歇电子分光仪和X-射线... 本文研究了含有添加铂的SnO_(2-x)薄膜。SnO(2-x)薄膜是由反应电子来蒸发的烧结SnO_(2-x)粉末而制成。沉积薄膜浸渍于H_2PtCl_6·6H_2O水溶液中并加热。用电子分光仪进行化学分析,研究表面结构和膜的成分,用俄歇电子分光仪和X-射线衍射仪研究薄膜的电性能和Pt添加剂的效应,也研究了气体感器的特性。 展开更多
关键词 sno2-x薄膜 气体传感器 浸渍法 制备
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射频反应溅射法制备SnO_(2-x)纳米薄膜的气敏特性研究
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作者 张军 钟伟贵 +1 位作者 范襄 邵乐喜 《湛江师范学院学报》 2009年第3期42-46,共5页
采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜,然后在不同温度下对其进行退火处理.利用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征技术,研究了制备条件对SnO2-x薄膜的结晶性能和表面形貌的影响.研究结果显示,当氧气分压为50%... 采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜,然后在不同温度下对其进行退火处理.利用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征技术,研究了制备条件对SnO2-x薄膜的结晶性能和表面形貌的影响.研究结果显示,当氧气分压为50%时,可以制备出质量较高的SnO2-x纳米薄膜.当退火温度从450℃升高到550℃,样品的电阻率降低.退火温度500℃的样品在工作温度225℃时,对乙醇有较高的灵敏度,灵敏度达67%,对丁烷的灵敏度不高. 展开更多
关键词 sno2-x 薄膜 氧分压 退火温度 射频反应溅射法 气敏特性
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SnO_(2-x)/MoO_(3-y)制备及其拟过氧化物酶活性研究
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作者 曹敏 陈辉 徐孝文 《苏州科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2016年第4期39-43,共5页
以(NH_4)6Mo_7O_(24)·4H_2O和SnCl_2·2H_2O为原料,采用异质絮凝法制备了核壳型SnO_(2-x)/MoO_(3-y)。用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)及X射线光电子能谱仪(XPS)对复合物进行了表征,并在H_2O_2存在下,以3,3′,5,5′-四... 以(NH_4)6Mo_7O_(24)·4H_2O和SnCl_2·2H_2O为原料,采用异质絮凝法制备了核壳型SnO_(2-x)/MoO_(3-y)。用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)及X射线光电子能谱仪(XPS)对复合物进行了表征,并在H_2O_2存在下,以3,3′,5,5′-四甲基联苯胺(TMB)为过氧化物酶底物,考察了其拟过氧化物酶活性。 展开更多
关键词 拟过氧化物酶活性 sno2-x/MoO3-y TMB H2O2
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纳米(1-x)SnO_2·xSb_2O_3复合云母钛导电珠光颜料的制备 被引量:3
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作者 沈腊珍 谭俊茹 +2 位作者 付贤松 侯文祥 陈秀增 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第4期36-39,共4页
以尿素为沉淀剂,利用均相沉淀法制备出纳米(1-x)SnO2·xSb2O3复合云母钛导电珠光颜料,研究了不同反应基质、基质的加料方式,在基质表面包覆掺锑二氧化锡(简称ATO)的量以及ATO组成中Sn4+/Sb3+的最佳摩尔比等工艺参数与颜料导电性及... 以尿素为沉淀剂,利用均相沉淀法制备出纳米(1-x)SnO2·xSb2O3复合云母钛导电珠光颜料,研究了不同反应基质、基质的加料方式,在基质表面包覆掺锑二氧化锡(简称ATO)的量以及ATO组成中Sn4+/Sb3+的最佳摩尔比等工艺参数与颜料导电性及珠光效应的关系;从云母钛表面结构特点入手,利用双电层概念,探讨了ATO与基质云母钛的复合机理。 展开更多
关键词 纳米材料 (1-x)sno2·xSb2O3 复合导电材料 云母 珠光颜料 制备 片状导电珠光颜料 尿素 双电层
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尿素水解法制备(1-x)SnO_2·xSb_2O_3导电颜料的研究 被引量:1
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作者 谭俊茹 沈腊珍 +3 位作者 付贤松 侯文祥 陈秀增 黄彩彩 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第1期45-49,共5页
以尿素为沉淀剂 ,利用均匀沉淀法制备 (1-x)SnO2 ·xSb2 O3 导电颜料 (以下简称ATO) ;探讨了导电机理 ,对不同制备方法进行了对比 ;
关键词 (1-x)sno2·xSb2O3 导电颜料 尿素水解法 均匀沉淀法 制备方法 煅烧温度
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SnO2-MoO3-x/CNTs纳米复合材料在锂离子电池负极中的性能 被引量:2
7
作者 何声太 陈媛 曾林海 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第1期48-52,59,共6页
为了改善SnO2-MoO3-x纳米复合材料在锂离子电池负极中的性能,通过水热法制得SnO2-MoO3-x/CNTs纳米复合材料,并研究CNTs的含量对纳米复合材料性能的影响;通过XRD与SEM对所得纳米复合材料进行表征,将材料组装为扣式电池,利用电化学工作站... 为了改善SnO2-MoO3-x纳米复合材料在锂离子电池负极中的性能,通过水热法制得SnO2-MoO3-x/CNTs纳米复合材料,并研究CNTs的含量对纳米复合材料性能的影响;通过XRD与SEM对所得纳米复合材料进行表征,将材料组装为扣式电池,利用电化学工作站、蓝电电池测试系统等进行电化学性能测试。结果表明:CNTs的加入可以有效减小SnO2-MoO3-x纳米复合材料表面团聚现象,对纳米复合材料的电化学性能方面有明显的改善;当CNTs的加入质量分数为15%时,SnO2-MoO3-x/CNTs纳米复合材料的电化学性能最好,在100圈循环后仍然具有532.6 mA·h/g的放电比容量,库伦效率高达99.0%。 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 sno2 MoO3-x 碳纳米管 纳米复合材料
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(Sn,Sb)O_(2-x)基纳米结构厚膜材料气敏特性及机理 被引量:1
8
作者 惠春 徐爱兰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第9期832-835,共4页
对采用水热合成技术所形成的纳米 (Sn,Sb)O_(2-x)晶粒结构、厚膜材料的气敏特性及其机理进行了研究 ,并采用 XRD、 TEM手段对纳米尺度的( Sn、 Sb)O_(2-x)晶粒的结构与表面效应及晶粒形态进行了表征 .结果表明,当掺杂 Sb5+的浓度(... 对采用水热合成技术所形成的纳米 (Sn,Sb)O_(2-x)晶粒结构、厚膜材料的气敏特性及其机理进行了研究 ,并采用 XRD、 TEM手段对纳米尺度的( Sn、 Sb)O_(2-x)晶粒的结构与表面效应及晶粒形态进行了表征 .结果表明,当掺杂 Sb5+的浓度(摩尔分数 xSb5+ )为( 2.9~ 5.8)× 10- 6时,( Sn、 Sb)O_(2-x)纳米晶粒表面的电子缺陷浓度增大,增强了对气体的吸附能力,从而提高了对可燃性气体的灵敏度 .同时可使晶粒保持短柱状的形态特征,对其灵敏度有一定的控制作用 . 展开更多
关键词 sno2-x 纳米结构 气敏特性 气敏机理 水热合成 氧化锡 氧化锑 气敏传感器 气敏材料 厚膜材料
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纳米SnO_2薄膜的制备及其表征
9
作者 刘继华 孙轶俊 杨晓蓓 《新技术新工艺》 2007年第5期107-109,共3页
采用溶胶-凝胶法在玻璃基体表面制备纳米SnO2薄膜,通过热处理使其晶化。通过原子力显微镜(AFM)形貌分析表明,在20~80nm的粒径范围内,可通过工艺配方参数的调整人为控制SnO2薄膜的颗粒大小。通过工艺优化制得粒径为27nm左右的薄膜,薄膜... 采用溶胶-凝胶法在玻璃基体表面制备纳米SnO2薄膜,通过热处理使其晶化。通过原子力显微镜(AFM)形貌分析表明,在20~80nm的粒径范围内,可通过工艺配方参数的调整人为控制SnO2薄膜的颗粒大小。通过工艺优化制得粒径为27nm左右的薄膜,薄膜颗粒较小,分布均匀,薄膜的透明性好。X射线衍射(XRD)结果表明,随着热处理温度的增加,SnO2特征峰愈来愈尖锐明显,晶体结构趋于完全。Zeta电位分析表明,添加分散剂溶胶的Zeta电位比未添加分散剂溶胶的Zeta电位高;Zeta电位越高,溶胶稳定性越好。 展开更多
关键词 纳米sno2 溶胶-凝胶法 表征 X射线衍射
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P_(25)/SnO_2复合催化剂光催化降解活性艳红X-3B的研究
10
作者 林雨露 《江汉大学学报(自然科学版)》 2007年第4期37-40,共4页
采用溶胶-凝胶法制备P25/SnO2复合催化剂,以活性艳红X-3B溶液光催化降解反应为模型,研究各种因素对活性艳红X-3B光催化降解的影响.实验结果表明:P25/SnO2复合催化剂适宜用量为4g/L,溶液pH为6左右,活性艳红X-3B溶液初始浓度40 mg/L,加入H... 采用溶胶-凝胶法制备P25/SnO2复合催化剂,以活性艳红X-3B溶液光催化降解反应为模型,研究各种因素对活性艳红X-3B光催化降解的影响.实验结果表明:P25/SnO2复合催化剂适宜用量为4g/L,溶液pH为6左右,活性艳红X-3B溶液初始浓度40 mg/L,加入H2O2 2 mL/L,60 min左右活性艳红X-3B降解率可达到95.8%,降解反应动力学符合一级反应. 展开更多
关键词 P25/sno2 复合催化剂 光催化降解 活性艳红X-3B
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纳米SnO_2和SnO_2/SiO_2材料的正电子湮没研究 被引量:2
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作者 苏爱国 郑裕芳 +1 位作者 吴奕初 胡严 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期138-142,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了纯纳米SnO2和掺杂SiO2的纳米SnO2材料,应用X射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段研究了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程。结果表明,所制备的纳米SnO2和SnO2/SiO2材料中只存在... 采用溶胶-凝胶法制备了纯纳米SnO2和掺杂SiO2的纳米SnO2材料,应用X射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段研究了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程。结果表明,所制备的纳米SnO2和SnO2/SiO2材料中只存在两类缺陷,分别对应短寿命和中等寿命2。材料中两类缺陷的数量比与粒径有关。纳米SnO2晶粒生长随热处理温度升高分为两个阶段:低于晶化临界温度时,晶粒生长缓慢;高于此温度时,则生长迅速。在SnO2中掺入SiO2或采用压片后热处理,纳米晶粒的生长都受到抑制,热稳定性提高。 展开更多
关键词 正电子寿命谱 二氧化硅 纳米材料 二氧化锡
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N离子注入改性SnO_2缓冲层及其CdTe太阳电池应用
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作者 刘源 唐鹏 +4 位作者 张静全 武莉莉 李卫 王文武 冯良桓 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第17期152-157,共6页
使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N... 使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N离子注入以后,其300~800nm波长范围透过率有所降低,而体电阻率则明显增加,特别是N离子注入10min的SnO_2缓冲层,表面出现很多凹孔,呈蜂窝状结构,且对后续沉积的CdS层表面形貌产生了明显影响。Kelvin探针表征结果显示,随着N离子注入时间的延长,SnO_2缓冲层功函数逐渐增加,最高达到约5.075eV,比本征SnO_2缓冲层的功函数高出0.15eV。XPS测试结果显示,N离子注入10min后,SnO_2缓冲层N1s结合能峰位向低结合能方向发生了明显移动,而O1s结合能峰位则向高结合能方向移动了,且表面区非晶格氧所占比例增大。对比电池结果,有N离子注入改性SnO_2缓冲层的电池与无缓冲层的电池相比,效率从10%左右增加到12%以上,最高达到12.47%,其中开路电压提高最为显著,从约750mV提高到790mV以上,提升了约5%,电池的整体均匀性也明显改善。 展开更多
关键词 N离子注入 sno2缓冲层 原子力显微镜 X射线光电子能谱 CDTE太阳电池
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Obtaining Thin Film of SnO2/Cu2O and Characterization by X-Ray Diffraction
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作者 Francisco Marcone Lima Maria Katiane Diogenes Marques Paulo Herbert Franca Junior Igor Frota de Vasconcelos Ana Fabiola Leite Almeida Francisco Nivaldo Aguiar Freire 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2014年第12期1104-1108,共5页
Thin films of tin and copper oxide forming heterojunction are being studied for applications in photovoltaic systems. The procedure for obtaining such a film was based on the technique of spray pyrolysis with working ... Thin films of tin and copper oxide forming heterojunction are being studied for applications in photovoltaic systems. The procedure for obtaining such a film was based on the technique of spray pyrolysis with working temperature of 600 ℃. The XRD (X-ray diffraction) showed the formation of tin oxides (SnO2) and copper (Cu2O) and its structural parameters are a, b and c, 4.7534 A^°, 4.7534 A^°, 3.1998 A^° (tetragonal form) and 4.2580 A^°, 4.2580 A^°, 4.2580 A^° (cubic form), respectively. Highseore Plus program was used for phase identification and DBWSTool2.4 program used for refinement. The grain size was estimated by Williamson-Hall. 展开更多
关键词 XRD thin films REFINEMENT
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氧化锡纳米结构的制备及光致发光性能 被引量:2
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作者 李立珺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1269-1271,1276,共4页
利用热蒸发法成功制备出了两种氧化锡纳米结构。利用X射线衍射法、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对两种纳米结构的晶格结构和表面形貌做了详细分析,结果表明所制纳米结构为金红石型氧化锡晶体结构,氧化锡纳米结构的形貌与... 利用热蒸发法成功制备出了两种氧化锡纳米结构。利用X射线衍射法、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对两种纳米结构的晶格结构和表面形貌做了详细分析,结果表明所制纳米结构为金红石型氧化锡晶体结构,氧化锡纳米结构的形貌与实验中所用的源材料有着很大的关系。以氧化锡和碳粉的混合物为源,制备出的纳米线长且直,直径在50~200nm之间,以氧化亚锡和碳粉为源,制备出的纳米结构短且多弯折,直径在150nm左右。研究了所制氧化锡纳米材料的室温光致发光性能,发光峰位于590、630和677nm处。 展开更多
关键词 氧化锡 纳米结构 热蒸发法 X射线衍射 光致发光
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表面修饰二氧化锡纳米微晶的制备与表征 被引量:10
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作者 古凤才 赵竹萱 +4 位作者 李英慧 门娟 严菊明 刘瑞贤 张丽华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第7期621-625,共5页
制备了硅烷偶联剂KH-570表面修饰的SnO2纳米微晶,通过FT-IR、XPS、TEM和TG-DTA对其结构和表面特性进行表征和研究.FT-IR和XPS分析结果确证了KH-570与SnO2表面是以化学键合或物理吸附方式相结合,粒子表面存在酯基等有机官能团的红外吸收... 制备了硅烷偶联剂KH-570表面修饰的SnO2纳米微晶,通过FT-IR、XPS、TEM和TG-DTA对其结构和表面特性进行表征和研究.FT-IR和XPS分析结果确证了KH-570与SnO2表面是以化学键合或物理吸附方式相结合,粒子表面存在酯基等有机官能团的红外吸收特征;观测到KH-570中Si原子的Si2s和Si2p谱线.TEM分析表明,表面修饰反应增强了SnO2纳米微晶的疏水性和分散性.由XPS和TG的实测数据探讨了纳米粒子具有较低包覆量的可能原因. 展开更多
关键词 表面修饰 二氧化锡 纳米微晶 制备 表征 硅烷偶联剂 X射线光电子能谱 结合能
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