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Body-contact self-bias effect in partially depleted SOI-CMOS and alternatives to suppress floating body effect 被引量:1
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作者 周建华 高明辉 +1 位作者 彭树根 邹世昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期33-37,共5页
As SOI-CMOS technology nodes reach the tens ofnanometer regime, body-contacts become more and more ineffective to suppress the floating body effect. In this paper, self-bias effect as the cause for this failure is ana... As SOI-CMOS technology nodes reach the tens ofnanometer regime, body-contacts become more and more ineffective to suppress the floating body effect. In this paper, self-bias effect as the cause for this failure is analyzed and discussed in depth with respect to different structures and conditions. Other alternative approaches to suppressing the floating body effect are also introduced and discussed. 展开更多
关键词 partially depleted soi-cmos floating body effect HOT-CARRIERS kink-effect gate oxide tunneling
原文传递
一种SOI CMOS电脉冲时间间隔测定电路的研制
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作者 孔荆钟 张新 +1 位作者 高勇 安涛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期328-330,共3页
 文章设计了一种SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。阐述了其工作原理,进行了电路的版图设计,测试了芯片的性能。测试结果表明,该电路测量精度高、工作速度快,且抗辐照性能好,达到了设计要求。
关键词 soi-cmos 电脉冲 时间间隔 测定电路 集成电路 电路设计
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