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用气相色谱分析研究由Me2SiCl2与Li合成(Me2Si)6的反应
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作者 陈珊妹 West,Robert 《化学学报》 SCIE CAS 1985年第4期365-368,共4页
用气相色谱分析由MeSiCl(1)与Li在各阶段反应的生成物,发现除偶联反应外,还有环化、环转化平衡、聚合和裂解等反应,它们随反应条件的改变而变化.当反应液中含有催化量的MeSiSiPh(2)时,可以促进热力学稳定的(MeSi)的生成,进一步证明了亲... 用气相色谱分析由MeSiCl(1)与Li在各阶段反应的生成物,发现除偶联反应外,还有环化、环转化平衡、聚合和裂解等反应,它们随反应条件的改变而变化.当反应液中含有催化量的MeSiSiPh(2)时,可以促进热力学稳定的(MeSi)的生成,进一步证明了亲核试剂对合成(MeSi)的催化作用.在一定的反应条件下,产物的收率达80%以上. 展开更多
关键词 气相色谱分析 反应 Me2Si Me2sicl2 亲核试剂 类阴离子试剂 产物 聚硅烷 含硅高聚物 LI
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SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜 被引量:7
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作者 黄创君 林璇英 +3 位作者 林揆训 余云鹏 余楚迎 池凌飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期650-652,共3页
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素... 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 SiCl4/H2气源 低温生长 结晶度
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SiCl_4/H_2辉光放电等离子体中电子特性的在线检测
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作者 祝祖送 林揆训 +1 位作者 林璇英 邱桂明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1599-1602,共4页
SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系... SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系统各参数:气体压强、射频功率及氢稀释度RH的变化规律。实验结果表明:随着气体压强的升高,电子浓度不断增大而电子平均能量不断减小;增大射频功率或减小氢稀释度RH,电子浓度和电子平均能量都相应增大。此外,并对实验结果进行了定性或半定量分析。本研究工作将有助于更好地理解SiCl4/H2放电机理,改善并优化沉积优质多晶硅薄膜的工艺参数。 展开更多
关键词 加热Langmuir探针 电子特性 沉积速率 SiCl4/H2等离子体
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Langmuir探针对以SiCl_4/H_2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测
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作者 祝祖送 尹训昌 尤建村 《池州学院学报》 2015年第6期33-35,共3页
利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系... 利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 LANGMUIR探针 电子特性 SiCl4/H2等离子体 沉积速率
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Thermodynamic behaviors of SiCl_2 in silicon deposition by gas phase zinc reduction of silicon tetrachloride
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作者 侯彦青 聂陟枫 +3 位作者 谢刚 李荣兴 俞小花 Plant A Ramachandran 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期552-558,共7页
The modified Siemens process,which is the major process of producing polycrystalline silicon through current technologies,is a high temperature,slow,semi-batch process and the product is expensive primarily due to the... The modified Siemens process,which is the major process of producing polycrystalline silicon through current technologies,is a high temperature,slow,semi-batch process and the product is expensive primarily due to the large energy consumption.Therefore,the zinc reduction process,which can produce solar-grade silicon in a cost effective manner,should be redeveloped for these conditions.The SiCl2 generation ratio,which stands for the degree of the side reactions,can be decomposed to SiCl4 and ZnCl2 in gas phase zinc atmosphere in the exit where the temperature is very low.Therefore,the lower SiCl2 generation ratio is profitable with lower power consumption.Based on the thermodynamic data for the related pure substances,the relations of the SiCl2 generation ratio and pressure,temperature and the feed molar ratio(n(Zn)/n(SiCl4) are investigated and the graphs thereof are plotted.And the diagrams of Kpθ-T at standard atmosphere pressure have been plotted to account for the influence of temperature on the SiCl2 generation ratio.Furthermore,the diagram of Kpθ-T at different pressures have also been plotted to give an interpretation of the influence of pressure on the SiCl2 generation ratio.The results show that SiCl2 generation ratio increases with increasing temperature,and the higher pressure and excess gas phase zinc can restrict SiCl2 generation ratio.Finally,suitable operational conditions in the practical process of polycrystalline silicon manufacture by gas phase zinc reduction of SiCl4 have been established with 1200 K,0.2 MPa and the feed molar ratio(n(Zn) /n(SiCl4)) of 4 at the entrance.Under these conditions,SiCl2 generation ratio is very low,which indicates that the side reactions can be restricted and the energy consumption is reasonable. 展开更多
关键词 Polycrystalline silicon Thermodynamics Gas phase zinc reduction process sicl2 generation ratio
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Synthesis and Crystal Structure of (SiCl_3)_2Fe(CO)_4
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作者 陶弦 冯猛 +3 位作者 张义颖 李月琴 王宁 沈应中 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2009年第3期287-290,共4页
The compound (SiCl3)2Fe(CO)4 was synthesized and structurally characterized by X-ray single-crystal diffraction. It crystallizes in monoclinic, space group P2 1/n with α = 8.287(2), b = 9.829(2), c = 9.042(2... The compound (SiCl3)2Fe(CO)4 was synthesized and structurally characterized by X-ray single-crystal diffraction. It crystallizes in monoclinic, space group P2 1/n with α = 8.287(2), b = 9.829(2), c = 9.042(2) A, β = 96.19(3)°, V= 732.2(3) A^3, C4Cl6FeO4Si2, Mr = 436.77, Z = 2, Dc = 1.981 g/cm^3, F(000) = 424, μ(MoKα) = 2.282 mm^-1, the final R = 0.048 and wR = 0.164 for 1109 observed reflections (I 〉 2σ(I)). The crystal structure of (SiCl3)2Fe(CO)4 reveals that the Si(l)- Fe-Si(l)^a sequence is linear and perpendicular to the Fe(CO)4 cross-shaped plane. 展开更多
关键词 (SiCl3)2Fe(CO)4 single precursor Β-FESI2 crystal structure
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