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New method for determination of arsenic content in tail gases during semiconductor processing
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作者 Wen Ruimei, Peng Yongqin(Institute of microconductors, Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083 , China) 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第2期229-232,共4页
NewmethodfordeterminationofarseniccontentintailgasesduringsemiconductorprocessingWenRuimei,PengYongqin(Insti... NewmethodfordeterminationofarseniccontentintailgasesduringsemiconductorprocessingWenRuimei,PengYongqin(Instituteofmicroconduc... 展开更多
关键词 ARSENIC tail gasesi semiconductor processing.
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Processing Time Prediction Method Based on SVR in Semiconductor Manufacturing 被引量:1
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作者 朱雪初 乔非 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2014年第2期98-101,共4页
The prediction problem of the actual value of the dynamic parameters in the simulation model in semiconductor manufacturing was discussed. Considering the fact that the default value of processing time of one certain ... The prediction problem of the actual value of the dynamic parameters in the simulation model in semiconductor manufacturing was discussed. Considering the fact that the default value of processing time of one certain equipment in the simulation model was not the same as its actual value,a general data driven prediction model of the processing time was built based on support vector regression( SVR),with the utilization of manufacturing information in manufacturing execution system( MES). The processing time of one certain equipment was highly related to the status of the equipment itself and the wafers being processed. To uncover the relationship of the processing time with the information of historical products,process flow,technical standard of silicon wafers and manual intervention,data were extracted from MES and used to build a prediction model. This model was employed on an ion implantation equipment as a case, and the effectiveness of the proposed method was shown by comparing with other approaches. 展开更多
关键词 semiconductor MANUFACTURING SUPPORT VECTOR regression(SVR) processING time prediction
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高纯乙硅烷中痕量气体杂质和金属元素分析
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作者 许胜霞 栗广奉 +2 位作者 尹偲 赵斌 郑安雄 《化工生产与技术》 2026年第1期35-40,I0004,共7页
针对高纯乙硅烷中痕量杂质难以全面、精准检测的问题,建立了一套集成氦离子化气相色谱、气相色谱-热导检测器(GC-TCD)、气相色谱-质谱联用(GC-MS)及电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)联用技术的多方法联合分析方案。系统验证结果表明,该方... 针对高纯乙硅烷中痕量杂质难以全面、精准检测的问题,建立了一套集成氦离子化气相色谱、气相色谱-热导检测器(GC-TCD)、气相色谱-质谱联用(GC-MS)及电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)联用技术的多方法联合分析方案。系统验证结果表明,该方法对关键金属杂质的检出限达1.9~6.8 ng/L,加标回收率为94%~110%;对H2、N2等主要气相杂质的仪器检出限优于0.08μmol/mol,加标回收率为99%~101%,精密度高(RSD<3%)。应用该方法对实际乙硅烷样品进行分析,准确定性并定量了H2、N2、硅烷及丙硅烷等杂质组分。该方法灵敏度高、准确可靠,为高纯乙硅烷的深度质控提供了有效技术依据,对保障高端半导体器件的性能与良率具有重要意义。 展开更多
关键词 高纯乙硅烷 痕量杂质分析 氦离子化气相色谱 气相色谱质谱联用(GC-MS) 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS) 半导体工艺气体
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四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物合成及半导体应用
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作者 路迪 黄军 +2 位作者 何华 余佳 蒋成龙 《化工生产与技术》 2026年第1期17-22,I0003,共7页
介绍了四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)的结构特点及其与关键性能的构效关系,明晰了PFA相较于传统氟树脂的性能优势。详细论述了PFA非水介质与水相介质2类合成工艺的研究进展,并归纳了端基稳定化处理的关键作用。进一步地,总结了... 介绍了四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)的结构特点及其与关键性能的构效关系,明晰了PFA相较于传统氟树脂的性能优势。详细论述了PFA非水介质与水相介质2类合成工艺的研究进展,并归纳了端基稳定化处理的关键作用。进一步地,总结了PFA在半导体制造领域,特别是高纯化学品输送系统与湿法工艺核心设备的应用现状与不可替代性。最后指出,当前高端电子级PFA市场虽由国外企业主导,但通过产学研协同突破聚合精准控制、端基稳定化及超高纯化等核心技术,国内PFA产业展现出巨大的国产化替代潜力与发展前景。 展开更多
关键词 四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA) 氟树脂 湿法工艺 半导体材料 国产化
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高速视觉芯片研究进展
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作者 王哲 杨旭 +8 位作者 吕卓阳 丁伯文 于双铭 窦润江 石匆 刘剑 吴南健 冯鹏 刘力源 《物理学报》 北大核心 2026年第4期21-42,共22页
在边缘计算场景中,视觉感知系统的响应速度、体积及功耗已成为核心挑战.传统感算分离的视觉系统因数据传输导致的高延迟、高功耗以及隐私泄露等问题亟待解决.在此背景下,模仿人类视觉系统的视觉芯片成为有效解决方案之一,视觉芯片将图... 在边缘计算场景中,视觉感知系统的响应速度、体积及功耗已成为核心挑战.传统感算分离的视觉系统因数据传输导致的高延迟、高功耗以及隐私泄露等问题亟待解决.在此背景下,模仿人类视觉系统的视觉芯片成为有效解决方案之一,视觉芯片将图像采集与信息处理集成在一起,实现了感算一体的协同处理机制,能在边缘端高效完成视觉感知与计算任务.本文围绕高速视觉芯片的技术路径,系统梳理了其关键环节的研究进展,分别从高速传感器件、读出电路与智能处理3个层面展开论述.分析了互补金属氧化物半导体图像传感器、动态视觉传感器与单光子图像传感器在实现高速光电转换中的物理机制、结构创新与性能瓶颈;探讨了高速模数转换、地址事件编码及时间相关单光子计数等读出电路架构及其效率优化策略;并介绍了基于脉冲信号的高速图像复原与脉冲神经网络处理等前沿智能处理算法.最后对高速视觉芯片未来发展趋势进行了展望. 展开更多
关键词 高速视觉芯片 互补金属氧化物半导体图像传感器 脉冲型图像传感器 高速脉冲处理
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Key Issues for Implementing Smart Polishing in Semiconductor Failure Analysis
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作者 Jacobus Leo Hao Tan +6 位作者 Yinzhe Ma Shreyas M. Parab Yamin Huang Dandan Wang Lei Zhu Jeffrey Lam Zhihong Mai 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2017年第9期1668-1677,共10页
“Industry 4.0” has become the future direction of manufacturing industry. To prepare for this upgrade, it is important to study the automation of semiconductor failure analysis. In this paper, the sample polishing a... “Industry 4.0” has become the future direction of manufacturing industry. To prepare for this upgrade, it is important to study the automation of semiconductor failure analysis. In this paper, the sample polishing activity was studied for upgrading to a smart polishing process. Two major issues were identified in implementing the smart polishing process: the optimization of current polishing recipes and the capability of making decisions based on live feedback. With the help of Solver add-in, the current polishing recipes were optimized. To make decisions based on live images captured during polishing, strategies were explored based on finger polishing process study. Our investigation showed that a grey scale line profile analysis on images can be used to build the vision capability of our smart polishing system, on which a decision- making capability can be developed. 展开更多
关键词 semiconductor process Optimization Failure ANALYSIS Image process GREY Scale Line Profile ANALYSIS SMART POLISHING System
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Plasma Processing of Boron-Doped Nano-Crystalline Diamond Thin Film Fabricated on Poly-Crystalline Diamond Thick Film
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作者 熊礼威 刘繁 +3 位作者 汪建华 满卫东 翁俊 刘长林 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第4期433-436,共4页
Plasma treatments of boron-doped nano-crystalline diamond (NCD) thin films were carried out in order to improve their electrical properties of the films. Boron-doped NCD thin films were fabricated on well polished p... Plasma treatments of boron-doped nano-crystalline diamond (NCD) thin films were carried out in order to improve their electrical properties of the films. Boron-doped NCD thin films were fabricated on well polished poly-crystalline diamond (PCD) thick films in a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) reactor, then they were processed in methane, ar- gon, hydrogen and B2H~ (0.1% diluted by H~) plasmas, respectively. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscope (AFM) results show that the surface morphology changed lit- tle during the 10 min treatment. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) results indicate that B2H6 plasma was efficient for increasing boron concentration in NCD films, while the carrier anal- yses demonstrates that CH4 plasma processing was effective to activate the dopants and resulted in good electrical properties. 展开更多
关键词 diamond films plasma processing chemical vapor deposition semiconductorS
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Epsilon-near-zero material assisted metasurface saturable absorber for ultrafast Yb-doped fiber lasers
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作者 JI SU KIM BYEONG KWON CHOI +5 位作者 SOYEON AHN SUNG YOON CHO MIN SU KIM MINJUN KIM YEONSANG PARK MIN YONG JEON 《Photonics Research》 2025年第12期3312-3320,共9页
The recent progress in semiconductor processing technology has served as a major driving force behind the rapid development of nanophotonics research.Among the emerging applications,metasurfaces have attracted signifi... The recent progress in semiconductor processing technology has served as a major driving force behind the rapid development of nanophotonics research.Among the emerging applications,metasurfaces have attracted significant attention as saturable absorbers(SAs)for mode-locked laser systems that generate short pulses.In this study,we present the comprehensive design,fabrication,and experimental demonstration of a metasurface-based SA operating in the 1μm wavelength range,leveraging both the localized surface plasmon resonance(LSPR)phenomenon and the epsilon-near-zero(ENZ)effect of indium tin oxide. 展开更多
关键词 localized surface plasmon resonance metasurface epsilon near zero ultrafast Yb doped fiber lasers nanophotonics researchamong localized surface pla saturable absorbers sas semiconductor processing technology
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半导体制造业用碳化硅制备工艺研究与实践
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作者 徐生龙 冶艳 +1 位作者 白璐璐 廉泽宁 《模具制造》 2025年第5期243-245,共3页
碳化硅制备工艺对于生产高质量碳化硅晶圆有着直接影响,目前碳化硅晶圆被应用到了各个高新领域之中,是制作高新产品的重要材料之一。但由于碳化硅制备工艺仍然较为落后,这一定程度影响了科技的发展。因此,半导体制造业一定要深入研究碳... 碳化硅制备工艺对于生产高质量碳化硅晶圆有着直接影响,目前碳化硅晶圆被应用到了各个高新领域之中,是制作高新产品的重要材料之一。但由于碳化硅制备工艺仍然较为落后,这一定程度影响了科技的发展。因此,半导体制造业一定要深入研究碳化硅制备工艺,进一步提升制备水平,这样才能生产更多、更高质量的碳化硅。阐述了半导体制造业的趋势,分析了半导体制造业碳化硅制备工艺的研究情况,并对目前的制备工艺研究开展了分析阐述,希望能为相关从业者开展工作提供一定的理论依据。 展开更多
关键词 半导体 碳化硅 制备工艺
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半导体晶圆激光切割加工焦点位置自动检测方法
10
作者 宋婉贞 《自动化应用》 2025年第6期225-227,共3页
由于传统的激光切割焦点位置检测方法多采用接触式或机械式方式,存在操作复杂、精度不高等问题,因此提出半导体晶圆激光切割加工焦点位置自动检测方法。首先设计柔性电容式传感器进行标定,将标定后的柔性电容式传感器安装在晶圆上方,然... 由于传统的激光切割焦点位置检测方法多采用接触式或机械式方式,存在操作复杂、精度不高等问题,因此提出半导体晶圆激光切割加工焦点位置自动检测方法。首先设计柔性电容式传感器进行标定,将标定后的柔性电容式传感器安装在晶圆上方,然后通过电容量计算加工焦点和被加工对象间位置,实现加工焦点位置的高精度自动检测。实验结果表明,应用设计方法,其半导体晶圆激光切割加工焦点位置自动检测结果最大误差仅为0.09 mm,满足高精度的检测需求。 展开更多
关键词 半导体晶圆 激光切割 加工焦点 焦点位置 高精度自动检测 柔性电容式传感器
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固溶处理对半导体加工设备用6061铝合金阳极氧化性能的影响
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作者 莫灼强 莫肇月 +4 位作者 任月路 杨旭 何杰 雷浩成 叶文韬 《金属热处理》 北大核心 2025年第8期144-149,共6页
利用光学显微镜、扫描电镜、维氏硬度计、耐压测试仪等研究了不同温度固溶及时效后半导体加工设备用6061铝合金的显微组织、力学性能和阳极氧化性能。结果表明,不同固溶温度下,合金的强度、硬度和导电率无明显差异,但在520℃和530℃下... 利用光学显微镜、扫描电镜、维氏硬度计、耐压测试仪等研究了不同温度固溶及时效后半导体加工设备用6061铝合金的显微组织、力学性能和阳极氧化性能。结果表明,不同固溶温度下,合金的强度、硬度和导电率无明显差异,但在520℃和530℃下固溶处理会导致固溶不充分,出现了数量较多的Mg 2Si相,且宏观表现出较差的阳极氧化效果,其氧化膜耐5%盐酸腐蚀的时间<4 h,耐击穿电压<640 V.DC/mil,显微硬度也低于400 HV0.1。在540~560℃下固溶处理,合金的力学性能和阳极氧化性能均符合使用要求。试验高洁净6061铝合金中抑制晶粒长大的元素含量偏低,第二相数量偏少,在560℃×2 h固溶处理容易使晶粒粗化,存在阳极氧化花斑不良的风险。综合力学性能和阳极氧化性能,最优的热处理工艺为(540~550)℃×2 h固溶+170℃×12 h时效。 展开更多
关键词 铝合金 半导体加工设备 阳极氧化 固溶工艺 耐击穿电压
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非平衡掺杂技术研究进展(特邀)
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作者 刘瑶瑶 吴金月 +4 位作者 李姣蓁 武玥瑶 周旭 吴强 许京军 《中国激光》 北大核心 2025年第23期280-305,共26页
传统掺杂技术受限于热力学平衡与固溶度极限,难以同时满足现代半导体器件对高掺杂浓度、低温度及超浅结的需求。非平衡掺杂技术通过瞬时高能粒子、光子或电场等手段,在极短的时间尺度内打破热力学平衡约束引入杂质,其中以基于啁啾脉冲放... 传统掺杂技术受限于热力学平衡与固溶度极限,难以同时满足现代半导体器件对高掺杂浓度、低温度及超浅结的需求。非平衡掺杂技术通过瞬时高能粒子、光子或电场等手段,在极短的时间尺度内打破热力学平衡约束引入杂质,其中以基于啁啾脉冲放大(CPA)技术的飞秒激光掺杂,展现出了突破平衡固溶度限制与实现超快非热激活的显著优势。本文综述了非平衡掺杂的主要技术,包括生长-同步型与后处理型两大类,重点介绍了基于CPA技术的飞秒激光掺杂以及其他超快激光掺杂技术的核心原理与应用进展;总结了非平衡掺杂技术在硅、宽禁带半导体及二维材料中的研究现状,涵盖电学性能提升、光学特性调控与器件兼容性优化等多个方面。最后,讨论了非平衡掺杂在掺杂稳定性、大面积均匀性及工艺集成等方面面临的挑战,并展望了其在未来半导体器件与产业升级中的应用潜力。 展开更多
关键词 激光材料加工 半导体掺杂 激光掺杂 飞秒激光 非平衡掺杂 离子注入
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高端芯片用半导体基片原子级磨削技术的研究现状与发展趋势
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作者 王浩祥 康仁科 +2 位作者 李生博 董志刚 高尚 《中国表面工程》 北大核心 2025年第5期60-82,共23页
随着集成电路、功率器件等高端半导体器件向微型化与高性能化发展,单晶硅、碳化硅、氮化铝、氧化镓、氮化镓等半导体材料的超精密加工面临原子级精度需求。作为半导体基片平整化与减薄加工的核心工艺,原子级磨削技术直接决定了器件的使... 随着集成电路、功率器件等高端半导体器件向微型化与高性能化发展,单晶硅、碳化硅、氮化铝、氧化镓、氮化镓等半导体材料的超精密加工面临原子级精度需求。作为半导体基片平整化与减薄加工的核心工艺,原子级磨削技术直接决定了器件的使役性能,成为制约芯片制造精度的关键技术瓶颈。为了实现半导体基片的原子级磨削加工,需要对半导体基片超精密磨削理论和工艺全面深入的理解。围绕半导体基片原子级磨削加工的表面材料去除机理和加工工艺两个方面,对国内外研究现状进行了系统的论述与总结,分析了目前半导体基片原子级磨削技术面临的难题及未来的发展趋势,以期为后续相关技术的深入研究提供理论支撑。 展开更多
关键词 半导体基片 原子级磨削 机理 工艺
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浅谈三代半导体材料的应用现状及前景展望 被引量:1
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作者 廖师师 谢邱虹 蒋琦 《中国集成电路》 2025年第1期34-39,共6页
硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)分别作为第一代、第二代、第三代半导体典型材料之一,在各自的应用领域都发挥着重要作用,成为现代科技支柱的一部分。本文分别从材料物理特性、器件结构及工艺制造、未来挑战三个方面对Si、GaAs、GaN... 硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)分别作为第一代、第二代、第三代半导体典型材料之一,在各自的应用领域都发挥着重要作用,成为现代科技支柱的一部分。本文分别从材料物理特性、器件结构及工艺制造、未来挑战三个方面对Si、GaAs、GaN三种半导体材料进行了对比分析,说明了三种半导体材料在各自的应用领域都有着重要的应用前景,但同时也面临新的挑战。 展开更多
关键词 SI GAAS GAN 半导体 器件结构 工艺制造
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快速退火工艺中辐射测温系统的光学设计研究
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作者 孙硕实 许吉禅 凌必利 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 2025年第4期76-79,共4页
为解决辐射测温系统因晶圆传输和发射率变化导致的测量精度不足问题,针对晶圆在氮气和固定气流环境下从400℃快速升温至1000℃-1150℃并迅速降温至600℃的快速退火过程,采用光学设计原理设计温度测控系统。通过蓝宝石导光棒收集晶圆辐... 为解决辐射测温系统因晶圆传输和发射率变化导致的测量精度不足问题,针对晶圆在氮气和固定气流环境下从400℃快速升温至1000℃-1150℃并迅速降温至600℃的快速退火过程,采用光学设计原理设计温度测控系统。通过蓝宝石导光棒收集晶圆辐射信号,优化光路设计以减少光学损失并提高探测器接收效率,成功研发了适用于半导体退火工艺的非接触式测温装置。实验结果表明,系统优化光路后显著提升了晶圆温度测量的精度和可靠性,能够有效支持快速退火过程中的温度控制。得出结论,该系统为半导体制造工艺的优化提供了可靠的技术保障,并为提高生产效率和产品质量奠定了基础。 展开更多
关键词 快速热处理 非接触式测温 蓝宝石导光棒 半导体退火工艺 晶圆温度测量
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低温超临界流体工艺对退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管电学性能的影响
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作者 宋昱杉 陈浩 +7 位作者 李松 杨明超 杨松泉 杨森 周磊簜 耿莉 郝跃 欧阳晓平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1574-1583,共10页
先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MP... 先进半导体工艺是提升β-Ga_(2)O_(3)基器件电学性能和修复其在工作环境中性能退化效应的关键技术。近年来,低温超临界流体工艺在降低半导体器件界面态、修复刻蚀工艺损伤和提高器件稳定性等方面展现出显著优势。本研究采用130℃和20 MPa的N_(2)O流体,对暴露在空气环境中导致电学性能退化的Ni/β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBDs)进行处理,通过电流-电压和电容-电压特性表征,探究低温超临界流体(SCF)处理前、后电学性能退化的SBDs器件导通特性和击穿特性的变化机理。研究结果表明:经SCF处理的SBDs正向饱和电流密度的升高伴随着体电子陷阱的减少和串联电阻的降低;肖特基势垒高度的提高和耗尽层的展宽有效抑制了电子隧穿,进而导致了漏电流的减小。此外,研究表明,退化后的Ni/β-Ga_(2)O_(3)SBDs的金半接触界面态密度未受到SCF处理的显著影响,具有大时间常数的界面缺陷也未对肖特基势垒高度产生明显影响。本研究为低温超临界流体工艺在优化β-Ga_(2)O_(3)基器件性能方面的应用提供了重要的实验依据和理论支持。 展开更多
关键词 低温超临界流体工艺 超宽禁带半导体 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管 界面态密度 电学性能
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《半导体器件与集成电路设计基础》课程实践教学改革——场效应管中Si纳米线湿法腐蚀 被引量:1
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作者 张杰 范瑜 《广州化工》 2025年第1期208-211,共4页
硅湿法腐蚀工艺作为硅基集成电路制造中最基础、最关键技术之一,已被广泛地应用于实际生产中。利用硅各向异性湿法腐蚀,我们设计制作了场效应管中Si纳米线沟道。该实践教学覆盖了《半导体器件与集成电路设计基础》课程中多个重要知识点... 硅湿法腐蚀工艺作为硅基集成电路制造中最基础、最关键技术之一,已被广泛地应用于实际生产中。利用硅各向异性湿法腐蚀,我们设计制作了场效应管中Si纳米线沟道。该实践教学覆盖了《半导体器件与集成电路设计基础》课程中多个重要知识点,包含MOSFET器件、薄膜淀积、光刻、干法刻蚀及湿法腐蚀等内容。理论与实践彼此相互促进的整合教学模式,能加深学生对专业理论知识的理解,培养学生工程实践能力,同时帮助学生了解科学前沿,激发其科研兴趣。 展开更多
关键词 半导体器件 集成电路制造工艺 实践课程 场效应管 硅湿法腐蚀
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半导体工艺设备互联通信的研究及应用
18
作者 赵辉良 邬啸宇 +3 位作者 邬远航 何永平 罗超 谢政廷 《中国集成电路》 2025年第4期80-85,共6页
半导体工艺设备的互联通信是半导体制造工厂向具有高洁净度、高无尘环境,无人值守状态下全自动控制的智能制造模式方向发展的关键基础。介绍半导体控制SEMI标准模型和设备通信标准、工艺设备互联通信功能需求以及SECS/GEM、GEM300通信... 半导体工艺设备的互联通信是半导体制造工厂向具有高洁净度、高无尘环境,无人值守状态下全自动控制的智能制造模式方向发展的关键基础。介绍半导体控制SEMI标准模型和设备通信标准、工艺设备互联通信功能需求以及SECS/GEM、GEM300通信标准在设备控制系统的实现方案和应用案例,可为类似设备的互联通信功能开发提供参考。 展开更多
关键词 SEMI 半导体工艺设备 SECS/GEM GEM300
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锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展 被引量:2
19
作者 胡德鹏 王红真 +1 位作者 路云峰 贺训军 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期229-240,共12页
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长... 锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长中得到了广泛应用。通过对锑化物半导体材料的特性、实际应用的探讨,着重介绍了分子束外延技术在锑化物生长领域的最新研究进展。首先,阐述了二元、三元和四元锑化物半导体材料的物理特性;其次,总结了相关的红外探测器、激光器和热光伏电池等器件在低暗电流和高工作温度等研究方向的进展;最后,针对锑化物半导体的MBE生长工艺和过程中存在的问题,总结了一些切实可行的解决方案,并且展望了未来锑化物半导体材料分子束外延的发展趋势。 展开更多
关键词 锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺
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半导体设备应用及产业状况分析 被引量:7
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作者 周晓雪 谢观如 《科技创新与应用》 2025年第4期173-176,共4页
半导体行业的发展不仅关系到国防安全和社会经济发展,更是赋能各个行业的基石。它属于资金、知识密集型行业,涉及学科门类多,工艺复杂,投资周期长,产业链长,这些都是造成其发展很难一蹴而就的重要因素。当前,国际上一些主要发达国家联... 半导体行业的发展不仅关系到国防安全和社会经济发展,更是赋能各个行业的基石。它属于资金、知识密集型行业,涉及学科门类多,工艺复杂,投资周期长,产业链长,这些都是造成其发展很难一蹴而就的重要因素。当前,国际上一些主要发达国家联合起来,为达到一定的政治目的,利用其行业先发优势,营造逆全球化格局。迫使人们更加重视整个半导体产业的发展。该文简述半导体产业的发展历程,结合产业链上下游概况,最终着笔于半导体制造工艺的主要应用设备及国内外相关制造厂商的分布格局。在分析逆全球化对国产设备发展影响的基础上,提出一些破局思考,以期对改变现状有所裨益。 展开更多
关键词 半导体 制造装备 产业状况 集成电路 制造工艺
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