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SEC-DED海明校验码算法研究及其FPGA实现
被引量：
6
1
作者
何秉姣
刘科
《中南民族大学学报（自然科学版）》
CAS
2012年第3期89-92,共4页
采用Multisim 11实现了SEC-DED海明码的编码、译码和纠错电路,并给出其相应时序仿真波形图.结果表明:其功能能满足SEC-DED的需要,为FPGA快速准确实现SEC-DED校验码提供了一种占用资源少、校验可靠高速的方案.
关键词
sec-ded
海明校验码
现场可编程门阵列
时序仿真
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职称材料
基于SEC-DED的抗SEU星载MIMO检测算法
被引量：
1
2
作者
高山
王大鸣
《电子技术应用》
北大核心
2014年第8期116-118,共3页
针对星载平台抗单粒子翻转(SEU)问题,提出一种基于SEC-DED思想的低开销抗SEU星载MIMO检测算法,通过对MIMO检测算法的乘积运算分割和扩展校验,实现自检错与自纠错功能。该方法以较少的资源占用率,获得系统可靠性的整体提升。
关键词
单粒子翻转
MIMO检测
SEC—DED
三模冗余
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职称材料
多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
被引量：
1
3
作者
池雅庆
胡春媚
+2 位作者
陈建军
梁斌
陈小文
《微电子学与计算机》
2025年第1期110-116,共7页
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重...
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重离子试验时多个离子轰击造成的多位翻转影响到了同一个逻辑地址。建立了纠一检二与位交织存储系统SEU截面解析模型,符合测试结果。模型分析表明缩短SRAM刷新周期和减少EDAC数据位宽都能增强EDAC和位交织加固方法的抗MBU能力。
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关键词
EDAC
sec-ded
位交织
单粒子翻转
SRAM
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职称材料
高可靠微处理器结构与实现(英文)
被引量：
3
4
作者
彭和平
赵元富
+2 位作者
高德远
于立新
陈雷
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第7期78-81,85,共5页
文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺...
文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用252Cf辐射源,3.5uCi,以及43MeV.cm2/mg平均LET进行。
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关键词
容错
三模冗余(TMR)
错误纠一检二(
sec-ded
)
可靠性
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职称材料
DDR存储器单粒子翻转试验及加固设计研究进展
被引量：
4
5
作者
贺振江
刘曦
王小珂
《微电子学与计算机》
2022年第10期111-117,共7页
概述了国内外对DDR存储器单粒子翻转试验与加固设计的研究历史及现状,并对其未来趋势进行展望.国内外研究人员开展了许多DDR存储器单粒子翻转相关试验,对各代DDR存储器的单粒子翻转截面和翻转阈值进行统计对比.通过对试验过程及其结果...
概述了国内外对DDR存储器单粒子翻转试验与加固设计的研究历史及现状,并对其未来趋势进行展望.国内外研究人员开展了许多DDR存储器单粒子翻转相关试验,对各代DDR存储器的单粒子翻转截面和翻转阈值进行统计对比.通过对试验过程及其结果进行分析总结,研究工艺制程、存储容量及辐射剂量与单粒子翻转截面间的关系,发现随着DDR存储器工艺尺度的缩小、存储容量的增大,其对单粒子翻转的敏感度也逐渐增大.现有的DDR存储器抗单粒子翻转加固主要分为工艺加固和设计加固,包括SOI工艺、版图加固、电路冗余和纠错码等.简述了各类加固方法的机理,分析了各类加固方法的优势及存在的不足,并重点介绍了更具有普适性的纠检错算法加固,包括片上纠错码和EDAC(Error Detection and Correction)IP核.通过对几种典型的纠错码在纠检错能力、时间延迟、面积开销和功耗上加以对比,发现SEC-DED(Single Error Correction-Double Error Detection)海明校验码可用于纠正单粒子单位翻转,正交拉丁方码在纠正单粒子多位翻转方面优势显著,这为后续提出新的DDR存储器抗单粒子翻转加固方法提供了思路.
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关键词
DDR
单粒子翻转
sec-ded
海明校验码
OLS码
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职称材料
扩展三值纠一检二码原理与设计
被引量：
2
6
作者
沈云付
潘磊
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期1615-1621,共7页
本文在三值汉明码一位检错纠错研究工作的基础上,对三值汉明码的检错纠错方法进行进一步研究.给出了扩展三值汉明码的形式,通过对扩展三值汉明码的错误分析获得了一位纠错和二位检错原理,给出了扩展三值汉明码的纠错码表,根据纠错码表...
本文在三值汉明码一位检错纠错研究工作的基础上,对三值汉明码的检错纠错方法进行进一步研究.给出了扩展三值汉明码的形式,通过对扩展三值汉明码的错误分析获得了一位纠错和二位检错原理,给出了扩展三值汉明码的纠错码表,根据纠错码表提出了一位纠错方法,给出了基于三值光学计算机的扩展三值汉明码检错纠错概念结构图和功能部件,为检错纠错系统的光学设计提供一种途径.
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关键词
三值光学计算机(TOC)
三值扩展汉明码
纠一检二码
纠错码表
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职称材料
澳门老年人抑郁症状及其影响因素调查分析
被引量：
43
7
作者
宁自衡
Jose Esteves
+1 位作者
林中宝
翟群
《中国心理卫生杂志》
CSSCI
CSCD
北大核心
2001年第5期331-333,335,共4页
目的 :调查澳门老年人中抑郁症状及影响因素。方法 :采用CES -D抑郁量表对 662名 5 5岁以上的澳门中老年人进行了评定。结果 :有 12 3 7%的老人有明显的抑郁症状 ;抑郁量表的得分女性显著高于男性 ,不同年龄组之间差异不显著。多元回...
目的 :调查澳门老年人中抑郁症状及影响因素。方法 :采用CES -D抑郁量表对 662名 5 5岁以上的澳门中老年人进行了评定。结果 :有 12 3 7%的老人有明显的抑郁症状 ;抑郁量表的得分女性显著高于男性 ,不同年龄组之间差异不显著。多元回归分析的结果显示 ,家庭结构、经济保障、与配偶及子女的关系、健身活动等是影响澳门老年人抑郁情绪的主要因素。结论 :澳门老人中存有抑郁症状 ,其影响因素是多方面的。
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关键词
澳门
老年人
抑郁症状
sec-d
调查分析
暂未订购
题名
SEC-DED海明校验码算法研究及其FPGA实现
被引量：
6
1
作者
何秉姣
刘科
机构
中南民族大学计算机科学学院
出处
《中南民族大学学报（自然科学版）》
CAS
2012年第3期89-92,共4页
基金
湖北省教育厅科学技术研究项目(B20110808)
文摘
采用Multisim 11实现了SEC-DED海明码的编码、译码和纠错电路,并给出其相应时序仿真波形图.结果表明:其功能能满足SEC-DED的需要,为FPGA快速准确实现SEC-DED校验码提供了一种占用资源少、校验可靠高速的方案.
关键词
sec-ded
海明校验码
现场可编程门阵列
时序仿真
Keywords
sec-ded
Hamming check code
FPGA
timing simulation
分类号
TP309.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于SEC-DED的抗SEU星载MIMO检测算法
被引量：
1
2
作者
高山
王大鸣
机构
信息工程大学
出处
《电子技术应用》
北大核心
2014年第8期116-118,共3页
文摘
针对星载平台抗单粒子翻转(SEU)问题,提出一种基于SEC-DED思想的低开销抗SEU星载MIMO检测算法,通过对MIMO检测算法的乘积运算分割和扩展校验,实现自检错与自纠错功能。该方法以较少的资源占用率,获得系统可靠性的整体提升。
关键词
单粒子翻转
MIMO检测
SEC—DED
三模冗余
Keywords
single event upset
MIMO detection
sec-ded
TMR
分类号
TN927 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
被引量：
1
3
作者
池雅庆
胡春媚
陈建军
梁斌
陈小文
机构
国防科技大学计算机学院
国防科技大学先进微处理器芯片与系统教育部重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
2025年第1期110-116,共7页
基金
国家自然科学基金(62174180)。
文摘
纠检错结合位交织作为主流的大容量片上存储器抗单粒子翻转加固方法,广泛应用于面向恶劣环境的先进微处理器中。基于高LET重离子辐照试验,探究某多核微处理器中EDAC与位交织加固存储系统的单粒子翻转特性,首次发现其SEU来源于加速器重离子试验时多个离子轰击造成的多位翻转影响到了同一个逻辑地址。建立了纠一检二与位交织存储系统SEU截面解析模型,符合测试结果。模型分析表明缩短SRAM刷新周期和减少EDAC数据位宽都能增强EDAC和位交织加固方法的抗MBU能力。
关键词
EDAC
sec-ded
位交织
单粒子翻转
SRAM
Keywords
EDAC
sec-ded
bits intertwined
single event upset
SRAM
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高可靠微处理器结构与实现(英文)
被引量：
3
4
作者
彭和平
赵元富
高德远
于立新
陈雷
机构
西北工业大学航空微电子设计中心
北京微电子技术研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第7期78-81,85,共5页
文摘
文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用252Cf辐射源,3.5uCi,以及43MeV.cm2/mg平均LET进行。
关键词
容错
三模冗余(TMR)
错误纠一检二(
sec-ded
)
可靠性
Keywords
Fault-tolerance, Triple Modular Redundanee（TMR）, EDAC, Reliability.
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
DDR存储器单粒子翻转试验及加固设计研究进展
被引量：
4
5
作者
贺振江
刘曦
王小珂
机构
西安微电子技术研究所
出处
《微电子学与计算机》
2022年第10期111-117,共7页
基金
国家科技重大专项项目(2009ZYHJ0041)。
文摘
概述了国内外对DDR存储器单粒子翻转试验与加固设计的研究历史及现状,并对其未来趋势进行展望.国内外研究人员开展了许多DDR存储器单粒子翻转相关试验,对各代DDR存储器的单粒子翻转截面和翻转阈值进行统计对比.通过对试验过程及其结果进行分析总结,研究工艺制程、存储容量及辐射剂量与单粒子翻转截面间的关系,发现随着DDR存储器工艺尺度的缩小、存储容量的增大,其对单粒子翻转的敏感度也逐渐增大.现有的DDR存储器抗单粒子翻转加固主要分为工艺加固和设计加固,包括SOI工艺、版图加固、电路冗余和纠错码等.简述了各类加固方法的机理,分析了各类加固方法的优势及存在的不足,并重点介绍了更具有普适性的纠检错算法加固,包括片上纠错码和EDAC(Error Detection and Correction)IP核.通过对几种典型的纠错码在纠检错能力、时间延迟、面积开销和功耗上加以对比,发现SEC-DED(Single Error Correction-Double Error Detection)海明校验码可用于纠正单粒子单位翻转,正交拉丁方码在纠正单粒子多位翻转方面优势显著,这为后续提出新的DDR存储器抗单粒子翻转加固方法提供了思路.
关键词
DDR
单粒子翻转
sec-ded
海明校验码
OLS码
Keywords
DDR
SEU
sec-ded
Hamming check code
Orthogonal Latin Square code
分类号
TP302.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
扩展三值纠一检二码原理与设计
被引量：
2
6
作者
沈云付
潘磊
机构
上海大学计算机工程与科学学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期1615-1621,共7页
基金
国家自然科学基金(No.61073019)
上海市教委创新基金(No.13YZ005)
上海市重点学科建设项目(No.J50103)
文摘
本文在三值汉明码一位检错纠错研究工作的基础上,对三值汉明码的检错纠错方法进行进一步研究.给出了扩展三值汉明码的形式,通过对扩展三值汉明码的错误分析获得了一位纠错和二位检错原理,给出了扩展三值汉明码的纠错码表,根据纠错码表提出了一位纠错方法,给出了基于三值光学计算机的扩展三值汉明码检错纠错概念结构图和功能部件,为检错纠错系统的光学设计提供一种途径.
关键词
三值光学计算机(TOC)
三值扩展汉明码
纠一检二码
纠错码表
Keywords
ternary optical computer（TOC）
extended ternary hamming code
single error correction and double error detection（
sec-ded
）
error-correcting tables
分类号
TP302.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
澳门老年人抑郁症状及其影响因素调查分析
被引量：
43
7
作者
宁自衡
Jose Esteves
林中宝
翟群
机构
澳门理工学院体育暨运动高等学校
出处
《中国心理卫生杂志》
CSSCI
CSCD
北大核心
2001年第5期331-333,335,共4页
基金
澳门理工学院和澳门社会工作司的资助
文摘
目的 :调查澳门老年人中抑郁症状及影响因素。方法 :采用CES -D抑郁量表对 662名 5 5岁以上的澳门中老年人进行了评定。结果 :有 12 3 7%的老人有明显的抑郁症状 ;抑郁量表的得分女性显著高于男性 ,不同年龄组之间差异不显著。多元回归分析的结果显示 ,家庭结构、经济保障、与配偶及子女的关系、健身活动等是影响澳门老年人抑郁情绪的主要因素。结论 :澳门老人中存有抑郁症状 ,其影响因素是多方面的。
关键词
澳门
老年人
抑郁症状
sec-d
调查分析
Keywords
CES-D
depression
elderly
Macao
分类号
R749.4 [医药卫生—神经病学与精神病学]
暂未订购
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SEC-DED海明校验码算法研究及其FPGA实现
何秉姣
刘科
《中南民族大学学报（自然科学版）》
CAS
2012
6
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职称材料
2
基于SEC-DED的抗SEU星载MIMO检测算法
高山
王大鸣
《电子技术应用》
北大核心
2014
1
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职称材料
3
多核微处理器EDAC与位交织加固存储系统单粒子翻转特性分析
池雅庆
胡春媚
陈建军
梁斌
陈小文
《微电子学与计算机》
2025
1
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职称材料
4
高可靠微处理器结构与实现(英文)
彭和平
赵元富
高德远
于立新
陈雷
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006
3
在线阅读
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职称材料
5
DDR存储器单粒子翻转试验及加固设计研究进展
贺振江
刘曦
王小珂
《微电子学与计算机》
2022
4
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职称材料
6
扩展三值纠一检二码原理与设计
沈云付
潘磊
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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职称材料
7
澳门老年人抑郁症状及其影响因素调查分析
宁自衡
Jose Esteves
林中宝
翟群
《中国心理卫生杂志》
CSSCI
CSCD
北大核心
2001
43
暂未订购
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