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Phase Formation Mechanism of Al-Si-Ge Filler Metals Based on Thermodynamics Calculation
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作者 Huang Sen Long Weimin +3 位作者 Shan Jiguo Jiang Chao Jing Peiyao Zhang Guanxing 《稀有金属材料与工程》 北大核心 2025年第2期293-300,共8页
A series of Al-xSi-yGe filler metals(x=4–12 and y=10–40,wt%)were prepared,and the effect of Si and Ge on microstructure and melting characteristics of filler metals was studied.The thermodynamic model of Al-Si-Ge te... A series of Al-xSi-yGe filler metals(x=4–12 and y=10–40,wt%)were prepared,and the effect of Si and Ge on microstructure and melting characteristics of filler metals was studied.The thermodynamic model of Al-Si-Ge ternary alloy was established to analyze the phase formation mechanism of filler metals based on Miedema model,Tanaka model,and Toop equation.This research provided a basis for the composition optimization of filler metals and the analysis of metallurgical reaction process between filler metals and base materials.Results show that Al-Si-Ge alloy is composed of Al-Ge eutectic phase,Al-Si eutectic phase,and primary Si.Ge addition promotes the precipitation of primary Si.Ge is the main melting point depressant element of filler metals.With the increase in Ge content from 10wt%to 40wt%,the solid phase line of filler metals remains unchanged,whereas the liquidus temperature decreases from 567.65°C to 499.96°C.With the increase in Ge content of filler metal,Ge content in eutectic Si phase is increased,the endothermic peak of Al-Si eutectic reaction according to thermogravimetry curve becomes smoother,and Al-Si eutectic temperature is decreased.Ge addition can reduce the free energy of Al-Si alloy system.The lowest point of free energy is located on Al-Ge side.The eutectic Ge phase with the composition similar to pure Ge composition is the most likely to appear in the microstructure of filler metals,whereas the eutectic Si phase with the composition similar to pure Si composition is the least likely to appear.The thermodynamic calculation results are consistent with the experiment results. 展开更多
关键词 Al-si-ge filler metals MICROSTRUCTURE THERMODYNAMICS phase formation mechanism
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Al-Si-Ge钎料钎焊Cu/Al接头组织与性能研究 被引量:9
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作者 牛志伟 叶政 +3 位作者 刘凯凯 黄继华 陈树海 赵兴科 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期719-725,共7页
首次采用Al-5.6Si-25.2Ge钎料对Cu/Al异种金属进行了炉中钎焊,分别从钎料的熔化特性、铺展润湿性、Cu侧界面组织以及钎焊接头强度等方面进行了系统研究,并与Zn-22Al钎料钎焊结果进行对比。结果表明,Al-5.6Si-25.2Ge钎料具有较低的熔化温... 首次采用Al-5.6Si-25.2Ge钎料对Cu/Al异种金属进行了炉中钎焊,分别从钎料的熔化特性、铺展润湿性、Cu侧界面组织以及钎焊接头强度等方面进行了系统研究,并与Zn-22Al钎料钎焊结果进行对比。结果表明,Al-5.6Si-25.2Ge钎料具有较低的熔化温度(约541℃),同时在Cu、Al母材上均具有良好的铺展润湿性。Al-5.6Si-25.2Ge/Cu界面由CuAl_2/CuAl/Cu_3Al_2三层化合物组成,其中CuAl和Cu_3Al_2呈层状,厚度较薄,仅为1~2 mm;CuAl_2呈胞状,平均厚度约为3 mm。Zn-22Al/Cu界面结构为CuAl_2/CuAl/Cu_9Al_4,其中CuAl_2层平均厚度高达15 mm。接头抗剪切强度测试结果表明,Zn-22Al钎料钎焊Cu/Al接头抗剪切强度仅为42.7 MPa,而Al-5.6Si-25.2Ge钎料钎焊Cu/Al接头具有更高的抗剪切强度,为53.4 MPa。 展开更多
关键词 Al-si-ge钎料 Cu/Al接头 界面组织 抗剪强度
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Al-Si-Ge-Zn钎料钎焊6061铝合金接头组织与性能分析 被引量:8
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作者 牛志伟 黄继华 +1 位作者 刘凯凯 许方钊 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期97-101,共5页
采用新型Al-Si-Ge-Zn钎料钎焊6061铝合金,对钎料及钎焊接头的组织和性能进行了分析,并与Al-Si-Zn和Al-Si-Ge钎料进行了对比.结果表明,Al-Si-Ge钎料熔点较低,但高的Ge元素含量促使钎缝中形成粗大的脆性初生Ge Si相,恶化了钎焊接头组织和... 采用新型Al-Si-Ge-Zn钎料钎焊6061铝合金,对钎料及钎焊接头的组织和性能进行了分析,并与Al-Si-Zn和Al-Si-Ge钎料进行了对比.结果表明,Al-Si-Ge钎料熔点较低,但高的Ge元素含量促使钎缝中形成粗大的脆性初生Ge Si相,恶化了钎焊接头组织和性能;Al-Si-Zn钎料由于Zn元素含量较高,引起钎缝中Si元素偏析聚集为大片状,严重影响钎焊接头的力学性能;向Al-Si共晶中添加适量的Ge和Zn元素,维持了较低的钎料熔化温度,同时细化了钎料合金的显微组织,脆性初生Ge Si相和片状硅相消失,细小分散的锗,硅固溶体相均匀分布在α-Al基体中.采用Al-Si-Ge-Zn钎料钎焊6061铝合金,钎焊接头抗剪强度最大. 展开更多
关键词 6061铝合金 Al-si-ge-Zn钎料 抗剪强度 显微组织
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Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟
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作者 毛陆虹 郭维廉 +2 位作者 陈培毅 牛萍娟 沙亚男 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期141-143,共3页
在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高... 在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高了注入效率 ;同时又增大了迁移率 ,从而提高特征频率。因此 ,这种器件具有 β高、基区电阻低。 展开更多
关键词 混合模式晶体管 si-ge异质结 三端特性 BMHMT
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原材料Gd对Gd-Si-Ge合金巨磁热效应影响的研究 被引量:12
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作者 吴卫 赵平 +3 位作者 姜自莲 李远辉 朱向东 周廷栋 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期962-964,共3页
采用国产钆制作Gd-Si-Ge合金,测量H-M曲线,计算磁熵变(-ΔSm)判断其磁热效应。发现采用商业级钆配制合金时,由于杂质抑制了材料的一级相变,未发现巨磁热效应。经提纯后的钆尽管没有Ames实验室的纯度高,但配制的合金具有典型的一级相变,-... 采用国产钆制作Gd-Si-Ge合金,测量H-M曲线,计算磁熵变(-ΔSm)判断其磁热效应。发现采用商业级钆配制合金时,由于杂质抑制了材料的一级相变,未发现巨磁热效应。经提纯后的钆尽管没有Ames实验室的纯度高,但配制的合金具有典型的一级相变,-ΔSm值基本上达到Ames实验室报道的数据,而且居里点有所提高。 展开更多
关键词 GD Gd—Si—Ge合金 巨磁热效应
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Study on Gd-Si-Ge Alloys Using Domestic Gd 被引量:2
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作者 吴卫 卢定伟 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第5期654-657,共4页
To evaluate the possibility of using Gd-Si-Ge alloys in magnetic refrigerators, samples of Gd-Si-Ge alloys were made of domestic Gd. The magnetocaloric effect of samples was estimated by magnetic entropy change (-ΔS_... To evaluate the possibility of using Gd-Si-Ge alloys in magnetic refrigerators, samples of Gd-Si-Ge alloys were made of domestic Gd. The magnetocaloric effect of samples was estimated by magnetic entropy change (-ΔS_m) calculated from M-H curves according to Maxwell relation. The first order phase transformation was destroyed due to the impurities in the commercial Gd, so that no giant magnetocaloric effect was found. The samples made of purified Gd exhibit first order phase transformation, and the -ΔS_m is basically consistent with the published data of Ames laboratory, USA. This work proves that Gd-Si-Ge alloys made of domestic Gd can be utilized in magnetic refrigerators. 展开更多
关键词 metal materials giant magnetocaloric effect Gd-si-ge alloys GD IMPURITY rare earths
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Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
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作者 郭维廉 毛陆虹 +3 位作者 李树荣 郑云光 王静 吴霞宛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期306-312,共7页
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从... 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代 展开更多
关键词 基区 混合模式晶体管 硅-锗异质结 器件模拟
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A Calorimetric Study Assisted with First Principle Calculations of Specific Heat for Si-Ge Alloys within a Broad Temperature Range
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作者 王庆 王海鹏 +2 位作者 耿德路 李明星 魏炳波 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第12期37-40,共4页
Calorimetric measurements are performed to determine the specific heat of Si-xat.% Ge(where x = 0, 10, 30,50, 70, 90 and 100) alloys within a broad temperature range from 123 to 823 K. The measured specific heat incre... Calorimetric measurements are performed to determine the specific heat of Si-xat.% Ge(where x = 0, 10, 30,50, 70, 90 and 100) alloys within a broad temperature range from 123 to 823 K. The measured specific heat increases dramatically at low temperatures, and the composition dependence of specific heat is evaluated from the experimental results. Meanwhile, the specific heat at constant volume, the thermal expansion, and the bulk modulus of Si and Ge are investigated by the first principle calculations combined with the quasiharmonic approximation. The negative thermal expansion is observed for both Si and Ge. Furthermore, the isobaric specific heat of Si and Ge is calculated correspondingly from OK to their melting points, which is verified by the measured results and accounts for the temperature dependence in a still boarder range. 展开更多
关键词 Ge Si A Calorimetric Study Assisted with First Principle Calculations of Specific Heat for si-ge Alloys within a Broad Temperature Range
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Si-Ge核壳纳米线禁带宽度的形貌效应
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作者 贺言 韩太坤 +1 位作者 祁玲敏 朱伟玲 《广东石油化工学院学报》 2019年第6期68-72,共5页
基于连续介质力学和键弛豫理论等方法,从原子键长和键强的变化以及应变的角度出发研究了包括三边形、四边形、六边形和圆形等不同形貌Si纳米线的能隙。研究结果表明,表面原子,特别是顶角和棱边上的原子,对多边形纳米线能带结构会产生重... 基于连续介质力学和键弛豫理论等方法,从原子键长和键强的变化以及应变的角度出发研究了包括三边形、四边形、六边形和圆形等不同形貌Si纳米线的能隙。研究结果表明,表面原子,特别是顶角和棱边上的原子,对多边形纳米线能带结构会产生重大影响。此外,研究发现纳米线的能隙随尺寸的减少而增大,并且Ge外延层厚度的改变也可实现对能带的调控。结果与实验测量吻合较好,这也说明该理论方法的可行,可为今后分析多边形核壳纳米结构的能隙以及为Si基材料的应用提供借鉴。 展开更多
关键词 si-ge核壳纳米线 能隙 形貌效应
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Gd-Si-Ge材料为基的主动磁致冷剂及磁致冷装置与工艺
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作者 邱巨峰 《稀土信息》 1998年第11期14-14,共1页
本专利提供一种主动磁蓄热器及将Gd<sub>5</sub>(Si<sub>x</sub>Ge<sub>1-x</sub>)<sub>4</sub>(x≤0.5)材料用作磁致冷剂的致冷方法。Gd<sub>5</sub>(Si<sub>x&l... 本专利提供一种主动磁蓄热器及将Gd<sub>5</sub>(Si<sub>x</sub>Ge<sub>1-x</sub>)<sub>4</sub>(x≤0.5)材料用作磁致冷剂的致冷方法。Gd<sub>5</sub>(Si<sub>x</sub>Ge<sub>1-x</sub>)<sub>4</sub>磁致冷剂具有可逆的铁磁—反铁磁或铁磁Ⅱ-铁磁Ⅰ一级相变,并具有优异的磁热性能。对于磁蓄热器商业化应用,这种新型磁致冷剂比现有的磁致冷剂效率更高。通过调整Gd<sub>5</sub>(Si<sub>x</sub>Ge<sub>1-x</sub>)<sub>4</sub> 展开更多
关键词 致冷剂 磁致冷 蓄热器 si-ge 动磁 磁热性能 一级相变温度 二级相变温度 铁磁—反铁磁 商业化应用
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RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池 被引量:7
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作者 曹宇 张建军 +6 位作者 李天微 黄振华 马俊 杨旭 倪牮 耿新华 赵颖 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期924-929,共6页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-Si... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600nm的情况下,获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1 100nm处的光谱响应达5.49%。 展开更多
关键词 微晶si-ge(μc-SiGe H) 衬底温度 太阳电池
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在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究 被引量:3
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作者 张冲 叶辉 +2 位作者 张磊 皇甫幼睿 刘旭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7765-7772,共8页
在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相... 在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件. 展开更多
关键词 硅锗外延生长 反射式高能电子衍射 表面重构 透射式衍射花样
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没有缺陷的Si-Ge材料
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作者 杨英惠 《现代材料动态》 2005年第2期7-7,共1页
美国俄亥俄大学制成了无缺陷的Si-Ge固溶体材料,这种材料可用于制造高速、廉价的计算机芯片,还可制造高质量发光器件和太阳能电池。
关键词 si-ge材料 美国俄亥俄大学 固溶体材料 性能
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不同浓度的Si Ge对水稻幼苗生长的影响 被引量:3
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作者 刘文菊 梁秀华 +2 位作者 薛宝民 郭友红 吴玉红 《农业环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期881-884,共4页
利用人工控制光温条件的水培方法,研究了不同浓度的Si、Ge对水稻幼苗生长的影响。结果表明,对水稻幼苗进行Ge处理后,各处理之间的生物量均有所降低。在相同Ge浓度处理时,随着Si浓度的升高,生物量有增加的趋势。随着Ge处理浓度的增加,水... 利用人工控制光温条件的水培方法,研究了不同浓度的Si、Ge对水稻幼苗生长的影响。结果表明,对水稻幼苗进行Ge处理后,各处理之间的生物量均有所降低。在相同Ge浓度处理时,随着Si浓度的升高,生物量有增加的趋势。随着Ge处理浓度的增加,水稻地上部分含水量逐渐减少,对幼苗的毒害程度越来越严重,地上部Ge的浓度也呈逐渐增加的趋势。而随着Si的加入,毒害症状减轻,对于Ge2.5,Ge5.0,Ge10.0mg·L-1处理的植株而言,Ge含量均表现为降低的趋势。这说明Si对水稻植株吸收Ge有一定的拮抗作用。结果还表明,随着Si浓度的增加,水稻地上部含Si量明显上升,但Ge含量则呈降低趋势,即Si的加入减缓了水稻幼苗的Ge毒害。此外,通过对根系进行一定时间的浸泡,能有效除去吸附于根表及累积于根质外体中的Ge,从而为准确测定根细胞中的Ge提供了较为准确有效的方法。 展开更多
关键词 水稻 si-ge拮抗作用 毒害
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Effects of germanium additions on microstructures and properties of Al-Si filler metals for brazing aluminum 被引量:2
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作者 牛志伟 黄继华 +1 位作者 陈树海 赵兴科 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第3期775-782,共8页
A series of Al?Si?Ge filler metals were studied for brazing aluminum. The microstructures and properties of the filler metals were investigated systematically. The results show that the liquidus temperature of Al?Si?G... A series of Al?Si?Ge filler metals were studied for brazing aluminum. The microstructures and properties of the filler metals were investigated systematically. The results show that the liquidus temperature of Al?Si?Ge filler metals drops from 592 to 519 °C as the content of Ge increases from 0 to 30% (mass fraction). As the content of Ge increases, bright eutectic Ge forms. However, as the Ge content exceeds 20%, the aggregation growth of the eutectic structure tends to happen and coarsened primary Si?Ge particle forms, which is detrimental to the properties of alloys. The Al?10.8Si?10Ge filler metal has good processability and wettability with the base metal Al. When this filler metal is used to braze 1060 aluminum, the complete joint can be achieved. Furthermore, the shear strength test results show that the fracture of brazed joint with Al?10.8Si?10Ge filler metal occurs in the base metal. 展开更多
关键词 Al-si-ge filler microstructure brazed joint shear strength 1060 aluminum
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基于BSIM-CMG紧凑模型的锗核-硅壳NSFET的SPICE建模
16
作者 马英杰 王悦杨 +1 位作者 李清华 刘伟景 《微电子学》 北大核心 2025年第5期836-845,共10页
锗核-硅壳纳米片场效应晶体管(锗核-硅壳NSFET)是一种在纳米片结构中引入壳-核沟道的新型器件,基于伯克利短沟道栅绝缘场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型结合TCAD仿真进行直流特性建模。通过MeQLab开展点(Point)模型基本参数提取... 锗核-硅壳纳米片场效应晶体管(锗核-硅壳NSFET)是一种在纳米片结构中引入壳-核沟道的新型器件,基于伯克利短沟道栅绝缘场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型结合TCAD仿真进行直流特性建模。通过MeQLab开展点(Point)模型基本参数提取,高阶物理效应参数提取,分组(Bin)模型及边界(Corner)模型的构建。建模过程中采用等效思想描述了量子阱导通机理与高阶物理效应对电学特性的影响。Point模型平均误差为2.09%,Bin模型验证结果良好,Corner模型符合预期。该模型可以在不同温度下准确描述不同尺寸锗核-硅壳NSFET的电学特性,可为针对新型器件的模型研究与电路应用提供参考。 展开更多
关键词 锗核-硅壳纳米片场效应晶体管(锗核-硅壳NSFET) TCAD 伯克利短沟道栅绝缘场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 物理效应 参数提取
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“肚腹三里留”的中医理论发微
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作者 陈丽婷 董卫国 《中医临床研究》 2025年第10期30-33,共4页
经络是针灸学的核心内容。人体通过经络系统“内属脏腑,外络肢节”而成为一个有机的整体。中医学在整体观念指导下进行经络辨证诊断和治疗。脏腑与经络之间的关系,是某些腧穴具有经穴特异性的基础,也是中医理论的一大特色。从经络辨证... 经络是针灸学的核心内容。人体通过经络系统“内属脏腑,外络肢节”而成为一个有机的整体。中医学在整体观念指导下进行经络辨证诊断和治疗。脏腑与经络之间的关系,是某些腧穴具有经穴特异性的基础,也是中医理论的一大特色。从经络辨证角度来看,阳明经多血多气,足三里穴是足阳明胃经重要的腧穴,刺激足三里穴可以调节胃经的经气,从而治疗肚腹内其他脏腑疾病,此法一直被广泛应用于临床实践中。四总穴歌中有“肚腹三里留”之说,它简明地阐述了取足三里穴可治疗肚腹相关脏腑病症的方法。医家一般从足阳明胃经的经脉、经别、经筋循行于肚腹部,表里经、同名经和胃经本经的作用及足三里穴为胃经合穴等角度解释其机制,多数临床案例以消化系统为主进行验证,而肚腹部脏腑除消化系统外还应包括泌尿生殖系统。本研究从脑肠同调、子午对冲理论及胃经与肾经互合等角度深入阐释其中医理论机制,以充实足三里穴治疗肚腹疾病的理论基础。 展开更多
关键词 四总穴歌 足三里穴 子午流注 五门十变
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Ge元素的添加对Co-V-Si高温形状记忆合金的组织和热稳定性能的影响
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作者 王翠萍 黄路生 +4 位作者 张晏清 张锦彬 蒋恒星 杨水源 刘兴军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期2607-2614,共8页
对Co(64)V(16)Si(20)形状记忆合金中的硅元素用锗元素取代进行了研究。系统研究了Co(64)V(16)Si(20-x)Gex(x=2,4,6,8,at%)系列合金在热循环过程中的组织、马氏体转变、热循环稳定性和微观结构演化。当x=2时,合金为具有D0(22)结构的单相... 对Co(64)V(16)Si(20)形状记忆合金中的硅元素用锗元素取代进行了研究。系统研究了Co(64)V(16)Si(20-x)Gex(x=2,4,6,8,at%)系列合金在热循环过程中的组织、马氏体转变、热循环稳定性和微观结构演化。当x=2时,合金为具有D0(22)结构的单相马氏体组织。随着Ge含量增加到4 at%和6 at%,观察到(αCo)相和D0(22)马氏体相的两相组织。当Ge含量达到8 at%时,合金呈现(αCo)相+D0(22)马氏体相+R相的三相组织。结果表明,与Co(64)V(16)Si(20)基体合金相比,加入锗元素进行合金化可使可逆马氏体转变温度提高近50℃。虽然在热循环过程中伴随着(αCo)相或R相的析出,但是可逆马氏体相变峰仍然出现在10次热循环中。结果表明,锗元素的添加可以改善Co-V-Si高温形状记忆合金的热循环稳定性。 展开更多
关键词 Co-V-si-ge 马氏体转变 热稳定性 高温形状记忆合金
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纳米硅锗热电材料和纳米器件的研究进展 被引量:4
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作者 李潮 苗蕾 +2 位作者 刘呈燕 杨恒全 周建华 《新能源进展》 2015年第1期25-32,共8页
近年来,纳米技术逐渐被用来设计和制备硅锗(Si-Ge)热电材料和新型器件。为了提高Si-Ge热电材料的热电性能,研究学者利用各种纳米结构对Si-Ge热电材料进行了理论研究。其中,利用纳米线、超晶格和量子点等结构中的能带机理与散射机理,从... 近年来,纳米技术逐渐被用来设计和制备硅锗(Si-Ge)热电材料和新型器件。为了提高Si-Ge热电材料的热电性能,研究学者利用各种纳米结构对Si-Ge热电材料进行了理论研究。其中,利用纳米线、超晶格和量子点等结构中的能带机理与散射机理,从理论上设计了降低Si-Ge纳米结构热导率和提高其功率因子的途径。同时,高效的Si-Ge纳米热电材料被制备出来,包括纳米块体材料的热电性能得到大幅度提高,室温下薄膜和纳米线的热电性能实现了重大突破。在高性能材料的基础上,新型Si-Ge纳米热电器件的研发除了关注于制备工艺优化外,还包括传热结构和原型器件的设计。 展开更多
关键词 硅锗(si-ge) 热电材料 纳米结构 ZT值
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非化学计量比MnFe(P,Si,Ge)合金在低场下的磁热效应 被引量:14
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作者 王高峰 松林 +3 位作者 李福安 哈斯朝鲁 李新文 特古斯 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期889-892,共4页
通过XRD和磁性测量对非化学计量比MnFe(P,Si,Ge)合金的相组成和磁性进行了研究.xRD分析表明。所有样品都具有Fe_2P型六角结构,主相为(Re,Mn)_2(P,Si,Ge),并存在少量的第二相(Fe,Mn)_3(Si,Ge).过量的Mn和Fe都会使合金的Curie温度降低,由3... 通过XRD和磁性测量对非化学计量比MnFe(P,Si,Ge)合金的相组成和磁性进行了研究.xRD分析表明。所有样品都具有Fe_2P型六角结构,主相为(Re,Mn)_2(P,Si,Ge),并存在少量的第二相(Fe,Mn)_3(Si,Ge).过量的Mn和Fe都会使合金的Curie温度降低,由343K(化学计量比)降低到294K(过量Mn)和286K(过量Fe);过量的Mn能减小热滞,而过量的Fe会使热滞增加;磁熵变也有所减小,在1.5T的磁场下,最大磁熵变由5.2J/(kg·K)(化学计量比)减小到4.9J/(kg·K)(过量Mn)和3.8J/(kg·K)(过量Fe). 展开更多
关键词 MnFe(P Si Ge)合金 非化学计量比 CURIE温度 热滞 磁熵变
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