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170ps激光脉冲辐照可见光面阵Si-CCD的实验 被引量：16
1
作者 蔡跃 叶锡生 +3 位作者 马志亮 王立君 冯国斌 陈林柱 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期457-462,共6页
开展了532 nm ps激光辐照面阵Si-CCD的实验研究,建立了532 nm,170 ps激光辐照Si-CCD效应实验测量系统,观察到了各种典型的干扰和损伤效应现象并测量了阈值。对破坏后的CCD器件的微观结构进行了显微观察,并深入分析了各种典型实验现象和... 开展了532 nm ps激光辐照面阵Si-CCD的实验研究,建立了532 nm,170 ps激光辐照Si-CCD效应实验测量系统,观察到了各种典型的干扰和损伤效应现象并测量了阈值。对破坏后的CCD器件的微观结构进行了显微观察,并深入分析了各种典型实验现象和电路层面的损伤机理。开展了10 ns和150 fs激光对CCD探测器的辐照效应实验,并对不同脉宽激光与CCD相互作用阈值的关系进行了比较分析。实验结果表明：激光能量密度为10^-8-10^-3J/cm^2时,会干扰CCD成像;激光能量密度超过10^-1J/cm^2时,则会出现CCD永久性损伤。 展开更多
关键词 激光辐照 激光损伤 Ps激光脉冲 si-ccd 阈值
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新型半导体探测器发展和应用 被引量：14
2
作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期87-96,共10页
新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器... 新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。 展开更多
关键词 半导体探测器 硅微条探测器 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室
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硅微条探测器 被引量：7
3
作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期4-18,共15页
硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。
关键词 硅微条探测器 P-N结 耗尽层 死层 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室
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CCD探测器与平板探测器的比较 被引量：12
4
作者 朱宏 《医疗设备信息》 2006年第6期47-48,共2页
数字化X线摄影设备的发展相当迅速,特别是CCD探测器和平板探测器技术。两种技术构成的X线数字化摄影设备,哪一种更适合我们,通过比较你可能会得出自己的判断。
关键词 数字化 电荷耦合器 非晶硅 非晶硒
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多功能测头光学系统设计 被引量：2
5
作者 赵念念 朱凌建 +1 位作者 赵敏 黄秋红 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2010年第2期212-217,共6页
提出了一种用于三坐标测量机的新型多功能测头,介绍了多功能测头光学系统的设计思路,分析了光路中光学元件的作用,计算了光学元件主要参数,并进行了多功能测头的实验验证。大量实验结果表明,该测头经过标定,激光跟踪瞄准重复性测量的不... 提出了一种用于三坐标测量机的新型多功能测头,介绍了多功能测头光学系统的设计思路,分析了光路中光学元件的作用,计算了光学元件主要参数,并进行了多功能测头的实验验证。大量实验结果表明,该测头经过标定,激光跟踪瞄准重复性测量的不确定度在±1μm以内,激光跟踪瞄准被测曲面倾角可以达到30°,能满足三坐标测量机的使用要求,同时也可以用于其它测长仪器对自由曲面进行快速精确的瞄准以及对零件轮廓的图象法测量。 展开更多
关键词 光学系统 电荷耦合器件(CCD) 半导体激光器 两象限硅光电二极管
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类硅铑离子的3s^23p^(23)P_(1,2)-3s3p^(35)S_2的跃迁谱线
6
作者 黄敏 R.Hutton +2 位作者 邹亚明 K.Ando H.Oyama 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1370-1372,共3页
用束箔法研究了类硅铑离子的 3s2 3p2 3 P1,2 - 3s3p3 5S2 的禁戒跃迁谱线 .谱线识别从已知基态精细结构的分裂、基于分支比的强度比、相似的衰减特性、离子束能量下的谱线预期值方面着手 .识别后 ,通过对已知谱线的波长的等电子系列曲... 用束箔法研究了类硅铑离子的 3s2 3p2 3 P1,2 - 3s3p3 5S2 的禁戒跃迁谱线 .谱线识别从已知基态精细结构的分裂、基于分支比的强度比、相似的衰减特性、离子束能量下的谱线预期值方面着手 .识别后 ,通过对已知谱线的波长的等电子系列曲线插值或外推来获得用于较刻的谱线的波长 ,然后较刻出 3s2 3p2 3 P1,2 - 3s3p3 5S2 展开更多
关键词 3s^23p^23P1 2-3s3p35S2 禁戒跃迁谱线 束箔光谱 CCD探测器 类硅铑离子 跃迁几率 束箔法 原子结构
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新型硅微条等探测器的发展及应用 被引量：1
7
作者 孟祥承 《电子元器件应用》 2004年第3期1-7,24,共8页
最近几年,新型半导体探测器如硅微条,pixel,CCD,硅漂移室等的发展很快,在高能物理和天体物理实验中广泛应用,作为顶点及径迹探测器,它们的位置分辨率非常高,硅微条探测器的位置分辨能力目前可达到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁... 最近几年,新型半导体探测器如硅微条,pixel,CCD,硅漂移室等的发展很快,在高能物理和天体物理实验中广泛应用,作为顶点及径迹探测器,它们的位置分辨率非常高,硅微条探测器的位置分辨能力目前可达到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难达到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理及其在高能物理、天体物理、核医学等领域的应用。 展开更多
关键词 半导体探测器 硅微条探测器 像素探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室 综述
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紫外增强Lumogen薄膜旋涂法制备及其性能表征 被引量：8
8
作者 姜霖 张大伟 +4 位作者 陶春先 黄元申 王琦 倪争技 庄松林 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期468-470,共3页
Lumogen薄膜用于固态硅基探测器件CCD紫外增强具有显著的成本和工艺优势。研究旋涂法制备Lumogen薄膜的CCD紫外增强技术,通过对薄膜的光谱分析得到优化的制备工艺。制备的薄膜在可见光波段透过率较高,对紫外波段的光具有较强的吸收,其... Lumogen薄膜用于固态硅基探测器件CCD紫外增强具有显著的成本和工艺优势。研究旋涂法制备Lumogen薄膜的CCD紫外增强技术,通过对薄膜的光谱分析得到优化的制备工艺。制备的薄膜在可见光波段透过率较高,对紫外波段的光具有较强的吸收,其发射峰位于525nm,并且激发谱较宽,涵盖200～400nm。实验结果表明使用旋涂法制备的紫外增强薄膜,能将紫外光转化为可见光,并且在增强紫外响应的同时,不削弱可见波段的响应,是一种有效增强固态检测器紫外响应的紫外增强薄膜。 展开更多
关键词 硅基检测器 紫外增强 Lumogen薄膜 旋涂 紫外CCD
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