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本征光背入射的平面碳化硅光导开关响应特性
1
作者 卢柯润 刘福印 +3 位作者 王日品 刘宇宸 王朗宁 荀涛 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第6期111-116,共6页
平面碳化硅光导开关因可采用本征光触发而具有实现高光电增益的特点,但正面与背面光入射两种触发方式在响应特性上存在显著差异。基于TCAD数值仿真软件,对本征光背入射的平面碳化硅(SiC)光导开关的光电流响应进行研究,对比本征光触发下... 平面碳化硅光导开关因可采用本征光触发而具有实现高光电增益的特点,但正面与背面光入射两种触发方式在响应特性上存在显著差异。基于TCAD数值仿真软件,对本征光背入射的平面碳化硅(SiC)光导开关的光电流响应进行研究,对比本征光触发下不同衬底厚度、不同光功率下器件正面与背面入光输出光电流,并对器件内部电流与电场分布状态进行对比分析,最终对厚度为50μm的平面SiC光导开关进行了正面、背面触发实验测试。实验结果表明,40 kW峰值光功率下,与正面触发相比,背面触发器件的导通电阻减少了40%,验证了背面入光器件光电转换效率高的特点,且背面触发器件内部电场、电流更加均匀,更有利于提高器件高功率容量。结果为平面光导开关本征触发提供仿真与实验参考。 展开更多
关键词 光导开关 碳化硅 背面光入射 平面型器件 半导体仿真
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Cu-Mn-I固溶体薄膜制备及其p型透明导电性质调控
2
作者 王亮君 欧阳玉昭 +1 位作者 赵俊亮 杨长 《无机材料学报》 北大核心 2025年第9期1022-1028,共7页
在光电子器件领域,具有可控电学参数的p型透明半导体材料具有重要的应用价值。但以CuI为代表的该类材料在制备工艺与掺杂调控方面仍存在显著技术瓶颈。本研究通过锰阳离子掺杂,成功制备出具有可调电学特性的新型p型透明半导体材料,为透... 在光电子器件领域,具有可控电学参数的p型透明半导体材料具有重要的应用价值。但以CuI为代表的该类材料在制备工艺与掺杂调控方面仍存在显著技术瓶颈。本研究通过锰阳离子掺杂,成功制备出具有可调电学特性的新型p型透明半导体材料,为透明电子学发展提供了新思路。采用反应磁控溅射技术制备的Cu1–xMnxI固溶体薄膜展现出独特的性能优势。首先,该材料可以在室温条件下制备,并保持优异的可见光透明性。其次,随着锰掺杂量(x)的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,并且出现明显的晶粒团聚现象。通过X射线光电子能谱分析,揭示了薄膜中锰离子以Mn^(2+)和Mn^(3+)混合价态存在。电学性能表征显示,薄膜电阻率可在0.017~2.5Ω·cm区间实现两个数量级的可控调节,同时空穴载流子浓度稳定维持在10^(18)~10^(19) cm^(-3)较高数量级。与传统n型半导体掺杂规律不同,引入高价态锰离子未显著影响材料的p型导电特性,这可能源于锰取代亚铜离子后形成的非完全离域电子态。本研究表明CuI半导体的空穴导电特性不易受高价锰离子掺杂的影响,有望在保持良好p型导电性的情况下在较大范围内实现材料组分的宽域调控,为开发CuI基多功能透明电子器件提供了重要材料基础。 展开更多
关键词 Cu_(1-x)Mn_(x)I 透明p型半导体 可控p型导电性
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藤壶胶的表界面表征及其离子阻隔性能
3
作者 马骥 张凯丽 +3 位作者 高文龙 高清春 都俐俐 邱萍 《腐蚀与防护》 北大核心 2025年第9期30-36,共7页
采用SEM、XRD和Raman光谱对藤壶与钛板界面处藤壶胶的组成和结构展开研究,揭示了其与金属基体强效结合的作用机理,并用电化学方法分析了其离子阻隔性及电子特性。结果表明,藤壶胶由复合蛋白质和CaCO_(3)组成,呈现复杂的网络拓扑结构,且... 采用SEM、XRD和Raman光谱对藤壶与钛板界面处藤壶胶的组成和结构展开研究,揭示了其与金属基体强效结合的作用机理,并用电化学方法分析了其离子阻隔性及电子特性。结果表明,藤壶胶由复合蛋白质和CaCO_(3)组成,呈现复杂的网络拓扑结构,且藤壶胶呈现N型半导体特性,自身的离子阻隔性差。 展开更多
关键词 藤壶胶 复合蛋白质 拓扑结构 N型半导体 离子阻隔
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电力储能检测用SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器及其性能研究 被引量：1
4
作者 穆石磊 蒋建杰 +4 位作者 邓鹤鸣 周开运 李佳丽 严雪莹 韩磊 《高压电器》 北大核心 2025年第6期156-163,共8页
为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_... 为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_(2)掺杂Pd的金属氧化物半导体薄膜,进行了全面的气敏性能测试。结果显示,150 W功率的样品(样品B)在相同氢气浓度下展现出更佳的响应性和较高的工作温度,而130 W功率的样品(样品A)则表现出更优异的长期稳定性。两种传感器均具备良好的选择性,能有效区分油中其他干扰气体,准确检测氢气浓度变化。该新型薄膜型气敏传感器具有优异的性能特点,可为电力储能、变电站、氢能源行业以及环境保护等领域的实时氢气监测提供可靠的技术手段。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锡/钯 薄膜型 传感器 电力储能检测 半导体薄膜
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共掺杂β-Ga_(2)O_(3)导电性质第一性原理研究
5
作者 王淳 王坤 +2 位作者 宋相满 任林 张浩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1426-1432,共7页
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)三种体系的结构性质和电学性质,以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga_(2)O_(3)材料。结果表明,Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga_(2)O_(3... 本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)三种体系的结构性质和电学性质,以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga_(2)O_(3)材料。结果表明,Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga_(2)O_(3)仍为直接带隙半导体材料,而N-Mg共掺杂β-Ga_(2)O_(3)为间接带隙半导体材料。三种共掺杂体系均具有较低的形成能。其中Mg-Al共掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系形成能最低,表现出较好的热力学稳定性。该体系中,Mg-p和Al-p轨道推移价带顶向高能方向移动,并穿越费米能级,是三种掺杂体系中最有可能实现P型导电性质的材料。 展开更多
关键词 共掺杂β-Ga_(2)O_(3) 第一性原理 P型导电 电子结构 密度泛函理论 半导体
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氢气传感器在电解制氧系统中的应用研究 被引量：1
6
作者 钱力 李森 +3 位作者 黄刚 彭卓 王飞 潘点飞 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期21-24,共4页
针对电解制氧系统中氢气浓度测量受环境因素影响大、测量准确性低等问题,选取了半导体型、催化燃烧型、热导型三类不同原理的氢气传感器,对其在电解制氧系统中的应用进行了试验验证,并对试验结果进行了讨论,分析了各类氢气传感器的使用... 针对电解制氧系统中氢气浓度测量受环境因素影响大、测量准确性低等问题,选取了半导体型、催化燃烧型、热导型三类不同原理的氢气传感器,对其在电解制氧系统中的应用进行了试验验证,并对试验结果进行了讨论,分析了各类氢气传感器的使用局限性。 展开更多
关键词 半导体型 催化燃烧型 热导型 氢气传感器 电解制氧系统
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基于CuO-ZnO的低温固体氧化物燃料电池性能
7
作者 田宁 谭雯竹 +5 位作者 于吉 罗寅先 黄永涛 王诚源 郑若宁 屈艳梅 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2024年第3期280-284,共5页
制备具有优异离子导电性和低温高化学性能的电解质是固体氧化物燃料电池实际应用的重要发展方向。基于p型CuO和n型ZnO构建p-n半导体异质结材料,并将其作为电解质应用于低温固体氧化物燃料电池。制备了不同质量比例CuO-ZnO的电解质材料,... 制备具有优异离子导电性和低温高化学性能的电解质是固体氧化物燃料电池实际应用的重要发展方向。基于p型CuO和n型ZnO构建p-n半导体异质结材料,并将其作为电解质应用于低温固体氧化物燃料电池。制备了不同质量比例CuO-ZnO的电解质材料,并组装Ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2-δ)/CuO-ZnO/Ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2-δ)单电池进行性能测试。结果表明,基于纯ZnO电解质材料的燃料电池性能最低(在550℃开路电压为为0.8 V,最大功率密度为187.5 mW/cm^(2)),复合质量比例为1∶9的燃料电池性能最为优异(在550℃开路电压为1.065 V,瞬时最大功率密度为555 mW/cm^(2))。通过对CuO-ZnO异质结复合材料的电化学阻抗分析,发现构建的p-n半导体异质结为离子传输提供了通道,提高了离子电导率。研究表明p-n型电解质复合材料在低温固体氧化物燃料电池的应用中具有很大潜力。 展开更多
关键词 低温固体氧化物燃料电池 电解质材料 半导体p-n型
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基于CuO-ZnO的低温固体氧化物燃料电池性能
8
作者 田宁 谭雯竹 +5 位作者 于吉 罗寅先 黄永涛 王诚源 郑若宁 屈艳梅 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2024年第1期88-92,共5页
制备具有优异离子导电性和低温高化学性能的电解质是固体氧化物燃料电池实际应用的重要发展方向.基于p型CuO和n型ZnO构建p-n半导体异质结材料,并将其作为电解质应用于低温固体氧化物燃料电池.制备了不同质量比例CuO-ZnO的电解质材料,并... 制备具有优异离子导电性和低温高化学性能的电解质是固体氧化物燃料电池实际应用的重要发展方向.基于p型CuO和n型ZnO构建p-n半导体异质结材料,并将其作为电解质应用于低温固体氧化物燃料电池.制备了不同质量比例CuO-ZnO的电解质材料,并组装Ni_(0.8) Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2-δ)/CuO-ZnO/Ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2-δ)单电池进行性能测试.结果表明,基于纯ZnO电解质材料的燃料电池性能最低(在550℃开路电压为为0.8 V,最大功率密度为187.5mW/cm^(2)),复合质量比例为1∶9的燃料电池性能最为优异(在550℃开路电压为1.065V,瞬时最大功率密度为555mW/cm^(2)).通过对CuO-ZnO异质结复合材料的电化学阻抗分析,发现构建的p-n半导体异质结为离子传输提供了通道,提高了离子电导率.研究表明p-n型电解质复合材料在低温固体氧化物燃料电池的应用中具有很大潜力. 展开更多
关键词 低温固体氧化物燃料电池 电解质材料 半导体p-n型
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基于磁控溅射法生长hBN薄膜的MSM型真空紫外探测器(特邀) 被引量：2
9
作者 房万年 李强 +4 位作者 张启凡 陈冉升 李家兴 刘康康 云峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期21-30,共10页
针对目前大面积高质量六方氮化硼(hBN)薄膜的制备与转移存在均匀性、晶粒控制、无损转移等问题,采用射频磁控溅射技术成功在2英寸硅和蓝宝石介电衬底上沉积了hBN薄膜,拉曼光谱、X射线光电子能谱表征证实了薄膜具有明显的hBN特征。制备了... 针对目前大面积高质量六方氮化硼(hBN)薄膜的制备与转移存在均匀性、晶粒控制、无损转移等问题,采用射频磁控溅射技术成功在2英寸硅和蓝宝石介电衬底上沉积了hBN薄膜,拉曼光谱、X射线光电子能谱表征证实了薄膜具有明显的hBN特征。制备了hBN基金属-半导体-金属型光电探测器,并探究了电极材料、薄膜厚度以及叉指电极宽度和间距对探测性能的影响。优选出的Ni电极探测器具有极低的暗电流(<3 pA@100 V),对185 nm波长光具有明显光响应,响应度和比探测率分别为2.769 mA/W和2.969×10^(9)Jones。 展开更多
关键词 真空紫外探测 六方氮化硼 磁控溅射技术 金属-半导体-金属型光电探测器
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半导体激光辅助治疗老年牙周炎合并2型糖尿病病人的疗效分析 被引量：3
10
作者 徐家丽 张敏 +3 位作者 马春益 李乔 周艳 梅幼敏 《实用老年医学》 CAS 2024年第12期1234-1237,共4页
目的评估半导体激光辅助老年牙周炎合并T2DM病人牙周基础治疗的效果。方法选取32例伴有T2DM的老年慢性牙周炎病人,随机分为观察组和对照组。观察组采用半导体激光辅助牙周基础治疗,对照组仅进行牙周基础治疗。比较2组治疗前,治疗后6周、... 目的评估半导体激光辅助老年牙周炎合并T2DM病人牙周基础治疗的效果。方法选取32例伴有T2DM的老年慢性牙周炎病人,随机分为观察组和对照组。观察组采用半导体激光辅助牙周基础治疗,对照组仅进行牙周基础治疗。比较2组治疗前,治疗后6周、3个月和6个月的牙周指数,包括探诊深度(probing depth,PD)、出血指数(bleeding index,BI)、临床附着丧失(clinical attachment loss,CAL)、牙松动度(tooth mobility,TM)的差异,以及治疗后即刻及治疗后第1天的疼痛程度。结果2组病人治疗后6周、3个月以及6个月的PD、BI指数均较治疗前显著改善(P<0.05),且观察组改善更为明显(P<0.05)。观察组治疗后即刻及治疗后第1天疼痛程度较对照组更低,差异有统计学意义(P<0.05)。结论老年慢性牙周炎合并T2DM病人采用半导体激光辅助牙周基础治疗牙周炎有助于提升临床疗效及治疗舒适感,值得推广使用。 展开更多
关键词 半导体激光 慢性牙周炎 2型糖尿病 老年人
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β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展 被引量：3
11
作者 何俊洁 矫淑杰 +3 位作者 聂伊尹 高世勇 王东博 王金忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期557-567,共11页
β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。... β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。本文首先简要概述了β-Ga_(2)O_(3)的优点,并介绍了其晶体结构和基本性质。其次,说明了β-Ga_(2)O_(3)的本征缺陷,尤其是氧空位对导电性能的影响。然后,详细讨论了β-Ga_(2)O_(3) p型掺杂的研究现状,包括p型掺杂困难的原因和N掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂、其他受主元素掺杂、两种元素共掺杂以及其他方法。最后,总结并对β-Ga_(2)O_(3)未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 本征缺陷 P型掺杂 宽禁带半导体 半导体
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基于n型柔性半导体的有机晶体管及其电子-离子双响应特性 被引量：1
12
作者 蒋浩 钟岳桁 +1 位作者 王刚 王宏志 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第1期39-44,共6页
为了研究n型有机混合离子电子导体电子-离子双响应特性及分子量对载流子迁移率的影响,采用具有平面刚性的梯形分子链结构的高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备高性能有机电化学晶体管,并对晶体管紫外可见吸收光谱和晶体管器件电气... 为了研究n型有机混合离子电子导体电子-离子双响应特性及分子量对载流子迁移率的影响,采用具有平面刚性的梯形分子链结构的高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备高性能有机电化学晶体管,并对晶体管紫外可见吸收光谱和晶体管器件电气性能进行表征。结果表明,利用高分子量聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮制备的n型有机电化学晶体管表现出极高的响应速度(0.034 s)、高载流子迁移率(4.72×10^(-3) cm^(2)/(V·s)),以及在水系电解液中优异的稳定性(稳定运行超过120次脉冲循环)。 展开更多
关键词 有机晶体管 n型柔性半导体 电子-离子双响应特性 聚苯并二咪唑苯并菲绕啉二酮 载流子迁移率
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钙钛矿型CeTaN_(2)O的高压制备及其磁性和电学性质
13
作者 陈兆亮 卢达标 +7 位作者 叶旭斌 赵浩婷 张杰 潘昭 迟振华 崔田 沈瑶 龙有文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期83-89,共7页
最近研究发现,AB(N,O)_(3)型钙钛矿氧氮化物具有优异的介电、铁电、光催化等性能,在光电子、能源存储和通信等领域展现出广阔的应用前景.但是,目前该类型材料的制备工艺耗时较长且产物纯度较低.本文以氧化物为前驱体、以氨基钠为氮源,... 最近研究发现,AB(N,O)_(3)型钙钛矿氧氮化物具有优异的介电、铁电、光催化等性能,在光电子、能源存储和通信等领域展现出广阔的应用前景.但是,目前该类型材料的制备工艺耗时较长且产物纯度较低.本文以氧化物为前驱体、以氨基钠为氮源,利用六面顶压机设备所提供的高温高压环境成功制备了高纯度的钙钛矿型氧氮化物CeTaN_(2)O块体材料,并将制备时间缩短至1 h,实现了快速合成.并对其晶体结构以及物理性质进行了系统的研究.X射线粉末衍射实验和Rietveld精修结果表明,所制备的样品属于正交晶系,空间群为Pnma.X射线吸收谱测试确定了样品的电荷组态以及阴离子组合为Ce^(3+)Ta^(5+)N_(2)O.磁性和比热测试表明,样品属于反铁磁物质,磁相变温度低于2 K.电学输运性能测试表明,样品的电阻率呈现出典型的半导体行为,且符合三维变程跳跃模型. 展开更多
关键词 高压合成 钙钛矿氮化物 反铁磁 半导体
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SnO晶体的可控水热合成与剥离
14
作者 李鹏飞 李国辉 《科技创新与应用》 2024年第1期67-70,共4页
利用简单的水热合成法,成功合成高质量的SnO晶体。并通过控制溶液的pH实现对SnO晶体形貌和结构的调控。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对其结构和形貌进行测试表征,测试结果表明,当溶液pH=11时,水热合成得到的SnO晶粒结构完整,形貌和横... 利用简单的水热合成法,成功合成高质量的SnO晶体。并通过控制溶液的pH实现对SnO晶体形貌和结构的调控。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对其结构和形貌进行测试表征,测试结果表明,当溶液pH=11时,水热合成得到的SnO晶粒结构完整,形貌和横向尺寸最佳。之后通过透明胶带机械剥离制备2D SnO纳米片,电子力显微镜测试结果表明,2D SnO纳米片仍保持SnO块体P型导电的特性。 展开更多
关键词 水热合成 SNO pH调控 机械剥离 P型半导体
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氧化镍空穴材料在Ⅱ-Ⅵ族量子点电致发光器件中的应用进展
15
作者 林坚 张松林 +3 位作者 王悦安 孙浩 聂钰昌 陈德睢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期1-8,共8页
鉴于高效发光的Ⅱ-Ⅵ族量子点(Ⅱ-ⅥQD)电致发光(EL)器件已达到基本的商用需求,器件长期性能(寿命)受到了更多的重视。Ⅱ-ⅥQD EL器件中PEDOT:PSS材料易吸湿、易腐蚀ITO电极,这对器件寿命及商业应用潜力存在负面影响。采用高稳定性的Ni... 鉴于高效发光的Ⅱ-Ⅵ族量子点(Ⅱ-ⅥQD)电致发光(EL)器件已达到基本的商用需求,器件长期性能(寿命)受到了更多的重视。Ⅱ-ⅥQD EL器件中PEDOT:PSS材料易吸湿、易腐蚀ITO电极,这对器件寿命及商业应用潜力存在负面影响。采用高稳定性的NiO代替PEDOT:PSS可避免材料对器件稳定性产生影响。本文系统综述了NiO空穴材料在Ⅱ-ⅥQD EL器件中的研究进展,重点归纳了NiO薄膜的不同制备方法、掺杂和界面特性对器件性能的影响,最后对基于金属氧化物空穴功能层的Ⅱ-ⅥQD EL器件的研究趋势进行了展望,以期为制备在材料与器件层面稳定、高效的电致发光器件提供借鉴。 展开更多
关键词 氧化镍 P型半导体 量子点 电致发光 掺杂 表面修饰
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防锈油膜在5% Na_2SO_4溶液中的半导体导电行为 被引量：8
16
作者 钟庆东 郑金 +2 位作者 徐乃欣 印仁和 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期276-279,共4页
采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型... 采用电位—电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中失效过程的导电机制转变行为 .防锈油膜在 5 %Na2 SO4溶液中的失效过程存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体 ,转变过程中 ,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层 .随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小 ,载流子密度则逐渐增加 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA) 展开更多
关键词 防锈油 NA2SO4 自腐蚀电位 油膜 N型半导体 过渡层 导电机制 行为 初期 层厚
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防锈油膜失效过程中的导电行为转变 被引量：10
17
作者 钟庆东 郑金 +2 位作者 徐乃欣 印仁和 周国定 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期83-86,共4页
采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变... 采用电位 -电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在 3%氯化钠溶液中失效过程的导电机制转变行为 .研究表明 ,防锈油膜失效过程中存在半导体导电特征 ,随着浸泡时间的延长 ,防锈油膜从浸泡初期的 p型半导体转变为n型半导体 ,防锈油膜逐渐出现两个空间电荷过渡层 ,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体 (ND)和电子受体 (NA)的密度 . 展开更多
关键词 防锈油膜 失效 导电机制.p型半导体 N型半导体 电位-电容法 Mort-Schottky分析
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304不锈钢钝化膜在不同溶液中的半导体导电行为 被引量：8
18
作者 钟庆东 王超 +2 位作者 鲁雄刚 M．Rohwerder 周国治 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期341-344,共4页
采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明,304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征,在5‰H2SO4溶液中,呈现两个空间电荷层,扫描电位低... 采用电位-电容法及Mott-Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下304不锈钢钝化膜在酸、碱性溶液中的半导体导电行为。研究表明,304不锈钢钝化膜在不同溶液体系中表现出不同的导电特征,在5‰H2SO4溶液中,呈现两个空间电荷层,扫描电位低于0VSCE,钝化膜呈现p型半导体导电特征。而扫描电位大于0VSCE,钝化膜呈现n型半导体导电特征。钝化膜在5%NaOH溶液中呈现p型半导体导电特征。在不同溶液中载流子浓度随着浸泡时间的延长变化不大。 展开更多
关键词 304不锈钢钝化膜 导电机制 P型半导体 N型半导体
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基于功率MOSFET的高压纳秒脉冲源研究 被引量：14
19
作者 夏涛 吴云峰 +4 位作者 王胜利 戴磊 胡波洋 郑天策 苗玲 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2015年第12期1852-1861,共10页
为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉... 为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉冲波形影响等几方面来详细分析提高高压纳秒脉冲源输出脉冲特性的方法和途径。实验结果表明,该脉冲源可以产生脉冲上升沿约为5 ns、下降沿约为8 ns,幅值300 V左右的准方波脉冲,性能指标满足钝感火工品的电安全性试验的要求。 展开更多
关键词 功率MOSFET 纳秒级前后沿 驱动时序 电路寄生参数
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不同黄铁矿石灰环境受抑活化研究 被引量：6
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作者 吴艺鹏 何桂春 +2 位作者 曹海英 邱沙 康维刚 《矿产综合利用》 CAS 北大核心 2015年第2期33-38,共6页
研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征在活化剂体系对其可浮性的影响。活化剂体系中,硫铁比值、半导体类型对黄铁矿的浮游性起决定性作用,硫铁比值大于2、半导体类型为P型的黄铁矿,易于活化,在活化体系中... 研究了大厂锡石多金属矿、凡口铅锌矿和武山铜矿伴生黄铁矿的物性特征在活化剂体系对其可浮性的影响。活化剂体系中,硫铁比值、半导体类型对黄铁矿的浮游性起决定性作用,硫铁比值大于2、半导体类型为P型的黄铁矿,易于活化,在活化体系中的浮游性更好。氯化铵、草酸、硫酸铝对凡口型黄铁矿的浮游性活化效果好,碳酸氢铵对硫铁比值大于2、晶格参数大、半导体类型为P型的大厂型黄铁矿活化效果好,而硫酸铜、硫酸亚铁对黄铁矿的活化效果一般。 展开更多
关键词 黄铁矿 硫铁比 点阵常数 半导体类型 可浮性
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