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具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究 被引量：3
1
作者 彭华溢 汪再兴 +1 位作者 高金辉 保玉璠 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第1期50-56,共7页
场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场... 场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场分布均匀程度和峰值电场两方面分析击穿原理。研究结果表明,当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随场限环数量、结深和掺杂浓度的增大而先增大后减小;当场限环参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小;经验证在相同条件下,线性环间距设计的LDMOS击穿特性优于等环间距设计,且漂移区掺杂浓度越高,环掺杂浓度和环结深越小,失效场限环数量越多。 展开更多
关键词 sic ldmos 场限环 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布
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具有N/P埋层结构的SiC RESURF LDMOS器件特性研究
2
作者 王冰琪 汪再兴 +2 位作者 蔡艺 刘泊麟 李慧娟 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第11期1323-1330,共8页
为实现碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体(SiC LDMOS)器件的击穿电压与导通特性的协同优化,提出一种基于PN结辅助耗尽机制的N/P复合埋层降低表面电场(RESURF)结构。通过Silvaco TCAD仿真平台建立器件模型,系统探究漂移区掺杂浓度、埋层... 为实现碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体(SiC LDMOS)器件的击穿电压与导通特性的协同优化,提出一种基于PN结辅助耗尽机制的N/P复合埋层降低表面电场(RESURF)结构。通过Silvaco TCAD仿真平台建立器件模型,系统探究漂移区掺杂浓度、埋层宽度及埋层掺杂浓度对电场分布与器件特性的影响。研究结果表明:N埋层通过构建表面低阻通路,将比导通电阻降至1.48Ω·cm^(2),降幅达14.45%,其最优掺杂浓度为4×10^(15)cm^(-3);而P埋层与漂移区形成的纵向PN结使击穿电压提升至3538 V,较传统结构提高19.39%,最优掺杂浓度为3×10^(15) cm^(-3)。当漂移区掺杂浓度为2.5×10^(15)cm^(-3)、埋层宽度为6μm时,器件的品质因数达到8.46 MW·cm^(-2),性能提升62.69%,实现了击穿电压与比导通电阻的良好折中。 展开更多
关键词 sic ldmos 击穿电压 降低表面电场 横向电场分布 转移特性
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