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SiTi_3机械合金化非晶化过程的研究 被引量：1
1
作者 杨景海 张永军 《通化师范学院学报》 2002年第2期30-34,共5页
利用机械合金化方法得到了SiITi_3非晶合金,经分析表明,SiIi_3非晶合金是由于Si在Ti中的固溶量超过晶格稳定性限制,Ti的晶格发生“崩溃”而形成的,并对固溶量增加的原因进行了分析.
关键词 机械合金化 非晶化 纳米合金 siti3非晶合金 Si Ti 晶格 硅 锑 合金粉末
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杂质Fe对合金化档SiTi_3产物热性能的影响
2
作者 张永军 任静 杨景海 《吉林师范大学学报（自然科学版）》 2003年第1期54-57,共4页
利用机械合金化方得到新相合金SiTi3,热处理得到两种结构的TiO2.Fe杂质含量对结晶产物的热性能及热处理产物中两种结构的TiO2相对含量影响显著.这是由于内部应力改变造成的,通过高压实验给予证明.
关键词 siti3 机械合金化 晶化 热性能 铁杂质 相结构 非晶相合金
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SiTi1—xSbxO3透明导电薄膜的光电子能谱研究
3
作者 王焕华 钱海杰 等 《北京同步辐射装置年报》 2000年第1期215-218,共4页
我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20）薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明，其透过率均超过90％。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退... 我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20）薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明，其透过率均超过90％。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退局域化电子在母化合物的禁带中引入了杂质能级。这是导电性的根源，价带中很小的电子态密度限制了跃迁几率。大的禁带宽度和小的跃迁几率是光学透明性的原因。 展开更多
关键词 SiTi1-xSbxO3 透明导电薄膜 氧化物薄膜 钙钛矿结构 X-射线光电子能谱 钛酸锶 锑 掺杂 导电性
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