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十二位SOI/CMOS数模转换器的研制
1
作者
范秀强
张正番
+4 位作者
刘永光
多新中
张苗
王连卫
林成鲁
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第1期49-52,共4页
介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。
关键词
研制
数模转换器
soi/cmos
模拟开关
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职称材料
题名
十二位SOI/CMOS数模转换器的研制
1
作者
范秀强
张正番
刘永光
多新中
张苗
王连卫
林成鲁
机构
中国科学院上海冶金研究所
四川固体电路研究所
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第1期49-52,共4页
基金
国家重点基础专项经费G20000365
上海市科学发展基金项目(No.99JC14012)
文摘
介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。
关键词
研制
数模转换器
soi/cmos
模拟开关
Keywords
DAC
soi/cmos
high speed
analog switch
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
十二位SOI/CMOS数模转换器的研制
范秀强
张正番
刘永光
多新中
张苗
王连卫
林成鲁
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002
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