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具有部分n^+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构
1
作者 朱辉 李琦 黄远豪 《桂林电子科技大学学报》 2014年第5期369-372,共4页
为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partial n+-floating SJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对... 为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partial n+-floating SJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对新器件结构分析,与传统SJ-LDMOS进行比较。仿真结果表明,具有部分n+浮空层SJ-LDMOS结构的器件能将器件的击穿电压从138V提高到302V,且比导通电阻也从33.6mΩ·cm2降低到11.6mΩ·cm2,获得一个较为理想的低导通电阻高压功率器件。 展开更多
关键词 部分n^+浮空层 sj-ldmos 击穿电压
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具有阶梯掺杂缓冲层的双栅超结LDMOS 被引量：1
2
作者 唐盼盼 张峻铭 南敬昌 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期505-512,共8页
具有N型缓冲层的超结横向双扩散金属-半导体场效应晶体管(SJ-LDMOS)结构能够有效抑制传统结构中存在的衬底辅助耗尽效应(SAD)。为进一步优化器件性能,提出了一种具有阶梯型掺杂缓冲层的双栅极SOI基SJ-LDMOS(DG SDB SJ-LDMOS)器件结构。... 具有N型缓冲层的超结横向双扩散金属-半导体场效应晶体管(SJ-LDMOS)结构能够有效抑制传统结构中存在的衬底辅助耗尽效应(SAD)。为进一步优化器件性能,提出了一种具有阶梯型掺杂缓冲层的双栅极SOI基SJ-LDMOS(DG SDB SJ-LDMOS)器件结构。该结构采用沟槽栅极与平面栅极相互结合的形式,在器件内形成两条电流传导路径,其一通过SJ结构中高掺杂的N型区传输,另一条则通过阶梯掺杂缓冲层传输,同时阶梯掺杂缓冲层可以进一步改善表面电场分布,提高器件的耐压。双导通路径提高了SJ层和阶梯掺杂缓冲层的正向电流均匀性,从而有效地降低了器件的导通电阻。仿真结果表明:所提出的器件结构可实现394 V的高击穿电压和10.11 mΩ·cm^(2)的极低比导通电阻,品质因数达到了15.35 MW/cm^(2),与具有相同漂移区长度的SJ-LDMOS相比击穿电压提高了47%,比导通电阻降低了64.8%。 展开更多
关键词 sj-ldmos 阶梯掺杂 沟槽栅极 击穿电压 比导通电阻
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