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纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
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作者 王燕飞 王加贤 +2 位作者 张培 杨先才 沈海波 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期88-91,共4页
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输... 采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。 展开更多
关键词 激光技术 纳米si/sin 超晶格薄膜 被动调Q 1 342 nm激光 双光子吸收
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Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性 被引量:4
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作者 申继伟 郭亨群 +3 位作者 吕蓬 徐骏 陈坤基 王启明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1045-1049,共5页
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值... 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10-7,1.51×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。 展开更多
关键词 si/sin 超晶格 三阶非线性极化率 Z-扫描 射频磁控反应溅射
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nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模 被引量:2
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作者 王国立 郭亨群 +4 位作者 苏培林 张春华 王启明 徐骏 陈坤基 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期905-909,共5页
采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm... 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm时,获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。 展开更多
关键词 激光技术 nc—si/sin 超晶格薄膜 调Q 锁模 射频磁控反应溅射
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SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响 被引量:5
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作者 邱冲 刘军林 +2 位作者 郑畅达 姜乐 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期840-844,共5页
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现... 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。 展开更多
关键词 蓝光LED GaN 硅衬底 sin 钝化 光衰
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射频功率和沉积压强对富硅-SiN_x薄膜微结构的影响 被引量:3
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作者 李婷婷 周炳卿 闫泽飞 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2019年第1期1-4,28,共5页
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170 W和沉积压强为200,250,300,350,400 Pa两组参数沉积富硅-SiNx薄膜.结果表明,薄膜的致密性和沉积速率与射频功率和沉积... 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170 W和沉积压强为200,250,300,350,400 Pa两组参数沉积富硅-SiNx薄膜.结果表明,薄膜的致密性和沉积速率与射频功率和沉积压强都有关系,射频功率的增加导致光学带隙值变大,而光学带隙值与沉积压强成非线性关系,其二者的光学带隙值均在硅与Si_3N_4薄膜的光学带隙值之间.射频功率的增加,导致反应室中N—N键断裂更加完全,与硅原子结合形成大量的Si—N键,而薄膜中的Si原子含量降低,导致薄膜中含氮量增加,且样品薄膜中Si_3N_4晶粒尺寸增加,表明该条件下沉积得到的是富硅-SiN_x薄膜. 展开更多
关键词 PECVD技术 富硅-sinx薄膜 光学带隙 微观结构
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Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究 被引量:1
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作者 陈斌 徐重阳 +1 位作者 王长安 赵伯芳 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期8-9,共2页
研究Al2O3/SiNX双层绝缘栅对a-Si∶HTFT性能的影响,介绍Al2O3/SiNX双层绝缘栅的制作方法.双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应,改善了短接现象,提高了有效介电常数,从而可减小膜厚,提高... 研究Al2O3/SiNX双层绝缘栅对a-Si∶HTFT性能的影响,介绍Al2O3/SiNX双层绝缘栅的制作方法.双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应,改善了短接现象,提高了有效介电常数,从而可减小膜厚,提高栅电容,使得阈值电压降低、开态电流上升,获得了107的开关电流比. 展开更多
关键词 绝缘膜 栅电容 阈值电压 氢化非晶硅 薄膜晶体管
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晶体硅太阳电池TiO_2与SiN减反射膜对比研究 被引量:4
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作者 刘祖明 张忠文 +3 位作者 李海雁 李杰慧 廖华 李景天 《昆明师范高等专科学校学报》 2003年第4期75-77,共3页
采用多层膜的反射理论及数值计算对比了TiO2 和SiN减反射膜用于晶体硅太阳电池对其性能的影响 ,给出了优化设计的结果 ,SiN膜的减反射膜的综合效果更优 .
关键词 TiO2减反射膜 sin减反射膜 晶体硅太阳电池
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HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变
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作者 杨洪东 于奇 +3 位作者 王向展 李竞春 罗谦 姬洪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1-4,共4页
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应... 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。 展开更多
关键词 氮化硅 应变测量 高分辨X射线衍射应变硅
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钼合金Si-Cr-Ti-SiC-MnO_2涂层的制备与组织性能 被引量:5
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作者 肖来荣 郭毅 +5 位作者 蔡圳阳 赵小军 欧阳昊 张贝 朴盛铭 刘建飞 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期66-72,共7页
目的提高钼合金表面红外辐射性能与高温抗氧化性能。方法将40%Si、20%Cr、5%Ti、5%SiC、30%Mn O_2五种粉末与酒精、粘结剂按比例混合,经高能球磨6 h后制得均匀悬浮的料浆。采用浸涂工艺对预处理的钼合金试样进行料浆涂覆,在1450℃真空烧... 目的提高钼合金表面红外辐射性能与高温抗氧化性能。方法将40%Si、20%Cr、5%Ti、5%SiC、30%Mn O_2五种粉末与酒精、粘结剂按比例混合,经高能球磨6 h后制得均匀悬浮的料浆。采用浸涂工艺对预处理的钼合金试样进行料浆涂覆,在1450℃真空烧结0.5 h后制得黑色涂层试样。通过1550℃高温静态氧化试验和高温粒子薄片红外光谱综合实验系统,分别评价涂层抗氧化性能和红外辐射性能,并通过扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对涂层氧化前后的形貌与组织结构进行分析。结果钼合金Si-Cr-Ti-SiC-Mn O_2涂层在700、900℃的法向发射率分别达0.85、0.88,在1550℃高温有氧环境下的静态抗氧化寿命达7 h。原始涂层呈四层复合梯度结构,由外到内分别为SiO_2+Mn3O_4+M5Si3(M指Mo、Cr、Ti)、M5Si3+Mo Si2+SiC+Mn3O_4、Mo Si2、Mo5Si3。高温氧化后,涂层四层复合结构由外到内转变为SiO_2+(Cr,Ti)5Si3+Mn Cr2O_4+Mn3O_4、M5Si3+SiC+Mn Cr2O_4+Mn3O_4、Mo Si2、M5Si3。高温氧化过程中,MSi2高硅化物层逐渐转变为M5Si3低硅化物层,涂层表面形成含Mn Cr2O_4尖晶石相和复合硅化物的致密SiO_2玻璃膜。结论 Si-Cr-Ti-SiC-Mn O_2涂层可有效提高钼合金基体的红外辐射性能和高温抗氧化性能,复合硅化物与硅锰复杂氧化物具有良好的抗氧化性能、高辐射性能和自愈合性能。 展开更多
关键词 钼合金 硅化物涂层 高辐射涂层 高温抗氧化 料浆烧结法 MOsi2 si-Cr-Ti
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基于线粒体细胞色素氧化酶Ⅰ亚基(COI)基因的两种枝吻纽虫系统发育关系分析 被引量:1
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作者 吴斌 阎冰 周浩郎 《广西科学》 CAS 2013年第3期215-218,共4页
为了探讨纽虫之间的遗传差异及亲缘关系,对取自北海和湛江的中华枝吻纽虫(Dendrorhynchus sinensis)26个样本和湛江枝吻纽虫(Dendrorhynchus zhanjiang Pnsis)3个样本的线粒体细胞色素氧化酶I亚基(COD基因部分片段进行序列测定,... 为了探讨纽虫之间的遗传差异及亲缘关系,对取自北海和湛江的中华枝吻纽虫(Dendrorhynchus sinensis)26个样本和湛江枝吻纽虫(Dendrorhynchus zhanjiang Pnsis)3个样本的线粒体细胞色素氧化酶I亚基(COD基因部分片段进行序列测定,并结合从GenBank下载的其它纽虫序列,分析它们之间的系统发育关系。结果显示,中华枝吻纽虫26个个体共检测17个单倍型,湛江枝吻纽虫3个个体共检测到2个单倍型,其长度均为615bp;枝吻纽虫个体核苷酸序列A、T、G、C的含量相近,碱基组成均表现出A+T含量偏倚,即A+T含量明显高于G+c含量。中华枝吻纽虫的17个单倍型以及湛江枝吻纽虫的2个单倍型之间的遗传距离分别为0.002-0.013和0.008;而两种枝吻纽虫COI基因序列的遗传差异很大,彼此之间的遗传距离都在0.194以上,加之分子系统树(NJ)的拓扑结构也显示,作为同属的两种枝吻纽虫没有聚成1支,而是各自成支,这些表像都支持两种枝吻纽虫分别为独立有效物种的观点。中华枝吻纽虫的17个单倍型聚为1支后,与Cerebratulus marginatus,C.1acteus聚为1大支,而湛江枝吻纽虫的2个单倍型聚为1支后,与Lineus ruber和L.lon gissimus聚为1大支,表明枝吻纽虫属(Dendrorhynchus)并非单系。 展开更多
关键词 中华枝吻纽虫 湛江枝吻纽虫 线粒体DNA COI基因 系统发生
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平茬对日光温室栽培香椿营养品质和产量的影响 被引量:4
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作者 张晓丽 张亚红 +1 位作者 翟雪宁 方媛 《农业科学研究》 2018年第1期48-52,共5页
为研究平茬对日光温室香椿营养品质和产量的影响,采用单因素随机区组设计,以红油香椿苗为试材,分别在11月休眠后,次年4,5,6,8月进行平茬处理,测定其营养品质及产量.结果表明:平茬可以提高香椿芽和叶的营养品质;平茬和拉枝比不平茬不拉... 为研究平茬对日光温室香椿营养品质和产量的影响,采用单因素随机区组设计,以红油香椿苗为试材,分别在11月休眠后,次年4,5,6,8月进行平茬处理,测定其营养品质及产量.结果表明:平茬可以提高香椿芽和叶的营养品质;平茬和拉枝比不平茬不拉枝的磷、镁、锌分别高出9%、23%、13%,蛋白质和维生素C的含量分别高出4%和71%;随着平茬时间的推后,香椿芽和叶中钙、镁、锌、全磷和粗蛋白的含量整体都表现出明显的下降趋势,而维生素C含量表现出相似的上升趋势.香椿的产量出现先上升后下降的趋势.总体来说,平茬对香椿的营养品质和产量影响显著,而且以4月份平茬香椿的营养品质和产量表现最好. 展开更多
关键词 香椿 分期平茬 营养品质 产量
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Thermal analysis for fast thermal-response Si waveguide wrapped by SiN
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作者 Rui MIN Ruiqiang JI Lin YANG 《Frontiers of Optoelectronics》 2012年第1期73-77,共5页
A new type of Si waveguide wrapped by silicon nitride (SIN) is designed, and its optical and thermal analysis are presented. The thickness of SiN up-cladding should be larger than 1 pm in order to prevent the absorp... A new type of Si waveguide wrapped by silicon nitride (SIN) is designed, and its optical and thermal analysis are presented. The thickness of SiN up-cladding should be larger than 1 pm in order to prevent the absorption of optical field by metal heater. Thermal response of the proposed waveguide structure is enhanced by the high thermal conductivity of SiN. Moreover, this thermal response can be further improved by a fast heat dissipation channel created in this structure. Our simula- tion results indicate that a rise time of about 110 ns can be achieved for the proposed waveguide structure, which is about two orders of magnitude less than that of the conventional Si waveguide. The influences of the thickness of up-cladding and the stretching width and etching depth on the thermal performance are also discussed. The simulation shows thin up-cladding, large stretching width and etching depth are critical to enhance the thermal response speed. 展开更多
关键词 thermo-optic sin si WAVEGUIDE rise time
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甲骨卜辞中“祀”“损”二字补说
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作者 黄天树 《故宫博物院院刊》 北大核心 2025年第11期20-24,240,共6页
释读甲骨文字的主要根据是清晰的字形和完整的辞例。本文在甲骨学者研究的基础上,对含有“祀”和“损”二字的卜辞作了新的释读。首先,《大系》1174“祀”字用作名词,当“神主”讲,卜辞“祀(示)畀防子辟目”是说,神主“祀”(示)是否会... 释读甲骨文字的主要根据是清晰的字形和完整的辞例。本文在甲骨学者研究的基础上,对含有“祀”和“损”二字的卜辞作了新的释读。首先,《大系》1174“祀”字用作名词,当“神主”讲,卜辞“祀(示)畀防子辟目”是说,神主“祀”(示)是否会给予防护子辟眼睛的庇佑。其次,根据“句意同向规则”,《大系》7310“■”字应当读为“损益”之“损”,这样的话,“不咎”和“弗损”的意思是同向的。“弗损”与同版卜辞“勿眚■方缶作郭,子商■(翦)”句意也是同向的,不会冲突,更符合整版卜辞的文义。 展开更多
关键词 甲骨文 “祀” “■” “损”
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