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Si元素对钛/钢异种金属接头成形及微观组织影响 被引量:1
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作者 孙清洁 陶玉洁 +3 位作者 甄祖阳 刘一搏 张清华 刘岳 《焊接学报》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页
采用T2Cu和CuSi3焊丝在相同工艺参数下对厚度为1 mm的TC4钛合金及304不锈钢进行焊接,并借助光学显微镜(optical microscopy,OM)和扫描电镜(scanning electron microscopy,SEM)研究了两种焊丝下的TC4/304异种金属焊接熔池冶金行为.对比... 采用T2Cu和CuSi3焊丝在相同工艺参数下对厚度为1 mm的TC4钛合金及304不锈钢进行焊接,并借助光学显微镜(optical microscopy,OM)和扫描电镜(scanning electron microscopy,SEM)研究了两种焊丝下的TC4/304异种金属焊接熔池冶金行为.对比分析了不同焊丝成分,尤其是Si元素的加入对TC4/304异种金属接头宏观成形、界面微观组织和力学性能的影响.结果表明,Si元素的加入使液态熔池流动性显著增强,消除了凹陷和孔洞等缺陷,解决了焊缝背部熔合不良问题,焊缝宏观成形显著改善.两种焊丝均有效阻隔了Ti,Fe原子,钛/铜界面未生成Ti-Fe化合物,但在焊缝中心以及铜/钢界面处生成了少量Ti-Fe相.CuSi3焊丝中充足的Si元素不仅使Ti5Si3相形核生长的更加充分,在熔池流动的作用下均匀分布于焊缝中,对接头起到弥散强化作用.与T2Cu焊丝相比,CuSi3焊丝所得接头的抗拉强度提升了81.4%,最高达到366.8 MPa. 展开更多
关键词 钛/钢异种金属焊接 SI元素 焊缝成形 微观结构 弥散强化
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取向电工钢生产技术进步与发展 被引量:1
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作者 储双杰 周博皓 +1 位作者 潘振东 毛博 《钢铁研究学报》 北大核心 2025年第3期283-296,共14页
取向电工钢(Grain Oriented Electrical Steel,GOES)是现代电力能源系统建设的重要基础材料之一,在高效能输变电中发挥着至关重要的作用。由于其制备过程复杂、装备功能精度要求高且工艺控制难度大,实现高性能取向电工钢的生产需要在制... 取向电工钢(Grain Oriented Electrical Steel,GOES)是现代电力能源系统建设的重要基础材料之一,在高效能输变电中发挥着至关重要的作用。由于其制备过程复杂、装备功能精度要求高且工艺控制难度大,实现高性能取向电工钢的生产需要在制造装备及工艺技术方面同步取得重大突破。阐述了取向电工钢在成分设计、显微组织控制及加工工艺等全流程中的技术进展和发展水平。具体分析了取向电工钢中各类合金元素的作用及实现目标成分的关键制备技术;总结了其在轧制和热处理过程中的显微组织演变规律;探讨了轧制和热处理过程中关键工艺参数对显微组织的影响;并概述了关键后加工涂层和磁畴磁化技术的特点。最后结合取向电工钢发展面临的严峻挑战,阐明了该领域未来的研究方向和发展趋势。 展开更多
关键词 取向电工钢 生产技术 显微组织 磁性能 SI含量
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社交媒体群体极化背景下中介人识别及其信息传播效率影响研究 被引量:2
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作者 戴建华 程欣怡 《情报理论与实践》 北大核心 2025年第4期118-124,共7页
[目的/意义]旨在运用网络分析的方法,研究社交媒体上的信息中介节点在弥合不同声音、交换不同观点方面发挥的关键作用。[方法/过程]通过分析社交媒体应用平台——“推特”上交流互动的实例数据,在可视化两方政党之间的意见极化现象的基... [目的/意义]旨在运用网络分析的方法,研究社交媒体上的信息中介节点在弥合不同声音、交换不同观点方面发挥的关键作用。[方法/过程]通过分析社交媒体应用平台——“推特”上交流互动的实例数据,在可视化两方政党之间的意见极化现象的基础上,提出了改进的中介中心性指标算法,将中介中心性指标值高的节点视为极化网络中的隐性关键中介节点,通过SI模型仿真模拟信息在社交极化网络中的扩散过程,探究了关键的中介节点在信息传播中呈现的重要作用。[结果/结论]结果显示,当中介节点被移除时,极化网络中信息传播速度显著下降,特别是在跨社区的传播中,传播范围和效率均受到了严重影响。这表明中介节点作为连接不同社区的桥梁节点,通过填补社区间的结构洞,极大地提升了信息的跨社区传播效率。 展开更多
关键词 群体极化 结构洞 中介节点 SI传染病模型 信息扩散
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重熔时间对触变成形Al-8Si合金组织和力学性能影响
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作者 毕广利 王宁 +3 位作者 姜静 李元东 蒋春宏 陈体军 《特种铸造及有色合金》 北大核心 2025年第4期481-488,共8页
通过光学显微镜、X射线衍射仪、扫描电镜和万能拉伸试验机研究了重熔时间对触变成形Al-8Si合金显微组织和力学性能的影响。结果表明,随着重熔时间延长,合金组织变化显著,半固态坯料中的初生相颗粒形状更圆整、尺寸略微变大,共晶Si相长... 通过光学显微镜、X射线衍射仪、扫描电镜和万能拉伸试验机研究了重熔时间对触变成形Al-8Si合金显微组织和力学性能的影响。结果表明,随着重熔时间延长,合金组织变化显著,半固态坯料中的初生相颗粒形状更圆整、尺寸略微变大,共晶Si相长径比先增加后减小,体积分数逐渐增加,分布更加密集。此外,少量的初生Si相的体积分数先增加后减少,形貌先从小尺寸的多边形演变成大尺寸的多角块状,然后演变成长条状,最后演变成多角状。拉伸结果发现,随着重熔时间延长,合金的抗拉强度先增加后降低再增加,重熔时间为120 min时,合金的力学性能最佳,其抗拉强度、屈服强度、硬度(HV)和伸长率分别为187 MPa、93 MPa、75和17%。合金较高的力学性能主要归因于晶粒圆整度提高、初生Si体积分数减少以及共晶Si的尺寸和形貌改善。 展开更多
关键词 触变成形 Al-8Si合金 微观组织 力学性能
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考虑驱动参数的Si/SiC混合器件损耗建模研究
5
作者 刘平 曹麒 +3 位作者 肖标 肖凡 郭祺 涂春鸣 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第10期133-144,共12页
针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最... 针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最后,搭建双脉冲测试与稳态参数测量实验平台,在不同驱动电阻、不同负载电流与不同驱动电压条件下验证模型的准确性.实验结果表明,开关时序Ⅰ下开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别达到97.61%和99.20%;在开关时序Ⅱ下,开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别为97.83%和97.66%. 展开更多
关键词 功率半导体器件 SiC MOSFET Si IGBT 混合器件 损耗 驱动参数
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Si元素对高成形性双相钢拉伸变形行为的影响
6
作者 韩冰 闫佳鹤 +3 位作者 李建英 吴亚辉 刘帅 冯运莉 《塑性工程学报》 北大核心 2025年第6期238-247,共10页
以Cr-Mo系高成形性双相钢(Fe-0.1Cr-0.4Mo)成分为基础,添加适量的Si元素设计了一种新型含Si双相钢,并利用单轴拉伸试验、光学显微镜、扫描电子显微镜和电子背散射衍射等表征技术,对比研究了Si元素对高成形性双相钢的退火组织、织构演变... 以Cr-Mo系高成形性双相钢(Fe-0.1Cr-0.4Mo)成分为基础,添加适量的Si元素设计了一种新型含Si双相钢,并利用单轴拉伸试验、光学显微镜、扫描电子显微镜和电子背散射衍射等表征技术,对比研究了Si元素对高成形性双相钢的退火组织、织构演变、拉伸变形行为的影响。结果表明:随着Si元素的添加(含硅钢)显微组织明显细化,马氏体含量增多且均匀分布于铁素体晶界处;随退火温度升高,试验钢中马氏体含量增加,强度升高,840℃退火时含硅钢抗拉强度达554 MPa,屈服强度为291 MPa,伸长率37.37%,显示出优异的综合力学性能;此外,含硅钢大角度晶界数量较高,γ织构增强,其中{111}<112>取向强度达到9.75,使其塑性应变比达到1.47,加工硬化指数达0.215,具有卓越的成形性能。 展开更多
关键词 双相钢 SI元素 高成形性 微观组织 拉伸性能
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纳米声学理论的粗粒化分子动力学研究方法
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作者 李敏 巩鹏杰 +6 位作者 刘鑫鑫 明威 李乐康 朱华泽 赵省贵 杨静 张涛 《压电与声光》 北大核心 2025年第5期809-817,共9页
针对纳米声学理论研究的计算瓶颈,提出了一种基于能量的粗粒化方法。通过采用Tersoff和SW势函数,构建了映射比为8∶1、27∶1和64∶1的非晶二氧化硅和晶体硅粗粒化模型。研究结果表明,非晶二氧化硅8粗粒化模型在R和D参数均放大1.6倍时,... 针对纳米声学理论研究的计算瓶颈,提出了一种基于能量的粗粒化方法。通过采用Tersoff和SW势函数,构建了映射比为8∶1、27∶1和64∶1的非晶二氧化硅和晶体硅粗粒化模型。研究结果表明,非晶二氧化硅8粗粒化模型在R和D参数均放大1.6倍时,弹性模量相对误差仅3.45%,体积模量均方根误差为3.18 GPa,力学性能与全原子模型吻合度超过90%。晶体硅体系在ε和σ参数分别放大2倍、3倍和4倍时,力学行为与全原子模型高度一致。计算效率显著提升,其中非晶二氧化硅8粗粒化模型计算效率提升约28倍,晶体硅三种粗粒化模型计算效率则分别提升约8倍、26倍和45倍。该方法在保持材料关键物理化学性质的同时,显著提升了计算效率,为二氧化硅非晶导波层和硅半导体晶体的多尺度模拟提供了有效解决方案,对纳米声学理论研究具有重要意义。 展开更多
关键词 分子动力学 粗粒化 SiO_(2)/Si异质结构 Tersoff势函数 Stillinger-Weber势函数 纳米声学理论
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Al-3Ti-4.35La中间合金的制备及其细化变质效果
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作者 丁万武 田旭东 +4 位作者 陈建超 安家志 余海存 魏振鹏 杨成亮 《有色金属(中英文)》 北大核心 2025年第3期348-360,共13页
通过SEM、XRD和DSC等手段分析研究了不同保温时间和温度对Al-3Ti-4.35La中间合金中Ti_(2)Al_(20)La相的含量、形态尺寸和形成过程的影响规律,并探究Al-3Ti-4.35La中间合金对Al-7Si合金细化变质的影响。结果表明:在1 150℃下,保温4 min时... 通过SEM、XRD和DSC等手段分析研究了不同保温时间和温度对Al-3Ti-4.35La中间合金中Ti_(2)Al_(20)La相的含量、形态尺寸和形成过程的影响规律,并探究Al-3Ti-4.35La中间合金对Al-7Si合金细化变质的影响。结果表明:在1 150℃下,保温4 min时Al-3Ti-4.35La中间合金中Ti_(2)Al_(20)La相以块状形态均匀分布在基体中,且其含量最高为20.78%,长宽比为2.33;向Al-7Si合金中添加0.2%Al-3Ti-4.35La中间合金后,其α-Al的二次枝晶臂间距、共晶Si的平均尺寸及长宽比分别由未添加的18.33μm、8.91μm、6.6下降至13.88μm、6.12μm、4.1,且粗大的片状共晶Si向棒状转变,具有良好的细化变质效果。 展开更多
关键词 Al-3Ti-4.35La合金 Ti_(2)Al_(20)La 细化变质 Al-7Si合金
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面向10 kV以上碳化硅器件耐压区厚外延技术研究
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作者 房玉龙 李帅 +3 位作者 芦伟立 王健 李建涛 王波 《微纳电子技术》 2025年第6期20-26,共7页
随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术... 随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术,成功实现了对缓冲层与衬底及漂移层之间界面应力的调控,显著降低了外延片基平面位错密度,结合漂移层生长速率、缓冲层工艺以及C/Si比的协同优化,显著提升了4H-SiC厚外延材料的性能。实验结果表明:优化后的缓冲层工艺通过渐变掺杂设计有效调控界面应力,将基平面位错密度从1.5 cm^(-2)降至0.07 cm^(-2);同时,通过将生长速率提升至70μm/h并优化C/Si比至0.85,成功制备了厚度100μm、掺杂浓度2.5×10^(14)cm^(-3)的高质量外延层,原生少子寿命均值达1.76μs,材料均匀性及表面缺陷密度均满足10 kV以上超高压器件耐压区需求。 展开更多
关键词 超高压 基平面位错 C/Si比 双界面调制缓冲层 少子寿命
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基于Si P微系统的DSP微组件测试方法研究
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作者 赵桦 朱江 +2 位作者 宋国栋 张凯虹 奚留华 《电子与封装》 2025年第6期45-48,共4页
Si P微系统是一种高度集成化的系统,其内部可能集成1个或多个DSP、NOR Flash和DDR存储器、AI加速芯片等,有些复杂的微系统还集成了FPGA芯片。由于内部集成了多个微组件,芯片之间相互连接,传统的测试单一微组件的方法并不适用于微系统的... Si P微系统是一种高度集成化的系统,其内部可能集成1个或多个DSP、NOR Flash和DDR存储器、AI加速芯片等,有些复杂的微系统还集成了FPGA芯片。由于内部集成了多个微组件,芯片之间相互连接,传统的测试单一微组件的方法并不适用于微系统的测试。提出了一套DSP微组件测试方法,该系统包括1块专门的测试板、可调试的电脑测试环境和JTAG通信。与单一的DSP裸芯测试相比,它可以快速稳定地实现DSP微组件的性能测试,满足大批量生产测试的需求。 展开更多
关键词 Si P微系统 DSP微组件 大批量生产 测试板
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初始晶粒尺寸对Al-3%Mg_(2)Si合金热变形行为及组织演变的影响
11
作者 李冲 胡敏 +1 位作者 毛麒飞 孙宜琳 《材料热处理学报》 北大核心 2025年第2期72-80,共9页
通过热压缩试验研究了初始晶粒尺寸对Al-3%Mg_(2)Si合金热变形行为及显微组织演变的影响。结果表明:Al-3%Mg_(2)Si合金的流变应力曲线受初始晶粒尺寸的影响,且晶粒尺寸对流变应力的影响与变形温度高度相关;随着初始晶粒尺寸的减小,晶界... 通过热压缩试验研究了初始晶粒尺寸对Al-3%Mg_(2)Si合金热变形行为及显微组织演变的影响。结果表明:Al-3%Mg_(2)Si合金的流变应力曲线受初始晶粒尺寸的影响,且晶粒尺寸对流变应力的影响与变形温度高度相关;随着初始晶粒尺寸的减小,晶界的阻滞效应增强,使得热变形激活能增加;此外,初始晶粒尺寸对合金的动态再结晶过程具有显著的影响;在500℃/0.01 s^(-1)变形条件下,随着晶粒细化,高密度的晶界为动态再结晶提供了更多潜在的形核位置,使得Al-3%Mg_(2)Si合金的再结晶程度由6.61%提升至40.77%。 展开更多
关键词 Al-3%Mg_(2)Si合金 热变形 初始晶粒尺寸 动态再结晶
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Si元素质量分数对高速列车用Al-Mg-Si合金MIG焊接接头微观组织与力学性能的影响
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作者 李俊 汪海 +2 位作者 袁忠禹 李欣蓓 叶凌英 《铝加工》 2025年第4期16-24,共9页
制备了Si元素质量分数分别为0.83%和1.38%的两种Al-Mg-Si合金,并开展了熔化极惰性气体保护焊(MIG)接头强度测试,结合数字图像相关(DIC)分析、电子背散射衍射(EBSD)分析和透射电子显微镜(TEM)分析等手段,研究了不同Si元素质量分数对母材... 制备了Si元素质量分数分别为0.83%和1.38%的两种Al-Mg-Si合金,并开展了熔化极惰性气体保护焊(MIG)接头强度测试,结合数字图像相关(DIC)分析、电子背散射衍射(EBSD)分析和透射电子显微镜(TEM)分析等手段,研究了不同Si元素质量分数对母材及焊接接头强度的影响。结果表明,Si元素质量分数分别为0.83%和1.38%的两种合金母材抗拉强度分别为(329.4±1.8)MPa和(377.7±2.3)MPa,MIG焊接接头抗拉强度分别为(258.6±1.9)MPa和(270.1±1.3)MPa,焊接接头系数分别为0.79±0.01和0.72±0.01。Si元素质量分数为1.38%的合金在应变为5%时,应力集中转移至热影响区(HAZ)两侧,导致合金更早发生局部变形,断后伸长率降低。时效后Si元素质量分数分别为0.83%和1.38%的两种合金母材的β″相体积分数分别为0.97%和2.16%,平均尺寸分别为2.94 nm和3.85 nm。两种合金母材析出强化贡献分别为137 MPa和202 MPa,析出强化分别提供了46%和56%的母材强度。 展开更多
关键词 Si元素质量分数 AL-MG-SI合金 MIG焊接 微观组织
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具有标准发生率及饱和治疗函数的随机SIS传染病模型的灭绝性和持久性
13
作者 谭杨 杨林 郭子君 《中北大学学报(自然科学版)》 2025年第2期245-253,共9页
研究了一类具有标准发生率和饱和治疗函数的随机易感-感染-易感(SIS)传染病模型。首先,利用构造李雅普诺夫函数方法证明了模型正解的存在、唯一性。然后,在灭绝性方面得到了感染种群趋于普通灭绝和依指数灭绝的充分条件,其结果表明,随... 研究了一类具有标准发生率和饱和治疗函数的随机易感-感染-易感(SIS)传染病模型。首先,利用构造李雅普诺夫函数方法证明了模型正解的存在、唯一性。然后,在灭绝性方面得到了感染种群趋于普通灭绝和依指数灭绝的充分条件,其结果表明,随机基本再生数小于1时,感染种群必将趋于灭绝,而依指数灭绝则需要更强的条件。在持久性方面,得到了感染种群趋于依平均持久和随机持久的充分条件,其结果表明,随机基本再生数大于1时,感染种群随机持久,而依平均持久需要更强的条件才能满足。最后,通过数值模拟进行了结果验证。 展开更多
关键词 SIS模型 标准发生率 饱和治疗函数 灭绝性 持久性
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基于PCS7的环丁砜SIS系统设计与实现
14
作者 陈晓侠 薛旭 《工业仪表与自动化装置》 2025年第4期62-67,共6页
为了提升环丁砜产品生产过程的安全性,确保在高温、高压、易燃易爆等危险因素下,系统能够稳定运行,采用SIMATIC PCS7故障安全型软硬件,实施电源、CPU、通信模块等多级冗余设计,构建高可靠性的安全仪表系统(SIS)。详细设计并实施了SIS系... 为了提升环丁砜产品生产过程的安全性,确保在高温、高压、易燃易爆等危险因素下,系统能够稳定运行,采用SIMATIC PCS7故障安全型软硬件,实施电源、CPU、通信模块等多级冗余设计,构建高可靠性的安全仪表系统(SIS)。详细设计并实施了SIS系统的硬件配置(选择并安装适合的冗余组件)、联锁程序(编写安全逻辑程序确保故障时自动切换与安全操作)、监控界面(设计直观易用的监控画面以实时监控生产状态)和系统整体调试及投运。成功建立了基于SIMATIC PCS7的环丁砜生产安全仪表系统,通过多重冗余措施显著提高了系统的安全性与可靠性,有效应对了生产过程中的高风险因素,保障了生产的安全进行。 展开更多
关键词 SIS 环丁砜生产控制 PCS7 CFC 冗余
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面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:3
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作者 肖标 郭祺 +2 位作者 涂春鸣 肖凡 龙柳 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1117-1128,共12页
由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或... 由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或可靠性,调控参数单一且尚未兼顾损耗和可靠性的整体优化,考虑多调控参数的HyS集成驱动电路更是极为缺乏。首先,该文在充分挖掘开关时序、驱动电压等多调控参数对HyS特性影响的基础上,提出一种面向开关时序与驱动电压自主协同调控的HyS驱动电路软硬件架构设计方法,所提驱动电路不仅能为HyS提供由不同开关时序与驱动电压组成的三种开关模式,而且能根据负载电流水平实现开关时序与驱动电压的自主协同调控。其次,搭建基于所提驱动电路的HyS型单相逆变器,验证了所提驱动电路的有效性。最后,从逆变器效率、驱动电路功率损耗以及成本三个方面分析了所提驱动电路的优势。 展开更多
关键词 SiC/Si混合开关 开关时序 驱动电压 协同控制 驱动电路
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SiC/Si混合开关时间延迟及其信号调制方法 被引量:2
16
作者 丁四宝 王盼宝 +1 位作者 王卫 徐殿国 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1129-1144,共16页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了更简单高效地生成SiC/Si HyS的SiC MOSFET和Si IGBT驱动信号,该文提出一种针对最小SiC导通模式的信号调制电路,通过配置对应的RC缓冲电路中的电阻、电容值即可调节控制模式中的四个时间尺度,该方法具有灵活简单等优点。首先,理论分析最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS结构损耗分布特性;其次,给出信号调制电路原理并介绍信号调制电路的工作原理,建立RC缓冲电路参数和时间尺度之间的函数方程;最后,基于搭建的SiC/Si HyS硬件平台,在双脉冲测试电路中验证最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS损耗特性和所提信号调制电路的有效性,并在1.5 kW两电平逆变器中检验所提信号调制电路的动态运行特性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET Si IGBT 混合开关 开关损耗 信号调制
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Si含量对316L不锈钢激光熔覆层凝固行为和显微组织的影响 被引量:2
17
作者 古青 包海斌 +5 位作者 王永强 冯敏敏 董刚 尤涵潇 杨高林 姚建华 《表面技术》 北大核心 2025年第5期167-175,共9页
目的研究Si元素含量对316L不锈钢激光熔覆层凝固行为和显微组织的影响。方法利用LDF400-2000光纤耦合半导体激光器和ABB机械手组成的激光熔覆系统,在316L不锈钢基体上制备Si元素的质量分数分别为0.8%、1.6%的316L激光熔覆层。使用金相... 目的研究Si元素含量对316L不锈钢激光熔覆层凝固行为和显微组织的影响。方法利用LDF400-2000光纤耦合半导体激光器和ABB机械手组成的激光熔覆系统,在316L不锈钢基体上制备Si元素的质量分数分别为0.8%、1.6%的316L激光熔覆层。使用金相显微镜、扫描电镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)、透射电镜(TEM)和维氏硬度计,分别从激光束扫描方向(SD)和切向(TD)分析熔覆层的微观组织、晶粒取向、织构和显微硬度。结果在SD方向,0.8%-Si熔覆层的中下部晶粒呈垂直于底部界面的柱状生长趋势,而顶部晶粒则呈胞状,1.6%-Si熔覆层晶粒的生长模式与0.8%-Si熔覆层类似,但取向更随机。在TD方向,0.8%-Si熔覆层晶粒呈外延状,取向为<100>方向,而1.6%-Si熔覆层则为<111>方向。与0.8%-Si熔覆层相比,1.6%-Si熔覆层内小角度晶界占比更高,超过了50%,在晶粒内部可见被位错缠绕的亚微米颗粒,其硬度也从0.8%-Si熔覆层的199.7HV0.3提升到212.2HV0.3。结论Si元素的含量对激光熔覆316L凝固行为和组织有着显著影响,改变了熔覆层的凝固模式,使组织结构由粗大外延生长的树枝晶转变为沿温度梯度方向生长的细小晶粒。 展开更多
关键词 激光熔覆 SI元素 316L 凝固组织 晶粒细化
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基于SiIGBT与SiCFET并联的新型混合器件特性解析及对比研究 被引量:1
18
作者 朱梓贤 涂春鸣 +3 位作者 肖标 郭祺 肖凡 龙柳 《太阳能学报》 北大核心 2025年第1期251-260,共10页
对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件(HY_F)开展研究。首先,分析HY_F的基本结构与工作原理,并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次,基于混合器件的仿真模型,分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(... 对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件(HY_F)开展研究。首先,分析HY_F的基本结构与工作原理,并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次,基于混合器件的仿真模型,分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(HY_M)在不同额定电流等级下损耗与成本的优劣势。仿真结果表明,当额定电流为较小(15 A)时,HY_M能以较低的成本实现更低的损耗;混合器件在额定电流较大(25 A、40 A)时,HY_F能以更低的成本实现更低的损耗。最后,通过实验验证结论的正确性。 展开更多
关键词 Si/SiC混合器件 SiCMOSFET SiIGBT SiCFET 损耗模型
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基于SiC导通比例与开关频率协同调控的Si/SiC混合器件综合热管理方法 被引量:1
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作者 韩硕 涂春鸣 +3 位作者 龙柳 肖凡 肖标 郭祺 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第13期5241-5254,I0026,共15页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFE... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFET老化过速的问题。目前,针对Si/SiC HyS的热管理策略研究鲜有报道,而变开关频率作为单一器件中应用最为广泛的结温调节方法,难以调节Si/SiC HyS内部的结温差异,导致Si IGBT热容量利用率较低。考虑到SiC导通比例可利用Si IGBT的结温调节空间来降低SiC MOSFET的热应力,从多层级热管理视角出发,提出一种基于SiC导通比例DSiC与开关频率f协同调控的Si/SiC HyS综合热管理方法。所提热管理方法根据设定的结温波动阈值,对开关频率和SiC导通比例的目标参数域进行全面刻画,并实现f-DSiC参数的最短调节路径规划,最终将SiC MOSFET和Si IGBT结温波动平滑至同一阈值以内。实验结果表明,相较于变开关频率方法,采用所提综合热管理方法的Si/SiC HyS最大结温波动降低了24.31%,且任一负载波动下SiC MOSFET和Si IGBT的结温波动均被平滑至同一阈值以内,显著提高了Si/SiC HyS的整体使用寿命。 展开更多
关键词 Si/SiC混合器件 热管理方法 开关频率 SiC导通比例 结温波动
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硅锌互作对镉胁迫下玉米生长及生理参数的影响 被引量:1
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作者 魏畅 马耀武 +8 位作者 张振宇 张麒宇 吴天赐 焦秋娟 申凤敏 刘芳 赵颖 姜瑛 柳海涛 《环境科学》 北大核心 2025年第4期2557-2570,共14页
为评估Cd胁迫条件下施加外源Si和Zn对玉米根系构型及生理效应的影响,通过水培试验,以玉米品种郑单958为供试材料,探究在50μmol·L^(−1)Cd胁迫条件下,分别施加1 mmol·L^(−1)Si和100μmol·L^(−1)Zn对玉米幼苗生长、光合系... 为评估Cd胁迫条件下施加外源Si和Zn对玉米根系构型及生理效应的影响,通过水培试验,以玉米品种郑单958为供试材料,探究在50μmol·L^(−1)Cd胁迫条件下,分别施加1 mmol·L^(−1)Si和100μmol·L^(−1)Zn对玉米幼苗生长、光合系统、Cd含量及其吸收动力学、丙二醛含量和抗氧化物质的影响,并通过主成分分析进行评价.结果表明,Cd显著抑制玉米幼苗的生长,主根长、株高和生物量显著下降,根系发育和光合系统受到影响,丙二醛和抗氧化物质含量显著提升.Cd胁迫条件下,施加外源Si和Zn能够有效降低幼苗对Cd的最大吸收速率,通过改善AsA-GSH循环减轻氧化损伤,丙二醛质量摩尔浓度下降,光合作用增强,有效改善玉米幼苗的生长状态,其中主根长和株高分别提高了9.19%~40.88%和14.35%~18.92%;地下部和地上部干重分别增加了51.76%~151.76%和53.11%~84.31%,Si-Zn互作对Cd毒害的缓解效果略优于单独施加Si或Zn;其中Si在抑制玉米Cd吸收方面起到了重要作用,地下部和地上部Cd含量分别显著减少了43.55%和80.43%.外源施加Si和Zn可通过调节抗氧化物质含量以缓解Cd诱导的氧化损伤,增强光合作用,促进玉米幼苗生长,并有效提高玉米幼苗对Cd毒害的耐受能力,有利于重金属污染农田合理利用和粮食安全生产. 展开更多
关键词 玉米 镉(Cd)胁迫 硅(Si) 锌(Zn) 根系构型
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