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多晶硅副产物六氯乙硅烷高纯化技术与应用研究
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作者 尚明达 王春静 兰天鹏 《产业科技创新》 2025年第3期5-8,共4页
六氯乙硅烷(HCDS,Si2Cl6)作为多晶硅冷氢化工艺的典型副产物,传统处理方式以危废裂解回收或中和填埋为主,造成资源浪费与环境污染。本文通过分析其物理化学特性、提纯工艺及市场应用,论证其资源化利用的技术可行性与经济价值。研究表明... 六氯乙硅烷(HCDS,Si2Cl6)作为多晶硅冷氢化工艺的典型副产物,传统处理方式以危废裂解回收或中和填埋为主,造成资源浪费与环境污染。本文通过分析其物理化学特性、提纯工艺及市场应用,论证其资源化利用的技术可行性与经济价值。研究表明,通过“吸附-精馏”联合技术,可将HCDS纯度提升至电子级标准(≥99.5%),突破国际技术垄断。经济分析表明,年处理100吨HCDS可实现营收2.6亿元,具有显著的经济效益。研究结果对推动多晶硅行业绿色转型、助力半导体材料国产化具有重要实践意义。 展开更多
关键词 六氯乙硅烷 多晶硅副产物 高纯化 吸附-精馏 半导体前驱体
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原子层沉积技术及其在半导体中的应用 被引量:12
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作者 申灿 刘雄英 黄光周 《真空》 CAS 北大核心 2006年第4期1-6,共6页
首先简述原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势,着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用。同时指出了目前ALD工艺中存在... 首先简述原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势,着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用。同时指出了目前ALD工艺中存在的主要问题。 展开更多
关键词 原子层沉积 前驱体 半导体
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半导体级别故障预测与健康管理 被引量:3
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作者 王浩 罗宏伟 陈媛 《电子产品可靠性与环境试验》 2011年第5期58-62,共5页
随着集成电路特征尺寸按比例缩小,其可靠性问题越来越突出。为了避免因集成电路失效而发生灾难性后果,有必要对集成电路进行故障预测与健康管理。首先,介绍了故障预测与健康管理技术的发展概况;然后,阐述了实施半导体级别故障预测与健... 随着集成电路特征尺寸按比例缩小,其可靠性问题越来越突出。为了避免因集成电路失效而发生灾难性后果,有必要对集成电路进行故障预测与健康管理。首先,介绍了故障预测与健康管理技术的发展概况;然后,阐述了实施半导体级别故障预测与健康管理的两个主要方法:预兆单元法和失效先兆监测推理法,并根据相关案例进行了分析;最后,指出了该技术面临的挑战。 展开更多
关键词 故障预测与健康管理 半导体产品 预兆单元 失效先兆
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溶液法氧化物薄膜晶体管的印刷制备 被引量:4
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作者 钟云肖 谢宇 +8 位作者 周尚雄 袁炜健 史沐杨 姚日晖 宁洪龙 徐苗 王磊 兰林锋 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期443-454,共12页
溶液法印刷制备电子器件因具有绿色环保、低成本、流程简单、柔性好和适应性强等优良特性,受到世界各个国家的重视,尤其高性能薄膜晶体管是平板显示和消费电子行业的基石,更成为了研究的热点。本文综述了基于溶液法氧化物薄膜晶体管印... 溶液法印刷制备电子器件因具有绿色环保、低成本、流程简单、柔性好和适应性强等优良特性,受到世界各个国家的重视,尤其高性能薄膜晶体管是平板显示和消费电子行业的基石,更成为了研究的热点。本文综述了基于溶液法氧化物薄膜晶体管印刷制备的最新研究进展,详细讨论了印刷氧化物薄膜晶体管结构优化、半导体层材料、电极层材料和绝缘层材料以及相关前驱体选择等,指出了提升器件性能的关键,明确了器件后处理与稳定性的关系。最后,本文总结了氧化物薄膜晶体管在印刷制备和应用过程中存在的问题以及发展前景。 展开更多
关键词 溶液法 氧化物薄膜晶体管 印刷制备 前驱体 后处理
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不同方法制备的前驱物对水热合成Zn_(0.95)Ni_(0.05)O稀磁半导体粉体的影响
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作者 李慧勤 苗鸿雁 谈国强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期863-867,共5页
分别用沉淀法和溶胶–凝胶法制备Zn0.95Ni0.05O前驱物,然后以3mol/LNaOH作为矿化剂,采用水热法在240℃保温24h合成制备了Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体粉体。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、能谱仪和振动样品磁强计分析了合成粉体的物相组... 分别用沉淀法和溶胶–凝胶法制备Zn0.95Ni0.05O前驱物,然后以3mol/LNaOH作为矿化剂,采用水热法在240℃保温24h合成制备了Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体粉体。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、能谱仪和振动样品磁强计分析了合成粉体的物相组成、形貌、元素含量和铁磁性能。结果表明:用溶胶–凝胶法制备前驱物所合成的Zn0.95Ni0.05O粉体中有杂相Ni和Ni(OH)2出现。用沉淀法制备前驱物可以合成纯净的Zn0.95Ni0.05O粉体,样品中Ni离子的实际掺杂量为4.55%(摩尔分数)。Zn0.95Ni0.05O样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性。 展开更多
关键词 掺镍氧化锌粉体 稀磁半导体 水热法 沉淀法 溶胶–凝胶法 前驱物制备 铁磁性
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原子层沉积技术及应用 被引量:12
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作者 苗虎 李刘合 +1 位作者 韩明月 谷佳宾 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期163-175,共13页
简单阐述了原子层沉积技术的发展背景,然后概括了原子层沉积技术原理、技术特征和优势,并对化学吸附和顺次反应两种自限制机制进行了描述和比较。着重介绍了原子层沉积技术在工艺等方面的最新成果,以及在纳米催化剂、电池、半导体器件... 简单阐述了原子层沉积技术的发展背景,然后概括了原子层沉积技术原理、技术特征和优势,并对化学吸附和顺次反应两种自限制机制进行了描述和比较。着重介绍了原子层沉积技术在工艺等方面的最新成果,以及在纳米催化剂、电池、半导体器件、光学、生物医学和航空航天领域中的相关应用。其中将原子层沉积在电池、半导体器件和生物医学方面的应用进行了分类介绍。电池方面包括锂离子电池和太阳能电池,半导体器件方面分为高k电介质、电容器、电阻随机存取存储器(RRAM)和光、电二极管。生物医学领域分别介绍了其在生物相容性、抑菌抗菌涂层和微观组分方向的研究进展。最后对原子层沉积技术进行了归纳总结,并展望了其未来的发展方向和应用前景。 展开更多
关键词 原子层沉积 自限制 前驱体 纳米催化剂 电池 半导体 光学 生物医学 航空航天
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Effect of SnCl2 and SnCl4 precursors on SnSx thin films prepared by ultrasonic spray pyrolysis 被引量:3
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作者 Z.Hadef K.Kamli +2 位作者 A.Attaf M.S.Aida B.Chouial 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第6期18-23,共6页
Thin films of SnSx,semiconductors,have been successfully synthesized by ultrasonic spray pyrolysis technique,using two precursors namely:tin(II)chloride and tin(IV)chloride,respectively.The solutions were prepare... Thin films of SnSx,semiconductors,have been successfully synthesized by ultrasonic spray pyrolysis technique,using two precursors namely:tin(II)chloride and tin(IV)chloride,respectively.The solutions were prepared by the dilution of different Sn molarities of the two precursors separately.The precursor molarities were varied from 0.04 to 0.07 mol/L,whereas that of S was fixed at 0.1 mol/L.The present work focuses on the effect of the different precursor’s molarities on the nature and the properties of the prepared thin films in order to optimize the growth conditions.X-ray diffraction analysis reveals that the precursor’s molarities alter the grain size of the prepared films,which varied from 8 to 14 nm and from 12 to 16 nm,according to the used precursor.The films analysis by SEM,shows that the SnS2 films are more dense and smooth than the SnS films.The composition of the elements is analysed with an EDX spectrometer,and the obtained result for M(sn)=0:07 mol/L indicates that the atomic ratio of Sn to S is 51.57:48:43 and 36:64 for films synthesized from the first and second precursors respectively.Electrical measurements show that the conductivity behavior depends on the used precursors and their molarities. 展开更多
关键词 precursors ultrasonic spray tin sulfide semiconductor thin films characterization
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