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基于SP4T开关的4位MEMS开关线式移相器设计 被引量:2
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作者 高杨 柏鹭 +2 位作者 郑英彬 张茜梅 秦燃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第12期792-796,801,共6页
设计了一款4位MEMS开关线式移相器,由SP4TMEMS开关和微带传输线构成,工作于X波段。单刀四掷(single pole 4throw,SP4T)开关用于切换两条不同电长度的信号通道,即参考相位通道和延迟相位通道。每个SP4T开关包含4个悬臂梁接触式RF MEMS串... 设计了一款4位MEMS开关线式移相器,由SP4TMEMS开关和微带传输线构成,工作于X波段。单刀四掷(single pole 4throw,SP4T)开关用于切换两条不同电长度的信号通道,即参考相位通道和延迟相位通道。每个SP4T开关包含4个悬臂梁接触式RF MEMS串联开关。介绍了4位MEMS开关线式移相器的总体设计,并给出了其关键部件SP4T开关和相位延迟线的设计细节。采用ADS软件仿真分析了器件的电气性能。仿真分析得到:SP4T开关在中心频率10GHz处的回波损耗为-36dB,插入损耗约为0.18dB;移相器各相位的回波损耗均低于-15dB,插入损耗为-0.8~-0.4dB。这种射频MEMS移相器具有小型化、低功耗和高隔离度的优点。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 开关线式移相器 单刀四掷(sp4t) 开关 X波段
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超高频RFID前端SP4T的设计 被引量:1
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作者 李俊 张红雨 《现代电子技术》 2009年第7期92-94,共3页
分析了超高频射频识别系统对单刀多掷开关(SP4T)的要求。介绍了PIN管的基本结构和主要指标,建立了PIN管的微波等效模型。采用串-并联PIN管设计和制作了SP4T,并用ADS对设计电路进行了仿真和参数优化,分析了仿真和实测结果的差异。实际电... 分析了超高频射频识别系统对单刀多掷开关(SP4T)的要求。介绍了PIN管的基本结构和主要指标,建立了PIN管的微波等效模型。采用串-并联PIN管设计和制作了SP4T,并用ADS对设计电路进行了仿真和参数优化,分析了仿真和实测结果的差异。实际电路的插入损耗最大为1.42 dB,隔离度最小为25 dB,满足系统要求。 展开更多
关键词 超高频 RFID sp4t ADS 隔离度 插入损耗
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Hittite推出SMT封装的GaAs MMIC SP4T开关
3
作者 黄玉英 《半导体信息》 2010年第6期6-7,共2页
关键词 GaAs MMIC sp4t Hittite SMT 电子对抗 高线性 额定工作 塑料封装 微波通讯 隔离度 插损
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4路广播电视监测控制器方案设计
4
作者 苏玉忠 《广播与电视技术》 2024年第1期113-115,共3页
本文详细阐述了4路广播电视监测控制器的方案设计,该控制器适用于监测台站的测向收测系统。通过切换控制4路定向天线,实现对广播台站的播出信号进行监测接收。结合监测接收机以及系统软件,可实现广播台站的播出监测以及覆盖效果评估。
关键词 天线 控制 切换 sp4t RS485 RJ45
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8kW高功率单刀四掷射频开关 被引量:3
5
作者 吴家锋 吴程 赵夕彬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期516-520,共5页
介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特... 介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。 展开更多
关键词 PIN二极管 单刀四掷开关(sp4t) 峰值功率 隔离度 转换时间
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一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片 被引量:4
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作者 王胜福 世娟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期592-596,共5页
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构... 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现。驱动器集成在片内,由一位低电平(0~0.4 V)或高电平(3.3~5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断。带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽。该开关滤波器芯片频率覆盖9.85~12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm。探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2 dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB。 展开更多
关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀四掷(sp4t)开关 带通滤波器 开关滤波器 微波单片集成电路(MMIC)
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DC~35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路 被引量:5
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作者 谭超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期576-580,共5页
设计了一款工作频率为DC~35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁... 设计了一款工作频率为DC~35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在GaAs PHEMT工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在DC~35 GHz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(IL)小于3.5 dB,隔离度大于30 dB,回波损耗小于-10 dB,易于控制,满足设计要求,在微波电路T/R组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。 展开更多
关键词 超宽带 单刀四掷(sp4t) 单片集成电路(MMIC) 2译码器 砷化镓
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WCDMA_ GSM七频段手机射频前端的简化设计 被引量:1
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作者 沈聪 赵曙光 +1 位作者 殷悦 袁茂恺 《电讯技术》 北大核心 2011年第8期130-133,共4页
通过分析使用SP9T天线开关实现WCDMA- GSM双模七频段的典型手机射频电路,提出了一种采用SP4T天线开关的简化设计方案。该设计在保证性能的前提下,极大地降低了成本和器件面积。测试结果表明,该方案各项射频指标,包括发射功率、灵敏度、... 通过分析使用SP9T天线开关实现WCDMA- GSM双模七频段的典型手机射频电路,提出了一种采用SP4T天线开关的简化设计方案。该设计在保证性能的前提下,极大地降低了成本和器件面积。测试结果表明,该方案各项射频指标,包括发射功率、灵敏度、PVT、频率误差、相位误差、调制频谱和开关频谱等,全部符合3GPP的通信标准,完全能够实现WCDMA和GSM两种移动通信制式的7个频段的通信能力。该方案已成功应用于实际的手机产品当中。 展开更多
关键词 WCDMA_ GSM双模手机 射频前端 sp4t天线开关 简化设计
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meso-四(4-甲基-3-磺基苯)卟啉分光光度法测定痕量钯的研究 被引量:13
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作者 李俊 张华山 +1 位作者 赵媛媛 程介克 《分析科学学报》 CAS CSCD 1996年第2期145-147,共3页
本文研究了Pd(Ⅱ)与meso-四(4-甲基-3-磺基苯)卟啉(T(4M3SP)P)的显色反应在表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)和抗坏血酸存在下,pH48的HAc-NaAc介质中,沸水浴加热,Pd(Ⅱ)与T(... 本文研究了Pd(Ⅱ)与meso-四(4-甲基-3-磺基苯)卟啉(T(4M3SP)P)的显色反应在表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)和抗坏血酸存在下,pH48的HAc-NaAc介质中,沸水浴加热,Pd(Ⅱ)与T(4M3SP)P形成1∶1(M∶L)配合物配合物最大吸收波长414nm,表观摩尔吸光系数ε=20×105L·mol-1·cm-1钯量在0-2.25μg/10μL范围内符合比耳定律本法应用于催化剂中痕量钯的测定。 展开更多
关键词 分光光度法 T(4M-3SP)P
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基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究
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作者 王雨桐 方园 +6 位作者 林勇 薛昊东 汪璐 陈艳 卢军廷 郑俊平 李明 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期222-224,共3页
基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35G... 基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35GHz,输入功率0dBm情况下,在输出频率96-105GHz频段内,该四通道发射前端芯片输出功率大于6.5dBm,输入电压驻波比小于1.6:1,输出电压驻波比小于2.5:1。其中,电路为5V和-5V供电;开关控制电压为-5V/0V。芯片尺寸为5.90mm×2.15mm×0.07mm。 展开更多
关键词 GaAs PHEMT 倍频器 功率放大器 单刀四掷开关
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一种小型化射频MEMS电子校准件设计 被引量:6
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作者 王姗姗 吴倩楠 +2 位作者 韩路路 范丽娜 李孟委 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第4期494-499,共6页
通过短路-开路-负载-直通(SOLT)校准原理与MEMS开关结合,设计了一种小型化多功能电子校准件。仿真结果表明,在0.1~20 GHz频段内,该电子校准件的双端口校准仅需2步;直通状态插入损耗≤0.9 dB,开路状态回波损耗≤0.48 dB,短路状态回波损耗... 通过短路-开路-负载-直通(SOLT)校准原理与MEMS开关结合,设计了一种小型化多功能电子校准件。仿真结果表明,在0.1~20 GHz频段内,该电子校准件的双端口校准仅需2步;直通状态插入损耗≤0.9 dB,开路状态回波损耗≤0.48 dB,短路状态回波损耗≤0.39 dB。整体尺寸为2.5 mm×1.2 mm×0.8 mm。该MEMS电子校准件体积小,损耗低,成本低,校准准确度高,效率高,适用于毫米波测量和小型智能化校准领域。 展开更多
关键词 MEMS 电子校准件 单刀四掷 SOLT
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新型单刀四掷通道功率合成发射机
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作者 来晋明 张洋 杨超 《电子信息对抗技术》 2019年第2期28-31,共4页
给出一种新型的通道功率合成式单刀四掷开关型(SP4T)发射机,利用两级通道功率合成技术,通过小功率开关的控制,使得高功率射频信号可以在四个方向中的任意一个方向带载切换。这种新型发射机具备带载热切换能力,使得发射机具备传统发射机... 给出一种新型的通道功率合成式单刀四掷开关型(SP4T)发射机,利用两级通道功率合成技术,通过小功率开关的控制,使得高功率射频信号可以在四个方向中的任意一个方向带载切换。这种新型发射机具备带载热切换能力,使得发射机具备传统发射机所没有的高功率高速切换和高可靠性特点。 展开更多
关键词 发射机 sp4t开关 魔T 功率合成技术
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改进K型单刀四掷射频MEMS开关
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作者 芮召骏 朱健 +1 位作者 黄镇 姜理利 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期266-271,共6页
针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求,设计了一款射频微机电系统(RF-MEMS)单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成,并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中,改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。... 针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求,设计了一款射频微机电系统(RF-MEMS)单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成,并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中,改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。改进的开关各端口具有插入损耗小和隔离度高的特点。最终流片的测试结果显示:该单刀四掷MEMS开关的插入损耗优于2.8 dB,隔离度优于29 dB。 展开更多
关键词 射频MEMS 硅基工艺 单刀四掷开关
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T4SP: A Novel Tool and Database for Type IV Secretion Systems in Bacterial Genomes
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作者 ZHANG Wen YU Wei Wen +5 位作者 LIU Di LI Ming DU Peng Cheng WU Yi Lei George F. GAO CHEN Chen 《Biomedical and Environmental Sciences》 SCIE CAS CSCD 2013年第7期614-617,共4页
Secretion systems, macromolecules to pass which can mediate the across cellular membranes, are essential for virulent and genetic material exchange among bacterial species[1]. Type IV secretion system (T4SS) is one ... Secretion systems, macromolecules to pass which can mediate the across cellular membranes, are essential for virulent and genetic material exchange among bacterial species[1]. Type IV secretion system (T4SS) is one of the secretion systems and it usually consists of 12 genes: VirB1, VirB2 ...VirB11, and VirD4[2]. The structure and molecular mechanisms of these genes have been well analyzed in Gram-negative strains[3] and Gram-positive strains were once believed to be lack of T4SS. However, some recent studies revealed that one or more virB/D genes also exist in some kinds of Gram-positive bacteria and play similar role, and form a T4SS-like system[3]. The VirBl-like, VirB4, VirB6, and VirD4 genes were identified in the chromosome of Gram-positive bacterium Streptococcus suis in our previous studies and their role as important mobile elements for horizontal transfer to recipients in an 89 K pathogenicity island (PAl) was demonstrated[45]. However, their structure and molecular mechanisms in other strains, especially in Gram-positive strains, are remained unclear. 展开更多
关键词 T4SP A Novel Tool and Database for Type IV Secretion Systems in Bacterial Genomes
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Ka波段高隔离单刀四掷开关芯片
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作者 屈晓敏 段磊 +1 位作者 郭跃伟 崔健 《通信电源技术》 2023年第10期11-13,共3页
文章基于赝高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计一款Ka波段单刀四掷反射式开关芯片。为降低芯片插入损耗和提高隔离度,电路选取并联型反射式拓扑结构。同时,为提高工作带宽和减小芯片... 文章基于赝高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计一款Ka波段单刀四掷反射式开关芯片。为降低芯片插入损耗和提高隔离度,电路选取并联型反射式拓扑结构。同时,为提高工作带宽和减小芯片面积,采用高低阻抗变换线替代50Ω传输线方式匹配阻抗。芯片采用0 V和-5 V电压控制支路开关的导通或关断。芯片尺寸为1.85 mm×1.55 mm。实测结果表明,在28~42 GHz工作频带范围内,输入输出回波损耗小于-10 dB,插入损耗小于3.2 dB,隔离度大于38 dB,实现了开关芯片低插损、高隔离度的优异性能。 展开更多
关键词 赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) KA波段 单刀四掷 低插损 高隔离度
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