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本征光背入射的平面碳化硅光导开关响应特性
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作者 卢柯润 刘福印 +3 位作者 王日品 刘宇宸 王朗宁 荀涛 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第6期111-116,共6页
平面碳化硅光导开关因可采用本征光触发而具有实现高光电增益的特点,但正面与背面光入射两种触发方式在响应特性上存在显著差异。基于TCAD数值仿真软件,对本征光背入射的平面碳化硅(SiC)光导开关的光电流响应进行研究,对比本征光触发下... 平面碳化硅光导开关因可采用本征光触发而具有实现高光电增益的特点,但正面与背面光入射两种触发方式在响应特性上存在显著差异。基于TCAD数值仿真软件,对本征光背入射的平面碳化硅(SiC)光导开关的光电流响应进行研究,对比本征光触发下不同衬底厚度、不同光功率下器件正面与背面入光输出光电流,并对器件内部电流与电场分布状态进行对比分析,最终对厚度为50μm的平面SiC光导开关进行了正面、背面触发实验测试。实验结果表明,40 kW峰值光功率下,与正面触发相比,背面触发器件的导通电阻减少了40%,验证了背面入光器件光电转换效率高的特点,且背面触发器件内部电场、电流更加均匀,更有利于提高器件高功率容量。结果为平面光导开关本征触发提供仿真与实验参考。 展开更多
关键词 光导开关 碳化硅 背面光入射 平面型器件 半导体仿真
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具有良好溶解性的聚萘四甲酰亚二胺有机半导体
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作者 廖才圆 黄帅 +1 位作者 周启鑫 何汉平 《高分子材料科学与工程》 北大核心 2025年第8期127-137,共11页
萘四甲酰亚二胺(NDI)作为N型半导体常用于有机场效应晶体管(OFET),但因其平面刚性大,在良性溶剂中的溶解度差,限制了其在半导体器件中的应用。为解决这一问题,文中采用萘四甲酸酐(NDA)为原料,通过与二溴异氰尿酸反应得到2,6-二溴-1,4,5... 萘四甲酰亚二胺(NDI)作为N型半导体常用于有机场效应晶体管(OFET),但因其平面刚性大,在良性溶剂中的溶解度差,限制了其在半导体器件中的应用。为解决这一问题,文中采用萘四甲酸酐(NDA)为原料,通过与二溴异氰尿酸反应得到2,6-二溴-1,4,5,8-萘四甲酸二酐(DBrNDA)。然后在其上引入烷基侧链(—C10,—C6NHBoc),合成了2种不同侧链末端的小分子。接着,这些小分子与不同的供体单元(T2,TT,TTT)偶联,得到6种D-A型有机聚合物半导体材料。此外,采用NHBoc聚合物末端合成具有功能化侧链的炔基化末端聚合物,最终得到2种具有不同侧链(—C10,—C6C3C2)的高分子半导体材料。结果表明,侧链的引入有助于调控聚合物的物理性质。2种侧链的聚合物在溶液中均具有良好溶解性,且由于侧链结构不同,(—C10)侧链聚合物在热重分析中表现出更好的热稳定性。2种聚合物表现出明显的双极性传输特性,最大空穴迁移率在0.08~5.08 cm^(2)/(V·s)之间,最大电子迁移率在0.079~1.640 cm^(2)/(V·s)之间。表明侧链对聚合物及器件性能有重要影响。 展开更多
关键词 萘四甲酰亚二胺衍生物 供/吸电子基团 D-A型聚合 半导体电学性能
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Cu-Mn-I固溶体薄膜制备及其p型透明导电性质调控
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作者 王亮君 欧阳玉昭 +1 位作者 赵俊亮 杨长 《无机材料学报》 北大核心 2025年第9期1022-1028,共7页
在光电子器件领域,具有可控电学参数的p型透明半导体材料具有重要的应用价值。但以CuI为代表的该类材料在制备工艺与掺杂调控方面仍存在显著技术瓶颈。本研究通过锰阳离子掺杂,成功制备出具有可调电学特性的新型p型透明半导体材料,为透... 在光电子器件领域,具有可控电学参数的p型透明半导体材料具有重要的应用价值。但以CuI为代表的该类材料在制备工艺与掺杂调控方面仍存在显著技术瓶颈。本研究通过锰阳离子掺杂,成功制备出具有可调电学特性的新型p型透明半导体材料,为透明电子学发展提供了新思路。采用反应磁控溅射技术制备的Cu1–xMnxI固溶体薄膜展现出独特的性能优势。首先,该材料可以在室温条件下制备,并保持优异的可见光透明性。其次,随着锰掺杂量(x)的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,并且出现明显的晶粒团聚现象。通过X射线光电子能谱分析,揭示了薄膜中锰离子以Mn^(2+)和Mn^(3+)混合价态存在。电学性能表征显示,薄膜电阻率可在0.017~2.5Ω·cm区间实现两个数量级的可控调节,同时空穴载流子浓度稳定维持在10^(18)~10^(19) cm^(-3)较高数量级。与传统n型半导体掺杂规律不同,引入高价态锰离子未显著影响材料的p型导电特性,这可能源于锰取代亚铜离子后形成的非完全离域电子态。本研究表明CuI半导体的空穴导电特性不易受高价锰离子掺杂的影响,有望在保持良好p型导电性的情况下在较大范围内实现材料组分的宽域调控,为开发CuI基多功能透明电子器件提供了重要材料基础。 展开更多
关键词 Cu_(1-x)Mn_(x)I 透明p型半导体 可控p型导电性
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藤壶胶的表界面表征及其离子阻隔性能
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作者 马骥 张凯丽 +3 位作者 高文龙 高清春 都俐俐 邱萍 《腐蚀与防护》 北大核心 2025年第9期30-36,共7页
采用SEM、XRD和Raman光谱对藤壶与钛板界面处藤壶胶的组成和结构展开研究,揭示了其与金属基体强效结合的作用机理,并用电化学方法分析了其离子阻隔性及电子特性。结果表明,藤壶胶由复合蛋白质和CaCO_(3)组成,呈现复杂的网络拓扑结构,且... 采用SEM、XRD和Raman光谱对藤壶与钛板界面处藤壶胶的组成和结构展开研究,揭示了其与金属基体强效结合的作用机理,并用电化学方法分析了其离子阻隔性及电子特性。结果表明,藤壶胶由复合蛋白质和CaCO_(3)组成,呈现复杂的网络拓扑结构,且藤壶胶呈现N型半导体特性,自身的离子阻隔性差。 展开更多
关键词 藤壶胶 复合蛋白质 拓扑结构 N型半导体 离子阻隔
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电力储能检测用SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器及其性能研究 被引量:1
5
作者 穆石磊 蒋建杰 +4 位作者 邓鹤鸣 周开运 李佳丽 严雪莹 韩磊 《高压电器》 北大核心 2025年第6期156-163,共8页
为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_... 为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_(2)掺杂Pd的金属氧化物半导体薄膜,进行了全面的气敏性能测试。结果显示,150 W功率的样品(样品B)在相同氢气浓度下展现出更佳的响应性和较高的工作温度,而130 W功率的样品(样品A)则表现出更优异的长期稳定性。两种传感器均具备良好的选择性,能有效区分油中其他干扰气体,准确检测氢气浓度变化。该新型薄膜型气敏传感器具有优异的性能特点,可为电力储能、变电站、氢能源行业以及环境保护等领域的实时氢气监测提供可靠的技术手段。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锡/钯 薄膜型 传感器 电力储能检测 半导体薄膜
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共掺杂β-Ga_(2)O_(3)导电性质第一性原理研究
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作者 王淳 王坤 +2 位作者 宋相满 任林 张浩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1426-1432,共7页
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)三种体系的结构性质和电学性质,以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga_(2)O_(3)材料。结果表明,Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga_(2)O_(3... 本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)三种体系的结构性质和电学性质,以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga_(2)O_(3)材料。结果表明,Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga_(2)O_(3)仍为直接带隙半导体材料,而N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)为间接带隙半导体材料。三种共掺杂体系均具有较低的形成能。其中Mg-Al共掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系形成能最低,表现出较好的热力学稳定性。该体系中,Mg-p和Al-p轨道推移价带顶向高能方向移动,并穿越费米能级,是三种掺杂体系中最有可能实现P型导电性质的材料。 展开更多
关键词 共掺杂β-Ga_(2)O_(3) 第一性原理 P型导电 电子结构 密度泛函理论 半导体
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防锈油膜在5% Na_2SO_4溶液中的半导体导电行为 被引量:8
7
作者 钟庆东 郑金 +2 位作者 徐乃欣 印仁和 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期276-279,共4页
采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型... 采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体 ,转变过程中 ,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层 .随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小 ,载流子密度则逐渐增加 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA) 展开更多
关键词 防锈油 NA2SO4 自腐蚀电位 油膜 N型半导体 过渡层 导电机制 行为 初期 层厚
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防锈油膜失效过程中的导电行为转变 被引量:10
8
作者 钟庆东 郑金 +2 位作者 徐乃欣 印仁和 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期83-86,共4页
采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变... 采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变为n型半导体 ,防锈油膜逐渐出现两个空间电荷过渡层 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA)的密度 . 展开更多
关键词 防锈油膜 失效 导电机制.p型半导体 N型半导体 电位-电容法 Mort-Schottky分析
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304不锈钢钝化膜在不同溶液中的半导体导电行为 被引量:8
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作者 钟庆东 王超 +2 位作者 鲁雄刚 M.Rohwerder 周国治 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期341-344,共4页
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明,304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征,在5‰H2SO4溶液中,呈现两个空间电荷层,扫描电位低... 采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明,304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征,在5‰H2SO4溶液中,呈现两个空间电荷层,扫描电位低于0VSCE,钝化膜呈现p型半导体导电特征。而扫描电位大于0VSCE,钝化膜呈现n型半导体导电特征。钝化膜在5%NaOH溶液中呈现p型半导体导电特征。在不同溶液中载流子浓度随着浸泡时间的延长变化不大。 展开更多
关键词 304不锈钢钝化膜 导电机制 P型半导体 N型半导体
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基于功率MOSFET的高压纳秒脉冲源研究 被引量:14
10
作者 夏涛 吴云峰 +4 位作者 王胜利 戴磊 胡波洋 郑天策 苗玲 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2015年第12期1852-1861,共10页
为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉... 为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉冲波形影响等几方面来详细分析提高高压纳秒脉冲源输出脉冲特性的方法和途径。实验结果表明,该脉冲源可以产生脉冲上升沿约为5 ns、下降沿约为8 ns,幅值300 V左右的准方波脉冲,性能指标满足钝感火工品的电安全性试验的要求。 展开更多
关键词 功率MOSFET 纳秒级前后沿 驱动时序 电路寄生参数
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不同黄铁矿石灰环境受抑活化研究 被引量:6
11
作者 吴艺鹏 何桂春 +2 位作者 曹海英 邱沙 康维刚 《矿产综合利用》 CAS 北大核心 2015年第2期33-38,共6页
研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征在活化剂体系对其可浮性的影响。活化剂体系中,硫铁比值、半导体类型对黄铁矿的浮游性起决定性作用,硫铁比值大于2、半导体类型为P型的黄铁矿,易于活化,在活化体系中... 研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征在活化剂体系对其可浮性的影响。活化剂体系中,硫铁比值、半导体类型对黄铁矿的浮游性起决定性作用,硫铁比值大于2、半导体类型为P型的黄铁矿,易于活化,在活化体系中的浮游性更好。氯化铵、草酸、硫酸铝对凡口型黄铁矿的浮游性活化效果好,碳酸氢铵对硫铁比值大于2、晶格参数大、半导体类型为P型的大厂型黄铁矿活化效果好,而硫酸铜、硫酸亚铁对黄铁矿的活化效果一般。 展开更多
关键词 黄铁矿 硫铁比 点阵常数 半导体类型 可浮性
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20号碳钢在不同溶液中的半导体导电行为 被引量:3
12
作者 钟庆东 王超 +1 位作者 鲁雄刚 周国治 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期265-267,共3页
采用电位—电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下20号碳钢在酸、碱和盐溶液中的半导体导电行为.结果表明,在腐蚀性介质作用下,随着时间和扫描电位的增加,20号钢空间电荷层电容(Capac itanceof space charge layer-Csc... 采用电位—电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下20号碳钢在酸、碱和盐溶液中的半导体导电行为.结果表明,在腐蚀性介质作用下,随着时间和扫描电位的增加,20号钢空间电荷层电容(Capac itanceof space charge layer-Csc)变化规律不同.20号碳钢在5‰硫酸溶液和5%硫酸钠溶液中呈现p型半导体导电特征,而在5%氢氧化钠溶液中,20号钢表面形成了两个空间电荷层结构,呈n型半导体特征. 展开更多
关键词 碳钢 导电机制 P型半导体 N型半导体.
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N型半导体金刚石的研究现状与展望 被引量:7
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作者 李尚升 许安涛 +4 位作者 王生艳 刘书强 于昆鹏 王健康 韩飞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2728-2734,2740,共8页
作为半导体材料的金刚石具有宽的禁带宽度和高的热导率、介质击穿场强等优异性质,因此其应用前景广阔。P型金刚石发展较N型金刚石成熟。因为缺乏可实用的N型金刚石材料,这使得金刚石半导体器件的应用难以实现。因此N型半导体金刚石成为... 作为半导体材料的金刚石具有宽的禁带宽度和高的热导率、介质击穿场强等优异性质,因此其应用前景广阔。P型金刚石发展较N型金刚石成熟。因为缺乏可实用的N型金刚石材料,这使得金刚石半导体器件的应用难以实现。因此N型半导体金刚石成为研究者关注的焦点。论文从掺杂元素和制备方法两方面详细介绍了国内外N型金刚石的研究现状。硼与磷或硫元素共掺杂获得N型金刚石的研究取得了较大进展;利用化学气相沉积法和离子注入法制备N型半导体金刚石研究较多且取得了一定进展。高压高温下的温度梯度法便于掺杂调控金刚石性能,因而利用该法合成N型半导体金刚石大单晶值得尝试。 展开更多
关键词 金刚石 N型半导体 掺杂
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外磁场中单壁碳纳米管π电子能隙的理论计算 被引量:2
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作者 郭连权 张平 +2 位作者 冷利 马贺 李大业 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2013年第4期390-394,共5页
为了得到单壁碳纳米管在外磁场作用下的电子结构规律,从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论计算了在外磁场作用下单壁碳纳米管(SWNTs)中π电子的能带表达式.在此基础上,利用SWNTs的周期性边界条件和晶体中的布洛赫定理,得到了扶手椅... 为了得到单壁碳纳米管在外磁场作用下的电子结构规律,从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论计算了在外磁场作用下单壁碳纳米管(SWNTs)中π电子的能带表达式.在此基础上,利用SWNTs的周期性边界条件和晶体中的布洛赫定理,得到了扶手椅型SWNTs中π电子的能带表达式,进而推导了外磁场作用下能隙宽度的表达式,从而得知能隙是磁通量Φ的周期函数.由金属型SWNTs的判据m-n=3J(J=0,1,2,3,…)可知,扶手椅型SWNTs(m=n)均为金属型,但由于其在外磁场的作用下可能产生能隙,由此证明了扶手椅型SWNTs可以由金属型转变为半导体型的规律. 展开更多
关键词 磁场 单壁碳纳米管 紧束缚模型 Π电子 能带 能隙 金属型 半导体型
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大尺寸P型赝三元温差电取向晶体的研制 被引量:10
15
作者 荣剑英 段福莲 +4 位作者 赵洪安 吕长荣 董兴才 李将录 赵秀平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期310-310,共1页
在φ13mm直径的p型赝三元温差电材料研制的基础上,使用熔炼一区熔法,分别研制了28mm和33mm直径的大尺寸Te;(Sb₂Te_(3))0.75(1-z)(Bi_(2)Te_(3))0.25(1-x)(Sb_(2)Se_(3))_(x)取向晶体材料。质量1200g,长28cm的一根φ28mm典型晶锭中占晶锭... 在φ13mm直径的p型赝三元温差电材料研制的基础上,使用熔炼一区熔法,分别研制了28mm和33mm直径的大尺寸Te;(Sb₂Te_(3))0.75(1-z)(Bi_(2)Te_(3))0.25(1-x)(Sb_(2)Se_(3))_(x)取向晶体材料。质量1200g,长28cm的一根φ28mm典型晶锭中占晶锭71%的部分,温差电参数分布在以下范围。 展开更多
关键词 P型半导体 温差电材料 垂直区熔法 晶体
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不同矿床伴生黄铁矿的物性特征及可浮性研究 被引量:4
16
作者 何桂春 吴艺鹏 《金属矿山》 CAS 北大核心 2012年第8期73-75,97,共4页
研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征,考察了它们在丁黄药体系中的可浮性及CaO对它们的抑制作用。结果表明:大厂黄铁矿和凡口黄铁矿的半导体类型为p型,武山黄铁矿的半导体类型为n型;3种黄铁矿的硫铁比大... 研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征,考察了它们在丁黄药体系中的可浮性及CaO对它们的抑制作用。结果表明:大厂黄铁矿和凡口黄铁矿的半导体类型为p型,武山黄铁矿的半导体类型为n型;3种黄铁矿的硫铁比大小顺序为大厂型→凡口型→武山型,而晶格点阵常数大小顺序为大厂型→武山型→凡口型。3种黄铁矿的可浮性主要与其半导体类型和硫铁比有关,被CaO抑制的难易程度则主要受其晶格点阵常数影响,即半导体类型为p型和硫铁比大的黄铁矿其可浮性更好,而晶格点阵常数大的黄铁矿更易被CaO抑制。 展开更多
关键词 黄铁矿 硫铁比 点阵常数 半导体类型 可浮性
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N/P/As/Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管的第一性原理 被引量:3
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作者 戴剑锋 陈达城 +1 位作者 崔春梅 樊学萍 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第1期158-160,共3页
基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N... 基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂. 展开更多
关键词 碳化硅纳米管 掺杂 第一性原理 N型半导体 P型半导体
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CuAlO_2纳米晶的水热-分解制备及表征 被引量:4
18
作者 高善民 张江 +2 位作者 王群 戴瑛 黄柏标 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期117-119,122,共4页
采用新制备的Cu2O和Al(OH)3为反应原料,利用水热-分解法制备了p型半导体CuAlO2纳米晶。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱对其结构、形貌、表面组分和性能进行了表征分析,对... 采用新制备的Cu2O和Al(OH)3为反应原料,利用水热-分解法制备了p型半导体CuAlO2纳米晶。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱对其结构、形貌、表面组分和性能进行了表征分析,对反应机理进行了讨论。结果表明在水热条件下首先是Al(OH)3转化为-γAlOOH,然后γ-AlOOH分解并与Cu2O反应生成CuAlO2纳米晶。确定了以Cu2O和Al(OH)3溶胶为反应原料,采用水热-分解法制备CuAlO2纳米晶的最佳反应条件。 展开更多
关键词 P型半导体 CuAlO2 水热-分解 纳米晶
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氢气传感器在电解制氧系统中的应用研究 被引量:2
19
作者 钱力 李森 +3 位作者 黄刚 彭卓 王飞 潘点飞 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期21-24,共4页
针对电解制氧系统中氢气浓度测量受环境因素影响大、测量准确性低等问题,选取了半导体型、催化燃烧型、热导型三类不同原理的氢气传感器,对其在电解制氧系统中的应用进行了试验验证,并对试验结果进行了讨论,分析了各类氢气传感器的使用... 针对电解制氧系统中氢气浓度测量受环境因素影响大、测量准确性低等问题,选取了半导体型、催化燃烧型、热导型三类不同原理的氢气传感器,对其在电解制氧系统中的应用进行了试验验证,并对试验结果进行了讨论,分析了各类氢气传感器的使用局限性。 展开更多
关键词 半导体型 催化燃烧型 热导型 氢气传感器 电解制氧系统
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CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展 被引量:11
20
作者 孙蕾 满卫东 +3 位作者 汪建华 谢鹏 熊礼威 李远 《真空与低温》 2008年第3期134-139,171,共7页
含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。
关键词 金刚石薄膜 掺杂 半导体 N型 P型
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