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共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应 被引量:1
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作者 邱一武 董磊 +1 位作者 殷亚楠 周昕杰 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期122-129,共8页
针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^... 针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV质子辐照后,器件阈值电压明显减小,跨导峰位负漂且峰值跨导减小,饱和漏极电流显著增加,栅泄露电流无明显变化,当辐照注量达到1×10^(13)cm^(-2)后,电学性能退化受到抑制并趋于饱和。分析认为Cascode结构GaN HEMT器件内部级联硅基MOS管的存在是导致辐照后阈值电压负漂和漏极电流增大的内在原因。结合低频噪声测试分析,发现质子辐照注量越高,器件噪声功率谱密度越大,表明辐照引入的缺陷就越多,辐照损伤越严重。与60 MeV和300 MeV质子辐照结果相比,5 MeV质子辐照后器件电学特性退化最为严重。利用SRIM仿真得到GaN材料受到质子辐照后产生的空位情况,结果显示质子入射能量越低,产生的空位数量越多(镓空位VGa占主导),器件电学特性退化就越显著。 展开更多
关键词 增强型GaN HEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 SRIM仿真
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低能重离子对氧化铌莫特忆阻器的性能影响
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作者 苏亚丽 蒲思雨 +3 位作者 李思宇 王译浩 李洋 张国和 《微电子学》 北大核心 2025年第5期876-882,共7页
莫特(Mott)忆阻器作为低功耗高集成度脉冲神经网络(Spiking Neural Network,SNN)的核心元件,在空间探索等极端环境中展现出重要应用潜力。然而,空间环境中存在的重离子射线对其性能的作用机制尚未明确。本研究采用磁控溅射技术,制备了具... 莫特(Mott)忆阻器作为低功耗高集成度脉冲神经网络(Spiking Neural Network,SNN)的核心元件,在空间探索等极端环境中展现出重要应用潜力。然而,空间环境中存在的重离子射线对其性能的作用机制尚未明确。本研究采用磁控溅射技术,制备了具有Ti/W/NbO_(x)/Nb/Pt三明治结构的氧化铌(NbO_(x))基Mott忆阻器,并开展100 keV低能氮离子在5×10^(12) cm^(-2)、1×10^(13) cm^(-2)和5×10^(14) cm^(-2)累积注量下的辐照实验。实验结果表明,在5×10^(12) cm^(-2)和1×10^(13) cm^(-2)注量下,氮离子辐照对忆阻器电学特性影响微弱,结合SRIM仿真程序分析发现,氮离子穿透Pt、Nb层抵达NbO_(x)功能层的概率较低,注量较低时对器件影响有限,仅高注量下可能会造成器件功能层顶端的导电细丝损坏。实际测试发现,在5×10^(14) cm^(-2)的注量条件下,观测到部分器件需重新进行电铸,器件再成形(reforming)后的性能较先前有较大差异,推测这是由于初始导电细丝被破坏,形成新导电细丝后的电学特性改变而伴随产生的。 展开更多
关键词 NbO_(x)莫特忆阻器 低能重离子 SRIM仿真 辐射效应 导电细丝
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X射线光电子能谱测试参数对CaF_(2)氧元素含量测试结果的影响
3
作者 侯瑶 崔云 +1 位作者 陶春先 冯殿福 《理化检验(物理分册)》 2025年第3期25-31,共7页
针对在X射线光电子能谱刻蚀剖析过程中出现测试结果失真的问题,以CaF2试样为研究对象,通过改变离子束能量、刻蚀后停顿时间、氧元素的精细谱扫描顺序等参数,对试样表面氧元素含量的测试结果进行分析,同时使用SRIM软件模拟计算氩离子束刻... 针对在X射线光电子能谱刻蚀剖析过程中出现测试结果失真的问题,以CaF2试样为研究对象,通过改变离子束能量、刻蚀后停顿时间、氧元素的精细谱扫描顺序等参数,对试样表面氧元素含量的测试结果进行分析,同时使用SRIM软件模拟计算氩离子束刻蚀CaF2产生的空位缺陷,为测试失真分析提供数据支持。结果表明:在CaF2表面测得氧元素的原因为试样表面吸附残余气体中的羟基和O2;通过优化X射线光电子能谱测试参数,有效去除了表面的羟基和吸附的O2,削弱或者消除了残余气体对测试结果的影响;材料的极性分子和低表面结合能是离子刻蚀过程中表面快速吸附残余气体的主要原因。研究结果对使用X射线光电子能谱准确表征具有极性分子材料的元素成分具有重要指导意义。 展开更多
关键词 X射线光电子能谱 刻蚀深度剖析 表面吸附 表面分析技术 SRIM软件
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星载飞行时间系统中石墨烯薄膜和碳膜的性能对比仿真
4
作者 徐鹏晖 孔令高 +1 位作者 张爱兵 麻继杰 《空间科学学报》 北大核心 2025年第3期795-809,共15页
在空间探测应用领域,石墨烯薄膜因其低厚度特性,成为一种受到研究者关注的新材料.针对利用石墨烯薄膜替代碳膜作为星载薄膜式飞行时间(Time of Flight,TOF)系统中透射薄膜材料的应用情景,采用粒子透射仿真软件SRIM和粒子光学仿真软件SIM... 在空间探测应用领域,石墨烯薄膜因其低厚度特性,成为一种受到研究者关注的新材料.针对利用石墨烯薄膜替代碳膜作为星载薄膜式飞行时间(Time of Flight,TOF)系统中透射薄膜材料的应用情景,采用粒子透射仿真软件SRIM和粒子光学仿真软件SIMION进行联用的方法,进行石墨烯薄膜和碳膜在TOF系统中具体表现的计算机仿真模拟,得到了飞行时间谱图、散斑分布与散角、探测效率等指标的对比结果.仿真结果表明,应用于星载TOF系统的石墨烯薄膜相比碳膜表现出更好的质谱分辨、更小的散斑半径和散角以及更高的探测效率,表明使用石墨烯薄膜替代碳膜可明显提升薄膜式TOF系统的性能.对该结论的进一步证明则需要对应的实验测试数据和结果.相关结果可为后续对石墨烯薄膜进行实际测试以及其他相关研究提供参考. 展开更多
关键词 空间粒子探测 薄膜式飞行时间系统 碳膜 石墨烯薄膜 SRIM SIMION
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Damage analysis caused by ^(60)Co ions in functionally graded materials
5
作者 Zübeyde Özkan Ugur Gökmen Sema Bilge Ocak 《Defence Technology(防务技术)》 2025年第2期248-256,共9页
Functionally graded composite/hybrid materials(FGCM/FGHCM)were produced by adding B_(4)C,TiO_(2),and B_(4)C+TiO_(2)ceramic materials at various ratios(0-50%)into the AA6082 matrix.The analysis of the damage caused by^... Functionally graded composite/hybrid materials(FGCM/FGHCM)were produced by adding B_(4)C,TiO_(2),and B_(4)C+TiO_(2)ceramic materials at various ratios(0-50%)into the AA6082 matrix.The analysis of the damage caused by^(60) ions'(1.173-1.1332 MeV)on the material was examined using the SRIM/TRIM Monte Carlo simulation software.In the simulation,the following data regarding the atoms of the target materials were obtained:ion distribution,target ionization,total displacements,surface binding energy,lattice binding energy,and displacement energy.Among the studied four materials,the one with the highest ion range value was found to be AA6082 with 8550A.TiO_(2)was found to be the reinforcement material that reduced the ion range the most in the material.Due to its high binding energy,B_(4)C reinforced AA6082+(0-50%)B_(4)C FGCM was found to have the least vacancy with 4782/ion. 展开更多
关键词 SRIM/TRIM Damage analysis AA6082 ^(60)Co ion
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复合材料液体模塑成型技术(LCM)的研究进展 被引量:20
6
作者 张彦飞 刘亚青 +1 位作者 杜瑞奎 代建学 《塑料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期31-35,共5页
LCM是近些年发展起来的一类复合材料成型技术。它的出现打破了长久以来高性能复合材料必然具有制造成本高的惯例,为高性能复合材料开辟了广阔的应用领域。LCM工艺技术是先进复合材料低成本制备技术的主要发展方向,是现在复合材料领域研... LCM是近些年发展起来的一类复合材料成型技术。它的出现打破了长久以来高性能复合材料必然具有制造成本高的惯例,为高性能复合材料开辟了广阔的应用领域。LCM工艺技术是先进复合材料低成本制备技术的主要发展方向,是现在复合材料领域研究的重点。LCM成型技术主要包括:RTM、VARTM、SCRIMP、RFI、SRIM。主要综述了这几种常见的LCM工艺各自的发展现状、成型原理、特点、存在的问题以及解决对策。 展开更多
关键词 成型技术 研究进展 高性能复合材料 模塑 液体 先进复合材料 SCRIMP LCM 制造成本 应用领域 发展方向 制备技术 工艺技术 SRIM 成型原理 解决对策 RTM RFI
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中子深度分析的能量展宽修正 被引量:5
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作者 窦海峰 李润东 +2 位作者 冷军 袁姝 唐凤平 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期689-692,共4页
离子在样品内的能量岐离将改变中子深度分析(neutron depth profiling,NDP)的多道离子能谱分布。基于SRIM程序,分析了10B(n,α)7Li反应产生的四种离子穿过硅材料后的能量离散情况,获得了四种离子的能谱分布拟合函数,为中子深度分析技术... 离子在样品内的能量岐离将改变中子深度分析(neutron depth profiling,NDP)的多道离子能谱分布。基于SRIM程序,分析了10B(n,α)7Li反应产生的四种离子穿过硅材料后的能量离散情况,获得了四种离子的能谱分布拟合函数,为中子深度分析技术提供了能量GAUSS展宽的数学模型。 展开更多
关键词 能量岐离 中子深度分析 SRIM程序 拟合函数
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He^+离子辐照后Hastelloy N合金的耐腐蚀性研究 被引量:11
8
作者 林建波 李爱国 +1 位作者 何上明 余笑寒 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期56-61,共6页
高温、辐照以及强腐蚀所引起的Hastelloy N合金的失效问题是影响熔盐堆(Molten Salt Reactor,MSR)结构材料使用寿命中的关键问题。在常温下用4.5 MeV的He+离子辐照Hastelloy N合金,吸收剂量分别为:1×1015 He+·cm-2、5×10... 高温、辐照以及强腐蚀所引起的Hastelloy N合金的失效问题是影响熔盐堆(Molten Salt Reactor,MSR)结构材料使用寿命中的关键问题。在常温下用4.5 MeV的He+离子辐照Hastelloy N合金,吸收剂量分别为:1×1015 He+·cm-2、5×1015He+·cm-2、1×1016 He+·cm-2,采用浸入法在700°C熔融氟化盐(FLiNaK)中进行300 h腐蚀试验,研究辐照剂量对合金耐腐蚀性的影响。利用扫描电子显微(Scanning Electron microscope,SEM)、同步辐射微束X射线荧光分析(Microbeam X-ray fluorescence,μ-XRF)对腐蚀后的样品进行分析测试。结果表明,随着辐照剂量的增大,合金的耐腐蚀性逐渐减弱。μ-XRF结果表明:Hastelloy N合金在熔融氟化盐中的腐蚀主要表现为合金中Cr元素的流失。 展开更多
关键词 HASTELLOY N合金 离子辐照 微束X射线荧光分析(μ-XRF) 钍基熔盐堆(Thorium Molten Salt Reactor TMSR) SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) 熔盐 腐蚀
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树脂基复合材料成型工艺研究进展 被引量:17
9
作者 乔东 胡红 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2008年第B06期11-13,17,共4页
主要综述了树脂基复合材料的几种成型工艺,包括RTM、VARTM、CRTM、LRTM、RFI、VARI、SCRIMP、SRIM、TERM,各自的发展现状、成型原理、特点等。
关键词 RTM VARTM CRTM LRTM RFI VARI SCRIMP SRIM TERM 现状
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靶材溅射及溅射原子输运的计算机模拟 被引量:5
10
作者 李阳平 刘正堂 耿东生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期603-606,共4页
 用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程。模拟结果包括溅射原子输运到衬底时的能量、入射角和入射位置。由模拟结果知,溅射原子输运主要受P×d影响(P为真空室气压,d为靶基距),P×d愈大输运到衬底的...  用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程。模拟结果包括溅射原子输运到衬底时的能量、入射角和入射位置。由模拟结果知,溅射原子输运主要受P×d影响(P为真空室气压,d为靶基距),P×d愈大输运到衬底的溅射原子愈少,且能量愈小;溅射原子到达衬底时,能量集中在几电子伏范围内,且在能量很低的区域有分布峰;角度分布主要集中在垂直方向,这与从靶面出射时的分布相似,但垂直方向的分布有所减小;位置分布与从靶面出射时相比,分布范围在径向扩大、趋于均匀化,但主要在靶直径范围内。 展开更多
关键词 靶材溅射 溅射原子输运 计算机模拟 蒙特卡罗法 SRIM 溅射镀膜
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月球顽辉石质子注入的SRIM模拟 被引量:2
11
作者 李阳 李雄耀 +2 位作者 王世杰 李世杰 唐红 《矿物岩石地球化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期71-76,共6页
本文旨在通过模拟实验评估太阳风质子在月表顽辉石辐射损伤中所起的作用。实验通过SRIM软件开展,系统模拟了太阳风质子对顽辉石的辐射过程,获得了太阳风质子在顽辉石中的射程、浓度分布,主要组分的溅射产额以及顽辉石的晶格损伤分布等... 本文旨在通过模拟实验评估太阳风质子在月表顽辉石辐射损伤中所起的作用。实验通过SRIM软件开展,系统模拟了太阳风质子对顽辉石的辐射过程,获得了太阳风质子在顽辉石中的射程、浓度分布,主要组分的溅射产额以及顽辉石的晶格损伤分布等重要参数。实验结果证明,足够剂量的太阳风质子能够对顽辉石的晶格结构形成明显的损伤,并最终导致非晶化。除此之外,太阳风质子还能够通过对不同元素的差异溅射降低顽辉石的Mg/Si与O/Si。由此得出以下结论:太阳风质子能够显著改变月表矿物的晶体结构与化学组成,是制约月表物质太空风化演化的重要因素。 展开更多
关键词 月球 质子 SRIM 顽辉石
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结构反应注射成型(SRIM)—─PU-PI增强塑料的研制及性能研究 被引量:9
12
作者 王士才 李宝霞 《塑料科技》 CAS 1997年第3期22-27,共6页
在研究结构反应注射成型(SRIM)化学体系的基础上,以玻璃纤维毡片为增强剂,预先配制在模具中,然后进行反应注射成型的新技术-SRIM技术,研究制备了氨酯改性聚异氰脲酸酯(PU-PI)增强塑料(SRIMPU-PI)。
关键词 SRIM 增强剂 注塑成型 增强塑料
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^(241)Am俘获反应中^(242)Cm α粒子测量方法研究 被引量:1
13
作者 韩子杰 鹿心鑫 +2 位作者 朱通华 王玫 蒋励 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期448-450,共3页
241Am发生中子俘获反应,主要生成激发态的242Amg(83.7%),242Amg通过β衰变生成242Cm,242Cmα粒子的最低能量比241Amα粒子的最高能量高约500 keV。用SRIM程序模拟了两种能量的α粒子在铝箔中的穿透情况,26μm的Al箔可以将241Am的α粒子... 241Am发生中子俘获反应,主要生成激发态的242Amg(83.7%),242Amg通过β衰变生成242Cm,242Cmα粒子的最低能量比241Amα粒子的最高能量高约500 keV。用SRIM程序模拟了两种能量的α粒子在铝箔中的穿透情况,26μm的Al箔可以将241Am的α粒子完全吸收掉,242Cm的α粒子对26μm的Al箔穿透率达99.7%。在探测器前加26μm吸收铝箔,可以排除241Amα粒子对242Cm的α粒子测量的影响,实现242Cmα粒子的测量。 展开更多
关键词 俘获反应率 Α衰变 射程 SRIM程序
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核电站放射性气溶胶探测器入射粒子模拟分析 被引量:5
14
作者 陈祥磊 王益元 +4 位作者 熊启发 刘舜 刘单 钟秋林 左亮周 《舰船科学技术》 2011年第8期53-57,共5页
分析了核电站放射性气溶胶的分类及来源,利用SRIM模拟计算软件模拟了探测器测量α射线的真实物理过程,分析计算了放射性气溶胶发射的α射线在进入探测装置前的运动行为,为放射性气溶胶探测装置的设计和研制提供了理论数据指导。
关键词 放射性气溶胶 SRIM Α粒子
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聚焦离子束加工单晶金刚石的亚表层损伤研究 被引量:2
15
作者 鹿玲 靳田野 陈俊云 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2015年第5期420-424,463,共6页
为保证聚焦离子束(FIB)制造微细零部件或微刀具等的加工表面使用性能和使用寿命,研究了使用FIB技术加工单晶金刚石超硬材料的亚表层损伤。从粒子碰撞和能量交换两种角度分析了FIB加工亚表层损伤的形成原理,利用SRIM软件模拟了FIB加工单... 为保证聚焦离子束(FIB)制造微细零部件或微刀具等的加工表面使用性能和使用寿命,研究了使用FIB技术加工单晶金刚石超硬材料的亚表层损伤。从粒子碰撞和能量交换两种角度分析了FIB加工亚表层损伤的形成原理,利用SRIM软件模拟了FIB加工单晶金刚石的离子轰击过程,确定了FIB亚表层损伤区域横截面半径,以及亚表层损伤深度。研究表明,理论上FIB加工金刚石靶材,其亚表层损伤截面半径不超过微米级零部件特征尺寸的2%,损伤深度不超过1%。 展开更多
关键词 FIB 亚表层损伤 金刚石 SRIM
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MC法模拟B_4 C/Al复合材料热中子辐照损伤 被引量:1
16
作者 张宏俊 王雷 +1 位作者 张齐昊 熊忠华 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第8期805-809,共5页
利用MC法模拟了热中子被^(10)B吸收产生的He和Li离子入射到B_4C/Al材料中的作用全过程,获得了He离子和Li离子在材料中的射程、发散角、离位原子以及能量沉积等分布,并计算出热中子辐照引起的DPA。模拟结果显示,He离子在其路径上引起的... 利用MC法模拟了热中子被^(10)B吸收产生的He和Li离子入射到B_4C/Al材料中的作用全过程,获得了He离子和Li离子在材料中的射程、发散角、离位原子以及能量沉积等分布,并计算出热中子辐照引起的DPA。模拟结果显示,He离子在其路径上引起的离位主要是在其径迹末端,在其路径的前段引起离位较少;Li离子不仅在其径迹末端引起大量原子离位,在其路径的前段同样会引起一定量的原子离位;在能量相差不大的情况下,同一种离子引起的原子离位数基本相同;当热中子注量达到2.39×10^(19)/cm^2时,DPA为1,其深度分布近似指数衰减特征。 展开更多
关键词 SRIM软件 蒙特卡罗软件 铝基碳化硼 辐照损伤 平均原子离位
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低密度长玻璃纤维增强PU-RIM材料制备研究 被引量:6
17
作者 杜俊超 孙海欧 于文杰 《化学推进剂与高分子材料》 CAS 2007年第1期52-55,共4页
对低密度长玻璃纤维注射工艺(LFI)用聚氨酯材料的配方、工艺条件和制品性能进行了研究。得出较佳配方(质量份)为:聚醚多元醇(平均官能度4左右)100,复配延迟催化剂YC-10.8,水0.6 ̄1.0,物理发泡剂5 ̄8,泡沫稳定剂B88701.0 ̄2.0,异氰酸酯指... 对低密度长玻璃纤维注射工艺(LFI)用聚氨酯材料的配方、工艺条件和制品性能进行了研究。得出较佳配方(质量份)为:聚醚多元醇(平均官能度4左右)100,复配延迟催化剂YC-10.8,水0.6 ̄1.0,物理发泡剂5 ̄8,泡沫稳定剂B88701.0 ̄2.0,异氰酸酯指数1.05 ̄1.15;工艺条件为:料温35℃左右,模具温度50 ̄55℃,脱模时间4.5 ̄5min。 展开更多
关键词 长玻璃纤维注射工艺(LFI) 结构反应注射成型(SRIM) 聚氨酯(PU)
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合金靶材择优溅射的SRIM模拟研究 被引量:2
18
作者 张德根 胡训美 《皖西学院学报》 2014年第5期59-62,共4页
利用SRIM2013软件,分别模拟计算了3组合金靶材Fe-Cr、Cu-Ni和Au-Ag在氩离子入射时的溅射产额,根据计算结果得出3组合金均存在择优溅射现象,择优溅射与金属原子的表面结合能有关的结论。同时模拟了Au-Ag合金的溅射产额随入射离子能量和... 利用SRIM2013软件,分别模拟计算了3组合金靶材Fe-Cr、Cu-Ni和Au-Ag在氩离子入射时的溅射产额,根据计算结果得出3组合金均存在择优溅射现象,择优溅射与金属原子的表面结合能有关的结论。同时模拟了Au-Ag合金的溅射产额随入射离子能量和合金成分的变化情况,并分析其择优溅射机制。 展开更多
关键词 择优溅射 SRIM 溅射产额 合金
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离子溅射能量损失及射程的模拟研究 被引量:1
19
作者 张德根 邹俊峰 赵敏福 《巢湖学院学报》 2009年第6期37-41,共5页
运用SRIM2006软件对靶材的溅射进行了模拟,计算了各种情况下离子入射靶材能量损失和射程分布,分析其内部碰撞机理,得到了入射离子能量损失和射程分布随离子能量得变化规律:低能离子溅射能量损失以核阻止为主,高能离子溅射能量损失以电... 运用SRIM2006软件对靶材的溅射进行了模拟,计算了各种情况下离子入射靶材能量损失和射程分布,分析其内部碰撞机理,得到了入射离子能量损失和射程分布随离子能量得变化规律:低能离子溅射能量损失以核阻止为主,高能离子溅射能量损失以电子阻止为主;载能离子的能量损失及射程与入射离子和靶原子有关;对于低能离子溅射靶材,入射离子主要分布在靶材表面几层原子内。 展开更多
关键词 溅射 SRIM2006 能量损失 射程
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Ar^+入射Cu靶溅射产额的计算与分析 被引量:2
20
作者 张德根 《蚌埠学院学报》 2015年第3期39-41,共3页
利用SRIM软件模拟Ar+以不同能量和角度溅射铜靶,根据计算结果得出溅射产额随入射离子能量和角度的变化规律:溅射产额在低能区(0.1-10 ke V)随入射离子能量的增加而增大,在高能区(10-100 ke V)随入射离子能量的增加变化不大且逐渐减小;... 利用SRIM软件模拟Ar+以不同能量和角度溅射铜靶,根据计算结果得出溅射产额随入射离子能量和角度的变化规律:溅射产额在低能区(0.1-10 ke V)随入射离子能量的增加而增大,在高能区(10-100 ke V)随入射离子能量的增加变化不大且逐渐减小;溅射产额随着离子入射角的增加逐渐增大,且在60°-80°之间有一极大值,而当入射角再变大时溅射产额急剧下降;入射角在0°-60°范围内,相对溅射产额与入射角余弦值近似成反比。溅射产额的变化规律可利用级联碰撞理论做出合理解释。 展开更多
关键词 溅射产额 能量 角度 SRIM软件 级联碰撞
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