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SmTbFeCo/Cr/TbFeCo垂直磁化膜的耦合机理与磁特性研究 被引量：1
1
作者 王翔 苏深伟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2057-2060,2064,共5页
采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特... 采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-Mr/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16,耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmT-bFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题. 展开更多
关键词 smtbfeco系列薄膜 光磁混合记录 Cr中介层 层间交换耦合 垂直磁化
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SmTbFeCo薄膜的制备及磁学性能研究
2
作者 王辉 郭继花 黄致新 《信息记录材料》 2010年第1期47-49,共3页
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对SmTbFeCo薄膜性能的影响。结果表明:溅射气压为0.5Pa、溅射功率为75W、厚度在100nm条件下所溅射形成的SmTbFeCo薄膜磁性最优。
关键词 射频磁控溅射 smtbfeco 矫顽力
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