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钆含量对CuSnTi铜基无银钎料在Si3N4陶瓷基板上润湿性能的影响
1
作者 孙会彪 金石磊 +2 位作者 马峰岭 李震奇 吴子华 《机械工程材料》 北大核心 2025年第12期70-74,共5页
采用离心搅拌法制备含质量分数0,0.25%,0.50%,1.00%钆的CuSnTi铜基无银钎料,将钎料焊膏滴加于Si_(3)N_(4)陶瓷基板后进行高温烧结,研究了钆含量对钎料在Si3N4陶瓷基板上润湿性能的影响。结果表明:随着钎料中钆含量增加,钎料在Si3N4陶瓷... 采用离心搅拌法制备含质量分数0,0.25%,0.50%,1.00%钆的CuSnTi铜基无银钎料,将钎料焊膏滴加于Si_(3)N_(4)陶瓷基板后进行高温烧结,研究了钆含量对钎料在Si3N4陶瓷基板上润湿性能的影响。结果表明:随着钎料中钆含量增加,钎料在Si3N4陶瓷基板上的润湿角先减小后增大,前驱膜宽度先增大后减小,润湿性能先升后降;含质量分数0.50%钆钎料的润湿角最小,前驱膜宽度最大,分别为18.84°,498.68μm,其在Si3N4陶瓷基板上形成的焊点表面平整、均匀,前驱膜宽度均一,润湿性能最佳。质量分数不高于0.50%时钆促进钎料中的钛元素以及Si_(3)N_(4)陶瓷中氮和硅元素的扩散,使得界面处形成的Cu_(3)Ti、TiN、Ti_(5)Si_(3)和TiSi_(2)等化合物增多,中间化合物层的厚度增加、连续性增强,从而提高钎料在Si3N4陶瓷基板上的润湿性能;过量钆沉积于Si3N4陶瓷表面,阻碍钛与陶瓷的接触,造成中间化合物层的厚度降低,导致润湿性能下降。 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 铜基无银钎料 钆含量 润湿机理
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Cr2O3催化氮化制备Si3N4/SiC耐火材料及其性能 被引量：5
2
作者 韩磊 赵万国 +3 位作者 李发亮 张俊 曾渊 张海军 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期72-76,共5页
以SiC粉和硅粉为原料,原位合成的Cr_2O_3为催化剂,采用催化氮化法制备了Si_3N_4/SiC耐火材料,研究了催化剂用量及氮化温度对耐火材料物相组成、微观形貌、物理性能和力学性能的影响。结果表明:当氮化温度为1 673K,Cr_2O_3含量(与硅粉质... 以SiC粉和硅粉为原料,原位合成的Cr_2O_3为催化剂,采用催化氮化法制备了Si_3N_4/SiC耐火材料,研究了催化剂用量及氮化温度对耐火材料物相组成、微观形貌、物理性能和力学性能的影响。结果表明:当氮化温度为1 673K,Cr_2O_3含量(与硅粉质量之比,下同)为3%时,硅粉完全氮化,耐火材料主要由颗粒状SiC和晶须状α-Si_3N_4、β-Si_3N_4等组成;随着Cr_2O_3含量的增加,Si_3N_4晶须的数量增多,长度增大,耐火材料变得致密;随氮化温度的升高,耐火材料的抗折强度和耐压强度均增大,当氮化温度为1 673K、Cr_2O_3含量为3%时,抗折强度和耐压强度均最大,分别为34MPa和132MPa。 展开更多
关键词 si3n4/SiC耐火材料 Cr2O3催化氮化 si3n4晶须 力学性能
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流延法制备Si3N4块体及Si3N4／BN层状材料
3
作者 昝青峰 黄勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期239-241,共3页
采用流延法制备了Ｓｉ３Ｎ４块体及Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ层状材料。流延法已经在陶瓷的制备工艺中得到了广泛的应用，但是很少用于Ｓｉ３Ｎ４体系，尤其是水基流延法。用流延法制备Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ层状材料时，可以较为容易的控制坯片的厚... 采用流延法制备了Ｓｉ３Ｎ４块体及Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ层状材料。流延法已经在陶瓷的制备工艺中得到了广泛的应用，但是很少用于Ｓｉ３Ｎ４体系，尤其是水基流延法。用流延法制备Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ层状材料时，可以较为容易的控制坯片的厚度，得到性能稳定的层状材料。 展开更多
关键词 流延法 si3n4 si3n4/BN层状材料 陶瓷材料
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LiAlO2为烧结助剂低温无压烧结制备致密Si3N4陶瓷 被引量：3
4
作者 郭昂 王战民 +1 位作者 赵世贤 李凌锋 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第3期191-195,共5页
以高α相含量的Si3N4粉体为主要原料,LiAlO2作为烧结助剂,在1650℃无压烧结制备Si3N4陶瓷。研究LiAlO2烧结助剂含量(质量分数分别为6%、9%、12%、15%、18%)及保温时间(1、4、7、10 h)对Si3N4陶瓷试样的线收缩率、质量损失率、相对密度... 以高α相含量的Si3N4粉体为主要原料,LiAlO2作为烧结助剂,在1650℃无压烧结制备Si3N4陶瓷。研究LiAlO2烧结助剂含量(质量分数分别为6%、9%、12%、15%、18%)及保温时间(1、4、7、10 h)对Si3N4陶瓷试样的线收缩率、质量损失率、相对密度、相组成以及显微结构的影响。结果表明:LiAlO2能够显著降低Si3N4陶瓷的致密化温度。随着LiAlO2含量的增加,试样的相对密度先增大后减小,烧结助剂含量为12%(w)时相对密度达到97%以上。而β-Si3N4转化率随着LiAlO2含量的增加而升高。LiAlO2含量为12%(w),保温时间为4 h时,试样的相对密度达到最高。随着保温时间继续延长,相对密度略有降低。但β-Si3N4转化率则随着保温时间延长而不断升高。 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 低温无压烧结 LiAlO2助烧剂 致密化 β-si3n4转化率
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反应烧结制备Si3N4/SiC复相陶瓷及其力学性能研究 被引量：7
5
作者 胡海龙 姚冬旭 +2 位作者 夏咏锋 左开慧 曾宇平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期594-598,共5页
以两种不同配比Y2O3/Al2O3(A,2:3;B,3:1,总量15 wt%)为烧结助剂,通过添加不同质量分数的SiC粉体,反应烧结制备了高强度的氮化硅/碳化硅复相陶瓷。并对材料的相组成、相对密度、显微结构和力学性能进行了分析。结果表明:在1700℃保温2 h... 以两种不同配比Y2O3/Al2O3(A,2:3;B,3:1,总量15 wt%)为烧结助剂,通过添加不同质量分数的SiC粉体,反应烧结制备了高强度的氮化硅/碳化硅复相陶瓷。并对材料的相组成、相对密度、显微结构和力学性能进行了分析。结果表明:在1700℃保温2 h情况下,烧结助剂A与B对应的样品中α-Si3N4相全部转化为β-Si3N4;添加5wt%SiC,烧结助剂A对应样品的相对密度达到最大值94.8%,且抗弯强度为521.8 MPa,相对于不添加SiC样品的抗弯强度(338.7 MPa)提高了约54.1%。SiC能有效改善氮化硅基陶瓷力学性能,且Si3N4/SiC复相陶瓷断裂以沿晶断裂方式为主。 展开更多
关键词 反应烧结 si3n4 SiC复相陶瓷 烧结助剂 SiC含量
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Cu-Ni-Ti非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷的界面结构及连接强度 被引量：9
6
作者 邓振华 易耀勇 +1 位作者 房卫萍 卢斌 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2013年第5期175-178,共4页
采用Cu-Ni-Ti非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷,利用SEM、EDS等分析手段研究了其钎焊界面的微观结构。结果表明:反应层由两部分组成,其中紧靠Si3N4陶瓷的反应层Ⅰ由TiN化合物组成,Ti-Si化合物构成了反应层Ⅱ。在1100℃×10 min下钎焊时,其接... 采用Cu-Ni-Ti非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷,利用SEM、EDS等分析手段研究了其钎焊界面的微观结构。结果表明:反应层由两部分组成,其中紧靠Si3N4陶瓷的反应层Ⅰ由TiN化合物组成,Ti-Si化合物构成了反应层Ⅱ。在1100℃×10 min下钎焊时,其接头强度有最大值284.6 MPa。在相同的钎焊工艺条件下,非晶钎料接头强度高于同成分晶态钎料。 展开更多
关键词 Cu-Ni-Ti 非晶钎料 si3n4陶瓷 界面结构 连接强度
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原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能 被引量：6
7
作者 夏咏锋 曾宇平 江东亮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期705-709,共5页
以氮化硅(Si_3N_4)和氧化铝(Al_2O_3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si_3N_4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si_3N_4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350℃以下,保温时间<4h时,随着烧... 以氮化硅(Si_3N_4)和氧化铝(Al_2O_3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si_3N_4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si_3N_4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350℃以下,保温时间<4h时,随着烧结温度的升高,保温时间的延长,样品的强度和介电常数增大;但条件超出这个范围,结果刚好相反;物相分析表明多孔陶瓷主要由Si_3N_4和Al_2O_3以及Si_3N_4氧化生成的SiO_2(方石英)组成.所制备的多孔Si_3N_4陶瓷的气孔率范围为25.34%～48.86%,抗弯强度为34.77～127.85MPa,介电常数为3.0～4.6,介电损耗约为0.002. 展开更多
关键词 si3n4多孔陶瓷 介电性能 反应结合 气孔率
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成型压力对原位氮化生成Si3N4结合MgO-C材料性能影响 被引量：3
8
作者 彭耐 邓承继 +2 位作者 祝洪喜 王少华 员文杰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2930-2933,共4页
以电熔镁砂、单质Si粉和鳞片石墨为主要原料,木质磺酸钙溶液(1.25g/mL)为结合剂,氮气气氛下分别于低温段1350℃氮化2h和高温段1500℃氮化3h制备成MgO-C材料。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别分析试样的物相组成和显微结构... 以电熔镁砂、单质Si粉和鳞片石墨为主要原料,木质磺酸钙溶液(1.25g/mL)为结合剂,氮气气氛下分别于低温段1350℃氮化2h和高温段1500℃氮化3h制备成MgO-C材料。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别分析试样的物相组成和显微结构,显气孔率、体积密度和耐压强度被用来表征试样的物理性能。结果表明:除500 MPa成型压力下试样内部生成少量的MgSiN2相外,不同成型压力氮化后试样的物相组成并无明显变化,主要生成α-Si3N4、β-Si3N4和少量的SiC相。试样内部原位氮化合成的β-Si3N4晶体主要呈现长柱状形貌。当成型压力为400MPa时,β-Si3N4晶体的尺寸最大,试样显气孔率最低,耐压强度最大。 展开更多
关键词 原位 成型压力 si3n4 MGO-C 氮化
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原位无压烧结制备Si2N2O-Si3N4复相陶瓷 被引量：3
9
作者 裴雨辰 李嘉禄 +1 位作者 于长清 李淑琴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期4-6,12,共4页
以Y2O3和Al2O3陶瓷粉体作为烧结助剂,原位无压液相烧结制备Si3N4-Si2N2O复相陶瓷,Si2N2O相通过SiO2+Si3N42Si2N2O反应生成。生坯采用注凝成型制备,然后在1780℃保温2h烧结,烧结体基本由板条状的Si2N2O及长柱状的-βSi3N4晶粒构成。Si2N2... 以Y2O3和Al2O3陶瓷粉体作为烧结助剂,原位无压液相烧结制备Si3N4-Si2N2O复相陶瓷,Si2N2O相通过SiO2+Si3N42Si2N2O反应生成。生坯采用注凝成型制备,然后在1780℃保温2h烧结,烧结体基本由板条状的Si2N2O及长柱状的-βSi3N4晶粒构成。Si2N2O陶瓷相对于Si3N4陶瓷而言,具有优异的抗氧化性能,低的弹性模量,以及低的热膨胀系数,因此,Si2N2O-Si3N4复相陶瓷结合了两者的优异性能,并大大提高了材料的热冲击性,材料的热冲击温差即使达到1200℃,其残余强度基本上没有变化。 展开更多
关键词 原位无压 SI2N2O si3n4 复相陶瓷
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BN含量对多孔BN／Si3N4陶瓷结构和性能的影响 被引量：3
10
作者 董薇 汪长安 +1 位作者 尉磊 欧阳世翕 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期125-129,共5页
以氮化硅(Si3N4)为基体,氮化硼(BN)为添加剂,叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型与无压烧结工艺(温度为1750℃、保温时间为1.5h、流动N2气氛),成功制备出具有一定强度和低介电常数的多孔BN/Si3N4陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分... 以氮化硅(Si3N4)为基体,氮化硼(BN)为添加剂,叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型与无压烧结工艺(温度为1750℃、保温时间为1.5h、流动N2气氛),成功制备出具有一定强度和低介电常数的多孔BN/Si3N4陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分数的基础上,研究了BN含量对多孔Si3N4陶瓷材料的气孔率、物相组成及显微结构的影响,分析了抗弯强度、介电常数与结构之间的关系。结果表明,通过改变BN含量可制备出气孔率为55.1%～66.2%的多孔Si3N4陶瓷;多孔BN/Si3N4复合陶瓷的介电常数随着BN含量的增加而减小,为3.39～2.25;抗弯强度随BN含量提高而有所下降,BN质量分数为2.5%时,抗弯强度最高,为(74.8±4.25)MPa。 展开更多
关键词 BN si3n4 多孔陶瓷 气孔率 介电常数 抗弯强度
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利用硅切割废砂浆制备Si3N4结合SiC耐火材料 被引量：6
11
作者 孙媛媛 唐惠东 +1 位作者 李龙珠 孙友宝 《耐火材料》 CAS 北大核心 2012年第6期450-451,455,共3页
以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35～35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯... 以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35～35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯体,在1 450℃氮气气氛中烧结制备了Si3N4结合SiC耐火材料,然后检测其常温抗折强度、显气孔率、体积密度,并进行XRD分析。结果表明:烧后试样的常温抗折强度较高,最高达50.2 MPa,但致密度较低,显气孔率在31.20%～35.64%之间;烧后试样中只有SiC和Si3N4两相,单质Si已完全氮化生成了Si3N4。 展开更多
关键词 si3n4结合SiC材料 硅切割废砂浆 反应烧结
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HIP—Si3N4陶瓷／45^#钢副干摩擦和水润滑下摩擦学性能 被引量：3
12
作者 闫玉涛 李保民 王丹 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期75-76,80,共3页
利用MPX2000型盘销式摩擦磨损试验机考察了HIPSi3N4陶瓷/45#钢副在干摩擦和水润滑下的摩擦磨损性能;用扫描电子显微镜观察了试件表面的磨损状态;采用X射线电子能谱仪分析了摩擦表面的化学成分。结果表明:干摩擦条件下,HIPSi3N4陶瓷的磨... 利用MPX2000型盘销式摩擦磨损试验机考察了HIPSi3N4陶瓷/45#钢副在干摩擦和水润滑下的摩擦磨损性能;用扫描电子显微镜观察了试件表面的磨损状态;采用X射线电子能谱仪分析了摩擦表面的化学成分。结果表明:干摩擦条件下,HIPSi3N4陶瓷的磨损速率比45#钢小,45#钢发生粘着磨损,HIPSi3N4陶瓷发生了脆性断裂和脱落;水润滑条件下,摩擦表面产生了Si(OH)4反应膜,降低了磨损,主要是化学腐蚀磨损。 展开更多
关键词 HIP—si3n4陶瓷 干摩擦 水润滑 粘着磨损 化学腐蚀磨损
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低分子量氯磺化聚乙烯对纳米Si3N4粉体表面处理 被引量：3
13
作者 武艳 钱家盛 +2 位作者 苗继斌 夏茹 章于川 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期629-632,共4页
用降解氯磺化聚乙烯橡胶(CSM)的方法制备了低分子量氯磺化聚乙烯(LMCSM),将其作大分子表面改性剂对纳米氮化硅(Si3N4)粉体进行表面修饰,对改性前后的纳米Si3N4粉体采用沉降实验、FT-IR、TEM、TGA等方法进行了表征。结果表明,LMCSM对纳米... 用降解氯磺化聚乙烯橡胶(CSM)的方法制备了低分子量氯磺化聚乙烯(LMCSM),将其作大分子表面改性剂对纳米氮化硅(Si3N4)粉体进行表面修饰,对改性前后的纳米Si3N4粉体采用沉降实验、FT-IR、TEM、TGA等方法进行了表征。结果表明,LMCSM对纳米Si3N4粉体的改性主要为化学改性,其化学利用率为54%,物理利用率为29%;改性后的纳米Si3N4粉体的表面自由能从142.6 J/M2降至66.89 J/M2,在三氯甲烷中分散良好。 展开更多
关键词 低分子量氯磺化聚乙烯 纳米si3n4粉体 大分子表面改性剂
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溶胶凝胶-碳热还原法制备Si3N4纳米粉末 被引量：5
14
作者 陈宏 穆柏春 赵连俊 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期114-118,共5页
以硅溶胶为硅源,有机碳为碳源,有机氮和氮气为氮源,先采用溶胶-凝胶法制备前驱体,然后进行碳热还原制备Si3N4陶瓷纳米粉体。主要研究了硅碳比、反应温度、氮气流量、保温时间等工艺因素对氮化硅粉体生成的影响。碳热还原制备Si3N4纳米... 以硅溶胶为硅源,有机碳为碳源,有机氮和氮气为氮源,先采用溶胶-凝胶法制备前驱体,然后进行碳热还原制备Si3N4陶瓷纳米粉体。主要研究了硅碳比、反应温度、氮气流量、保温时间等工艺因素对氮化硅粉体生成的影响。碳热还原制备Si3N4纳米粉体的最佳工艺条件为:碳硅比(摩尔比)为3.5∶1,氮气流量为3L/min,煅烧温度为1500℃,保温时间2h。在以上最佳工艺条件下,可制备出纯的Si3N4纳米粉体,其中α-氮化硅为90.8%,β-氮化硅为9.2%,平均粒径为43.82nm。 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 纳米粉体 溶胶凝胶 碳热还原 前驱体
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热压烧结制备Si3N4-MLG复合陶瓷及其物理力学性能研究 被引量：5
15
作者 陈威 赵自强 +2 位作者 娄瑞 李华强 陈亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期42-49,共8页
以微米级Si3N4和多层石墨烯(MLG)为原始粉体,利用热压烧结的方式制备Si3N4-MLG复相陶瓷,对比研究了烧结温度以及分散剂PEG对Si3N4-MLG复相陶中多层石墨烯结构特征、复合陶瓷物理力学性能以及微观组织结构的影响。结果显示,掺入多层石墨... 以微米级Si3N4和多层石墨烯(MLG)为原始粉体,利用热压烧结的方式制备Si3N4-MLG复相陶瓷,对比研究了烧结温度以及分散剂PEG对Si3N4-MLG复相陶中多层石墨烯结构特征、复合陶瓷物理力学性能以及微观组织结构的影响。结果显示,掺入多层石墨烯可有效抑制Si3N4晶粒长大,起到较好的增韧效果;烧结温度升高促进Si3N4相变,但会加剧多层石墨烯缺陷,促使晶粒过度长大,烧结温度为1700℃时为宜;掺入分散剂PEG,化学修饰加剧多层石墨烯的缺陷,并促使多层石墨烯发生桥连而聚沉,致使致密度和物理力学性能下降。总体而言,利用机械球磨分散工艺,采用合理的烧结工艺,复相陶瓷中的多层石墨烯层数减少,制备获得的Si3N4-MLG复相陶瓷具有与单相Si3N4相近的致密度和硬度,断裂韧性较单相Si3N4提高13.2%。 展开更多
关键词 si3n4-MLG 致密度 力学性能 微观形貌
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AZ31B镁合金表面几个熔覆Al-Si基纳米Si3N4的试验研究 被引量：2
16
作者 葛亚琼 王文先 +1 位作者 崔泽琴 王鑫 《应用激光》 CSCD 北大核心 2015年第2期145-149,共5页
以变形镁合金AZ31B为试验基材，在其表面采用高功率CO2气体激光熔覆了A1-si基纳米si3N4粉末。采用金相观察、X射线衍射分析、能谱分析、硬度测试和腐蚀性能测试等手段，研究了激光熔覆层的微观组织结构及表面性能。研究结果表明，激光... 以变形镁合金AZ31B为试验基材，在其表面采用高功率CO2气体激光熔覆了A1-si基纳米si3N4粉末。采用金相观察、X射线衍射分析、能谱分析、硬度测试和腐蚀性能测试等手段，研究了激光熔覆层的微观组织结构及表面性能。研究结果表明，激光熔覆层主要由上部的树枝晶、中部呈线性排列的黑色相和下部的粗大树枝晶组成。当纳米氮化硅含量为1％时，熔覆层主要由Al、AlN、Al9Si和Mg2Si组成。熔覆层的硬度最高达到235HV0．05，是镁合金基体的4～5倍。熔覆层的耐腐蚀性能得到了改善，其腐蚀电位为-1204mV，比母材提高了382mV；腐蚀电流密度为0．0705mA·cm^-2，比母材降低了约一个数量级。 展开更多
关键词 镁合金 激光熔覆 纳米si3n4粉末 组织性能
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复合化学镀(Ni-P)-Si3N4纳米微粒复合镀层研究--表面活性剂的影响 被引量：4
17
作者 万家瑰 骆华峰 安永庆 《电镀与精饰》 CAS 2008年第12期13-15,40,共4页
采用化学镀方法制备(Ni-P)-Si_3N_4纳米微粒复合镀层,研究了不同类型表面活性剂及分散方式对镀液中纳米粉体分散稳定性的影响。结果表明:采用超声波加阴离子表面活性剂分散纳米粉体,可提高镀液中纳米颗粒的分散和稳定性;提高了镀层的硬... 采用化学镀方法制备(Ni-P)-Si_3N_4纳米微粒复合镀层,研究了不同类型表面活性剂及分散方式对镀液中纳米粉体分散稳定性的影响。结果表明:采用超声波加阴离子表面活性剂分散纳米粉体,可提高镀液中纳米颗粒的分散和稳定性;提高了镀层的硬度,使复合镀层的耐蚀性比Ni-P合金镀层提高20%～50%,耐磨性提高将近4倍。 展开更多
关键词 复合化学镀 si3n4纳米微粒 表面活性剂 分散
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添加剂对Si粉直接氮化工艺中α-Si3N4含量的影响 被引量：4
18
作者 乐红志 田贵山 李素珍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期370-375,共6页
通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SE... 通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SEM检测分析发现,添加适量NH4Cl、FeCl3可大幅提高Si3N4粉体中α-Si3N4的含量,最高可达88.3%,但FeCl3的含量过高时,则可显著降低α-Si3N4的含量。研究还发现添加NH4Cl、FeCl3还可降低Si粉发生氮化反应的起始温度。 展开更多
关键词 添加剂 Si粉直接氮化 α-si3n4
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Si3N4对Al2O3-尖晶石-SiC-C铁沟料性能的影响 被引量：1
19
作者 李友胜 李楠 《中国材料科技与设备》 2007年第2期64-66,共3页
本文采用电熔刚玉、镁铝尖晶石、SiC、球状沥青和Si3N4为主要原料，借助XRD和EDAX分析技术，研究了Si3N4加入量对Al2O3-尖晶石-SiC-C质出铁沟浇注料常温物理性能和抗渣性能的影响。结果表明：随着Si3N4加入量的增加，浇注料的显气孔率... 本文采用电熔刚玉、镁铝尖晶石、SiC、球状沥青和Si3N4为主要原料，借助XRD和EDAX分析技术，研究了Si3N4加入量对Al2O3-尖晶石-SiC-C质出铁沟浇注料常温物理性能和抗渣性能的影响。结果表明：随着Si3N4加入量的增加，浇注料的显气孔率变化不大，体积密度逐渐减小，1100℃及1500℃埋炭烧成后的抗折和耐压强度逐渐增大，当Si3N4加入量超过4％（质量分数，下同）时，浇注料的体积密度有所增大，抗折和耐压强度显著提高；浇注料在埋炭气氛下抗渣性能优良，氧化气氛下的侵蚀指数明显增大，且随着Si3N4加入量的增加，浇注料的侵蚀指数呈现出先增大后减小的趋势。本文对浇注料的性能变化进行了探讨。 展开更多
关键词 Al2O3-尖晶石-SiC—C 出铁沟浇注料 si3n4 物理性能 抗渣性
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β-Si3N4涂层辅助定向生长高效多晶硅的研究
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作者 糜长成 蔡延焕 +3 位作者 周兵 董慧 戚凤鸣 黄新明 《特种铸造及有色合金》 CAS 北大核心 2019年第8期823-827,共5页
Si3N4是铸造多晶硅锭常用的脱模材料,颗粒状的α相与棒状的β相是Si3N4涂层中常见的两种生成相。石英坩埚底部铺设的Si3N4涂层严重影响着晶体品质。采用α,β两种不同主导相的Si3N4制作涂层。结果表明,β相主导的Si3N4涂层,可以提高脱... Si3N4是铸造多晶硅锭常用的脱模材料,颗粒状的α相与棒状的β相是Si3N4涂层中常见的两种生成相。石英坩埚底部铺设的Si3N4涂层严重影响着晶体品质。采用α,β两种不同主导相的Si3N4制作涂层。结果表明,β相主导的Si3N4涂层,可以提高脱模和引晶效果,降低硅锭底部红区高度。 展开更多
关键词 α-si3n4 Β-si3n4 主导相 引晶 脱模
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