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Study on Preparation and Separation of SIC Whiskerand Particle from Rice Hulls
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作者 王启宝 安征 郭梦熊 《International Journal of Mining Science and Technology》 SCIE EI 1997年第2期77-80,共4页
The growth mechanism of paramorphic SiC whisker (SiCw) and SiC particle (SiCp) produced from rice bulls under the catalytic actions is studied. The results indicate that the growtb mechanism of the SiCw is vapour-liqu... The growth mechanism of paramorphic SiC whisker (SiCw) and SiC particle (SiCp) produced from rice bulls under the catalytic actions is studied. The results indicate that the growtb mechanism of the SiCw is vapour-liquid-solid (VLS) , while the crystalline structure of the SiCw is β-SiC. Some SiCp will be formed during the production of the SiCw. Under the pilot-plant condition, the grade of SiCw is over 20%, and SiCp is over 50%. The micron-grade of SiCw and SiCp are separated successfully by flotation and other traditional mineral separation and purification technology. So the grade of the high purity SiCw is over 95 %. 展开更多
关键词 rice HULL paramorph sic WHISKER sic PARTICLE separation and PURIFICATION
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Microstructures and properties of Al-45%Si alloy prepared by liquid-solid separation process and spray deposition 被引量:7
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作者 李艳霞 刘俊友 +1 位作者 王文韶 刘国权 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第4期970-976,共7页
The microstructures and properties of A1-45%Si alloy prepared by liquid-solid separation (LSS) process and spray deposition (SD) were studied. The results show that the size, shape and distribution of the primary ... The microstructures and properties of A1-45%Si alloy prepared by liquid-solid separation (LSS) process and spray deposition (SD) were studied. The results show that the size, shape and distribution of the primary Si phase have different influence on the properties of alloys. Comparing with the Si particles with irregular shape, fine size and continuous distribution in SD alloy, the primary Si phase in LSS alloy is sphere-like, coarse and surrounded by the continuous AI matrix. The microstructure features of LSS alloy are beneficial to the higher thermal conductivity and lower thermal expansion coefficient at room temperature. The fine Si particle in SD alloy is advantageous to improving the mechanical properties. The increasing rates of thermal expansion coefficient with temperature are influenced by the distribution of the Si particles, where a lower rate is obtained in SD alloy with continuous Si particles. The agreement of thermal expansion coefficient with the model in LSS alloy differs from that in the SD alloy because of the different microstructure characteristics. 展开更多
关键词 aluminum-silicon alloy si particle liquid-solid separation spray deposition thermal conductivity thermal expansioncoefficient
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考虑驱动参数的Si/SiC混合器件损耗建模研究
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作者 刘平 曹麒 +3 位作者 肖标 肖凡 郭祺 涂春鸣 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第10期133-144,共12页
针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最... 针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最后,搭建双脉冲测试与稳态参数测量实验平台,在不同驱动电阻、不同负载电流与不同驱动电压条件下验证模型的准确性.实验结果表明,开关时序Ⅰ下开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别达到97.61%和99.20%;在开关时序Ⅱ下,开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别为97.83%和97.66%. 展开更多
关键词 功率半导体器件 sic MOSFET si IGBT 混合器件 损耗 驱动参数
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面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:4
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作者 肖标 郭祺 +2 位作者 涂春鸣 肖凡 龙柳 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1117-1128,共12页
由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或... 由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或可靠性,调控参数单一且尚未兼顾损耗和可靠性的整体优化,考虑多调控参数的HyS集成驱动电路更是极为缺乏。首先,该文在充分挖掘开关时序、驱动电压等多调控参数对HyS特性影响的基础上,提出一种面向开关时序与驱动电压自主协同调控的HyS驱动电路软硬件架构设计方法,所提驱动电路不仅能为HyS提供由不同开关时序与驱动电压组成的三种开关模式,而且能根据负载电流水平实现开关时序与驱动电压的自主协同调控。其次,搭建基于所提驱动电路的HyS型单相逆变器,验证了所提驱动电路的有效性。最后,从逆变器效率、驱动电路功率损耗以及成本三个方面分析了所提驱动电路的优势。 展开更多
关键词 sic/si混合开关 开关时序 驱动电压 协同控制 驱动电路
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SiC/Si混合开关时间延迟及其信号调制方法 被引量:2
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作者 丁四宝 王盼宝 +1 位作者 王卫 徐殿国 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1129-1144,共16页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了更简单高效地生成SiC/Si HyS的SiC MOSFET和Si IGBT驱动信号,该文提出一种针对最小SiC导通模式的信号调制电路,通过配置对应的RC缓冲电路中的电阻、电容值即可调节控制模式中的四个时间尺度,该方法具有灵活简单等优点。首先,理论分析最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS结构损耗分布特性;其次,给出信号调制电路原理并介绍信号调制电路的工作原理,建立RC缓冲电路参数和时间尺度之间的函数方程;最后,基于搭建的SiC/Si HyS硬件平台,在双脉冲测试电路中验证最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS损耗特性和所提信号调制电路的有效性,并在1.5 kW两电平逆变器中检验所提信号调制电路的动态运行特性。 展开更多
关键词 sic MOSFET si IGBT 混合开关 开关损耗 信号调制
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基于SiC导通比例与开关频率协同调控的Si/SiC混合器件综合热管理方法 被引量:1
6
作者 韩硕 涂春鸣 +3 位作者 龙柳 肖凡 肖标 郭祺 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第13期5241-5254,I0026,共15页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFE... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFET老化过速的问题。目前,针对Si/SiC HyS的热管理策略研究鲜有报道,而变开关频率作为单一器件中应用最为广泛的结温调节方法,难以调节Si/SiC HyS内部的结温差异,导致Si IGBT热容量利用率较低。考虑到SiC导通比例可利用Si IGBT的结温调节空间来降低SiC MOSFET的热应力,从多层级热管理视角出发,提出一种基于SiC导通比例DSiC与开关频率f协同调控的Si/SiC HyS综合热管理方法。所提热管理方法根据设定的结温波动阈值,对开关频率和SiC导通比例的目标参数域进行全面刻画,并实现f-DSiC参数的最短调节路径规划,最终将SiC MOSFET和Si IGBT结温波动平滑至同一阈值以内。实验结果表明,相较于变开关频率方法,采用所提综合热管理方法的Si/SiC HyS最大结温波动降低了24.31%,且任一负载波动下SiC MOSFET和Si IGBT的结温波动均被平滑至同一阈值以内,显著提高了Si/SiC HyS的整体使用寿命。 展开更多
关键词 si/sic混合器件 热管理方法 开关频率 sic导通比例 结温波动
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基于SiIGBT与SiCFET并联的新型混合器件特性解析及对比研究 被引量:1
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作者 朱梓贤 涂春鸣 +3 位作者 肖标 郭祺 肖凡 龙柳 《太阳能学报》 北大核心 2025年第1期251-260,共10页
对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件(HY_F)开展研究。首先,分析HY_F的基本结构与工作原理,并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次,基于混合器件的仿真模型,分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(... 对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件(HY_F)开展研究。首先,分析HY_F的基本结构与工作原理,并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次,基于混合器件的仿真模型,分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(HY_M)在不同额定电流等级下损耗与成本的优劣势。仿真结果表明,当额定电流为较小(15 A)时,HY_M能以较低的成本实现更低的损耗;混合器件在额定电流较大(25 A、40 A)时,HY_F能以更低的成本实现更低的损耗。最后,通过实验验证结论的正确性。 展开更多
关键词 si/sic混合器件 sicMOSFET siIGBT sicFET 损耗模型
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基于Si和SiC器件混合的并网变流器及其调控策略研究 被引量:1
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作者 朱远哲 王玲 +2 位作者 吴争荣 吕鸿 肖凡 《电气传动》 2025年第6期36-44,共9页
为进一步提升变流器输出性能及效率,提出一种基于不同材质器件混合的并网变流器,简称异质并网变流器(HGCC)。HGCC由基于SiC MOSFET器件的两个半桥模块经基于Si IGBT器件的换向桥臂交叉连接构成。进一步,给出了HGCC调制原理,其SiC MOSFE... 为进一步提升变流器输出性能及效率,提出一种基于不同材质器件混合的并网变流器,简称异质并网变流器(HGCC)。HGCC由基于SiC MOSFET器件的两个半桥模块经基于Si IGBT器件的换向桥臂交叉连接构成。进一步,给出了HGCC调制原理,其SiC MOSFET器件工作于高频开关状态,而Si IGBT器件工作于低频开关状态,充分发挥了SiC器件开关损耗低、Si器件通态损耗低的优势。然后,对HGCC的工作模态进行详细分析,给出HGCC的控制框图及内部电容的均压策略。最后,通过仿真验证了所提拓扑及调控策略的有效性和可行性。 展开更多
关键词 并网变流器 si IGBT器件 sic MOSFET器件 调制策略 稳压策略
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基于驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制
9
作者 白丹 涂春鸣 +2 位作者 龙柳 肖凡 肖标 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5068-5080,共13页
Si/SiC混合器件兼具低成本、低损耗等优势,是支撑电力电子装备大容量、高可靠发展的重要器件。而负载电流变化引起的SiC MOSFET大幅结温波动,制约了Si/SiC混合器件整体寿命的提高。为解决该问题,该文详细分析驱动电压对混合器件开关轨... Si/SiC混合器件兼具低成本、低损耗等优势,是支撑电力电子装备大容量、高可靠发展的重要器件。而负载电流变化引起的SiC MOSFET大幅结温波动,制约了Si/SiC混合器件整体寿命的提高。为解决该问题,该文详细分析驱动电压对混合器件开关轨迹及损耗的影响,提出一种考虑驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制策略。所提策略通过在低电流负载区间采用SiC MOSFET损耗较高的驱动电压模式来补偿损耗,高负载电流区间则采用SiC MOSFET损耗较低的驱动电压模式来降低损耗,可以显著平滑Si/SiC混合器件中SiC MOSFET的结温波动,降低其与Si IGBT的结温波动差值,有效延长Si/SiC混合器件整体的剩余使用寿命。实验结果表明,任何负载波动下,该文所提驱动电压主动切换策略均可以将SiC MOSFET的结温波动平滑30%以上,同时SiC MOSFET与Si IGBT的结温波动幅值差减小84.4%。 展开更多
关键词 si/sic混合器件 sic MOSFET 结温波动平滑 驱动电压模式 负载波动
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混合SiC/Si有源钳位三电平光储功率模块电热优化设计
10
作者 赵留青 梁钰茜 +2 位作者 牛富丽 邹铭锐 曾正 《重庆大学学报》 北大核心 2025年第11期25-40,共16页
得益于高效率优势,混合SiC/Si有源钳位(active neutral point clamped,ANPC)三电平电路拓扑在光储发电系统中应用广泛。但传统混合SiC/Si功率模块中,Si器件的使用限制了效率提升,SiC器件引入后又可能导致热分布不均、电压过冲及振荡等... 得益于高效率优势,混合SiC/Si有源钳位(active neutral point clamped,ANPC)三电平电路拓扑在光储发电系统中应用广泛。但传统混合SiC/Si功率模块中,Si器件的使用限制了效率提升,SiC器件引入后又可能导致热分布不均、电压过冲及振荡等问题。提出了一种综合设计方法,结合功率器件损耗均衡与功率模块布局寄生电感优化,以提高混合SiC/Si ANPC电路拓扑的功率模块性能。建立了功率模块损耗模型,并进行热性能优化,降低结温与芯片温差;构建了寄生电感模型,通过优化设计减小寄生电感;研制了基于ANPC拓扑的混合SiC/Si功率模块,并开展电热性能测试。实验结果验证了功率模块在损耗、寄生电感及热分布方面的显著优势。 展开更多
关键词 三电平拓扑 有源钳位 混合sic/si功率模块 电-热优化设计
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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件 被引量:1
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作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) si/4H-sic异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数
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Ni基增强PDMS@Si油+SiC纤维复合耐久防冰涂层设计及其作用机理研究
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作者 王捷 张硕轩 +2 位作者 侯向辉 齐博 吴梦涓 《表面技术》 北大核心 2025年第14期205-214,共10页
目的 部分关键基础设施表面的结冰现象可能导致灾难性破坏及严重的经济后果。在工程部件表面预制具有良好防除冰性能的防冰功能表面能够较好地解决这一难题。方法 为缓解这一问题,提出了一种新型防冰涂层设计,以聚二甲基硅氧烷(PDMS)作... 目的 部分关键基础设施表面的结冰现象可能导致灾难性破坏及严重的经济后果。在工程部件表面预制具有良好防除冰性能的防冰功能表面能够较好地解决这一难题。方法 为缓解这一问题,提出了一种新型防冰涂层设计,以聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为聚合物基质,通过硅(Si)油和碳化硅(SiC)纤维的协同改性,并引入金属镍(Ni)骨架,形成网络互连结构,从而提升机械稳定性并保障长效防/除冰性能。结果 实验结果显示,Si油和Si C纤维显著增强了涂层样品的防结冰与除冰能力。样品表面过冷液滴的延迟结冰时间从Ni/PDMS的62 s增加至NP-SO-SiC的124 s,这与样品表面结冰成核能量势垒的提高密切相关。具体而言,Si油有效降低了表面自由能并减少了异质形核位点数量,从而抑制冰晶形成。同时其静态水接触角(WCA)高达126.4°,进一步抑制了水滴铺展,降低了界面间热交换效率。通过循环结/除冰测试验证了NP-SO-SiC在机械强度和耐磨性方面显著提升。在经过30次测试后,其冰黏附强度维持在约26 kPa,WCA基本不变,样品自身重量基本保持不变。结论 这证明该涂层设计具有增强耐久性的效果,SiC纤维与Ni网骨架结构可有效抵抗冻结过程中对涂层造成的损伤,有助于避免裂纹和缺陷出现,从而保持其形貌与防冰性能,为解决长期恶劣环境下防冰涂层服役问题提供了实用方案。 展开更多
关键词 防冰性能 多孔Ni骨架 si sic纤维 机械耐久性
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4H-SiC同质外延片上三角形缺陷尺寸的控制方法研究
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作者 王翼 熊瑞 +4 位作者 赵志飞 曹越 孔龙 姜海涛 李赟 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期16-21,共6页
系统地研究了4H-SiC同质外延材料表面三角形缺陷尺寸随外延工艺参数的变化规律。研究结果表明三角形缺陷尺寸与进气端C/Si比、生长温度及生长速率存在明显的正相关性:当进气端C/Si比从0.774增加至0.842时,三角形缺陷相对长度([1-100]方... 系统地研究了4H-SiC同质外延材料表面三角形缺陷尺寸随外延工艺参数的变化规律。研究结果表明三角形缺陷尺寸与进气端C/Si比、生长温度及生长速率存在明显的正相关性:当进气端C/Si比从0.774增加至0.842时,三角形缺陷相对长度([1-100]方向的长度和外延厚度的比值)从266.7增加至351.5,增幅约32%;当生长温度从1590℃增加至1640℃时,三角形缺陷相对长度从87.8增加至266.7,增幅约204%;当生长速率从30μm/h增加至60μm/h时,三角形缺陷相对长度从70.9增加至323.7,增幅约357%。生长界面处的碳覆盖率及生长温度是影响三角形缺陷沿[1-100]方向扩展的核心因素。适当降低进气端C/Si比、生长速率及生长温度可以在不增加缺陷密度的同时有效控制三角形缺陷尺寸。 展开更多
关键词 4H-sic 三角形缺陷 C/si 生长速率 生长温度
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Separation of primary solid phases from Al-Si alloy melts 被引量:2
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作者 Ki Young Kim 《China Foundry》 SCIE CAS 2014年第4期382-395,共14页
The iron-rich solids formed during solidification of Al-Si alloys which are known to be detrimental to the mechanical,physical and chemical properties of the alloys should be removed.On the other hand,Al-Si hypereutec... The iron-rich solids formed during solidification of Al-Si alloys which are known to be detrimental to the mechanical,physical and chemical properties of the alloys should be removed.On the other hand,Al-Si hypereutectic alloys are used to extract the pure primary silicon which is suitable for photovoltaic cells in the solvent refining process.One of the important issues in iron removal and in solvent refining is the effective separation of the crystallized solids from the Al-Si alloy melts.This paper describes the separation methods of the primary solids from Al-Si alloy melts such as sedimentation,draining,filtration,electromagnetic separation and centrifugal separation,focused on the iron removal and on the separation of silicon in the solvent refining process. 展开更多
关键词 separation Al-si alloys primary solids iron removal silicon extraction
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垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
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作者 陈丹莹 闫龙 +6 位作者 罗稼昊 郑振宇 姜勇 张凯 周宁 廖宸梓 郭世平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期569-580,共12页
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与... 本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 化学气相沉积 C/si CFD模拟仿真
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Separation and enrichment mechanism of C54–TiSi_(2) from hypoeutectic Ti–65 wt.%Si alloy during directional solidification via alternating electromagnetic fields
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作者 Kui‑song Zhu Jing‑fei Hu +2 位作者 Wen‑hui Ma Kui‑xian Wei Yong‑nian Dai 《Journal of Iron and Steel Research International》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第1期29-37,共9页
The effects of directional solidification parameters and the coupling of directional solidification parameters and alternating electromagnetic fields on separation and enrichment of the C54–TiSi2 phase were investiga... The effects of directional solidification parameters and the coupling of directional solidification parameters and alternating electromagnetic fields on separation and enrichment of the C54–TiSi2 phase were investigated in a directionally solidified hypoeutectic Ti–65 wt.%Si alloy.The results indicated that by increasing the pull-down velocity at a given position within the ingot,the cooling rate,growth rate,and temperature gradient of ingot could be increased.At a pull-down velocity near 5μm/s,the temperature gradient,cooling rate,and growth rate decreased with increasing the thickness of the C54–TiSi2-rich layer.Electromagnetic fields enhanced mass transfer at pull-down velocities of 5,10,15,and 20μm/s,with resulting enriched layer thicknesses of 15,10,10,and 5 mm,respectively.By increasing the percentage of Ti in the Ti–Si alloy from 25 to 35 wt.%,the thickness of the C54–TiSi2-rich layer was increased from 2.5 to 3.3 cm.However,the maximum C54–TiSi2 content obtained experimentally in this layer decreased from 92.06 to 79.49 mass%. 展开更多
关键词 Ti–si alloy Directional solidification Electromagnetic field separation C54–Tisi2
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腐蚀法制备SiC量子点及其光学性能影响因素探究
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作者 康杰 焦璨 周喜 《新乡学院学报》 2025年第12期35-40,共6页
利用氢氟酸和硝酸腐蚀自蔓延法合成碳化硅微粉,通过超声振动、高速离心层析裁剪,成功制备出均质SiC量子点,探究了制备工艺对其光学性能影响的关键参数。结果表明:随着腐蚀液中氢氟酸与硝酸体积比的增大,SiC量子点发光强度先增大后减小,V... 利用氢氟酸和硝酸腐蚀自蔓延法合成碳化硅微粉,通过超声振动、高速离心层析裁剪,成功制备出均质SiC量子点,探究了制备工艺对其光学性能影响的关键参数。结果表明:随着腐蚀液中氢氟酸与硝酸体积比的增大,SiC量子点发光强度先增大后减小,V(HF)∶V(HNO3)=3∶1时强度达到最大,发射波长则持续红移;超声振动有效破碎颗粒腐蚀后的镂空结构,显著改善了量子点的分散性,使得其PL光谱半峰宽收窄52 nm;高速离心处理能够实现对量子点尺寸精准调控,并且可通过增加超重力系数提高其纯度进而改善SiC量子点的单色性,初步建立了工艺—尺寸—光学性能的关联机制。 展开更多
关键词 sic量子点 腐蚀法 超声振动 离心分离 光学性能
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Evolution Behavior of γ-Al_(3.5)FeSi in Mg Melt and a Separation Method of Fe from Al–Si–Fe Alloys
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作者 Tong Gao Zeng-Qiang Li +1 位作者 Yao-Xian Zhang Xiang-Fa Liu 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期48-54,共7页
The recycling of high Fe-content Al-Si alloys is a green industry. Eliminating the harmful effect of Fe, achieving the separation of Al and Fe is one of the key problems. Different from traditional methods for iron re... The recycling of high Fe-content Al-Si alloys is a green industry. Eliminating the harmful effect of Fe, achieving the separation of Al and Fe is one of the key problems. Different from traditional methods for iron removal, a novel method using magnesium melt to separate Al and Fe is proposed. By introducing Al-14Si-5Fe alloy into Mg melt, it was found that the γ-Al3.5FeSi phase evolves to Al3SiFe3.5 and Al5Fe2 through the melting and solidification process. Compared with the primary Al-rich γ-Al3.5FeSi phase, the formation of Fe-rich A13SiFe3.5 is quite beneficial for the separation of Al and Fe. Mg-Si-Al and Mg-Si-Fe alloys can be obtained at the top and bottom of the cooled ingot, respectively. The results in this study provide meaningful suggestions for recycling scrap Al-Si-Fe materials. 展开更多
关键词 Al-si-Fe Mg melt Fe-rich phase evolution separation
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基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法 被引量:20
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作者 任鹏 涂春鸣 +2 位作者 侯玉超 郭祺 王鑫 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期5017-5028,共12页
针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题,该文提出一种基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器(HCMC)拓扑结构。HCMC由全Si IGBT器件的中性点钳位(NPC)型三电平单元与由SiIGBT、SiCMOSFET器件混合的级联H桥(CHB... 针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题,该文提出一种基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器(HCMC)拓扑结构。HCMC由全Si IGBT器件的中性点钳位(NPC)型三电平单元与由SiIGBT、SiCMOSFET器件混合的级联H桥(CHB)单元串联构成。针对此拓扑提出一种特定的高低频混合调制策略,充分发挥SiC MOSFET开关损耗低、SiIGBT通态损耗低的优势,并对NPC单元直流侧电压和CHB单元子模块数进行优化设计。此外,为解决子模块电容电压不平衡问题,提出一种轮换均压控制策略。最后,在6kV系统无功补偿工况下进行仿真和实验,验证了HCMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将HCMC和现有级联型多电平变换器进行综合对比,证明了所提拓扑在保证输出性能的条件下大大降低了运行损耗。 展开更多
关键词 混合多电平变换器 si IGBT sic MOSFET 混合调制 电压平衡策略
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Si-B-C陶瓷涂敷2D C/SiC复合材料的抗氧化性能 被引量:6
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作者 左新章 张立同 +2 位作者 刘永胜 成来飞 龚慧灵 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期100-106,共7页
利用化学气相沉积(CVD)法制备了Si-B-C陶瓷涂敷改性的2DC/SiC复合材料,研究了其在700~1200℃氧化10h性能和结构的演变规律以及自愈合机制,同时获得了Si-B-C涂层在不同温度氧化后的形貌、组分和物相转变规律。结果表明:涂敷在复合材料... 利用化学气相沉积(CVD)法制备了Si-B-C陶瓷涂敷改性的2DC/SiC复合材料,研究了其在700~1200℃氧化10h性能和结构的演变规律以及自愈合机制,同时获得了Si-B-C涂层在不同温度氧化后的形貌、组分和物相转变规律。结果表明:涂敷在复合材料表面的Si-B-C陶瓷随温度的升高氧化加快,但氧化程度较低,不深于7μm;随温度的升高,氧化形成的硅硼玻璃黏度降低,挥发增强;当温度达到1200℃时,硅硼玻璃析出SiO2晶体;Si-B-C陶瓷涂敷改性的C/SiC具有优良的抗氧化性能,随氧化温度的升高,复合材料失重率增加,但在1200℃氧化10h后失重率仅为0.47%;此外材料在1000℃氧化后的强度保持率最高,达到91.6%,Si-B-C陶瓷氧化形成的硅硼玻璃可以有效封填裂纹,这是材料具有优良抗氧化性能的主要机制。 展开更多
关键词 C sic si—B—C陶瓷 涂层 氧化 形貌 自愈合
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