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题名DC/AC纳米片器件的自加热效应仿真
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作者
李远达
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机构
贵州师范大学物理与电子科学学院
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出处
《电子制作》
2026年第1期99-102,共4页
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文摘
本文基于Sentaurus TCAD软件对纳米片器件进行建模,系统研究了其在直流偏压、器件结构变化及交流偏压条件下的自加热效应及其影响机制。仿真结果显示,在直流偏压下,自加热效应导致器件开态电流下降,最大晶格温度可达480.49K;随着纳米片宽度和厚度的增大,开态电流和最大晶格温度均有所提升。在交流偏压下,器件晶格温度随栅极电压升高而增加,并在脉冲持续约150ps时达到热平衡,同时可在相同时间尺度恢复至环境温度。在多个脉冲循环作用下,器件晶格温度呈持续上升趋势,表现出明显的热量积累效应。本研究为纳米片器件的热管理设计及高频工作可靠性分析提供了理论参考。
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关键词
纳米片器件
自加热效应
sentaurus
tcad
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名氧化镓功率器件性能温度响应的仿真与优化
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作者
谢玉环
瞿振宇
赵天成
徐文慧
游天桂
杨义
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机构
上海理工大学材料与化学学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《有色金属材料与工程》
2025年第6期49-56,共8页
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基金
上海市战略前沿专项(24DP1500100)
上海市“科技创新行动计划”启明星(22QA1410700)。
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文摘
针对氧化镓(Ga_(2)O_(3))本征热导率较低的问题,可采用智能剥离转移技术将Ga_(2)O_(3)薄膜与高导热衬底材料异质集成,提升其器件散热能力。利用Sentaurus TCAD分别对Ga_(2)O_(3)同质外延材料与SiC基Ga_(2)O_(3)(GaOSiC)功率器件性能的温度响应进行系统的仿真与研究,并利用COMSOL有限元仿真软件模拟GaOSiC MOSFET在不同条件下的温度分布,分析了钝化层、中间黏附层和衬底种类对器件散热的影响。结果表明,相同功率下,GaOSiC MOSFET器件相较于同质Ga_(2)O_(3)MOSFET,峰值温升下降~202 K,展现出与高导热衬底集成可大幅缓解Ga_(2)O_(3)器件的自热效应。且GaOSiC MOSFET阈值电压、开关比、导通电阻和击穿电压等比Ga_(2)O_(3)体材料MOSFET性能更优。此外,用于键合的中间黏附层SiO_(2)/SiN_(x)的存在导致器件最大温升提高16 K。随着钝化层AlN厚度的增大可以使器件最大温升有较小幅度的降低。而集成了更高导热衬底金刚石的异质器件相比于同质器件其温升有更加明显的下降(~330 K)。
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关键词
氧化镓
异质集成
sentaurus
tcad
COMSOL
功率器件
温度响应
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Keywords
gallium oxide
heterogeneous integration
sentaurus tcad
COMSOL
power device
temperature response
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN6
[电子电信—电路与系统]
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题名国产化叠层电容工艺的失效机理与可靠性研究
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作者
王烁
王静
琚安安
赵容
孔泽斌
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机构
上海航天技术基础研究所
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出处
《集成电路与嵌入式系统》
2025年第1期29-33,共5页
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文摘
通过对国产运算放大器的一项失效分析研究,揭示了由于工艺变更引起的叠层MIS电容短路是导致器件失效的主要原因。在低电场条件下,电容表现正常,但在高电场条件下,由于Fowler Nordheim隧穿效应,热电子碰撞引发的缺陷积累最终导致了电容的短路失效。通过Sentaurus TCAD仿真分析,验证了界面掺杂原子浓度差异对氧化层生长速率的影响,并提出了相应的工艺改进建议,进而提升国产芯片的可靠性。
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关键词
失效分析
多晶硅氧化
国产化工艺
掺杂扩散
电容击穿
Sentauru
tcad仿真
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Keywords
failure analysis
polysilicon oxidation
domestic processes
dopant diffusion
capacitor breakdown
sentaurus tcad simulation
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分类号
TN305.5
[电子电信—物理电子学]
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题名小像元InSb红外焦平面器件光电性能仿真
被引量：2
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作者
朱旭波
李墨
何英杰
吕衍秋
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机构
中国空空导弹研究院
红外探测器技术航空科技重点实验室
河南省锑化物红外探测器工程技术研究中心
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出处
《航空兵器》
CSCD
北大核心
2022年第3期61-65,共5页
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基金
航空科学基金项目(201924012003)。
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文摘
小像元是InSb红外焦平面器件制备的发展方向之一,但其会对器件的光电流响应和串音产生很大影响。因此使用Sentaurus TCAD软件建立了小像元InSb红外焦平面阵列器件的台面结器件模型、平面结器件模型和外延结构器件模型,采用背照射的3个像素单元的InSb阵列器件仿真了3种器件结构的光电流响应和串音。结果表明,台面结器件和平面结器件可以通过减小器件厚度和增加结深的方法来增加光电流响应和减少串音;外延结构器件可以通过增加吸收层厚度和选择合适的掺杂浓度来改善光电流响应和串音。综合考虑工艺难度影响,对小像元InSb红外焦平面阵列器件,建议采用深离子注入的平面结结构和采用分子束外延制备的厚度和掺杂浓度可控的外延结构。
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关键词
INSB
小像元
红外探测器
电流响应率
串音
sentaurus
tcad
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Keywords
InSb
small-pixel
infrared detector
photocurrent response
crosstalk
sentaurus tcad
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分类号
TJ760.1
[兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
TN215
[电子电信—物理电子学]
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