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射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用
被引量：
3
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作者
邹德恕
徐晨
+4 位作者
罗辑
陈建新
高国
魏泽民
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期12-14,共3页
介结了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。
关键词
si/
si
GeHBT
射频溅射
二氧化硅
在线阅读
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职称材料
题名
射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用
被引量：
3
1
作者
邹德恕
徐晨
罗辑
陈建新
高国
魏泽民
沈光地
机构
北京工业大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期12-14,共3页
基金
北京自然基金
国家"863"项目资助
文摘
介结了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。
关键词
si/
si
GeHBT
射频溅射
二氧化硅
Keywords
si/gesi hbtrf sputteringsio2
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用
邹德恕
徐晨
罗辑
陈建新
高国
魏泽民
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
3
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