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以APTES为硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉的吸波性能 被引量：9
1
作者 刚骏涛 冯旺军 +1 位作者 李靖 刘力源 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期773-777,799,共6页
以3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)为硅源,利用化学浴沉积法在羰基铁粉(CIP)表面包覆二氧化硅(SiO_2)获得SiO_2@CIP核壳结构复合吸波剂,采用多种技术手段表征了复合吸波剂的组成、形貌和结构;通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。结果显... 以3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)为硅源,利用化学浴沉积法在羰基铁粉(CIP)表面包覆二氧化硅(SiO_2)获得SiO_2@CIP核壳结构复合吸波剂,采用多种技术手段表征了复合吸波剂的组成、形貌和结构;通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。结果显示:APTES为硅源的包覆技术可制备SiO_2@CIP复合吸波剂,SiO_2包覆层的厚度约为10nm;用Agilent/HP-8720ET矢量网络分析仪对样品进行吸波性能分析,当吸波剂的涂覆层厚度为d=1.9mm时,在6.4GHz至11.4GHz波段范围的反射吸收率小于-10dB,最低反射吸收率达到-58.6dB。 展开更多
关键词 二氧化硅包覆羰基铁粉 复介电常数 复磁导率 反射吸收率
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