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GeSi/Si PIN红外探测器的漏电现象分析 被引量:1
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作者 李娜 刘恩科 +1 位作者 李国正 许雪林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期54-58,共5页
根据半导体理论并结合实验结果,分析了以GeSi/Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明:当锗含量x=0.6时,探测器的暗电流密度可达到10-5A/cm2,这是由超晶格的禁带宽度决定的。实际器件的暗电流较大,主要是表面... 根据半导体理论并结合实验结果,分析了以GeSi/Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明:当锗含量x=0.6时,探测器的暗电流密度可达到10-5A/cm2,这是由超晶格的禁带宽度决定的。实际器件的暗电流较大,主要是表面因素和加工工艺的影响。 展开更多
关键词 探测器 超晶格 红外探测器 PIN
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GeSi/Si共振隧穿二极管 被引量:1
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作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期627-634,共8页
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅... GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。 展开更多
关键词 gesi/si共振隧穿二极管 gesi/si异质结 gesi/si带间共振隧穿二极管 能带结构 材料结构
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GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计
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作者 李娜 李宁 +3 位作者 陆卫 沈学础 李国正 刘恩科 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期203-208,共6页
根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影... 根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响.并结合吸收特点对MQW吸收层结构进行优化设计. 展开更多
关键词 gesi/si 多量子阱 光波导 吸收层 模特性
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GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计
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作者 任中杰 李娜 +1 位作者 李国正 刘恩科 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期33-36,共4页
根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响.结合吸... 根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响.结合吸收特点,对波导探测器MQW吸收层结构进行优化设计. 展开更多
关键词 多量子阱 光波导 结构设计 半导体 硅化锗
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p-GeSi/n+-Si异质结电光调制器
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作者 李国正 高勇 刘恩科 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期234-237,共4页
文章介绍了硅基光电子器件——p-GeSi/n+-Si异质结电光调制器的初步试验研究之后,给出了所研制调制器的调制深度为90%时的调制电流约180mA。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。
关键词 半导体器件 调制器 异质结
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GeSi/Si应变超晶格探测器的制作
6
作者 刘淑平 闫进 +1 位作者 扬型建 李国正 《应用光学》 CAS CSCD 1996年第2期37-38,共2页
介绍GeSi/Si应变新材料探测器的制作方法,它不仅与Si微电子工艺相兼容,而且还可调节Ge含量使其禁带宽度满足现代光纤通信器件的要求。
关键词 红外探测器 光电器件 应变 超晶格
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用光电压谱研究 GeSi/Si 量子阱的带间光跃迁
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作者 朱文章 徐恭勤 《集美航海学院学报》 1997年第4期20-24,共5页
在18~300K温度范围内,测量了x=0.2和0.5两种不同结构的GexSi1-x/Si应变层多量子阱的光电压谱,观测到HH1,LH1,HH2等激子光吸收跃迁信号以及TO声子辅助HH1激子光吸收跃迁信号.低温下的光电... 在18~300K温度范围内,测量了x=0.2和0.5两种不同结构的GexSi1-x/Si应变层多量子阱的光电压谱,观测到HH1,LH1,HH2等激子光吸收跃迁信号以及TO声子辅助HH1激子光吸收跃迁信号.低温下的光电压谱反映了量子阱台阶式的状态密度分布.方形势阱模型的理论计算结果与实验结果符合较好. 展开更多
关键词 gesi/si 量子阱 带间光跃迁 光电压谱
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MEB法生长纳米结构Si/GeSi
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作者 一凡 《电子材料快报》 1996年第6期4-5,共2页
关键词 半导体 MBE法 纳米结构 si/gesi
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GeSi/Si异质结光波导光栅耦合器的设计与模拟
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作者 徐勤昌 刘淑平 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2008年第4期453-458,共6页
GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm... GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm的单模Ge0.05Si0.95/Si异质结波导光栅耦合器的周期、长度和槽深,得出从空气中输入角为75°(从衬底中入射角为16°)时,周期为0.512μm,槽宽为0.256μm,光栅长度为2.3 mm,从空气侧输入时耦合效率为22.5%,从衬底输入时耦合效率为46.3%,并对其输入、输出光场进行了数值模拟。 展开更多
关键词 gesi/si异质结 光电集成 光栅耦合器
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1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器的设计
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作者 徐勤昌 刘淑平 《红外》 CAS 2008年第1期24-27,共4页
分析了导模-辐射模耦合理论和利用经塔米尔的传输回路方法论改造过的扰动理论进行解析的结果。根据上述理论对1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器波导层的厚度、槽形、长度、宽度、周期、槽深等做了近似的设计。
关键词 光栅耦合器 gesi/si异质结 辐射系数 耦合系数
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Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector
11
作者 LIU Shu-ping JIA Yue-hu 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2006年第1期21-24,共4页
According to Maxwell’s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is ... According to Maxwell’s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out. 展开更多
关键词 gesi/si Superlattice nanoerystalline PHOTODETECTOR
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射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用 被引量:3
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作者 邹德恕 徐晨 +4 位作者 罗辑 陈建新 高国 魏泽民 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期12-14,共3页
介结了射频溅射SiO2的原理与工艺,对制造出的Si/SiGeHBT作了分析。
关键词 si/siGeHBT 射频溅射 二氧化硅
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SIMOX上Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)超晶格的TEM分析 被引量:2
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作者 倪如山 朱文化 林成鲁 《电子显微学报》 CAS CSCD 1992年第5期409-410,共2页
借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能成功地生长在SIMOX衬底上。由于si/Ge_(0.5)Si_(0.5)膜与SIMOX... 借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能成功地生长在SIMOX衬底上。由于si/Ge_(0.5)Si_(0.5)膜与SIMOX衬底之间晶格失配,引起晶格畸变。分析SIMOX超晶格的显微结构,Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)超晶格内存在的位错与SIMOX衬底内的位错密度有关引言Si衬底上分子束外延Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格是基础研究和器件应用的重要研究领域。某些以Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)层为基础的高质量器件已研制成功。例如异质结的双极型晶体管。 展开更多
关键词 si/gesi 外延生长 超晶格 TEM 分析
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Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
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作者 江若琏 罗志云 +8 位作者 陈卫民 臧岚 朱顺明 徐宏勃 刘夏冰 程雪梅 陈志忠 韩平 郑有炓 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期27-29,共3页
采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm... 采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。 展开更多
关键词 光电二极管 异质结 硅基 硅化鳍
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Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si异质结单模共面布拉格反射波导光栅的设计与分析
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作者 徐勤昌 刘淑平 郭云香 《应用光学》 CAS CSCD 2008年第5期763-766,共4页
GeSi/Si异质结布拉格反射光栅是硅基光电集成领域一种重要的集成光学器件,分析GeSi/Si异质结的传光特性和布拉格条件,通过求解布拉格光栅方程,得出耦合系数和耦合效率。利用上述原理设计出入射角为66°,波导层的厚度为2μm,光栅长度... GeSi/Si异质结布拉格反射光栅是硅基光电集成领域一种重要的集成光学器件,分析GeSi/Si异质结的传光特性和布拉格条件,通过求解布拉格光栅方程,得出耦合系数和耦合效率。利用上述原理设计出入射角为66°,波导层的厚度为2μm,光栅长度为4 252μm,槽深为0.05μm,光栅周期为0.456μm,滤波带宽为0.214 nm,耦合效率为84.1%的1.3μm Ge0.05Si0.95/Si异质结单模共面布拉格反射光栅,并用数值模拟了入射光波电场和反射光波电场的分布。 展开更多
关键词 gesi/si异质结 布拉格反射波导光栅 分/合波器 电场分布
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硅基近红外探测器研究进展 被引量:2
16
作者 时文华 王启明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期471-475,共5页
介绍了近年来在硅基近红外探测器方面所取得的最新进展,分析并讨论了各种吸收区材料以及器件结构,并对其发展与应用进行了展望。
关键词 硅基 探测器 近红外 键合 锗硅
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模拟集成电路的发展动态 被引量:1
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作者 宋泰伦 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第2期1-4,共4页
本文介绍了A/D与D/A转换器、超高速SOI器件及电路、超高速双极电路、GeSi/Si异质结器件和电路、智能功率等模拟集成电路的发展概况。
关键词 模拟集成电路 SOI器件 异质结器件 智能功率IC
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硅衬底上锗硅合金光波导的研制 被引量:7
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作者 潘姬 赵鸿麟 +2 位作者 杨恩泽 李德杰 吴伯瑜 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期603-607,共5页
报道锗硅合金在λ=1.3μm的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果.这种光波导的传播损耗已达0.7dB/cm.脊形的高4~8μm,宽8~12μm,均和单模光纤芯径相当.此外,其数值孔径在光波导的输入、输出端均能和单模... 报道锗硅合金在λ=1.3μm的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果.这种光波导的传播损耗已达0.7dB/cm.脊形的高4~8μm,宽8~12μm,均和单模光纤芯径相当.此外,其数值孔径在光波导的输入、输出端均能和单模光纤匹配,它已满足硅光集成对光波导的要求.文中最后报道了用这种锗硅合金光波导试制Y分支器,并观察到二支分路输出的单模光斑. 展开更多
关键词 硅光集成 光波导 锗硅合金
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