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SiO_2-SiC基复合材料吸波性能的研究 被引量:2
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作者 关莉 范冰冰 +4 位作者 李凯 刘琛 张艳红 王海龙 张锐 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期514-517,共4页
首先利用溶胶-凝胶法制备SiO2-SiC复合粉体,采用SEM、XRD、DSC-TG等技术对复合粉体进行表征。结果表明,溶胶-凝胶法能够制备具有核-壳结构SiO2-SiC复合粉体。再将SiO2-SiC复合粉体与BaTiO3、Fe3O4以及环氧树脂以不同比例进行混合固化制... 首先利用溶胶-凝胶法制备SiO2-SiC复合粉体,采用SEM、XRD、DSC-TG等技术对复合粉体进行表征。结果表明,溶胶-凝胶法能够制备具有核-壳结构SiO2-SiC复合粉体。再将SiO2-SiC复合粉体与BaTiO3、Fe3O4以及环氧树脂以不同比例进行混合固化制得吸波材料样品,采用矢量网络分析仪测量样品的反射率。结果表明,SiO2-SiC复合粉体具有一定的吸波效果,20%含量的SiO2-SiC复合粉体样品在18GHz时反射率达–2.07dB,BaTiO3、Fe3O4的加入实现复合吸波效果,当SiO2-SiC:BaTiO3:Fe3O4=6:2:2(体积分数,下同)时,在5.75GHz时反射率达到–13.97dB,合格带宽为10.08GHz。 展开更多
关键词 吸波材料 复合吸波 sio2-sic 反射率
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碳复合材料的Si-SiO_2-SiC抗氧化涂层研究
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作者 王志发 赵斌 +2 位作者 李如椿 贾翠 卜景龙 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2006年第1期37-40,共4页
以石墨、白刚玉、矾土熟料、α-Al2O3为主要原料制备了碳复合材料的基体试样,将基体试样置于密闭的匣钵中并用Si颗粒包埋,经1600℃1h烧成。研究发现在高温及缺氧气氛条件下,埋Si基体试样烧后,在基体的表面反应形成了Si-SiO2-SiC涂层,反... 以石墨、白刚玉、矾土熟料、α-Al2O3为主要原料制备了碳复合材料的基体试样,将基体试样置于密闭的匣钵中并用Si颗粒包埋,经1600℃1h烧成。研究发现在高温及缺氧气氛条件下,埋Si基体试样烧后,在基体的表面反应形成了Si-SiO2-SiC涂层,反应过程的体积膨胀效应增加了表面涂层的密实度。在常压、空气中,烧后试样于1300℃分别进行0.4h和5h的氧化试验,结果表明随氧化时间的延长,试样表面的Si不断氧化,形成了连续、密实的SiO2薄膜,堵塞气体侵入的通道,赋予试样优良的抗氧化性能。在涂层与基体的结合部位为富含SiC的过渡连接层,在涂层的外表面为SiO2的表面涂层,涂层为具有良好抗热震性能的功能梯度涂层。 展开更多
关键词 碳复合材料 抗氧化性 Si—sio2-sic涂层
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SiO_2-SiC棚板的性能优化研究 被引量:4
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作者 陈永强 卜景龙 陈嘉庚 《耐火材料》 CAS 北大核心 2014年第4期285-287,共3页
为改善SiO2-SiC棚板的性能,特别是高温性能,以SiC、SiO2为主要原料,黏土粉、Al2O3和CaO微粉为添加剂,羧甲基纤维素为临时结合剂,研究了SiO2加入质量分数(2%、5%、8%、10%),热处理温度(分别为1 380、1 400、1 420、1 440、1 460和1 480... 为改善SiO2-SiC棚板的性能,特别是高温性能,以SiC、SiO2为主要原料,黏土粉、Al2O3和CaO微粉为添加剂,羧甲基纤维素为临时结合剂,研究了SiO2加入质量分数(2%、5%、8%、10%),热处理温度(分别为1 380、1 400、1 420、1 440、1 460和1 480℃),添加剂(分别为质量分数0.3%的黏土、Al2O3和CaO微粉)对试样性能的影响,并进行了生产应用。结果表明:1)SiO2加入量提高有利于常温强度的改善,但过高时对高温强度无益,SiO2的最佳加入质量分数为5%。2)提高热处理温度会明显改善SiO2-SiC材料的高温强度,但温度过高时,高温强度反而略有下降,较适宜的热处理温度为1 440℃左右。3)添加黏土、Al2O3和CaO微粉均能使SiO2-SiC材料的常温和高温强度有所提高;添加CaO微粉促进了SiO2的鳞石英化,试样的综合性能最好。4)生产试用结果表明,本研究中最佳试样的使用性能超过其他厂家的。 展开更多
关键词 sio2-sic sio2 高温抗折强度 热处理温度 微粉添加剂
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用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成 被引量:4
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作者 赵亮 王德君 +2 位作者 马继开 陈素华 王海波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期121-125,共5页
利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较... 利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较多,除Si^+成分外,还存在Si^2+和Si^3+两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜
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SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 被引量:2
5
作者 王德君 赵亮 +3 位作者 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期944-949,共6页
采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的... 采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的可靠性.结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面,同时存在着Si^,Si^2+,Si^3+ 3种低值氧化物,变角分析表明,一个分层模型适合于描述该过+渡区的成分分布.建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度.结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压(C-V)测试分析,揭示了过渡区成分与界面态的直接关系. 展开更多
关键词 sio2/SiC界面 4H—SiC ADXPS 界面态 缺陷
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Al_2O_3-SiC-SiO_2-C自流浇注料流变行为的研究 被引量:1
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作者 王战民 李少飞 +2 位作者 周丽红 曹喜营 李再耕 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期166-169,共4页
利用新开发的全组分浇注料流变仪,采用循环剪切、双重循环剪切和恒定剪切等方式,从滞后圈面积、时间触变系数和拆散触变系数等三个方面,研究了典型高炉出铁沟用Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料的触变性、剪切稀化等流变行为和流变特性。... 利用新开发的全组分浇注料流变仪,采用循环剪切、双重循环剪切和恒定剪切等方式,从滞后圈面积、时间触变系数和拆散触变系数等三个方面,研究了典型高炉出铁沟用Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料的触变性、剪切稀化等流变行为和流变特性。结果表明:新开发的全组分浇注料流变仪可以较好地表征浇注料的流变行为和流变特性;Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料循环剪切时上行线和下行线呈顺时针方向,表现为正触变性,下行线具有近Bingham的流体特征,为有一定屈服值的假塑性体,屈服应力指数τy为0.29,n=0.2884,k=0.2137;浇注料的时间触变系数B为0.0022,拆散触变系数M为0.061;浇注料在恒定剪切速度的作用下具有明显的剪切稀化现象。 展开更多
关键词 流变性能 触变性 Al2O3-sic-sio2-C质自流浇注料 全组分浇注料流变仪
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MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)
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作者 孙国胜 王雷 +4 位作者 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期982-985,976,共5页
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。 展开更多
关键词 3C—SiC LPCVD生长 Si台面 sio2/SI
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Mg_2SiO_4-SiC复相材料的常压烧结及性能研究 被引量:2
8
作者 杜磊 李晓云 +1 位作者 丘泰 陆鑫翔 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期8-10,共3页
在1500~1600℃氢气气氛下常压保温1h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为... 在1500~1600℃氢气气氛下常压保温1h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为1550℃,当[Al2O3+Y2O3]质量分数从0到7%逐渐增加时,该复相材料的显气孔率明显减小并趋于平稳;w(Al2O3+Y2O3)=5%时显气孔率最低达到0.36%。 展开更多
关键词 复相材料 Mg2sio4-sic 常压烧结 氢气 显气孔率
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MgTiO_3对Mg_2SiO_4-SiC复相材料烧结性能的影响 被引量:1
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作者 周萍 李晓云 +1 位作者 丘泰 杨建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期371-375,共5页
在采用传统固相法预合成Mg2SiO4和MgTiO3粉体的基础上,在H2气氛下常压烧结制备了Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料。研究了Mg2SiO4和MgTiO3的最佳原料配比及MgTiO3的添加量、烧结温度、保温时间对复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:M... 在采用传统固相法预合成Mg2SiO4和MgTiO3粉体的基础上,在H2气氛下常压烧结制备了Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料。研究了Mg2SiO4和MgTiO3的最佳原料配比及MgTiO3的添加量、烧结温度、保温时间对复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:Mg2SiO4粉的最佳Mg/Si物质的量比为2.02,MgTiO3粉的最佳Mg/Ti物质的量比为1,Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、MgTiO3和6H-SiC;MgTiO3的加入可促进材料烧结,最佳保温时间为1 h。 展开更多
关键词 MGTIO3 Mg2sio4-sic 常压烧结
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SiO2/4H-SiC界面氮化退火 被引量:1
10
作者 赵艳黎 李诚瞻 +2 位作者 陈喜明 王弋宇 申华军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期215-218,共4页
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数... 通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数。制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数。实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012cm-2·e V^(-1)@0.2 e V,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 sio2/4H-sic 氮化退火 界面态密度 平带电压 C-V磁滞电压 迁移率
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Synthesis of β-SiC/SiO_2 core-shell nanowires with the assistance of cerium oxide
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作者 于伟鹏 郑瑛 +2 位作者 杨娥 邱健斌 兰瑞芳 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期365-368,共4页
The β-SiC/SiO2 core-shell nanowires with the 'stem-and-node' structure were synthesized in the presence of cerium oxide by the carbothermal reduction of the starch-SiO2 hybrids gel.The samples were characteri... The β-SiC/SiO2 core-shell nanowires with the 'stem-and-node' structure were synthesized in the presence of cerium oxide by the carbothermal reduction of the starch-SiO2 hybrids gel.The samples were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) and energy-dispersed X-ray(EDX).The results showed that the nanowires consisted of a 20-35 nm diameter crystalline β-SiC core wrapped with a 2-5 n... 展开更多
关键词 β-sic/sio2 core-shell nanowires carbothermal reduction cerium oxide vapor-liquid-solid(VLS) mechanisms rare earths
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The influence of ablation products on the ablation resistance of C/C-SiC composites and the growth mechanism of SiO_2 nanowires
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作者 李县辉 燕青芝 +3 位作者 米应映 韩永军 温馨 葛昌纯 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期7-11,共5页
Ablation under oxyacetylene torch with heat flux of 4186.8(10%kW/m2 for 20 s was performed to evaluate the ablation resistance of C/C-SiC composites fabricated by chemical vapor infiltration(CVI) combined with liqu... Ablation under oxyacetylene torch with heat flux of 4186.8(10%kW/m2 for 20 s was performed to evaluate the ablation resistance of C/C-SiC composites fabricated by chemical vapor infiltration(CVI) combined with liquid silicon infiltration(LSI) process.The results indicated that C/C-SiC composites present a better ablation resistance than C/C composites without doped SiC.The doped SiC and the ablation products SiO2 derived from it play key roles in ablation process.Bulk quantities of SiO2 nanowires with diameter of 80 nm-150 nm and length of tens microns were observed on the surface of specimens after ablation.The growth mechanism of the SiO_2 nanowires was interpreted with a developed vapor-liquid-solid(VLS) driven by the temperature gradient. 展开更多
关键词 C/C-sic composites ablation products sio2 nanowires growth mechanism
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炭纤维表面SiC/SiO_2抗氧化涂层的溶胶凝胶法制备 被引量:10
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作者 夏克东 吕春祥 杨禹 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期208-214,共7页
采用溶胶凝胶法,并经高温热处理在炭纤维表面制备SiC/SiO2陶瓷涂层。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射、扫描电镜等分析SiC/SiO2涂层的结构与形貌。通过热重分析研究炭纤维涂层前后的抗氧化性能。结果表明,均匀、无裂纹的SiC/SiO2涂层... 采用溶胶凝胶法,并经高温热处理在炭纤维表面制备SiC/SiO2陶瓷涂层。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射、扫描电镜等分析SiC/SiO2涂层的结构与形貌。通过热重分析研究炭纤维涂层前后的抗氧化性能。结果表明,均匀、无裂纹的SiC/SiO2涂层可改善炭纤维的抗氧化性能,而且涂层炭纤维的抗氧化性能随着溶胶浓度和热处理温度的升高而增加。与原始炭纤维相比,具有300nm涂层厚度的炭纤维起始氧化温度提高了200℃。但是当涂层超过一定厚度时,涂层开裂脱落,炭纤维的抗氧化性能降低。SiC/SiO2涂层炭纤维的拉伸强度与原始纤维相比降低了37.7%,在700℃等温氧化90 min,涂层纤维的拉伸强度为1.37GPa,仍保留一定的强度。 展开更多
关键词 溶胶凝胶 炭纤维 抗氧化 SIC sio2涂层
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纳米SiO_2包覆SiC填充改性UHMWPE的热性能 被引量:3
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作者 黄安民 苏荣锦 刘燕青 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期48-52,共5页
采用纳米粒子表面包覆处理技术制备了纳米碳化硅/超高摩尔质量聚乙烯(SiC/UHMWPE)复合材料,并用傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重分析(TG)和差示扫描量热(DSC)进行了测试表征。结果表明:纳米SiC经包覆处理后... 采用纳米粒子表面包覆处理技术制备了纳米碳化硅/超高摩尔质量聚乙烯(SiC/UHMWPE)复合材料,并用傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、热重分析(TG)和差示扫描量热(DSC)进行了测试表征。结果表明:纳米SiC经包覆处理后表面有一层均匀致密的SiO2,包覆处理能改善SiC在UHMWPE基体中的分散效果。当SiC质量分数为5%时,UHMWPE/SiC复合材料具有较高的耐热性能和热导率,这是由于纳米粒子包覆改性纳米SiC与UHMWPE基体均匀分散并形成良好的结合界面,增加了填料对UHMWPE的成核作用,提高其结晶度和耐热性能。 展开更多
关键词 纳米包覆 纳米二氧化硅 纳米碳化硅 超高摩尔质量聚乙烯 热性能
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SiO_2/SiC界面过渡区结构研究 被引量:1
15
作者 朱巧智 王德君 +1 位作者 赵亮 李秀圣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期259-261,共3页
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1~1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界... 采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1~1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。 展开更多
关键词 sio2/SiC界面 4H-sic 变角X射线光电子能谱 缺陷
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SiC/SiO_2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的制备及应用 被引量:2
16
作者 孙维民 金浩宇 +2 位作者 赵兴凯 史桂梅 郑卓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期22151-22154,共4页
采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量... 采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量分析等手段研究了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的相结构、形貌、粒度、表面组成和氧化特性。用粘度计和VSM研究了制备的磁性润滑油的粘度和饱和磁化强度。 展开更多
关键词 SiC/sio2 纳米粒子 核/壳结构 磁性润滑油
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高温气冷堆燃料元件基体石墨的SiC/SiO2抗氧化涂层研究 被引量:3
17
作者 周家斌 付志强 +4 位作者 王成彪 吕建国 唐春和 梁彤祥 赵宏生 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期27-30,共4页
提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义。通过热力学分析确认了SiC/SiO2复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性。结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温... 提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义。通过热力学分析确认了SiC/SiO2复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性。结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温气冷堆燃料元件基体石墨表面制备出SiC/SiO2复合涂层;对涂覆SiC/SiO2复合涂层的高温气冷堆燃料元件基体石墨在各种氧化条件下的氧化行为进行了分析。结果表明在高温气冷堆用石墨可能遇到的多种氧化条件下,SiC/SiO2复合涂层均能够保持长期稳定并显著改善基体石墨的抗氧化性能。 展开更多
关键词 高温气冷堆 石墨 SiC/sio2复合涂层 抗氧化性能
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SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究 被引量:1
18
作者 朱巧智 王德君 赵亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期339-342,共4页
高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技... 高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。 展开更多
关键词 4H碳化硅 金属氧化物半导体 二氧化硅/碳化硅界面 变角X射线光电子能谱 湿氧二次氧化
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化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析 被引量:1
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作者 付志强 周家斌 +4 位作者 王成彪 唐春和 梁彤祥 赵宏生 ROBIN Jean-charles 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期68-71,共4页
SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系,但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明:载... SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系,但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明:载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要;合适的沉积温度为1100-1200℃;最佳反应物浓度为:SiCl4摩尔分数为1%-2%,沉积SiC涂层时CH4与SiCl4的摩尔比为1,沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4摩尔比为2,通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。 展开更多
关键词 SiC/sio2复合涂层 化学气相沉积 热力学分析
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SiC_f/SiO_2复合材料的制备及界面层对其力学性能的影响 被引量:2
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作者 张标 周万城 +3 位作者 于威 罗发 丁冬海 朱冬梅 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1041-1044,1063,共5页
以碳化硅(SiC)纤维为增强体,采用真空浸渍法制备了2.5维连续SiC纤维增韧的SiO2基(SiCf/SiO2)复合材料,研究了SiC纤维编织体上不同的界面层对SiCf/SiO2复合材料力学性能的影响.化学气相渗透(CVI)法制备的热解碳(PyC)和PyC/SiC双层界面层... 以碳化硅(SiC)纤维为增强体,采用真空浸渍法制备了2.5维连续SiC纤维增韧的SiO2基(SiCf/SiO2)复合材料,研究了SiC纤维编织体上不同的界面层对SiCf/SiO2复合材料力学性能的影响.化学气相渗透(CVI)法制备的热解碳(PyC)和PyC/SiC双层界面层分别使材料的抗弯强度由无界面层的52.2 MPa提高至67.4 MPa和180.3 MPa,但均使材料的韧性降低.用扫描电镜观察了材料的断口形貌,结果表明,PyC和PyC/SiC层不仅提高了材料的抗弯强度,而且增加了基体同纤维间的结合力,使基体有效地将载荷传递给纤维.PyC/SiC层能有效地保护SiC纤维,防止烧结过程中释放出的结晶水对纤维的损伤,有助于提高材料的力学性能. 展开更多
关键词 SIC纤维 硅溶胶 真空浸渍 力学性能 界面层 功能材料
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