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Advanced SPICE-Modeling of 4H-SiC MESFETs 被引量:2
1
作者 徐跃杭 徐锐敏 +1 位作者 延波 王磊 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2007年第1期62-65,共4页
A modified drain source current suitable for simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) simulations of SiC MESFETS is presented in this paper. Accurate modeling of SiC MESFET is achieved by introduc... A modified drain source current suitable for simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) simulations of SiC MESFETS is presented in this paper. Accurate modeling of SiC MESFET is achieved by introducing three parameters in Triquint's own model (TOM). The model, which is single piece and continuously differentiable, is verified by measured direct current (DC) I-V curves and scattering parameters (up to 20 GHz). 展开更多
关键词 4H-SiC MESFET large signal model simulation program with integratedcircuit emphasis (SPICE)
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高压MOS器件SPICE建模研究
2
作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压MOS SPICE模型 参数提取
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基于MaxEnt模型的云南香料烟气候适生区 被引量:2
3
作者 李含文 张云贵 +5 位作者 李光西 李志宏 甄安忠 刘青丽 唐旭兵 王鹏 《云南农业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期111-117,共7页
【目的】研究香料烟在云南的气候适生区,为其合理种植提供理论依据。【方法】使用ArcGIS将气候数据结合地形校正进行协同克里金插值,利用最大熵(maximum entropy,MaxEnt)模型筛选影响香料烟分布的气象因子,最后使用ArcGIS对云南省香料... 【目的】研究香料烟在云南的气候适生区,为其合理种植提供理论依据。【方法】使用ArcGIS将气候数据结合地形校正进行协同克里金插值,利用最大熵(maximum entropy,MaxEnt)模型筛选影响香料烟分布的气象因子,最后使用ArcGIS对云南省香料烟的气候适生区进行评价。【结果】MaxEnt模型的曲线下面积(the area under curve,AUC)值为0.993,可精准预测云南省香料烟的气候适生区。影响香料烟在云南省分布的气象因子为2月降雨量、1月日照时间、3月日照时间、3月平均气温、3月降雨量、4月降雨量、1月降雨量、2月日照时间和4月最高气温。香料烟在云南省的最适宜种植区(四级适生区)主要分布在保山、德宏和临沧;适宜种植区(三级适生区)主要分布在保山、德宏、临沧、玉溪、楚雄和大理。MaxEnt模型预测结果与香料烟种植区拟合度较高,其种植区主要分布在四级和三级适生区,极少数分布在二级和一级适生区。【结论】云南省适合种植香料烟的地区主要在西南部,适宜种植区主要为沿怒江、澜沧江、黑惠江及其支流的干热河谷地区。2月降雨量、1月日照时间、3月日照时间和3月平均气温是影响香料烟在云南种植的主要气象因子。 展开更多
关键词 香料烟 最大熵模型(MaxEnt) 气候 适生区 潜在分布
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基于电流影响因子的SiC MOSFET模型建立与分析
4
作者 李倩茹 钱乐洋 +3 位作者 秦世清 陈飞宇 张向阳 杨国锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第12期1221-1228,共8页
SiC MOSFET在高频、高压、高功率密度等领域有巨大的应用潜力,但目前SiC器件模型相较于Si器件尚未形成成熟完整的体系。在综合考虑沟道长度调制效应和横向电场影响的基础上,提出了一种SiC MOSFET模型优化方法。在模型建立的过程中,考虑... SiC MOSFET在高频、高压、高功率密度等领域有巨大的应用潜力,但目前SiC器件模型相较于Si器件尚未形成成熟完整的体系。在综合考虑沟道长度调制效应和横向电场影响的基础上,提出了一种SiC MOSFET模型优化方法。在模型建立的过程中,考虑了内部结构和工艺参数对输出特性曲线的影响,并采用一种简单的非线性电容等效电路进行寄生电容的精确建模。结果表明在一定栅压范围内,输出曲线的仿真结果和数据手册拟合效果较好,开关过程的仿真波形和实验结果吻合程度较高。 展开更多
关键词 SiC MOSFET SPICE建模 输出曲线 非线性电容 双脉冲电路
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Non-Destructive Parameters Extraction for a Novel IGBT SPICE Model and Verified with Measurements 被引量:4
5
作者 袁寿财 朱长纯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期702-706,共5页
An IGBT subcircuit model is proposed and optimized,which is fully SPICE compatible.Based on analytical equations describing the semiconductor device physics,the model parameters are extracted accurately from the measu... An IGBT subcircuit model is proposed and optimized,which is fully SPICE compatible.Based on analytical equations describing the semiconductor device physics,the model parameters are extracted accurately from the measured data without device destruction.The IGBT n - layer conductivity modulated resistor is effectively modeled as a voltage controlled resistor.The proposed model can be used to accurately predict the IGBT output I-V characteristics and low current gain etc.The simulation results are verified by the comparison with measurements and found to be in good agreement with them.The error in average is within 8%,which is better than the results of semi-mathematical models reported previously. 展开更多
关键词 IGBT subcircuit simulation spice-model parameter-extraction
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基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
6
作者 王悦杨 马英杰 +4 位作者 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期339-344,共6页
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过... 对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理,确立并修正了部分相关的物理参数,准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化,完成核/壳NSFET的SPICE模型构建及验证。结果表明,单器件的直流特性参数的平均提取误差小于3%,验证误差小于5%。所建模型可以准确描述不同沟道外壳厚度的n型核/壳NSFET的器件特性,为核/壳NSFET的研发及仿真应用提供参考。 展开更多
关键词 核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模
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SPICES模式在实验诊断学临床实践教学中的应用初探
7
作者 杨玉静 罗盈 +5 位作者 葛艳芬 王春苗 向微 邸玉玮 顾兵 邓倩昀 《标记免疫分析与临床》 2025年第3期638-643,共6页
目的探讨SPICES模式在实验诊断学临床实践教学中的实施效果。方法选取华南理工大学五年制临床医学本科专业2020级和2021级学生共125人为研究对象。其中创新组(60名)采用SPICES模式教学;传统组(65名)采用传统模式教学。比较两组学生的理... 目的探讨SPICES模式在实验诊断学临床实践教学中的实施效果。方法选取华南理工大学五年制临床医学本科专业2020级和2021级学生共125人为研究对象。其中创新组(60名)采用SPICES模式教学;传统组(65名)采用传统模式教学。比较两组学生的理论成绩及实践成绩,统计两组学生对教学效果的主观评价。结果创新组与传统组理论成绩(62.58±8.63 vs 63.04±8.99)和实践课前小测成绩(73.75±20.78 vs 67.69±24.80),差异无统计学意义(P>0.05);实践成绩(83.53±10.54 vs 69.81±17.46)和实践课后小测成绩(81.67±17.87 vs 72.73±29.12),差异有统计学意义(P<0.001)。创新组学生对教学评价优于传统组(P<0.001)。结论在实验诊断学临床实践教学中应用SPICES模式有利于培养了学生的学习力、思辨力和临床胜任力,具有一定的推广价值,为医学教育领域提供了新的教学改革思路。 展开更多
关键词 SPICES模式 实验诊断学 临床实践
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SiC DC/DC变换器电磁辐射干扰预测方法
8
作者 羊岳彬 《电工技术》 2025年第21期69-73,共5页
碳化硅(SiC)开关器件在DC/DC变换器中会产生强烈的电磁辐射干扰,为优化换流器内部结构,实现更高的功率密度,提出一种SiC DC/DC变换器电磁辐射干扰的预测方法。该方法将变流器内部导线分为竖直导体和平面矩形导线,建立两种导电体在空间... 碳化硅(SiC)开关器件在DC/DC变换器中会产生强烈的电磁辐射干扰,为优化换流器内部结构,实现更高的功率密度,提出一种SiC DC/DC变换器电磁辐射干扰的预测方法。该方法将变流器内部导线分为竖直导体和平面矩形导线,建立两种导电体在空间中引起的电磁辐射干扰数学模型。以SiC开关器件的SPICE模型为基础建立了DC/DC变换器电路级仿真,求得变换器中各支路电流频谱作为电磁辐射干扰模型的激励源。最后,通过Maxwell软件进行三维有限元仿真,仿真结果与所建模型结果基本吻合,证明了提出方法的正确性。 展开更多
关键词 碳化硅 电磁辐射干扰 SPICE模型 竖直导体模型 矩形导线模型
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通用光电二极管SPICE模型与特性分析 被引量:8
9
作者 李守智 田敬民 苏琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期480-483,513,共5页
提出一种普适光电二极管 SPICE模型用于 ANACAD ELDO电路模拟 ,并能分析其光源的光谱特性 ,比较 ELDO模拟和器件数值模拟结果说明 。
关键词 光电二极管 SPICE模型 特性分析 光谱特性 器件数值模拟 光学微系统 ELDO模拟
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超宽带皮秒级脉冲发生器 被引量:5
10
作者 纪建华 费元春 +2 位作者 周建明 郭德淳 赵琦 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1243-1245,共3页
设计了一种超宽带高斯脉冲的脉冲发生器,此脉冲发生器主要由阶跃恢复二极管,FET管和肖特基二极管组成。其中阶跃恢复二极管和短路线用来产生脉冲,FET管用来进行脉冲的放大和脉冲产生、脉冲整形两部分电路间的隔离,肖特基二极管用来减小... 设计了一种超宽带高斯脉冲的脉冲发生器,此脉冲发生器主要由阶跃恢复二极管,FET管和肖特基二极管组成。其中阶跃恢复二极管和短路线用来产生脉冲,FET管用来进行脉冲的放大和脉冲产生、脉冲整形两部分电路间的隔离,肖特基二极管用来减小脉冲的振铃。利用ADS软件对阶跃恢复二极管进行建模,并用其进行脉冲发生器的设计仿真。测试结果表明,皮秒脉冲发生器的脉冲宽度为307 ps,幅度为1.88 V.该窄脉冲的波形对称,而且振铃小,实验结果与仿真结果吻合得很好。 展开更多
关键词 电子技术 超宽带 皮秒级 高斯脉冲发生器 阶跃恢复二极管 SPICE模型
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一种单电子晶体管的Spice模型 被引量:10
11
作者 孙铁署 蔡理 陈学军 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 2003年第6期65-67,共3页
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉... 基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。 展开更多
关键词 单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图
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一种高压RSD开关触发方法的设计 被引量:3
12
作者 周郁明 余岳辉 +1 位作者 陈海刚 梁琳 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第10期113-116,共4页
针对高压RSD(Reverse Switching Dynistor)开关触发的问题,提出了一种低压控制高压的二级RSD触发方案。可饱和变压器是该方案的关键,提出利用磁性元件设计软件(Magnetics Designer)来建立触发单元中可饱和变压器的SPICE模型,生成变压器... 针对高压RSD(Reverse Switching Dynistor)开关触发的问题,提出了一种低压控制高压的二级RSD触发方案。可饱和变压器是该方案的关键,提出利用磁性元件设计软件(Magnetics Designer)来建立触发单元中可饱和变压器的SPICE模型,生成变压器的电气参数及绕制规格,并利用IsSpice4仿真软件来设计变压器两边的电容参数。最后以10kV高压RSD的触发为例,通过实验证明了该方法的有效性和合理性。 展开更多
关键词 RSD 触发电荷量 二级触发 可饱和变压器 SPICE模型
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钟控神经元MOS晶体管的改进HSPICE宏模型 被引量:3
13
作者 杨媛 高勇 +2 位作者 余宁梅 张如亮 胡挺 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期301-304,共4页
为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题,提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型,采用HSPICE对器件进行了建模,并对模型进行了验证。验证结果表明,改进的模型既适用于普通神经元MOS,可以进... 为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题,提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型,采用HSPICE对器件进行了建模,并对模型进行了验证。验证结果表明,改进的模型既适用于普通神经元MOS,可以进行直流特性扫描分析,也可以进行瞬态特性分析;由于模型具有自动"记忆"预充电阶段输入端电平的功能,因此即使在不同的周期输入端所接固定电平不同,也可以进行连续任意个周期的瞬态特性仿真,从而使改进的模型具有更大的灵活性和实用性。 展开更多
关键词 钟控神经元金属-绝缘层-半导体 SPICE模型 子电路
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传输线端接非线性负载时的两种电磁脉冲响应建模方法比较 被引量:7
14
作者 李妮 杜子韦华 +3 位作者 张建功 郭俊 郭洁 谢彦召 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期2003-2008,共6页
为了深入了解不同方法的异同性,研究了基于SPICE等效模型和基于FDTD的两种传输线端接非线性负载时的建模计算方法,以端接TVS的传输线为对象,分析比较了这两种方法在建模和响应计算时的优缺点。首先给出了针对端接非线性负载的传输线SPIC... 为了深入了解不同方法的异同性,研究了基于SPICE等效模型和基于FDTD的两种传输线端接非线性负载时的建模计算方法,以端接TVS的传输线为对象,分析比较了这两种方法在建模和响应计算时的优缺点。首先给出了针对端接非线性负载的传输线SPICE等效模型方法和利用分段线性等效非线性负载特性的FDTD法,然后以理想大地上端接非线性负载的传输线为算例进行了建模计算。研究表明:FDTD法和SPICE等效模型法均可用于计算端接非线性负载的传输线的电磁脉冲响应,计算结果一致性很好;在处理非标准非线性器件的建模计算时,由于没有标准的SPICE非线性模型数据库,而FDTD算法只需要对非线性器件的U-I特性进行分段线性处理,所以FDTD法更为简单方便、效果好;在厂家提供相应器件的SPICE模型的条件下,SPICE模型法具有计算快、效率高的优点。 展开更多
关键词 传输线 分段线性 FDTD法 SPICE等效模型法 非线性负载 TVS 电磁脉冲响应
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大电流纳秒级脉宽激光二极管驱动电路的设计 被引量:12
15
作者 李楠 韩绍坤 +2 位作者 赵文 宛旭 杨昆 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期121-124,共4页
脉冲激光雷达探测的性能直接与激光束的质量和能量有关,而激光驱动电路则直接决定了脉冲激光的功率和脉冲宽度。基于半导体激光雷达探测系统的要求,设计出应用于激光雷达发射系统的大电流纳秒级脉冲半导体激光二极管的驱动电路。介绍了... 脉冲激光雷达探测的性能直接与激光束的质量和能量有关,而激光驱动电路则直接决定了脉冲激光的功率和脉冲宽度。基于半导体激光雷达探测系统的要求,设计出应用于激光雷达发射系统的大电流纳秒级脉冲半导体激光二极管的驱动电路。介绍了电路的系统结构和驱动级电路的模型及其理论分析,推导其电流数学模型计算公式,并对关键器件的选择进行了总结;运用SPICE仿真程序对驱动电路进行了仿真。制作了印刷电路板,得到峰值电流25A,脉宽15ns的脉冲电流,满足设计要求。 展开更多
关键词 激光技术 大电流 纳秒级 激光二极管 数学模型 SPICE仿真
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a-Si∶H TFT亚阈值区SPICE模型的研究 被引量:2
16
作者 邵喜斌 王丽娟 李梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期267-272,共6页
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区... 研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶HTFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。 展开更多
关键词 a—Si:H TFT SPICE模型 亚阈值区
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高功率微波对PCB电路系统辐照效应的仿真分析 被引量:5
17
作者 张薇 杜正伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2841-2844,共4页
以实验室自主研发的2维半导体器件-电路联合仿真程序用于分析高功率微波注入下半导体器件的毁伤机理,以此2维半导体器件-电路联合仿真程序为基础加以扩展,添加了电磁波辐照射下微带线的SPICE电路模型。扩展后的程序可以同时用于分析平... 以实验室自主研发的2维半导体器件-电路联合仿真程序用于分析高功率微波注入下半导体器件的毁伤机理,以此2维半导体器件-电路联合仿真程序为基础加以扩展,添加了电磁波辐照射下微带线的SPICE电路模型。扩展后的程序可以同时用于分析平面波入射下含半导体器件的PCB电路的高功率微波辐照效应和置于带孔缝屏蔽腔中的PCB电路的高功率微波辐照效应。应用此仿真程序分析了一个含有低噪声放大器的简单PCB电路,得到了该PCB电路在不同形式平面波入射下低噪声放大器的烧毁阈值,在该PCB电路置于屏蔽腔中时,低噪声放大器输入端口出现耦合干扰电压情况。 展开更多
关键词 高功率微波 半导体器件 SPICE模型 PCB电路 屏蔽腔
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神经元MOS的特性分析 被引量:3
18
作者 杨媛 高勇 余宁梅 《西安理工大学学报》 CAS 2004年第1期49-53,共5页
在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上,使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟,给出了器件的转移特性曲线,得到了器件的"可变阈值"特性,并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。结果... 在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上,使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟,给出了器件的转移特性曲线,得到了器件的"可变阈值"特性,并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。结果表明,该器件可使电路结构大为简化,器件数目大大减少。最后通过对器件运算精度的分析,得出其运算精度主要受MOS晶体管寄生电容等因素的影响。 展开更多
关键词 神经元MOS SPICE模型 浮栅
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照明用LED的Spice模型及参数提取方法研究 被引量:1
19
作者 杨广华 于莉媛 +2 位作者 李玉兰 韩变华 姜晓明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第S1期119-122,共4页
在我国已经有许多家企业正在进行照明用LED芯片的制备,但对于LED照明器件的建模工作还未真正开展,有碍于在电路设计的仿真工作以及进一步的推广应用。本文描述照明用LED的理论方程,经变化处理后发现可以通过迭代方法来对直流特性中的关... 在我国已经有许多家企业正在进行照明用LED芯片的制备,但对于LED照明器件的建模工作还未真正开展,有碍于在电路设计的仿真工作以及进一步的推广应用。本文描述照明用LED的理论方程,经变化处理后发现可以通过迭代方法来对直流特性中的关键参数Is,n和Rs进行求解。通过使用半导体特性系统对某型0.5W LED进行直流参数测试,并利用上述方法进行了器件建模和aim spice软件仿真应用,结果正确。 展开更多
关键词 照明 LED SPICE 建模
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一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化 被引量:1
20
作者 禹玥昀 林宏 +2 位作者 赵同林 狄光智 石艳玲 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1049-1053,共5页
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究... 研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究对象,在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改,实现了该可靠性模型。实验表明,该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化,进而评估标准工艺器件的寿命。 展开更多
关键词 SPICE模型 BSIM3v3模型 热载流子注入(HCI) 可靠性 参数
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