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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
1
作者
王新昌
叶志镇
+1 位作者
曹亮亮
赵炳辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期134-137,145,共5页
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原...
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。
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关键词
LiTaO3薄膜
sio2/si衬底
C轴取向
脉冲激光沉积
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职称材料
SiO_2/Si衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程观测
2
作者
刘海林
熊锐
李美亚
《物理实验》
北大核心
2009年第2期9-12,共4页
采用光学显微镜和原子力显微镜观测了光滑SiO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程.观测到成核退湿润过程为:初态时,在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,并且小孔随着时间的增加而逐渐变大,孔的尺寸的变化与时间成正比;终态时观测到聚苯乙...
采用光学显微镜和原子力显微镜观测了光滑SiO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程.观测到成核退湿润过程为:初态时,在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,并且小孔随着时间的增加而逐渐变大,孔的尺寸的变化与时间成正比;终态时观测到聚苯乙稀小球在SiO2衬底上的蜂窝状分布,聚苯乙稀小球的分布与薄膜表面的缺陷密切相关.
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关键词
退湿润过程
聚苯乙稀薄膜
sio2/si衬底
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职称材料
化学气相沉积可控制备超薄二维MoS2纳米片
被引量：
1
3
作者
郭宗亮
魏爱香
+2 位作者
肖志明
招瑜
刘俊
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第8期666-673,共8页
采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO3为反应剂、氩气为载气,在SiO2/Si衬底上制备超薄二维MoS2纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对...
采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO3为反应剂、氩气为载气,在SiO2/Si衬底上制备超薄二维MoS2纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对超薄MoS2纳米片的形貌、结构和光学性质的影响规律。结果表明:硫粉送入距离为17~25 cm时,距离MoO31 cm的SiO2/Si衬底上形成平行于衬底生长的二维MoS2纳米片;硫粉送入距离为25~29 cm时,MoO3正上方的SiO2/Si衬底上形成竖直排列的二维MoS2纳米片。通过调控硫粉送入距离和衬底的位置可以控制MoS2的形成过程,实现水平排列和垂直排列二维MoS2纳米片的可控生长。
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关键词
二维(
2
D)材料
化学气相沉积(CVD)
二硫化钼(MoS
2
)
纳米片
sio2/si衬底
原文传递
题名
脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
1
作者
王新昌
叶志镇
曹亮亮
赵炳辉
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期134-137,145,共5页
基金
国家自然科学基金重大研究规划项目资助(No.90101009)
文摘
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。
关键词
LiTaO3薄膜
sio2/si衬底
C轴取向
脉冲激光沉积
Keywords
LiTaO3 thin film
sio
2
/si
substrate
c-axis orientation
pulsed laser depo
si
tion
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
SiO_2/Si衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程观测
2
作者
刘海林
熊锐
李美亚
机构
武汉大学物理科学与技术学院
出处
《物理实验》
北大核心
2009年第2期9-12,共4页
文摘
采用光学显微镜和原子力显微镜观测了光滑SiO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程.观测到成核退湿润过程为:初态时,在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,并且小孔随着时间的增加而逐渐变大,孔的尺寸的变化与时间成正比;终态时观测到聚苯乙稀小球在SiO2衬底上的蜂窝状分布,聚苯乙稀小球的分布与薄膜表面的缺陷密切相关.
关键词
退湿润过程
聚苯乙稀薄膜
sio2/si衬底
Keywords
dewetting evolution
polystyrene films
sio
2
/si
substrate
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
化学气相沉积可控制备超薄二维MoS2纳米片
被引量：
1
3
作者
郭宗亮
魏爱香
肖志明
招瑜
刘俊
机构
广东工业大学材料与能源学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第8期666-673,共8页
基金
广东省科技计划项目(2016A010104020)
文摘
采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO3为反应剂、氩气为载气,在SiO2/Si衬底上制备超薄二维MoS2纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对超薄MoS2纳米片的形貌、结构和光学性质的影响规律。结果表明:硫粉送入距离为17~25 cm时,距离MoO31 cm的SiO2/Si衬底上形成平行于衬底生长的二维MoS2纳米片;硫粉送入距离为25~29 cm时,MoO3正上方的SiO2/Si衬底上形成竖直排列的二维MoS2纳米片。通过调控硫粉送入距离和衬底的位置可以控制MoS2的形成过程,实现水平排列和垂直排列二维MoS2纳米片的可控生长。
关键词
二维(
2
D)材料
化学气相沉积(CVD)
二硫化钼(MoS
2
)
纳米片
sio2/si衬底
Keywords
two-dimen
sio
nal(
2
D) material
chemical vapor depo
si
tion(CVD)
molybdenum disulfide(MoS
2
)
nano-flake
sio
2
/si
substrate
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
王新昌
叶志镇
曹亮亮
赵炳辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiO_2/Si衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程观测
刘海林
熊锐
李美亚
《物理实验》
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
化学气相沉积可控制备超薄二维MoS2纳米片
郭宗亮
魏爱香
肖志明
招瑜
刘俊
《微纳电子技术》
北大核心
2019
1
原文传递
已选择
0
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