CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量：7

1

作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页

采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多

关键词 化学气相沉积(CVD) sb掺杂sno2薄膜 掺杂量

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新型Sb掺杂SnO_2基NTC热敏材料的研制 被引量：3

2

作者 张哲 张鸿 +2 位作者 汪健 李文彦 李志成 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期56-59,共4页

为了提高SnO2基NTC热敏材料的电学性能稳定性,采用共沉淀法合成了Sb掺杂SnO2材料,[Sn1-xSbxO2+δ(x=0.02,0.04,0.05和0.07)]。利用XRD对其进行了相分析,利用电阻–温度特性测试仪研究其电阻温度特性。结果表明:500℃煅烧后获得了具有高... 为了提高SnO2基NTC热敏材料的电学性能稳定性,采用共沉淀法合成了Sb掺杂SnO2材料,[Sn1-xSbxO2+δ(x=0.02,0.04,0.05和0.07)]。利用XRD对其进行了相分析,利用电阻–温度特性测试仪研究其电阻温度特性。结果表明:500℃煅烧后获得了具有高纯四方相、晶粒尺寸小于10nm的Sb掺杂SnO2材料;x(Sb)为2%、4%、5%和7%的热敏电阻的材料常数B分别为6616,6207,5730和2197K。 展开更多

关键词 无机非金属材料 sb掺杂sno2 共沉淀 NTC效应 导电机理

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Sb掺杂SnO_2修饰双电层电容活性炭电极的研究 被引量：1

3

作者 苏岳锋 吴锋 +1 位作者 包丽颖 陈实 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期52-54,共3页

应用sol-gel浸渍与热处理工艺相结合,在活性炭表面包覆Sb掺杂的SnO2薄膜对电极进行修饰,构成AC-SnO2/KOH/AC-SnO2双电层电容器,测试结果表明,400 mA/g电流密度条件下,修饰后的双电层电容器在0.001～1.5 V相对较高电压区间的放电容量,比A... 应用sol-gel浸渍与热处理工艺相结合,在活性炭表面包覆Sb掺杂的SnO2薄膜对电极进行修饰,构成AC-SnO2/KOH/AC-SnO2双电层电容器,测试结果表明,400 mA/g电流密度条件下,修饰后的双电层电容器在0.001～1.5 V相对较高电压区间的放电容量,比AC/KOH/AC双电层电容器在0.001～1.0 V电压区间高36%,但AC-SnO2的单电极比电容仅为AC单电极比电容的91.9%;当电流密度大于400 mA/g,两种电极的大电流性能相当。 展开更多

关键词 电子技术 sb掺杂sno2 活性炭电极 双电层电容

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Sb掺杂SnO_2表面富集及电导率研究 被引量：2

4

作者 王贵青 《云南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第4期281-283,286,共4页

采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了四方金红石Sb掺杂SnO2微晶粉体.电导率(σ)、结构表征(XRD)、XPS综合测试分析表明:n(Sb)∶n(Sn)、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的表面富集、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较... 采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了四方金红石Sb掺杂SnO2微晶粉体.电导率(σ)、结构表征(XRD)、XPS综合测试分析表明:n(Sb)∶n(Sn)、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的表面富集、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较大的影响. 展开更多

关键词 sb掺杂sno2 表面富集 电导率

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湿化学共沉淀法制备Sb掺杂SnO_2粉体导电机理研究 被引量：2

5

作者 王贵青 《云南化工》 CAS 2011年第3期15-17,共3页

采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,制备了Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电导率、XPS测试表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较大的影响。Sb掺杂SnO2(ATO)的导电机理由有效施主S... 采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,制备了Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电导率、XPS测试表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较大的影响。Sb掺杂SnO2(ATO)的导电机理由有效施主Sb5+和有效氧空位共同控制。当低摩尔分数(小于12%)掺杂或低温煅烧(小于500℃)时,Sb3+→Sb5+,Sb5+/Sb3+>1,Sb5+逐渐占主导地位,ATO的导电载流子浓度主要由有效施主Sb5+提供;当高摩尔分数(大于12%)掺杂或高温煅烧(大于500℃)时,Sb5+→Sb3+,Sb5+/Sb3+≤1,Sb3+逐渐占主导地位,ATO的导电载流子浓度主要由有效氧空位提供。 展开更多

关键词 sb掺杂sno2 电导率 导电机理

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Sb掺杂SnO_2表面富集光电子能谱研究

6

作者 王贵青 《广州化工》 CAS 2012年第3期59-62,共4页

采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了5～20 nm左右、四方金红石Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电阻率,XRD、XPS综合测试分析表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电阻率的变化有较大的... 采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了5～20 nm左右、四方金红石Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电阻率,XRD、XPS综合测试分析表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电阻率的变化有较大的影响。掺杂到SnO2粉体中的Sb含量,不会改变SnO2的四方金红石结构,一部分Sb原子固溶到SnO2晶格中,剩余的Sb原子向SnO2粉体表面富集,并取代SnO2表面的Sn原子,形成Sb富集层,相当于一层"栅栏",阻碍心部Sb原子向表面扩散,抑止掺杂SnO2(ATO)晶粒的长大。 展开更多

关键词 sb掺杂sno2 表面富集

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基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响 被引量：7

7

作者 谢莲革 汪建勋 +3 位作者 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期411-413,418,共4页

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性... 以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 展开更多

关键词 APCVD法 sb掺杂sno2薄膜 基板温度

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SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2：Sb薄膜光电性能的影响 被引量：3

8

作者 陈帅 赵小如 +4 位作者 段利兵 白晓军 刘金铭 谢海燕 关蒙萌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期27-29,38,共4页

以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光... 以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 透明导电氧化物 sb掺杂sno2 缓冲层

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锑掺杂纳米SnO_2透明导电薄膜的制备与性能研究 被引量：6

9

作者 王银玲 徐雪青 +1 位作者 徐刚 何新华 《光学仪器》 2008年第3期68-72,共5页

采用溶胶-凝胶法在Si片、已镀SiO2的钠钙硅玻璃和普通钠钙硅玻璃上镀Sb掺杂摩尔分数为8%的SnO2薄膜(ATO),在450℃热处理温度下对薄膜结构,电学、光学性能进行表征。结果表明:薄膜以四方金红石结构存在,结晶完全;方阻值随镀膜层数的增加... 采用溶胶-凝胶法在Si片、已镀SiO2的钠钙硅玻璃和普通钠钙硅玻璃上镀Sb掺杂摩尔分数为8%的SnO2薄膜(ATO),在450℃热处理温度下对薄膜结构,电学、光学性能进行表征。结果表明:薄膜以四方金红石结构存在,结晶完全;方阻值随镀膜层数的增加而明显降低,12层时薄膜最低方阻值为129Ω/□,可见光平均透过率在75%以上。随着波长的增大,红外波段的反射率逐渐增大,从15%增加到55%左右。 展开更多

关键词 sb掺杂的sno2薄膜 溶胶-凝胶 光学电学性能

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Sn_(1-x)Sb_xO_2固溶体电极的形成能与电子结构 被引量：3

10

作者 梁镇海 丁永波 +2 位作者 樊彩梅 郝晓刚 韩培德 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期758-762,共5页

为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的... 为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的电子结构以及不同掺杂比例时的形成能.结果表明:Sb替代Sn后,晶格常数与晶胞体积均增加,但掺杂形成能随掺杂量变化不大,在掺杂量为0.083时掺杂形成能达到最低值5.08eV,稳定性最好.掺杂Sb后,在费米能级至最低导带处存在Sb5s电子态分布,产生施主能级;同时Sb掺杂后,在导带底形成的可填充电子数也从未掺杂的4增加到了掺杂后的19,导电性明显增强,且在掺杂量为0.063时导电性最强.本文的计算结果为钛基Sn1-xSbxO2氧化物电极的开发与应用提供了理论依据. 展开更多

关键词 电子结构 sb掺杂sno2 第一性原理 形成能

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Sb掺杂二氧化锡单片纳米带的气敏特性研究 被引量：5

11

作者 艾鹏 龚乃良 刘应开 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期87-90,共4页

利用热蒸发法制备了纯净的SnO2纳米带及Sb掺杂SnO2纳米带。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和气敏测试仪器对其结构和性能进行了表征和测试。结果表明纳米带表面光滑,厚度约为50nm。纯净SnO2纳米带为理... 利用热蒸发法制备了纯净的SnO2纳米带及Sb掺杂SnO2纳米带。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和气敏测试仪器对其结构和性能进行了表征和测试。结果表明纳米带表面光滑,厚度约为50nm。纯净SnO2纳米带为理想的单晶结构,掺杂Sb后并没有改变二氧化锡的晶体结构和晶胞参数。使用单根Sb掺杂和纯净的SnO2纳米带制作成传感器并进行气敏性能测试,结果显示:Sb掺杂SnO2纳米带对乙二醇和丙酮的最佳响应温度为180℃,在100×10-6浓度下对乙二醇和丙酮的气敏响应分别为10倍和1.2倍;对乙醇的最佳响应温度为200℃,响应为2.6倍。在最佳响应温度,随乙二醇浓度的增加器件气敏响应增强,其响应时间随乙二醇浓度的增加而缩短,在50×10-6及100×10-6时,其响应时间分别为15s和14s。 展开更多

关键词 sb掺杂sno2 单片纳米带 气体传感器 乙二醇

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Sb掺杂SnO_2/SiO_2纳米光学气敏薄膜的制备及其性质 被引量：2

12

作者 顾铮先 梁培辉 张伟清 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期423-427,共5页

采用溶胶 凝胶(sol gel)工艺制备了Sb掺杂SnO2/SiO2复合膜。通过X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外谱(FT IR)及原子力显微镜(AFM)表征了薄膜样品的物相结构与表面形貌,利用紫外 可见光谱研究了复合薄膜光学特性,利用p 偏振光双面反射法对... 采用溶胶 凝胶(sol gel)工艺制备了Sb掺杂SnO2/SiO2复合膜。通过X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外谱(FT IR)及原子力显微镜(AFM)表征了薄膜样品的物相结构与表面形貌,利用紫外 可见光谱研究了复合薄膜光学特性,利用p 偏振光双面反射法对薄膜的气敏特性进行了测试。实验结果表明,薄膜中的晶粒具有纳米尺寸(～35nm)的大小,比表面积大,孔隙率高;薄膜的透光率高,可见光波段近95%;纳米Sb:SnO2/SiO2复合膜的气敏灵敏度高于纯SnO2薄膜及Sb掺杂的SnO2薄膜。 展开更多

关键词 sno2纳米薄膜 Sol-gel技术 溶胶凝胶工艺 光学气敏薄膜 sb掺杂sno2/SiO2复合膜 光学参数 气敏特性

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sol-gel法制备ATO透明导电薄膜 被引量：10

13

作者 吴春春 杨辉 陆文伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期44-46,共3页

以无水SnCl4为原料,通过sol-gel法制备出稳定性很好的SnO2溶胶并由此得到掺杂的SnO2薄膜。利用差热–热重分析、XRD、IR等手段分析了制备薄膜的sol-gel过程,同时运用Hall法测量了薄膜电性能随固化温度的变化。结果表明:Cl–的存在抑制... 以无水SnCl4为原料,通过sol-gel法制备出稳定性很好的SnO2溶胶并由此得到掺杂的SnO2薄膜。利用差热–热重分析、XRD、IR等手段分析了制备薄膜的sol-gel过程,同时运用Hall法测量了薄膜电性能随固化温度的变化。结果表明:Cl–的存在抑制了溶胶的聚合反应,故溶胶的稳定性得以保证,而溶胶的聚合是在薄膜的固化过程中完成的。薄膜中晶粒随固化温度升高呈现指数趋势增大,电阻率随固化温度的升高逐渐减小,在固化温度700℃时达到最低值3.7?·cm。 展开更多

关键词 无机非金属材料 sb掺杂sno2薄膜 溶胶-凝胶 导电性能 稳定性

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