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高温感知非晶SiCN陶瓷的微纳力学特性及压阻行为
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作者 魏浩冉 白誉杰 +1 位作者 牛家宏 杨强 《应用数学和力学》 北大核心 2025年第8期1016-1026,共11页
数字孪生技术通过构建高精度虚拟模型,结合实时数据获取和仿真分析,在高温热端部件的设计、运行和维护过程中具有重要意义.耐高温、高灵敏度、高稳定性的传感器是数据获取并提供高温部件运行状态精准映射的关键.该文以PSN1型聚硅氮烷为... 数字孪生技术通过构建高精度虚拟模型,结合实时数据获取和仿真分析,在高温热端部件的设计、运行和维护过程中具有重要意义.耐高温、高灵敏度、高稳定性的传感器是数据获取并提供高温部件运行状态精准映射的关键.该文以PSN1型聚硅氮烷为前驱体,采用液态模塑成型方法制备致密非晶SiCN陶瓷,并系统研究了热解温度对其微观结构演化以及微纳力学性能、压阻特性的影响.研究表明,随着热解温度的升高,非晶SiCN的密度以及结构中自由碳相的有序度逐渐增加.在1000~1200℃热解温度范围内,密度的增加作为主导因素显著提升其弹性模量、硬度以及蠕变应力指数.当温度进一步升至1300℃,sp2自由碳结构的有序化作为主导因素,增加了非晶SiCN的变形能力,引起弹性模量、硬度和蠕变应力指数的降低.此外,自由碳导电相的有序化显著提升了非晶SiCN的电导率,经1300℃热解的非晶SiCN表现出最高的压阻系数(310~416),对应电阻值随应力变化呈先急剧下降后趋于平缓的趋势.该材料在900℃高温环境下仍具有良好的压阻性能和稳定性,表明了其在高温压力传感器领域的应用潜力. 展开更多
关键词 高温感知 非晶sicn 纳米压痕 蠕变 压阻效应
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SiCN吸波陶瓷制备及改性方法的研究进展
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作者 杨一江 董永朋 +4 位作者 刘有云 唐舒 薛继梅 叶昉 范晓孟 《现代技术陶瓷》 2025年第3期360-376,共17页
新一代武器装备对高温隐身性能需求迫切,亟需发展高温吸波材料。SiCN陶瓷因其低密度、耐高温、介电性能可调等优势,作为高温吸波材料备受关注。本文对于SiCN陶瓷的研究进展进行了综述,首先介绍了SiCN陶瓷的制备方法,其中化学气相沉积制... 新一代武器装备对高温隐身性能需求迫切,亟需发展高温吸波材料。SiCN陶瓷因其低密度、耐高温、介电性能可调等优势,作为高温吸波材料备受关注。本文对于SiCN陶瓷的研究进展进行了综述,首先介绍了SiCN陶瓷的制备方法,其中化学气相沉积制备SiCN陶瓷所需温度较低,且制备出的SiCN陶瓷均匀致密;而聚合物转化陶瓷法具有良好的成型性和可加工性,近些年对于吸波SiCN陶瓷的研究制备主要是基于在此方法,故本文将重点围绕先驱体转化SiCN及其改性方法进行介绍。聚硅氮烷是聚合物先驱体转化SiCN的前驱体,可用来制备不同形态的SiCN陶瓷,其中SiCN气凝胶中的孔隙有利于电磁波的多次反射和散射,具有良好的吸波性能,而SiCN块体陶瓷以极化损耗为主,主要依赖自由碳和SiC纳米晶处形成的偶极子损耗电磁波,损耗机制单一,可从微观和宏观进行设计来优化吸波性能。根据损耗机制的不同,微观尺度改性可分为两类:一类是以磁性相改性为主,通过在聚硅氮烷前驱体中引入Fe、Co、Ni等实现磁电耦合以调节阻抗匹配并改善吸波性能;另一种以引入导电相或介电损耗相为主,通过引入碳纳米管、石墨烯和SiC纤维等来优化SiC陶瓷的吸波性能。宏观尺度上主要是通过对SiCN陶瓷进行周期性结构设计,构筑如由蜂窝状、空心球体状等亚波长结构单元组成的超材料,通过优化结构单元尺寸和形状以达到优化SiCN陶瓷吸波性能的目的。最后本文对于SiCN陶瓷及其复合材料未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 吸波 sicn陶瓷 聚合物转化陶瓷(Polymer derived ceramic PDC) 陶瓷基复合材料
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SiCN@Fe复合吸波涂层高温原位拉伸测试分析
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作者 蒋曜年 刘欢 +5 位作者 钟镇涛 何泽乾 毛卫国 戴翠英 张有为 刘平桂 《材料导报》 北大核心 2025年第3期157-161,共5页
对SiCN@Fe复合吸波涂层在不同温度下的力学性能进行原位表征分析,为评估该涂层在应用环境下的适配性提供了重要的参考依据。本工作采用空气喷涂法制备了SiCN@Fe复合吸波涂层,采用基于数字图像相关技术的材料高温力学性能原位测试系统表... 对SiCN@Fe复合吸波涂层在不同温度下的力学性能进行原位表征分析,为评估该涂层在应用环境下的适配性提供了重要的参考依据。本工作采用空气喷涂法制备了SiCN@Fe复合吸波涂层,采用基于数字图像相关技术的材料高温力学性能原位测试系统表征了SiCN@Fe复合吸波涂层的拉伸断裂行为。结果表明,随温度的升高,涂层的弹性模量逐渐降低,由室温下的54 GPa下降至600℃下的47 GPa;涂层的拉伸强度和断裂韧性明显提高,分别由室温下的52.81 MPa和4.65 MPa·m^(1/2)提升至600℃下的178 MPa和6.54 MPa·m^(1/2)。SiCN非晶陶瓷在高温环境下的韧性转变和Fe粉填料稳定的骨架结构是SiCN@Fe复合吸波涂层具有良好的拉伸强度和断裂韧性的主要原因。 展开更多
关键词 sicn聚合物衍生非晶陶瓷 吸波涂层 数字图像相关技术 高温拉伸
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热丝CVD生长SiCN薄膜的研究 被引量:11
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作者 牛晓滨 廖源 +2 位作者 常超 余庆选 方容川 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期397-403,共7页
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类... 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程. 展开更多
关键词 HFCVD sicn薄膜 α-Si3N4 化学气相沉积 纳米晶粒 薄膜生长
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SiCN薄膜的制备及其性能研究 被引量:4
5
作者 马紫微 谢二庆 +3 位作者 林洪峰 宁长春 刘肃 贺德衍 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第4期341-345,共5页
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(... 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2。 展开更多
关键词 制备 性能 sicn薄膜 XRD IR XPS AFM 场发射
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真空气氛下非晶硅碳氮(SiCN)陶瓷的高温晶化行为 被引量:4
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作者 夏熠 乔生儒 +3 位作者 王强强 张程煜 韩栋 李玫 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期827-830,共4页
以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷.借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300~1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程.非晶S... 以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷.借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300~1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程.非晶SiCN陶瓷在低于1300℃开始发生分解,形成富Si-C区域,并最终发生β-SiC结晶.其结晶度随热处理温度的升高而愈加明显.在1700℃处理时发生β-SiC→α-SiC相变.分解形成的N-难以与Si-结合形成富Si-N区域,最终以N2形式溢出,在整个热处理温度范围没有出现氮气下热处理时存在的Si3N4结晶. 展开更多
关键词 非晶sicn陶瓷 晶化行为 相变 显微结构
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溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响 被引量:3
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作者 肖兴成 宋力昕 +2 位作者 江伟辉 彭晓峰 胡行方 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期717-721,共5页
本文利用射频磁控溅射工艺制备了SiCN薄膜,研究了基本工艺参数如溅射功率、N分压对薄膜沉积和光学性能的影响.研究结果表明:溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构,膜中三元素Si、C和N两两之间形成了共价键.N分压的提高... 本文利用射频磁控溅射工艺制备了SiCN薄膜,研究了基本工艺参数如溅射功率、N分压对薄膜沉积和光学性能的影响.研究结果表明:溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构,膜中三元素Si、C和N两两之间形成了共价键.N分压的提高降低了薄膜的沉积速率.N流量的提高使光学带隙增大.溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高,但使得光学带隙减小. 展开更多
关键词 sicn薄膜 磁控溅射 FTIR 光学带隙 半导体
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稳定化预热处理对C/SiCN蠕变行为的影响 被引量:3
8
作者 夏熠 乔生儒 +1 位作者 王强强 张程煜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期5-8,共4页
研究了碳纤维增强SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)在真空中的拉伸蠕变行为,通过对比预热处理和未热处理的两类C/SiCN的蠕变激活能,分析了预热处理的稳定化效果,并采用X射线衍射研究了C/SiCN的蠕变相变行为。结果表明,预热处理促进了非晶SiC... 研究了碳纤维增强SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)在真空中的拉伸蠕变行为,通过对比预热处理和未热处理的两类C/SiCN的蠕变激活能,分析了预热处理的稳定化效果,并采用X射线衍射研究了C/SiCN的蠕变相变行为。结果表明,预热处理促进了非晶SiCN基体的结晶,能明显提升C/SiCN的蠕变激活能(Q),未热处理C/SiCN的Q=51kJ/mol,而热处理后试样的Q=72kJ/mol。恒定蠕变应力能明显促进非晶SiCN基体的结晶。 展开更多
关键词 非晶sicn陶瓷 蠕变 蠕变激活能 晶化
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等离子体技术沉积SiCN薄膜中杂质O的来源、化合状态及其对薄膜结构和性能的影响 被引量:6
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作者 赵艳艳 徐军 +2 位作者 丁万昱 张明明 陆文琪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期26-30,共5页
利用微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了硅碳氮(SiCN)薄膜,并利用X射线光电子能谱、扫描电镜、椭偏光谱仪等对薄膜成分、结构、性能等进行表征。结果表明薄膜中O杂质含量及其结合态对薄膜的化学结构和机械性能都产生了很大影响... 利用微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了硅碳氮(SiCN)薄膜,并利用X射线光电子能谱、扫描电镜、椭偏光谱仪等对薄膜成分、结构、性能等进行表征。结果表明薄膜中O杂质含量及其结合态对薄膜的化学结构和机械性能都产生了很大影响。Si靶溅射功率最低时(100W),薄膜中O杂质含量高达10.63%,以Si-O键结构为主,此时薄膜的疏松结构导致大气环境下O的化学吸附是O杂质的主要来源;在高Si靶溅射功率情况下(>250W),薄膜中O杂质含量低于4%,且以C-O键结构为主,薄膜致密,硬度最高达29.1GPa、折射率可达2.43。 展开更多
关键词 sicn薄膜 微波-ECR等离子体 化学结构 杂质
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SiCN扩散阻挡层薄膜的制备及特性研究 被引量:2
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作者 周继承 石之杰 郑旭强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期23-25,共3页
采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu/SiCN薄膜,并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、四探针测试仪(FPP)研究了SiCN薄膜的表面形貌、物相结构及在Cu/SiCN/Si结构中SiCN薄膜对铜与硅的阻挡性能。结... 采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu/SiCN薄膜,并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、四探针测试仪(FPP)研究了SiCN薄膜的表面形貌、物相结构及在Cu/SiCN/Si结构中SiCN薄膜对铜与硅的阻挡性能。结果表明,沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构,晶化温度在1000℃以上;SiCN薄膜作为Cu的扩散阻挡层有较好的热稳定性及阻挡性,阻挡失效温度在600℃左右。 展开更多
关键词 sicn薄膜 铜互连 电介质阻挡层 磁控溅射
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前驱体热解法及该方法制备Fe改性SiCN陶瓷研究进展 被引量:1
11
作者 李贵佳 王仙丽 冯玉润 《现代技术陶瓷》 CAS 2015年第5期31-36,共6页
介绍了热解法制备前驱体陶瓷材料的工艺特点,综述了Fe改性SiCN前驱体陶瓷的研究进展,并对其应用前景进行了展望。
关键词 前驱体陶瓷 sicn Fe改性
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采用热丝化学气相沉积法制备SiCN薄膜的研究
12
作者 赵武 屈亚东 +2 位作者 张志勇 贠江妮 樊玎玎 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期156-160,共5页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的简单混合,薄膜中Si,C和N这3种元素之间存在多种结合态,主要的化学结合状态为Si—N,Si—N—C,C—N,N=C和N—Si—C键,但是,没有观察到Si—C键,说明所制备的薄膜形成了复杂的网络结构。 展开更多
关键词 sicn薄膜 热丝化学气相沉积法(HFCVD) 原子力显微镜(AFM) X线衍射谱(XRD) X线光电子能谱(XPS)
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石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜
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作者 林洪峰 谢二庆 +2 位作者 张军 颜小琴 陈支勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期124-126,共3页
利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不... 利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 溅射 纳米sicn 薄膜
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SiCN/Sialon复合材料的制备及微波介电性能研究
14
作者 张富宽 罗发 +1 位作者 张华 周万城 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期488-491,共4页
以AlN、Al2O3和Y2O3为添加剂,用无压烧结法制备了SiCN/Sialon复合材料。研究表明,在相同烧结条件下,随着纳米SiCN含量的增加,材料的烧结致密度下降。XRD结果表明,SiCN/Sialon复合材料由主晶相β-Sialon(Si3Al3O3N5)和极少量的SiO2、β-... 以AlN、Al2O3和Y2O3为添加剂,用无压烧结法制备了SiCN/Sialon复合材料。研究表明,在相同烧结条件下,随着纳米SiCN含量的增加,材料的烧结致密度下降。XRD结果表明,SiCN/Sialon复合材料由主晶相β-Sialon(Si3Al3O3N5)和极少量的SiO2、β-SiC组成。SEM研究表明,随着纳米SiCN含量的增加,材料中棒状的β-Sialon(Si3Al3O3N5)含量明显减少。抗弯强度研究表明,β-Sialon(Si3Al3O3N5)复合材料的抗弯强度随着纳米SiCN含量的升高而降低,从纯Sialon陶瓷的530MPa下降到含22.26%SiCN时的196MPa,其原因是由于随着纳米SiCN含量的增加,材料的致密度降低,β-Sialon(Si3Al3O3N5)含量减少所致。SiCN/Sialon复合材料复介电常数的实部和虚部均随纳米SiCN含量的升高而增大,但是低于预期值,其原因是由于长时间高温烧结时,纳米SiCN结构发生变化,其复介电常数的实部和虚部大幅度下降造成。 展开更多
关键词 纳米sicn SIALON 复介电常数
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溅射辅助微波等离子体化学气相沉积SiCN晶体
15
作者 万军 马志斌 +2 位作者 曹宏 吴振辉 汪建华 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期48-52,共5页
在微波等离子体化学气相沉积系统中,利用脉冲氮离子束溅射二氰二氨靶产生的碳氮粒子作为合成前驱物,在石英玻璃基片上研究了SiCN晶体的合成。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)研究了基片... 在微波等离子体化学气相沉积系统中,利用脉冲氮离子束溅射二氰二氨靶产生的碳氮粒子作为合成前驱物,在石英玻璃基片上研究了SiCN晶体的合成。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)研究了基片温度对薄膜的形貌、成分和结构的影响。结果表明:随着基片温度的降低,沉积物由截面为六方形的结晶良好的SiCN晶体(800℃)变成发育不完全的聚片状晶体(700℃),直到变成颗粒细小的无定形碳氮薄膜(550℃)。衍射峰的强度以及晶胞参数a和c的值随温度的降低而减小。薄膜为C原子部分取代Si3N4中的Si原子位置而形成的SiCN晶体,其中N原子主要与Si原子结合,C原子以sp3C—N、sp2CN和sp2CC键的形式存在。降低基片温度有利于提高薄膜中的C含量和sp3C—N键的含量。 展开更多
关键词 sicn晶体 微波等离子体 溅射 二氰二氨
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C/SiCN复合材料的疲劳行为
16
作者 夏熠 乔生儒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期18-20,共3页
研究了碳纤维增强非晶SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)的真空拉-拉疲劳行为,对比分析了预稳定化热处理C/SiCN(HTCS)与未热处理C/SiCN(NHTCS)在疲劳后的质量、显微结构和电阻变化。结果表明,对于NHTCS试样,非晶SiCN基体的晶化造成大量气体挥... 研究了碳纤维增强非晶SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)的真空拉-拉疲劳行为,对比分析了预稳定化热处理C/SiCN(HTCS)与未热处理C/SiCN(NHTCS)在疲劳后的质量、显微结构和电阻变化。结果表明,对于NHTCS试样,非晶SiCN基体的晶化造成大量气体挥发,质量损失明显;显微组织结构变化表现为基体脱落、纤维拔出、纤维断裂、裂纹扩展直至失效;电阻变化率先降后升,变化规律与材料的组织结构变化密切相关。对于预稳定化处理的HTCS试样,其质量变化、电阻变化的程度相对较小,体现出较好的预稳定化效果。 展开更多
关键词 C sicn复合材料 拉-拉疲劳 质量 电阻 显微结构
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SiCN薄膜的红外光谱研究
17
作者 马紫微 张永安 《运城学院学报》 2013年第5期38-40,共3页
SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱(IR)进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。... SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱(IR)进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高。 展开更多
关键词 sicn薄膜 溅射 红外光谱 N含量
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纳米SiCN薄膜的制备和光致发光
18
作者 孟旭东 《光谱实验室》 CAS 2013年第2期567-569,共3页
采用磁控溅射技术制备了SiCN薄膜,利用傅里叶红外光谱仪、扫描探针显微镜、荧光分光光度计对薄膜结构、表面形貌、光致发光进行了表征。结果表明SiCN薄膜有良好的发光性质,通过对薄膜的红外光谱及光致发光谱分析可知,当氩气和氮气流量比... 采用磁控溅射技术制备了SiCN薄膜,利用傅里叶红外光谱仪、扫描探针显微镜、荧光分光光度计对薄膜结构、表面形貌、光致发光进行了表征。结果表明SiCN薄膜有良好的发光性质,通过对薄膜的红外光谱及光致发光谱分析可知,当氩气和氮气流量比为4:1时,最有利于SiCN薄膜的生成,PL发光峰强度也达到最大值,SiCN薄膜的光发射主要来源于带-带直接辐射复合及导带底到缺陷态辐射跃迁。 展开更多
关键词 sicn薄膜 磁控溅射 光致发光
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衬底温度对SiCN膜生长的影响
19
作者 马紫微 《运城学院学报》 2005年第5期40-41,共2页
分别在不同的衬底温度下制备了S iCN薄膜,首先用红外吸收谱(IR)研究了薄膜中各元素间的成键情况,然后用X射线衍射谱(XRD)分别研究了高温样品和低温样品的结构,得到了它们的结晶状况。利用这些研究得到了衬底温度对薄膜生长的影响。
关键词 sicn 衬底温度 红外吸收谱 XRD
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PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备 被引量:6
20
作者 李来超 余煜玺 +1 位作者 黄奇凡 韩清凯 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期7169-7172,7177,共5页
为了解决航空发动机的温度检测问题,提出了一种以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)为传感器介质材料的无线无源温度传感器,并搭建了无线无源温度传感器的测试系统。PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器是以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)... 为了解决航空发动机的温度检测问题,提出了一种以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)为传感器介质材料的无线无源温度传感器,并搭建了无线无源温度传感器的测试系统。PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器是以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)作为传感器介质材料,以金属铂作为谐振腔材料。分析了PDCSiCN陶瓷基无线无源温度传感器的谐振频率与测试温度之间的关系,传感器的测试温度达到了610℃。研究发现,PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的谐振频率随测试温度升高呈单调递减变化,通过对传感器的谐振频率与温度的关系进行多项式拟合,610℃时传感器的灵敏度为0.4705 MHz/℃。PDC-SiCN陶瓷基无线无源传感器在高温恶劣环境具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 聚合物先驱体陶瓷 sicn 无线无源 温度传感器
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