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SiO_2薄膜的液相沉积及特性 被引量：2
1
作者 张世春 汪金祥 《应用光学》 CAS CSCD 2000年第5期30-36,共7页
将基片浸入到低温 Si O2 过饱和的六氟硅酸 (H2 Si F6)溶液中 ,在其表面上沉积 Si O2 薄膜。这种新的生长工艺称之为液相沉积 (L PD)。本文着重介绍 LPD工艺及 L PD Si O2 薄膜的特性。
关键词 液相沉积 薄膜 二氧化硅
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改性SiO2源对合成高纯莫来石材料结构及性能的影响 被引量：3
2
作者 李可可 朱先忠 +4 位作者 麦海香 周超杰 徐恩霞 刘新红 赵飞 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2021年第10期3265-3272,共8页
在天然石英中引入质量分数为8%的γ-Al_(2)O_(3),经1550℃加热处理实现了对SiO2源的掺杂改性。以不同SiO2源和γ-Al_(2)O_(3)为原料,对比研究了改性SiO2源对合成高纯莫来石材料结构和性能的影响。结果表明:SiO2中掺入少量γ-Al_(2)O_(3)... 在天然石英中引入质量分数为8%的γ-Al_(2)O_(3),经1550℃加热处理实现了对SiO2源的掺杂改性。以不同SiO2源和γ-Al_(2)O_(3)为原料,对比研究了改性SiO2源对合成高纯莫来石材料结构和性能的影响。结果表明:SiO2中掺入少量γ-Al_(2)O_(3)后,其熔融温度降低;改性SiO2源在较窄的温度范围(1570~1580℃)内转化为富SiO2液相。大量富SiO2液相的形成促进了莫来石化反应,加速了颗粒重排,提高了材料的致密度,从而改善了高纯莫来石材料的反应烧结性能。在煅烧过程中,富SiO2液相逐渐被反应消耗转化为高温相的莫来石;同时,改性SiO2源熔融提供的液相环境,促进了莫来石晶体的各向异性生长。经1700℃保温3 h煅烧后,莫来石晶体发育呈柱状并形成交叉的网络结构,增强了晶体间的结合程度。采用改性SiO2源合成的高纯莫来石材料,表现出更好的力学性能。 展开更多
关键词 改性sio2源 γ-Al_(2)O_(3) 高纯莫来石 富sio2液相 烧结性能 耐压强度
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C，Si在CO－CO_2－SiO气体与Fe－Si－C合金间迁移平衡与pCO_2 ?
3
作者 邱克辉 A.Rist J.B.Guilot 《成都理工学院学报》 CSCD 1996年第4期96-102,共7页
通过评价和优化有关热力学数据，利用冶金物理化学原理建立了钢铁冶金中最为重要的Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃ三元体系与ＣＯ－ＣＯ２－ＳｉＯ混合气体间硅、碳迁移的热力学数学模型，计算了相关热力学数据并计算机绘制了该体系的ｐＣＯ２－ｐＳｉ... 通过评价和优化有关热力学数据，利用冶金物理化学原理建立了钢铁冶金中最为重要的Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃ三元体系与ＣＯ－ＣＯ２－ＳｉＯ混合气体间硅、碳迁移的热力学数学模型，计算了相关热力学数据并计算机绘制了该体系的ｐＣＯ２－ｐＳｉＯ和ｌｇｐＣＯ２－ｌｇｐＳｉＯ相平衡图。 展开更多
关键词 Fe-Si-C 液体合金 CO-CO2-sio 混合气体 硅 碳
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低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究 被引量：10
4
作者 周桃生 彭炜 +2 位作者 尚勋忠 郑克玉 邝安祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第2期106-109,共4页
研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压... 研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。 展开更多
关键词 低温烧结 压电陶瓷 钛酸铅
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