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Bi4Si3O(12)晶列结构中的晶粒变化趋势和相关性分析 被引量:5
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作者 张争光 王秀峰 田清泉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期454-458,共5页
在常压下用烧结法制备了具有高有序晶列结构的Bi4Si3O12微晶。利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和环境扫描电镜(Environmental Scanning Electron Microscopy,ESEM)分析了生成晶体的物相和微观形貌。结果表明:生成的是纯的立方相Bi... 在常压下用烧结法制备了具有高有序晶列结构的Bi4Si3O12微晶。利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和环境扫描电镜(Environmental Scanning Electron Microscopy,ESEM)分析了生成晶体的物相和微观形貌。结果表明:生成的是纯的立方相Bi4Si3O12晶体。Bi4Si3O12晶粒总是成对分布,且排列成行,从而形成高有序的晶列结构。其晶粒尺寸变化趋势有两种,一种是逐渐增大或者减小,另一种是晶粒尺寸在某一区域值内基本保持不变。在大多数情况下,每个晶行两侧的晶粒变化趋势具有一致性,每行两侧的晶粒尺寸具有高度的正相关特性。如果某行两侧的晶粒尺寸变化趋势不一致,而且晶粒尺寸不相关,则该行两侧晶粒应该属于两种不同的变化趋势。 展开更多
关键词 Bi4si3o(12) 晶列结构 晶粒尺寸变化趋势 高度正相关
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外电场作用下Si3O3分子的基态结构及激发特性
2
作者 徐国亮 刘雪峰 +2 位作者 谢会香 刘玉芳 张现周 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期69-72,共4页
采用杂化CIS-DFT方法,计算了不同外电场作用下Si3O3分子的基态结构参数,在此基础上研究了分子由基态到前8个激发态的激发能,吸收光谱,振子强度,跃迁矩阵元等激发特性.由计算结果可知,分子的基态结构及激发特性对外电场有着较强的依赖关系.
关键词 si3o3 激发特性 外电场 CIS-DFT
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First-Principles Study of Ca3Sc2Si3O12: Ce3+ Phosphors
3
作者 丁文 闻军 +4 位作者 程军 宁利新 黄玉成 段昌奎 尹民 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2015年第2期150-154,I0001,共6页
Charge compensation plays a very important role in modifying the local atomic structure and moreover the spectroscopic property of an isolated luminescent center, and so has been widely adopted in phosphor designs. In... Charge compensation plays a very important role in modifying the local atomic structure and moreover the spectroscopic property of an isolated luminescent center, and so has been widely adopted in phosphor designs. In this work, we carry out first-principles calculations on various cases of Ce3+ centers in Ca3Sc2Si3O12 by considering the effects of the charge com- pensations related to N3-, Sc3+, Mn2+, Mg2+, and Na+. Firstly, the local structures around Ce3+ are optimized by using density functional theory calculations with supercell model. The 4f→5d transition energies of Ce3+ are then obtained from the CASSCF/CASPT2/RASSI-SO calculations performed on Ce3+-centered embedded clusters. The calculated energies support the previous assignments of the experimental spectra. Especially, a previously unclear peak is identified to be caused by Sc3+ substituting Si4+. The results show that the first-principles calculations can be used as an effective tool for predicting and interpreting spectroscopic properties of the phosphors. 展开更多
关键词 Ca3Sc2si3o12:Ce3+ 4f→5d transition FIRST-PRINCIPLES Charge compensation Excitation spectra
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双读出量能器用闪烁晶体研究进展 被引量:11
4
作者 肖学峰 徐家跃 向卫东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期347-357,共11页
双读出量能器是一种全新设计的高能粒子探测装置,它能同时测量到Cherenkov光和闪烁光,因而能更全面地获得高能粒子的信息。目前,双读出量能器主要有三种设计方式:(1)采用石英纤维产生Cherenkov光,塑料闪烁纤维生成闪烁光;(2)分别以未掺... 双读出量能器是一种全新设计的高能粒子探测装置,它能同时测量到Cherenkov光和闪烁光,因而能更全面地获得高能粒子的信息。目前,双读出量能器主要有三种设计方式:(1)采用石英纤维产生Cherenkov光,塑料闪烁纤维生成闪烁光;(2)分别以未掺杂的晶体纤维作为Cherenkov辐射体、Ce掺杂的同种晶体纤维作为闪烁体;(3)采用同种闪烁晶体有效分离Cherenkov光和闪烁光。第三种设计可以消除取样涨落、提高量能器的分辨率,因而备受关注。本文基于第三种设计方式探讨了钨酸铅(PbWO4)、锗酸铋(Bi4Ge3O12)、硅酸铋(Bi4Si3O12)和镥铝石榴石(Lu3Al5O12)四种。闪烁晶体在双读出量能器方面的研究进展和可能的应用。Pr掺杂PWO晶体以及硅酸铋晶体都有可能用于双读出量能器,而后者由于吸收边比锗酸铋更短,更易于分离Cherenkov光和闪烁光,在双读出量能器应用方面显示出明显的优势。稀土离子掺杂有望进一步提高硅酸铋晶体的性能,开发出更适合双读出应用的闪烁材料。 展开更多
关键词 闪烁晶体 双读出 Cherenkov光 Bi4si3o12 综述
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Bi_4Si_3O_(12)基玻璃陶瓷的制备及热处理对其光学性能的影响 被引量:7
5
作者 王晨阳 胡关钦 +1 位作者 王红 赵景泰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期167-171,共5页
采用阶梯热处理的方式对Bi2O3-SiO2基玻璃进行析晶处理,得到了具有不同结晶率和透明度的Bi4Si3O12(BSO)基玻璃陶瓷。实验表明,分段热处理有利于控制BSO基玻璃陶瓷中晶粒的数量和尺寸,从而影响玻璃陶瓷的透明度和发光性质。分段热... 采用阶梯热处理的方式对Bi2O3-SiO2基玻璃进行析晶处理,得到了具有不同结晶率和透明度的Bi4Si3O12(BSO)基玻璃陶瓷。实验表明,分段热处理有利于控制BSO基玻璃陶瓷中晶粒的数量和尺寸,从而影响玻璃陶瓷的透明度和发光性质。分段热处理后样品的透射谱显示,BSO基玻璃陶瓷(在600℃保温1h,然后升温至8000C保温1h)的透过率可达73.1%(λ〉500nm)。制备出的BSO基玻璃陶瓷具有和BSO单晶相似的发光性质,在可见光波段(380-680nm)有发光,且发光强度与结晶率成正比。低温(14K)下,该BSO基玻璃陶瓷的发光强度较室温下提高了约12倍。 展开更多
关键词 Bi4si3o12 玻璃陶瓷 热处理 发光性质
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微波场作用下白光LED用绿色荧光粉Ca_3Sc_2Si_3O_(12)∶Ce的快速合成及其发光特性 被引量:8
6
作者 冯春燕 孟媛 +2 位作者 刘小丽 王敬贤 杨琳 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期87-91,共5页
采用微波法快速合成了Ca3Sc2Si3O12∶Ce绿色荧光粉。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物的结构、形貌、以及发光特性进行了研究。结果表明:材料的晶体结构与Ca3Sc2Si3O12的相同,属于立方晶系,具有Ia3d空... 采用微波法快速合成了Ca3Sc2Si3O12∶Ce绿色荧光粉。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物的结构、形貌、以及发光特性进行了研究。结果表明:材料的晶体结构与Ca3Sc2Si3O12的相同,属于立方晶系,具有Ia3d空间群。颗粒的形貌为类球形,分散性很好,尺寸小于1μm。激发光谱为一位于400~500 nm的宽带,可与蓝光LED芯片匹配使用。发射光谱也呈现为一宽带,发射主峰位于505 nm,该宽峰对应于Ce3+离子的5d-2F5/2及5d-2F7/2能级跃迁。研究发现Ce的掺杂浓度对样品主发射峰的发光强度有着很重要的影响,Ca3-xSc2Si3O12∶Cex荧光粉的最佳掺杂浓度为x=0.10时达到最大,继续增加Ce的浓度发光强度反而降低。 展开更多
关键词 Ca3Sc2si3o12∶Ce 微波法 激发光谱 发射光谱
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Ca_3Y_2Si_3O_(12)∶Tm^(3+),Yb^(3+)上转换发光粉的制备与发光性能研究 被引量:2
7
作者 付姚 冷静 +2 位作者 邢明铭 田莹 罗昔贤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期561-566,共6页
采用高温固相法成功制备了Ca_3Y_2Si_3O_(12)∶Tm^(3+),Yb^(3+)上转换蓝色发光材料。在980 nm红外激光器激发下,发光粉呈现强烈的蓝光(475 nm)和近红外光(810 nm)以及较弱的红光(650 nm)发射,分别归因于Tm^(3+)离子的~1G_4→~3H_6、~3H_... 采用高温固相法成功制备了Ca_3Y_2Si_3O_(12)∶Tm^(3+),Yb^(3+)上转换蓝色发光材料。在980 nm红外激光器激发下,发光粉呈现强烈的蓝光(475 nm)和近红外光(810 nm)以及较弱的红光(650 nm)发射,分别归因于Tm^(3+)离子的~1G_4→~3H_6、~3H_4→~3H_6和~1G_4→~3F_4能级跃迁。随着Yb^(3+)离子浓度的增加,发光粉上转换发射强度和发光亮度均呈现先增强后减弱的变化趋势。在最佳掺杂浓度下(Yb^(3+)摩尔分数为15%),蓝、红光强度分支比为12∶1,色坐标为(0.129 2,0.152 3)。在3.9 W/cm^2激发功率密度下,发光亮度可达6.8 cd/m^2。上述结果证实,所制备发光粉呈现优异的蓝光上转换发射特性并具有潜在的应用价值。发光强度和激发光功率关系表明,所得上转换发射为三光子和双光子吸收过程。借助Tm-Yb体系能级结构详细讨论了上转换发射的跃迁机制。 展开更多
关键词 Ca3Y2si3o12∶Tm3+ Yb3+ 上转换发光 硅酸盐 发光粉 980 nm激发
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Bi^(3+)共掺和能量传递对BaY_2Si_3O_(10):Eu^(3+)发光的调制和增强 被引量:1
8
作者 崔跃鹏 胡正发 +4 位作者 叶定华 张伟 盛霞 罗莉 王银海 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期641-647,共7页
荧光粉BaY_2Si_3O_(10):Bi^(3+),Eu^(3+)经高温固相法制备并由X-ray衍射谱仪分析其物相结构。实验结果显示Bi^(3+)共掺下BaY_2Si_3O_(10):Eu^(3+)的激发光谱呈现一个有明显增强的宽电荷转移带(CTB)和系列Eu^(3+)的f-f窄吸收峰,发射谱为E... 荧光粉BaY_2Si_3O_(10):Bi^(3+),Eu^(3+)经高温固相法制备并由X-ray衍射谱仪分析其物相结构。实验结果显示Bi^(3+)共掺下BaY_2Si_3O_(10):Eu^(3+)的激发光谱呈现一个有明显增强的宽电荷转移带(CTB)和系列Eu^(3+)的f-f窄吸收峰,发射谱为Eu^(3+)的~5D_0—~7F_J橙-红光发射。当用285 nm紫外光激发时,Bi^(3+)到Eu^(3+)间存在有效的能量传递,导致Bi^(3+)的宽带紫外发射(中心345 nm)强度减弱,而Eu^(3+)的橙-红光发射显著增强;随着Eu^(3+)浓度的增加,能量传递效率也随之提高。最佳Eu^(3+)浓度为0.4摩尔百分比,此后荧光粉发射强度发生浓度猝灭。结果表明Bi^(3+)共掺时明显改善和提升荧光粉在电荷转移带(200~350 nm)的激发效率。Bi^(3+)到Eu^(3+)间主要的能量传递机制是通过四极-四极相互作用实现,并且能量传递的临界作用距离是1.604 nm。 展开更多
关键词 材料 荧光粉 高温固相法 BI^3+ Eu^3+共掺 BaY2si3o10
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化学共沉淀法制备Ba_2Si_3O_8:Eu^(2+)荧光粉及其发光特性 被引量:1
9
作者 曹仕秀 彭玲玲 +2 位作者 魏宁 韩涛 曾绍强 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期561-564,共4页
采用化学共沉淀法制备了Ba2-x Si3O8:xEu2+绿色荧光粉。用X射线衍射仪、荧光分光光度计及光色综合测试系统等对Ba2-x Si3O8:xEu2+绿色荧光粉的相结构、发光性能进行了测试。结果表明:其激发光谱峰位于380 nm,可以被InGaN管芯产生的300~... 采用化学共沉淀法制备了Ba2-x Si3O8:xEu2+绿色荧光粉。用X射线衍射仪、荧光分光光度计及光色综合测试系统等对Ba2-x Si3O8:xEu2+绿色荧光粉的相结构、发光性能进行了测试。结果表明:其激发光谱峰位于380 nm,可以被InGaN管芯产生的300~410 nm辐射有效激发;在波长为378 nm近紫外光激发下,其发射光谱谱峰位于502 nm处。Ba2-x Si3O8:xEu2+绿色荧光粉的发光强度随Eu2+掺杂量的增加而增强,当Eu2+掺杂量x为0.06时,发光强度达到最大值,而后开始降低,发生浓度猝灭;根据Dexter能量共振理论,其自身的浓度猝灭是由电偶极—电偶极相互作用引起的。 展开更多
关键词 化学共沉淀法 发光特性 Ba2si3o8:Eu2+ 荧光粉
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发光颜色可调的硅酸盐长余辉发光材料Ba_4(Si_3O_8)_2:Eu^(2+),Ce^(3+),Dy^(3+) 被引量:2
10
作者 龚宇 王明孝 +1 位作者 任建波 王育华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期973-978,共6页
在还原气氛下利用高温固相法制备了Ba3.982-x(Si3O8)2∶0.008Eu2+,xCe3+,0.01Dy3+系列样品。光谱分析表明,Ce3+进入到晶格中将取代不同Ba2+格位从而形成不同的发光中心。通过Ce3+→Eu2+的能量传递,得到了一系列发光颜色可调、余辉颜色... 在还原气氛下利用高温固相法制备了Ba3.982-x(Si3O8)2∶0.008Eu2+,xCe3+,0.01Dy3+系列样品。光谱分析表明,Ce3+进入到晶格中将取代不同Ba2+格位从而形成不同的发光中心。通过Ce3+→Eu2+的能量传递,得到了一系列发光颜色可调、余辉颜色为绿色的长余辉发光材料。Ce3+的掺入可以增大样品的余辉强度但是同时缩短了样品的余辉时间。热释光谱的分析表明,Ce3+的掺入可以同时增加浅陷阱T1和深陷阱T3的数量,深陷阱对载流子的再捕获效应导致了样品余辉强度的增大和余辉时间的缩短。 展开更多
关键词 长余辉 颜色可调 Ba4(si3o8)2 热释光
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硅酸铋(Bi_4Si_3O_(12))晶列结构中的晶粒尺寸和晶粒夹角分布 被引量:1
11
作者 张争光 王秀峰 田清泉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期800-804,共5页
在常压下使用烧结法制备了高有序的Bi4Si3O12晶体。利用X射线衍射(XRD)分析了生成晶体的物相,通过环境扫描电镜(ESEM)观察了Bi4Si3O12晶体的微观形貌。用单样本Kolmogorov-Smirnov(K-S)法分别对晶粒的尺寸和夹角进行了统计学检验。结果... 在常压下使用烧结法制备了高有序的Bi4Si3O12晶体。利用X射线衍射(XRD)分析了生成晶体的物相,通过环境扫描电镜(ESEM)观察了Bi4Si3O12晶体的微观形貌。用单样本Kolmogorov-Smirnov(K-S)法分别对晶粒的尺寸和夹角进行了统计学检验。结果显示:生成物为eulytite结构的Bi4Si3O12晶相。Bi4Si3O12晶粒总是成对分布,并且排列成行,形成高度有序的晶列结构。每行每侧的晶粒尺寸分布都遵循正态分布。每行成对晶粒取向之间的夹角遵循正态分布,而且所有行中的成对晶粒取向之夹角也服从正态分布,其总体夹角的平均值为122.3°,标准差为11.1°。 展开更多
关键词 Bi4si3o12 晶列结构 晶粒尺寸 晶粒夹角 Kolmogorov-Smirnov检验
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Bi_4Si_3O_(12)晶体的水热法生长研究
12
作者 何小玲 周海涛 +4 位作者 王金亮 霍汉德 张昌龙 左艳彬 卢福华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1475-1479,共5页
采用水热法,以固相烧结的化学计量比(2Bi2O3∶3SiO2)的玻璃态Bi4Si3O12做培养料,以Na OH溶液为矿化剂,研究了在水热体系下形成Bi4Si3O12晶体的相区。结果发现,在生长温度为380~500℃,矿化剂浓度为1.5~4 mol/L时,自发成核生成的晶粒均... 采用水热法,以固相烧结的化学计量比(2Bi2O3∶3SiO2)的玻璃态Bi4Si3O12做培养料,以Na OH溶液为矿化剂,研究了在水热体系下形成Bi4Si3O12晶体的相区。结果发现,在生长温度为380~500℃,矿化剂浓度为1.5~4 mol/L时,自发成核生成的晶粒均为Bi4Si3O12和Bi12SiO20两种物相。通过在矿化剂溶液中外加一定量的SiO2,得到完全纯相的Bi4Si3O12,并生长出尺寸超过8 mm的Bi4Si3O12单晶。无论在矿化剂溶液中是否添加SiO2,生长的Bi4Si3O12都呈四面体形状,显露面以{112}面族为主,Bi4Si3O12晶体的这一结晶习性能够用周期性键链(PBC)理论予以解释。 展开更多
关键词 Bi4si3o12 水热法 结晶习性
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均匀实验优化Bi_4Si_3O_(12)粉体制备工艺
13
作者 江红涛 王秀峰 +2 位作者 于成龙 张铁 杨何 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期451-456,共6页
本文运用均匀实验设计,研究各工艺参数(原料比,球磨时间,保温时间,煅烧温度等)对固相法制备Bi4Si3O12粉体的影响。通过均匀实验数据直观分析,可以初步确定煅烧温度为800~850℃,氧化铋的挥发量可以忽略。并进行SPSS数据处理可知,煅烧... 本文运用均匀实验设计,研究各工艺参数(原料比,球磨时间,保温时间,煅烧温度等)对固相法制备Bi4Si3O12粉体的影响。通过均匀实验数据直观分析,可以初步确定煅烧温度为800~850℃,氧化铋的挥发量可以忽略。并进行SPSS数据处理可知,煅烧温度对杂相数目的影响显著,其余因素为不显著。最终确定最佳纯度的Bi4Si3O12粉体制备工艺参数:Bi2O3∶SiO2(mol%)为1∶1.5,球磨时间为5 h,煅烧温度为830℃,保温时间3 h。 展开更多
关键词 均匀实验 Bi4si3o12粉体 SPSS数据处理
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长余辉材料Ba_4(Si_3O_8)_2:Eu^(2+),Nd^(3+)的发光与长余辉特性
14
作者 杨中服 胡义华 +1 位作者 陈丽 王小涓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期12070-12073,12078,共5页
使用高温固相法合成了长余辉发光材料Ba3.88-x(Si3O8)2∶0.12Eu2+,xNd3+。实验分别获得了样品的晶体结构、激发与发射谱、余辉衰减、热释光等信息。样品呈现Eu2+的宽带发射,发射峰位在495nm,Nd3+的共掺没有引入新的发光中心;Nd3+共掺对... 使用高温固相法合成了长余辉发光材料Ba3.88-x(Si3O8)2∶0.12Eu2+,xNd3+。实验分别获得了样品的晶体结构、激发与发射谱、余辉衰减、热释光等信息。样品呈现Eu2+的宽带发射,发射峰位在495nm,Nd3+的共掺没有引入新的发光中心;Nd3+共掺对材料的荧光强度和余辉强度都有明显的提高,并延长了余辉时间,Nd3+共掺的最优比例为x=0.04,此条件下材料的肉眼可视的余辉时间从Eu2+单掺的约20min延长至1h;通过对样品的不同等待时间的热释光分析,发现热释光峰位随时间向高温方向移动,过程中半高宽基本不变,对称因子μg维持在0.52左右,对应的陷阱深度为0.89eV,陷阱释放载流子的过程可视为二阶动力学过程。 展开更多
关键词 长余辉 Ba4(si3o8)2 Nd3+ 二阶动力学
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高有序Bi_4Si_3O_(12)微晶列结构特征分析
15
作者 张争光 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1133-1137,共5页
在常压下使用烧结法制备了具有高有序结构的Bi4Si3O12微晶。利用X射线衍射分析了生成样品的物相,通过环境扫描电镜观察了Bi4Si3O12晶体微观形貌。用单样本Kolmogorov-Smirnov法分别对晶粒夹角进行了统计学检验。结果显示:在一个稳定的... 在常压下使用烧结法制备了具有高有序结构的Bi4Si3O12微晶。利用X射线衍射分析了生成样品的物相,通过环境扫描电镜观察了Bi4Si3O12晶体微观形貌。用单样本Kolmogorov-Smirnov法分别对晶粒夹角进行了统计学检验。结果显示:在一个稳定的硅酸铋晶列中晶粒成对分布。在一个晶行的一侧,晶粒取向和该晶行发育方向之间的夹角服从正态分布。晶行一侧的晶粒取向夹角的大小范围为53.9°~68.9°。一个稳定晶行一侧的平均晶粒夹角和晶粒尺寸之间具有高度的正相关性。如果稳定晶行一侧的平均晶粒夹角超过稳定晶列中晶粒夹角范围的最大值(68.9°),对应侧的高有序的晶列结构将会被破坏。然而,一侧有序结构的局部湮灭过程不会对晶行另一侧的高有序结构产生任何影响。 展开更多
关键词 Bi4si3o12 晶列结构 晶粒夹角 湮灭
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化学溶液分解法制备硅酸铋粉体及其表征 被引量:3
16
作者 朱常任 王秀峰 +1 位作者 江红涛 郭宏伟 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期20-22,共3页
以正硅酸乙酯和五水硝酸铋为原料,采用化学溶液分解法制备Bi4Si3O12粉体。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了粉体的相结构和形貌,研究了正硅酸乙酯的用量对粉体相组成的影响。结果表明,前驱物粉体在650℃下煅烧1小时,得到了单一的Bi4... 以正硅酸乙酯和五水硝酸铋为原料,采用化学溶液分解法制备Bi4Si3O12粉体。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了粉体的相结构和形貌,研究了正硅酸乙酯的用量对粉体相组成的影响。结果表明,前驱物粉体在650℃下煅烧1小时,得到了单一的Bi4Si3O12的粉体;颗粒大小为3~5μm,由若干个大小为300~500nm的晶粒组成为多孔的网状结构;当铋硅比(摩尔比)的用量为1∶2时,可以制备出相组成完全为Bi4Si3O12的粉体。 展开更多
关键词 Bi4si3o12 化学溶液分解法 多孔网状结构
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Bi_4Si_3O_(12):Sm^(3+)荧光粉的制备及发光性能的研究 被引量:3
17
作者 张方圆 谢建军 +5 位作者 汪暾 林德宝 肖维勤 施鹰 雷芳 章蕾 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第8期1493-1497,共5页
采用溶胶凝胶法制备了Bi_4Si_3O_(12):Sm^(3+)荧光粉体,并用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对Bi_4Si_3O_(12):Sm^(3+)荧光粉的结构和发光性能进行表征。研究发现:在850℃煅烧下得到Bi_4Si_3O_(12)纯相;PL谱表明该粉体从... 采用溶胶凝胶法制备了Bi_4Si_3O_(12):Sm^(3+)荧光粉体,并用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对Bi_4Si_3O_(12):Sm^(3+)荧光粉的结构和发光性能进行表征。研究发现:在850℃煅烧下得到Bi_4Si_3O_(12)纯相;PL谱表明该粉体从近紫外到蓝光范围内都可以得到有效激发。在紫外光激发下,产物有4个发射峰,分别位于468 nm和563 nm,600 nm,649 nm,归属于Bi^(3+)的3P1→1S0跃迁和Sm^(3+)的~4G_(5/2)→~6H_J(J=5/2,7/2,9/2)能级跃迁,并对Bi^(3+)和Sm^(3+)之间的能量传递机制进行讨论。在467 nm的蓝光激发下粉体呈现橙黄色发光,发射峰来源于Sm^(3+)的~4G_(5/2)→~6H_J特征辐射跃迁,且最强发射峰位于563 nm处,Sm^(3+)的最佳掺杂浓度为3mol%。 展开更多
关键词 Bi4si3o12:Sm3+荧光粉 溶胶凝胶法 发光性能 白光LED
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Bi_4Si_3O_(12)-Bi_4Ge_3O_(12)赝二元系统析晶行为及其晶体生长 被引量:2
18
作者 杨波波 徐家跃 +3 位作者 申慧 张彦 陆宝亮 江国健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期13-16,共4页
本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0~0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0~0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互... 本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0~0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0~0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长。采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能。 展开更多
关键词 Bi4si3o12-Bi4Ge3O12 析晶行为 坩埚下降法 晶体生长.
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溶胶-凝胶法制备Bi_4Si_3O_(12)薄膜的工艺参数影响研究 被引量:1
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作者 郭正青 谢建军 +2 位作者 朱晓邢 施鹰 雷芳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1575-1581,共7页
采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺,在石英玻璃衬底上制备了Bi4Si3O12(BSO)多晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计表征了薄膜的物相... 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺,在石英玻璃衬底上制备了Bi4Si3O12(BSO)多晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计表征了薄膜的物相结构、微观形貌及其光学性质,系统研究了制备过程中的溶胶组成和热处理工艺参数对薄膜性能的影响。结果表明,前驱体溶胶经750℃热处理6 h可得到单相的BSO薄膜;预热处理可显著改善薄膜的形貌,降低冷却速率可明显减少薄膜裂纹,增强薄膜发光强度;在溶胶中加入乙二醇乙醚可显著提高薄膜的表面平整度;薄膜的透过率随着裂纹数量的减少明显提高。 展开更多
关键词 Bi4si3o12薄膜 溶胶-凝胶法 形貌
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空间质子与电子综合辐照作用下甲基硅橡胶破坏模型 被引量:5
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作者 张丽新 徐洲 何世禹 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第7期725-728,共4页
利用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子、电子综合辐照试验 .质子、电子的辐照能量均为 15 0keV ,辐照剂量均为 10 16cm-2 .质谱测试发现 ,综合辐照过程中有CH3 Si(O)CH3 气体生成 .量子化学计算表明 ,H+ 直接进攻硅橡胶高分... 利用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子、电子综合辐照试验 .质子、电子的辐照能量均为 15 0keV ,辐照剂量均为 10 16cm-2 .质谱测试发现 ,综合辐照过程中有CH3 Si(O)CH3 气体生成 .量子化学计算表明 ,H+ 直接进攻硅橡胶高分子链中的氧而导致高分子链断裂的过程要放热 65 5 3 4kJ/mol,是唯一的放热反应通道 .这一过程不会形成稳定的过渡态和中间体 ,而是直接形成断键产物 .计算分析结果与综合辐照形成的气体产物CH3 Si(O)CH3 相吻合 . 展开更多
关键词 航天材料 空间质子辐照 空间电子辐照 综合辐照 甲基硅橡胶 破坏模型 质谱 CH3Si(O)CH3气体 密度泛函 高分子链断裂
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