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基于SiC导通比例与开关频率协同调控的Si/SiC混合器件综合热管理方法 被引量:1
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作者 韩硕 涂春鸣 +3 位作者 龙柳 肖凡 肖标 郭祺 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第13期5241-5254,I0026,共15页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFE... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFET老化过速的问题。目前,针对Si/SiC HyS的热管理策略研究鲜有报道,而变开关频率作为单一器件中应用最为广泛的结温调节方法,难以调节Si/SiC HyS内部的结温差异,导致Si IGBT热容量利用率较低。考虑到SiC导通比例可利用Si IGBT的结温调节空间来降低SiC MOSFET的热应力,从多层级热管理视角出发,提出一种基于SiC导通比例DSiC与开关频率f协同调控的Si/SiC HyS综合热管理方法。所提热管理方法根据设定的结温波动阈值,对开关频率和SiC导通比例的目标参数域进行全面刻画,并实现f-DSiC参数的最短调节路径规划,最终将SiC MOSFET和Si IGBT结温波动平滑至同一阈值以内。实验结果表明,相较于变开关频率方法,采用所提综合热管理方法的Si/SiC HyS最大结温波动降低了24.31%,且任一负载波动下SiC MOSFET和Si IGBT的结温波动均被平滑至同一阈值以内,显著提高了Si/SiC HyS的整体使用寿命。 展开更多
关键词 si/sic混合器件 热管理方法 开关频率 sic导通比例 结温波动
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基于驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制
2
作者 白丹 涂春鸣 +2 位作者 龙柳 肖凡 肖标 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5068-5080,共13页
Si/SiC混合器件兼具低成本、低损耗等优势,是支撑电力电子装备大容量、高可靠发展的重要器件。而负载电流变化引起的SiC MOSFET大幅结温波动,制约了Si/SiC混合器件整体寿命的提高。为解决该问题,该文详细分析驱动电压对混合器件开关轨... Si/SiC混合器件兼具低成本、低损耗等优势,是支撑电力电子装备大容量、高可靠发展的重要器件。而负载电流变化引起的SiC MOSFET大幅结温波动,制约了Si/SiC混合器件整体寿命的提高。为解决该问题,该文详细分析驱动电压对混合器件开关轨迹及损耗的影响,提出一种考虑驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制策略。所提策略通过在低电流负载区间采用SiC MOSFET损耗较高的驱动电压模式来补偿损耗,高负载电流区间则采用SiC MOSFET损耗较低的驱动电压模式来降低损耗,可以显著平滑Si/SiC混合器件中SiC MOSFET的结温波动,降低其与Si IGBT的结温波动差值,有效延长Si/SiC混合器件整体的剩余使用寿命。实验结果表明,任何负载波动下,该文所提驱动电压主动切换策略均可以将SiC MOSFET的结温波动平滑30%以上,同时SiC MOSFET与Si IGBT的结温波动幅值差减小84.4%。 展开更多
关键词 si/sic混合器件 sic MOSFET 结温波动平滑 驱动电压模式 负载波动
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考虑驱动参数的Si/SiC混合器件损耗建模研究
3
作者 刘平 曹麒 +3 位作者 肖标 肖凡 郭祺 涂春鸣 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第10期133-144,共12页
针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最... 针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最后,搭建双脉冲测试与稳态参数测量实验平台,在不同驱动电阻、不同负载电流与不同驱动电压条件下验证模型的准确性.实验结果表明,开关时序Ⅰ下开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别达到97.61%和99.20%;在开关时序Ⅱ下,开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别为97.83%和97.66%. 展开更多
关键词 功率半导体器件 sic MOSFET si IGBT 混合器件 损耗 驱动参数
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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
4
作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) si/4H-sic异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数
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Microstructure and properties of Al/Si/SiC composites for electronic packaging 被引量:14
5
作者 朱晓敏 于家康 王新宇 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第7期1686-1692,共7页
The Al/Si/SiC composites with medium volume fraction for electronic packaging were fabricated by gas pressure infiltration.On the premise of keeping the machinability of the composites,the silicon carbide particles,wh... The Al/Si/SiC composites with medium volume fraction for electronic packaging were fabricated by gas pressure infiltration.On the premise of keeping the machinability of the composites,the silicon carbide particles,which have the similar size with silicon particles(average 13 μm),were added to replace silicon particles of same volume fraction,and microstructure and properties of the composites were investigated.The results show that reinforcing particles are distributed uniformly and no apparent pores are observed in the composites.It is also observed that higher thermal conductivity(TC) and flexural strength will be obtained with the addition of SiC particles.Meanwhile,coefficient of thermal expansion(CTE) changes smaller than TC.Models for predicting thermal properties were also discussed.Equivalent effective conductivity(EEC) was proposed to make H-J model suitable for hybrid particles and multimodal particle size distribution. 展开更多
关键词 Al/si/sic composite electronic packaging thermal properties flexural strength
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Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiC_P复合材料热加工工艺的研究 被引量:6
6
作者 徐政坤 贺毅强 +2 位作者 陈振华 尹显觉 郝亮 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2007年第10期17-20,24,共5页
研究了多层喷射沉积Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiCP复合材料的热加工工艺,以及不同工艺对其力学性能的影响。通过调整不同的工艺参数来获得最优化的工艺,并通过金相、X-射线、扫描电镜、透射电镜观察了在不同加工过程中复合材料的显微组织,... 研究了多层喷射沉积Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiCP复合材料的热加工工艺,以及不同工艺对其力学性能的影响。通过调整不同的工艺参数来获得最优化的工艺,并通过金相、X-射线、扫描电镜、透射电镜观察了在不同加工过程中复合材料的显微组织,分析了工艺参数对其加工性能以及最终力学性能的影响。结果表明,在490℃通过挤压后再轧制以及模压后再轧制的Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiCP复合材料具有突出的室温性能和高温性能,热压后轧制得到的板材室温抗拉强度达620 MPa,315℃下抗拉强度达300 MPa,400℃下抗拉强度为185 MPa。分析认为其突出的室温性能和高温性能主要是得益于复合材料中的颗粒状SiC与基体的结合状况良好以及材料中弥散析出的Al13(Fe,V)3Si相、喷射沉积工艺得到的细小晶粒(约800 nm),并且通过大量变形形成晶粒内和晶界附近的位错缠结以及喷射原始颗粒边界氧化皮的破碎而产生的强化。 展开更多
关键词 Al-8.5Fe-1-3V-1.7si/sic复合材料 多层喷射沉积 室温高温性能
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C/SiC材料表面Si/SiC涂层及其对基底结构的影响 被引量:3
7
作者 李俊生 张长瑞 +1 位作者 曹英斌 张玉娣 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期144-148,共5页
采用泥浆预涂层反应法在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比;研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si/SiC涂层微观形貌和成分的影响;比较了单涂层和双涂层2种不... 采用泥浆预涂层反应法在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比;研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si/SiC涂层微观形貌和成分的影响;比较了单涂层和双涂层2种不同涂层制备方法对C/SiC复合材料基底结构的影响;用SEM观察涂层形貌,用XRD分析涂层成分与晶体结构。结果表明:泥浆中C∶Si(质量比)在1∶1.25左右制备的涂层不开裂;埋粉烧结制备的涂层成粉,而气相硅真空反应烧结制备的涂层致密且与基底结合好;单涂层法制备涂层后基底材料致密度高,而双涂层法制备涂层后基底仍然保持多孔结构。 展开更多
关键词 si/sic涂层 埋粉烧结 真空反应烧结
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纳米Fe_3 Si/SiC吸收剂的制备及电磁参数的调节 被引量:2
8
作者 陈志彦 王军 李效东 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期33-36,共4页
采用聚二甲基硅烷(PDMS)和二茂铁合成了聚铁碳硅烷(PFCS),PFCS高温烧成可制成磁性纳米Fe3Si/SiC复合陶瓷吸收剂。研究了铁含量、烧成温度和保温时间等因素对吸收剂电磁参数的影响。结果表明:随着铁含量增加、烧成温度提高和保温时间延长... 采用聚二甲基硅烷(PDMS)和二茂铁合成了聚铁碳硅烷(PFCS),PFCS高温烧成可制成磁性纳米Fe3Si/SiC复合陶瓷吸收剂。研究了铁含量、烧成温度和保温时间等因素对吸收剂电磁参数的影响。结果表明:随着铁含量增加、烧成温度提高和保温时间延长,吸收剂的复介电常数的ε'、ε″和εr明显增大。 展开更多
关键词 纳米Fe3si/sic陶瓷复合吸收剂 聚铁碳硅烷 电磁参数
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C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备 被引量:1
9
作者 张玉娣 张长瑞 李俊生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期29-31,35,共4页
采用新的泥浆预涂层 -反应烧结工艺在 C/ Si C复合材料表面制备 Si/ Si C致密涂层 ,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响 ;采用 XRD分析涂层的组分及晶体结构 ,采用 SEM分析涂层的断口形貌。结果显示 ,采用 MC为胶粘剂、较低的... 采用新的泥浆预涂层 -反应烧结工艺在 C/ Si C复合材料表面制备 Si/ Si C致密涂层 ,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响 ;采用 XRD分析涂层的组分及晶体结构 ,采用 SEM分析涂层的断口形貌。结果显示 ,采用 MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好 ;无 Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差 ,而在真空环境下、 14 5 0~ 16 0 0℃温度范围高温烧结能够制备出致密的 Si/ Si C涂层 。 展开更多
关键词 C/sic陶瓷基复合材料 预涂层 反应烧结 si/sic涂层
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喷射沉积Al-20Si/SiCp复合材料的热疲劳行为 被引量:4
10
作者 李微 陈鼎 +2 位作者 陈振华 范沧 肖廷 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期54-58,共5页
采用V型缺口试样对喷射沉积Al-20Si/SiCp复合材料进行了热循环试验,用光学金相显微镜和扫描电镜研究了在热应力作用下的热疲劳裂纹扩展方式和形态.结果表明:热疲劳裂纹优先在V型缺口处萌生;复合材料经一定的热循环次数后随相对密度的提... 采用V型缺口试样对喷射沉积Al-20Si/SiCp复合材料进行了热循环试验,用光学金相显微镜和扫描电镜研究了在热应力作用下的热疲劳裂纹扩展方式和形态.结果表明:热疲劳裂纹优先在V型缺口处萌生;复合材料经一定的热循环次数后随相对密度的提高,裂纹扩展速率下降;在复合材料的三大相——α-Al基体、Si相以及SiC颗粒中,α-Al基体阻碍热疲劳裂纹的扩展,裂纹非连续性扩展;裂纹扩展方式受Si相的尺寸和分布状态控制,裂纹绕过Si颗粒向前扩展以及裂纹穿过Si颗粒向前扩展是裂纹碰到Si颗粒时常出现的两种机制;SiC颗粒与热疲劳裂纹有强烈的交互作用,加强SiC颗粒与基体的界面结合有利于提高热疲劳寿命. 展开更多
关键词 喷射沉积 Al-20si/sicp 复合材料 热疲劳裂纹 相对密度 α-Al基体 si sic颗粒
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碱溶ICP-AES法同时测定AlSi/SiC复合材料中的高含量硅和低含量镁、钛、铁 被引量:9
11
作者 谢绍金 董天祥 《光谱实验室》 CAS CSCD 2000年第3期341-346,共6页
本文采用碱溶 ICP- AES法对 Al Si/Si C复合材料中的高含量硅和低含量镁、钛、铁的测定进行研究 ,着重进行基体元素铝及待测定元素硅、镁、钛、铁之间的干扰试验 ,进行了碱度试验和酸度试验 ,测定了Al Si/Si C复合材料中的硅、镁、钛、... 本文采用碱溶 ICP- AES法对 Al Si/Si C复合材料中的高含量硅和低含量镁、钛、铁的测定进行研究 ,着重进行基体元素铝及待测定元素硅、镁、钛、铁之间的干扰试验 ,进行了碱度试验和酸度试验 ,测定了Al Si/Si C复合材料中的硅、镁、钛、铁含量 ,得到了较好的精密度和准确度。方法简便可靠 ,可获得满意的分析结果。 展开更多
关键词 ICP-AES AIsi/sic复合材料
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(Ti-50Cu)+Nb钎料钎焊Si/SiC复相陶瓷与殷钢
12
作者 张华 田亮 +2 位作者 黄继华 赵兴科 陈树海 《焊接》 北大核心 2011年第3期42-44,48,共4页
采用真空钎焊方法,以Ti50Cu+Nb钎料连接Si/SiC复相陶瓷与殷钢。采用扫描电镜进行接头显微组织结构分析,并研究了Nb含量对接头力学性能的影响。结果表明:采用Ti50Cu+Nb钎料连接Si/SiC复相陶瓷与殷钢,可获得连接良好、组织致密的接头,Nb含... 采用真空钎焊方法,以Ti50Cu+Nb钎料连接Si/SiC复相陶瓷与殷钢。采用扫描电镜进行接头显微组织结构分析,并研究了Nb含量对接头力学性能的影响。结果表明:采用Ti50Cu+Nb钎料连接Si/SiC复相陶瓷与殷钢,可获得连接良好、组织致密的接头,Nb含量40%(体积分数)、钎焊温度970℃、保温时间5 min时,接头室温剪切强度达到最大值122.2 MPa。 展开更多
关键词 si/sic复相陶瓷 殷钢 Ti50Cu+Nb钎料 真空钎焊
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基于UIS测试的Si/SiC级联器件雪崩特性分析
13
作者 周郁明 王倩 +1 位作者 张秋生 刘航志 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期113-121,131,共10页
与机械式断路器相比,使用半导体功率器件构成的直流固态断路器在响应时间方面有较大的优势。由低压硅金属—氧化物—半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和高压碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)构成的Si/SiC级联型器件具有优异的开断特性。... 与机械式断路器相比,使用半导体功率器件构成的直流固态断路器在响应时间方面有较大的优势。由低压硅金属—氧化物—半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和高压碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)构成的Si/SiC级联型器件具有优异的开断特性。半导体功率器件可靠性一直是直流固态断路器所关注的焦点问题,非箝位感性负载开关(unclamped inductive switching,UIS)测试是评估半导体功率器件可靠性的重要方法。文中通过实验和仿真的方式分析了Si/SiC级联器件在非箝位感性负载开关过程的雪崩特性。首先,通过增加器件导通时间得到了不同负载电流下的雪崩特性,结果表明,随着导通时间的增加,Si/SiC级联器件在雪崩期间出现了雪崩电压下降的异常特性。随后,通过分立式Si/SiC级联器件进行UIS测试,发现异常特性是由于SiC JFET在雪崩期间出现导通而形成的。最后,通过Si/SiC级联器件的三维电—热耦合仿真,结果表明雪崩期间SiC JFET芯片栅极铝金属层和键合线温度升高,导致SiC JFET栅极等效电阻增加,最终使得SiC JFET在雪崩期间出现导通。 展开更多
关键词 固态断路器 si/sic级联器件 雪崩特性 电—热耦合仿真
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轻型高强Al-Si/SiC复合材料反射镜的制备与性能
14
作者 苑永涛 吴海鹰 +1 位作者 刘红 方敬忠 《航天返回与遥感》 2014年第5期25-30,共6页
文章采用反应烧结工艺制备 Si/SiC 材料,然后通过真空扩散渗铝工艺制备了 Al-Si/SiC 复合材料。通过精确调控浸渗合金的铝浓度使制备的Al-Si/SiC复合材料具有可控的热膨胀系数,利用该工艺制备出热膨胀系数连续可调(4.6×10-6K-1~... 文章采用反应烧结工艺制备 Si/SiC 材料,然后通过真空扩散渗铝工艺制备了 Al-Si/SiC 复合材料。通过精确调控浸渗合金的铝浓度使制备的Al-Si/SiC复合材料具有可控的热膨胀系数,利用该工艺制备出热膨胀系数连续可调(4.6×10-6K-1~8.7×10-6K-1,0~40℃)的 Al-Si/SiC 复合材料,其力学性能优异,经检测密度为2.86g/cm3,弹性模量为236GPa,断裂韧性为6.1MPa&#183;m1/2,可采用线切割、铣磨、钻孔、攻丝等手段加工,相比SiC陶瓷材料更易于高精度机械加工。扫描电子显微镜分析表明,制备的Al-Si/SiC复合材料均匀、致密,光学抛光后表面粗糙度均方根值达到1.017 nm。各项测试数据表明, Al-Si/SiC复合材料作为反射镜可以满足空间光学的应用。 展开更多
关键词 Al-si/sic复合材料 真空扩散渗铝 热膨胀系数 表面粗糙度
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Si/SiC复相陶瓷与殷钢钎焊接头组织结构研究 被引量:2
15
作者 张志远 黄继华 +2 位作者 张华 赵兴科 班永华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A01期493-496,共4页
以Ti、Cu混合金属粉末为钎料真空钎焊Si/SiC复相陶瓷与殷钢,通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射对接头组织结构进行分析。结果表明:Ti-Cu钎料对陶瓷和殷钢都具有良好的润湿性;在980℃保温10min条件下形成良好的连接接头,连接层主要由Ti-C... 以Ti、Cu混合金属粉末为钎料真空钎焊Si/SiC复相陶瓷与殷钢,通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射对接头组织结构进行分析。结果表明:Ti-Cu钎料对陶瓷和殷钢都具有良好的润湿性;在980℃保温10min条件下形成良好的连接接头,连接层主要由Ti-Cu化合物和Ti5Si3相组成,在连接层与陶瓷界面生成TiSi2、Ti3SiC2和TiC反应层;在980℃保温15min条件下,连接层中生成的化合物种类没有变化,但在近缝区的陶瓷中产生了横向裂纹,导致接头强度急剧下降。接头室温剪切强度在980℃保温10min时最高达到90MPa。 展开更多
关键词 si/sic复相陶瓷 殷钢 真空钎焊 界面反应
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基于热网络分区等效策略的Si/SiC混合器件耦合热参数辨识方法 被引量:3
16
作者 龙柳 肖凡 +2 位作者 涂春鸣 肖标 郭祺 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期3718-3731,共14页
由硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联构成的混合器件可打破单一Si基器件和SiC基器件的局限性,实现损耗和成本间的有效均衡。结温估计对于Si/SiC混合器件的可靠运行至关重要,然而,... 由硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联构成的混合器件可打破单一Si基器件和SiC基器件的局限性,实现损耗和成本间的有效均衡。结温估计对于Si/SiC混合器件的可靠运行至关重要,然而,目前针对热监测的研究往往需满足热稳态平衡和功率损耗可测两大条件,在实际变流器中实用性较低。基于此,该文以零输入响应法为切入点,首先,对Si/SiC混合器件热结构特性进行分析,详细阐述零输入响应法直接应用于混合器件时所带来的高阶热约束条件难以表征的问题;其次,通过对SiIGBT与SiC MOSFET进行热网络分区处理实现模型的降阶,构建出壳温降温曲线时间常数与热参数之间的约束关系,提出了基于热网络分区等效思想的混合器件耦合热参数辨识方法,所提方法简化了功率损耗测量步骤与热平衡态条件,在并联器件耦合热参数辨识研究中具有简单、通用、流程化高的应用优势;最后,通过实验验证了该文所提方法的准确性和有效性。 展开更多
关键词 耦合热参数辨识 si/sic混合器件 热网络分区 热时间常数 热约束
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考虑驱动电压与开关时序协同调控的Si/SiC混合器件开关策略 被引量:2
17
作者 肖标 涂春鸣 +3 位作者 郭祺 肖凡 龙柳 刘平 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期4904-4914,I0025,共12页
硅基(Si)绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅基(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并联组成的Si/SiC混合器件,已被证实具有SiC MOSFET的高... 硅基(Si)绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅基(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并联组成的Si/SiC混合器件,已被证实具有SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力、低成本的优势。然而,目前Si/SiC混合器件性能提升的研究并未兼顾效率和可靠性,且存在调控手段单一的劣势。基于此,该文详细分析不同负载电流下驱动电压、开关时序等调控参数对Si/SiC混合器件损耗和电应力的影响,提出一种考虑驱动电压与开关时序协同调控的Si/SiC混合器件开关策略。所提开关策略通过不同电流区间采用驱动电压与开关时序相配合的方式,在保障Si/SiC混合器件可靠性的前提下,提高其运行效率。该文搭建双脉冲测试实验平台与稳态参数测量实验平台对所提开关策略进行验证。实验结果表明,相较于传统开关策略,Si/SiC混合器件采用本文所提开关策略在开通损耗、关断损耗以及导通损耗方面分别减少13%、21%和32%。 展开更多
关键词 碳化硅基(sic) si/sic混合器件 驱动电压 开关时序 开关策略
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一种具有阳极NPN的Si/SiC异质结IGBT结构 被引量:1
18
作者 黄洪 李琦 +2 位作者 党天宝 王磊 姜焱彬 《桂林电子科技大学学报》 2021年第1期18-24,共7页
为了降低IGBT的关断时间与导通压降,并且折衷关断损耗与导通压降之间的关系,提出一种具有阳极NPN结构的Si/SiC异质结IGBT器件。该器件在SiC-IGBT的基础上,阳极处引入Si材料,并进行NPN掺杂。Si与N_(Buffer)结合成N-Si/N-SiC异质结,形成阳... 为了降低IGBT的关断时间与导通压降,并且折衷关断损耗与导通压降之间的关系,提出一种具有阳极NPN结构的Si/SiC异质结IGBT器件。该器件在SiC-IGBT的基础上,阳极处引入Si材料,并进行NPN掺杂。Si与N_(Buffer)结合成N-Si/N-SiC异质结,形成阳极NPN三级管结构。相比于SiC的价带,Si/SiC异质结处拥有较高的价带能级,利用异质结价带差,当器件关断时,阳极端可以快速抽取异质结附近的空穴,降低关断时间。此外NPN三级管结构在关断时开启,抽取载流子。在2种抽取载流子途径下,进一步降低了关断时间。Sentaurus TCAD器件仿真结果表明,在电阻负载下,相比传统SiC-IGBT与阳极端NPN结构SNPN-IGBT,关断时间分别降低了13%与36%;在电感负载下,关断损耗分别降低了79%与68%。该器件在NPN的基础上进一步降低关断损耗,器件导通压降有轻微上升,实现导通压降与关断损耗的折衷关系,实现了低损耗、高频率器件性能。 展开更多
关键词 si/sic 异质结 阳极NPN 关断损耗 IGBT
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离心场强化晶硅切割废料Si/SiC分离过程油水分相
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作者 王占奎 王东 +2 位作者 王志 马文会 万小涵 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期118-125,共8页
对切割料中Si和Si C的高效分离进行了研究,利用晶硅切割废料中Si和Si C表面性质的差异,向浆料中加入柴油并充分乳化,使SiC吸附在油滴上实现Si/SiC分离,对乳化后的浆料施加离心力强化油水分相,调节浆料pH值改变颗粒表面Zeta电位,调控乳... 对切割料中Si和Si C的高效分离进行了研究,利用晶硅切割废料中Si和Si C表面性质的差异,向浆料中加入柴油并充分乳化,使SiC吸附在油滴上实现Si/SiC分离,对乳化后的浆料施加离心力强化油水分相,调节浆料pH值改变颗粒表面Zeta电位,调控乳化后的油滴大小,研究了Si/Si C分离效果、分相时间与浆料pH的关系及附有Si C的油滴表观密度与油滴直径的关系,对乳化后的浆料分别施加超重力系数为10, 50, 100, 150和200的离心力,考察了离心时间2 min时的分相效果和Si/SiC分离效果。结果表明,常重力场中,油滴尺寸越小,分相时间越长,但Si C去除效果变好,pH=7时,水相Si C含量为4.23wt%。油滴直径小于64?m时,油滴在浆料中不可上浮。离心场中,超重力系数为100, p H=7时,水相中Si C含量为5.47wt%,分相时间由460 min缩短为2 min。通过对离心场中Si C的受力分析解析了离心场中Si C在油滴表面的赋存状态,证实离心场作用下,Si C沿油滴表面向离心力方向移动使油滴对Si C的吸附力减小。 展开更多
关键词 切割料 si/sic分离 离心强化 相分离
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调制掺杂结构Si/SiC异质结的光电特性模拟
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作者 何映锋 陈治明 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期18-24,共7页
为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿... 为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿命,达到提高光电流密度的目的。使用Silvaco软件模拟了这种Si/SiC异质结的特性,研究了不同的Si层结构参数对器件光电特性的影响,并对Si层的厚度及掺杂浓度进行了优化。研究表明,在0.6 W/cm2的卤钨灯辐照条件下,从SiC侧入射,p-Si和n-Si层的掺杂浓度均为1018 cm-3,厚度均为10 nm,器件的光电流密度可达129.6 mA/cm2,与常规结构相比,其最大光电流密度提高了21%,表明将Si/SiC异质结的Si层做成调制掺杂结构对器件光电性能有显著的改善作用。 展开更多
关键词 si/sic异质结 调制掺杂结构 光电效应 光电流密度 silvaco软件
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